JP5292805B2 - 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5292805B2 JP5292805B2 JP2007334774A JP2007334774A JP5292805B2 JP 5292805 B2 JP5292805 B2 JP 5292805B2 JP 2007334774 A JP2007334774 A JP 2007334774A JP 2007334774 A JP2007334774 A JP 2007334774A JP 5292805 B2 JP5292805 B2 JP 5292805B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- gate
- electrode
- wiring
- interlayer insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 200
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 100
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 70
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 39
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
松本正一編著、「液晶ディスプレイ技術 −アクティブマトリクスLCD−」、第3版、産業図書株式会社、2001年6月18日
半導体パターンがソース電極とドレイン電極の間隙に入るようにソース配線及びソース配線に接続されたソース電極と画素電極及び画素電極に接続されたドレイン電極を形成し、画素電極上に第1の開口部を有するゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート配線及びゲート配線に接続されたゲート電極とキャパシタ配線及びキャパシタ配線に接続されたキャパシタ電極を形成し、画素電極上に第2の開口部を有する層間絶縁膜を形成し、画素電極に接続された上部画素電極を形成し、ゲート絶縁膜の第1の開口部が、画素電極にまたがって連続したストライプ構造であることを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法としたものである。
図1(a)に示すように本発明の第1の実施の形態に係る薄膜トランジスタアレイ100はボトムゲート型の構造であり4画素領域を示す平面配置図である。実際には、もっと複数の薄膜トランジスタを並べたアレイとして用いられる。薄膜トランジスタアレイ100は、基板1、ゲート電極2、ゲート配線22、ゲート絶縁膜3、ソース電極4、ソース配線42、ドレイン電極5、画素電極8、半導体6、封止層7、開口部9oを有する層間絶縁膜9、キャパシタ電極10、キャパシタ配線20及び上部画素電極11を備えている。層間絶縁膜9の開口部9oは、複数の画素電極8にまたがるストライプ状に形成されて、層間絶縁膜9の開口部9oがソース配線42に平行である。図1(b)は、図1(a)のAA−AAの断面図であり、図1(c)は、図1(a)のA−Aの断面図である。
図3(a)に示すように、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタアレイ300はトップゲート型の構造であり4画素領域を示す平面配置図を示している。実際には、もっと複数の薄膜トランジスタを並べたアレイとして用いられる。薄膜トランジスタアレイ300は、基板1、バリア層12、半導体6、ソース電極4兼ソース配線42、ドレイン電極5、画素電極8、開口部3oを有するゲート絶縁膜3、ゲート電極2兼ゲート配線22、キャパシタ電極10兼キャパシタ配線20、開口部9oを有する層間絶縁膜9、上部画素電極11を備えている。ゲート絶縁膜3の開口部3oはストライプ状に形成されて、ゲート配線22に平行である。層間絶縁膜9の開口部9oは、複数の画素電極8にまたがるストライプ状に形成されて、ゲート配線22に平行である。図3(b)は、図3(a)のCC−CCの断面図であり、図3(c)は、図3(a)のC−Cの断面図である。
層間絶縁膜9の開口部9oが孤立形状である以外は、実施例1及び2と同様の薄膜トランジスタアレイを作製した。層間絶縁膜9を印刷法により形成した際に一部の層間絶縁膜9の開口部9oがつぶれ、その画素の表示ができなかった。
ゲート絶縁膜3の開口部3o及び層間絶縁膜9の開口部9oが孤立形状である以外は、実施例3及び4と同様の薄膜トランジスタアレイを作製した。ゲート絶縁膜3の形成時及び層間絶縁膜9の印刷時に一部のゲート絶縁膜3の開口部3o及び層間絶縁膜9の開口部9oがつぶれ、その画素の表示ができなかった。
12 バリア層
2 ゲート電極
22 ゲート配線
3 ゲート絶縁膜
3o ゲート絶縁膜の開口部
4 ソース電極
42 ソース配線
5 ドレイン電極
6 半導体
7 封止層
8 画素電極
9 層間絶縁膜
9o 層間絶縁膜の開口部
10 キャパシタ電極
20 キャパシタ配線
11 上部画素電極
so ストライプ開口
21 基板
221 ゲート電極
222 ゲート配線
23 ゲート絶縁膜
24 ソース電極
244 ソース配線
25 ドレイン電極
26 半導体
27 封止層
28 画素電極
29 層間絶縁膜
29o 層間絶縁膜の開口部
30 キャパシタ電極
101 キャパシタ配線
31 上部画素電極
100 薄膜トランジスタアレイ
200 薄膜トランジスタアレイ
300 薄膜トランジスタアレイ
400 薄膜トランジスタアレイ
500 薄膜トランジスタアレイ
Claims (16)
- 基板と、
前記基板上に形成された複数のゲート配線及び前記複数のゲート配線に接続された複数のゲート電極と、
前記ゲート配線及び前記ゲート電極と同一層に隔離して形成された複数のキャパシタ配線及び前記キャパシタ配線に接続された複数のキャパシタ電極と、
前記ゲート配線及び前記ゲート電極と前記キャパシタ配線及び前記キャパシタ電極とを覆うように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された複数のソース配線及び前記ソース配線に接続された複数のソース電極と、
前記ソース配線及び前記ソース電極の同一層に隔離して形成された複数の画素電極及び前記画素電極に接続された複数のドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隙に形成された複数の半導体パターンと、
前記画素電極上に形成された開口部を有する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記画素電極に接続された上部画素電極と、を有し、
前記層間絶縁膜の前記開口部が、前記複数の画素電極にまたがって連続したストライプ構造であることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 - 前記ゲート絶縁膜または前記層間絶縁膜が有機物であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 前記半導体パターンが有機半導体または酸化物半導体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 基板と、
前記基板上に形成された複数のソース配線及び前記ソース配線に接続された複数のソース電極と、
前記ソース配線及び前記ソース電極と同一層に隔離して形成された複数の画素電極及び前記画素電極に接続された複数のドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔に形成された複数の半導体パターンと、
前記画素電極上に形成された第1の開口部を有する複数のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された複数のゲート配線及び前記ゲート配線に接続された複数のゲート電極と、
前記ゲート配線及び前記ゲート電極と同一層に隔離して形成された複数のキャパシタ配線及び前記キャパシタ配線に接続された複数のキャパシタ電極と、
前記画素電極上に形成された第2の開口部を有する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記画素電極に接続された上部画素電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜の前記第1の開口部が、前記複数の画素電極にまたがって連続したストライプ形状であることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 - 前記層間絶縁膜の前記第2の開口部が、前記複数の画素電極にまたがって連続したストライプ構造であることを特徴とする請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 前記ゲート絶縁膜または前記層間絶縁膜が有機物であることを特徴とする請求項4又は5に記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 前記半導体パターンが有機半導体または酸化物半導体であることを特徴とする請求項4乃至6のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 基板を準備し、
前記基板上にゲート配線及び前記ゲート配線に接続されたゲート電極とキャパシタ配線及び前記キャパシタ配線に接続されたキャパシタ電極を形成し、
前記ゲート配線及び前記ゲート電極と前記キャパシタ配線及び前記キャパシタ電極とを覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にソース配線及び前記ソース配線に接続されたソース電極と画素電極及び前記画素電極に接続されたドレイン電極を形成し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隙に半導体パターンを形成し、
前記画素電極上に開口部を有する層間絶縁膜を形成し、
前記画素電極に接続された上部画素電極を形成し、
前記層間絶縁膜の前記開口部が、前記複数の画素電極にまたがって連続したストライプ構造であることを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜または前記層間絶縁膜が有機物であることを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 前記半導体パターンが有機半導体または酸化物半導体であることを特徴とする請求項8又は9に記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜または前記層間絶縁膜は、リフトオフまたは印刷法を用いて形成されることを特徴とする請求項8乃至10のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 基板を準備し、
前記基板上に半導体パターンを形成し、
前記半導体パターンがソース電極とドレイン電極の間隙に入るようにソース配線及び前記ソース配線に接続された前記ソース電極と画素電極及び前記画素電極に接続された前記ドレイン電極を形成し、
前記画素電極上に第1の開口部を有するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート配線及び前記ゲート配線に接続されたゲート電極とキャパシタ配線及び前記キャパシタ配線に接続されたキャパシタ電極を形成し、
前記画素電極上に第2の開口部を有する層間絶縁膜を形成し、
前記画素電極に接続された上部画素電極を形成し、
前記ゲート絶縁膜の前記第1の開口部が、前記画素電極にまたがって連続したストライプ構造であることを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。 - 前記層間絶縁膜の前記第2の開口部が、前記画素電極にまたがって連続したストライプ形状であることを特徴とする請求項12に記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜または前記層間絶縁膜が有機物であることを特徴とする請求項12又は13に記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 前記半導体パターンが有機半導体または酸化物半導体であることを特徴とする請求項12乃至14のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜または前記層間絶縁膜は、リフトオフまたは印刷法を用いて形成されることを特徴とする請求項12乃至15のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007334774A JP5292805B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007334774A JP5292805B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009157069A JP2009157069A (ja) | 2009-07-16 |
JP5292805B2 true JP5292805B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=40961175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007334774A Expired - Fee Related JP5292805B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5292805B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101396015B1 (ko) | 2009-11-28 | 2014-05-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8748224B2 (en) * | 2010-08-16 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP6135427B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-05-31 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 |
KR102280265B1 (ko) * | 2014-10-06 | 2021-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102366566B1 (ko) * | 2014-10-16 | 2022-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102284754B1 (ko) * | 2014-10-27 | 2021-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102349283B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2022-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3267380B2 (ja) * | 1993-04-30 | 2002-03-18 | シャープ株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
JP5103742B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2012-12-19 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法及び薄膜トランジスタアレイ及び薄膜トランジスタディスプレイ |
JP5312728B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2013-10-09 | 凸版印刷株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-12-26 JP JP2007334774A patent/JP5292805B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009157069A (ja) | 2009-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5369367B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP5292805B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 | |
JP4988322B2 (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
JP5365007B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 | |
JP4721972B2 (ja) | 薄膜トランジスター基板と薄膜トランジスター基板の製造方法 | |
US9947723B2 (en) | Multiple conductive layer TFT | |
JP2010003723A (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ並びに画像表示装置 | |
JP2007311377A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびに表示装置 | |
JP2007134482A (ja) | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法、並びに、それを使用した薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタディスプレイ | |
KR100695013B1 (ko) | 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법 | |
JP4554567B2 (ja) | 平板表示装置の製造方法 | |
JP2011100831A (ja) | 半導体装置及び半導体装置を用いた表示装置 | |
US8618538B2 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
JP5103742B2 (ja) | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法及び薄膜トランジスタアレイ及び薄膜トランジスタディスプレイ | |
JP2008159934A (ja) | フレキシブルtft基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ | |
JP2010135584A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器 | |
WO2014049967A1 (ja) | 積層構造体、薄膜トランジスタアレイおよびそれらの製造方法 | |
US8653527B2 (en) | Thin film transistor and method for manufacturing the same | |
WO2014049968A1 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
KR101219048B1 (ko) | 평판표시장치와 평판표시장치의 제조방법 | |
JP5375058B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 | |
WO2016208414A1 (ja) | 素子基板および素子基板の製造方法ならびに表示装置 | |
WO2017018203A1 (ja) | 表示装置および撮像装置 | |
JP5741134B2 (ja) | 電気泳動体表示装置およびその製造方法 | |
JP5116324B2 (ja) | 表示装置とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130527 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5292805 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |