JP2013145876A5 - 酸化物半導体層 - Google Patents

Claims (7)

1. チャンバ―内の水素分圧を、成膜前では１０^−４Ｐａ以下とし、成膜時では１０^−３Ｐａ以下として、スパッタリング法を用いて作製された酸化物半導体層であって、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
   前記酸化物半導体層は、結晶領域を有し、
   前記結晶領域は、Ｃ軸が表面の法線ベクトルと平行な方向に沿うように配向された結晶構造を有し、
   前記酸化物半導体層の密度は、６．０ｇ／ｃｍ^３より高く６．３７５ｇ／ｃｍ^３未満を有することを特徴とする酸化物半導体層。
2. チャンバ―内の水素分圧を、成膜前では１０^−４Ｐａ以下とし、成膜時では１０^−３Ｐａ以下として、スパッタリング法を用いて作製された酸化物半導体層であって、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
   前記酸化物半導体層は、結晶領域と非晶質領域とを有し、
   透過型電子顕微鏡による観察像では、前記結晶領域と、前記非晶質領域との境界は明確でなく、
   前記酸化物半導体層の密度は、６．０ｇ／ｃｍ^３より高く６．３７５ｇ／ｃｍ^３未満を有することを特徴とする酸化物半導体層。
3. チャンバ―内の水素分圧を、成膜前では１０^−４Ｐａ以下とし、成膜時では１０^−３Ｐａ以下として、スパッタリング法を用いて作製された酸化物半導体層であって、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
   前記酸化物半導体層は、結晶領域を有し、
   透過型電子顕微鏡による観察像では、前記結晶領域での粒界が確認されず、
   前記酸化物半導体層の密度は、６．０ｇ／ｃｍ^３より高く６．３７５ｇ／ｃｍ^３未満を有することを特徴とする酸化物半導体層。
4. Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
   結晶領域を有し、
   前記結晶領域は、Ｃ軸が表面の法線ベクトルと平行な方向に沿うように配向された結晶構造を有し、
   密度が、６．０ｇ／ｃｍ ^３ より高く６．３７５ｇ／ｃｍ ^３ 未満を有することを特徴とする酸化物半導体層。
5. Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
   結晶領域と非晶質領域とを有し、
   透過型電子顕微鏡による観察像では、前記結晶領域と、前記非晶質領域との境界は明確でなく、
   密度が、６．０ｇ／ｃｍ ^３ より高く６．３７５ｇ／ｃｍ ^３ 未満を有することを特徴とする酸化物半導体層。
6. Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
   結晶領域を有し、
   透過型電子顕微鏡による観察像では、前記結晶領域での粒界が確認されず、
   密度が、６．０ｇ／ｃｍ ^３ より高く６．３７５ｇ／ｃｍ ^３ 未満を有することを特徴とする酸化物半導体層。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層の銅濃度は、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下を有し、
   前記酸化物半導体層のアルミニウム濃度は、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下を有し、
   前記酸化物半導体層の塩素濃度は、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３を有することを特徴とする酸化物半導体層。