JP2014205902A5 - 金属酸化物膜 - Google Patents

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図18(A)に比較例の金属酸化物膜及び本実施の形態の金属酸化物膜の膜中の水素(H)濃度のプロファイルを示す。また、図18(B)に比較例の金属酸化物膜及び本実施の形態の金属酸化物膜の炭素(12C)濃度のプロファイルを示す。図18において、横軸は深さ(nm)を表し、縦軸は水素、あるいは炭素の濃度(atoms/cm)を表している。

Claims (7)

  1. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する金属酸化物膜であって、
    前記金属酸化物膜は、結晶部を有し、
    前記結晶部は、前記金属酸化物膜の成膜時から存在し、
    前記結晶部の大きさは、10nm以下であり、
    前記金属酸化物膜は、XRD測定で前記結晶部に起因するピークが観察されない領域を有することを特徴とする金属酸化物膜。
  2. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する金属酸化物膜であって、
    前記金属酸化物膜は、結晶部を有し、
    前記結晶部は、前記金属酸化物膜の成膜時から存在し、
    前記結晶部の大きさは、10nm以下であり、
    前記金属酸化物膜は、XRD測定で前記結晶部に起因するピークが観察されない領域を有し、
    前記金属酸化物膜は、ナノビーム電子線回折パターンにおいて、円周状に複数のスポットが観察される領域を有することを特徴とする金属酸化物膜。
  3. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する金属酸化物膜であって、
    前記金属酸化物膜は、結晶部を有し、
    前記結晶部は、前記金属酸化物膜の成膜時から存在し、
    前記結晶部の大きさは、10nm以下であり、
    前記金属酸化物膜は、XRD測定で前記結晶部に起因するピークが観察されない領域を有し、
    前記金属酸化物膜は、ナノビーム電子線回折パターンにおいて、円周状に複数のスポットが観察される領域を有し、
    前記金属酸化物膜は、制限視野電子線回折パターンにおいて、ハローパターンが観察される領域を有することを特徴とする金属酸化物膜。
  4. 請求項2又は請求項3において、
    前記ナノビーム電子線回折パターンの測定範囲は10nmφ以下であることを特徴とする金属酸化物膜。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
    前記結晶部の大きさは5nm以下であることを特徴とする金属酸化物膜。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
    前記結晶部の大きさは1nm以上であることを特徴とする金属酸化物膜。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
    前記XRD測定は、out−of−plane法を用いることを特徴とする金属酸化物膜。
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