JP2009266938A - 半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ZnO基板上にGaドープMgZnO層、アンドープMgZnO層、窒素ドープMgZnO層、アンドープ活性層、窒素ドープMgZnO層と積層した積層体でGaの拡散を分析した。アンドープMgZnO層の次の窒素ドープMgZnO層で、拡散してきたGaの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープMgZnO層の上層にGaは拡散していない。このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。
【選択図】 図1
Description
A.Tsukazaki et al.,JJAP 44(2005)L643 A.Tsukazaki et al Nature Material 4(2005)42
2 n型MgXZnO層
3 MgYZnO層
5 MQW活性層
6 p型MgZZnO層
Claims (8)
- ドナー元素を含み同一組成で構成されたドナー含有半導体層を備え、前記ドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含むアクセプタ含有半導体層が形成されていることを特徴とする半導体素子。
- 前記ドナー元素はIII族、前記アクセプタ元素はV族又はI族に属することを特徴とする請求項1記載の半導体素子。
- 半導体層がZnO系材料で構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 前記ドナー含有半導体層はMgXZn1−XOで構成され、0≦X<0.5であることを特徴とする請求項3記載の半導体素子。
- 前記ドナー含有半導体層は、ZnO基板上に形成されていることを特徴とする請求項3又は請求項4のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 前記ドナー含有半導体層は電子供給層として機能し、前記ドナー含有半導体層より上側に発光層が形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 前記ドナー含有半導体層は電子流入層として機能し、前記ドナー含有半導体層が受光領域の一部を構成していることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体素子。
- キャリア濃度を電界により制御する制御電極によって制御されるチャネル領域は、前記ドナー含有半導体層と同一の組成で形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体素子。
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