JP2015038980A5 - 酸化物半導体膜および半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 複数の平板状の粒子を有し、
   前記複数の平板状の粒子の各々は、ガリウム原子、亜鉛原子および酸素原子を有する第１の層と、ガリウム原子、亜鉛原子および酸素原子を有する第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に、インジウム原子および酸素原子を有する第３の層と、を有し、
   前記複数の平板状の粒子は、向きが不規則に配置され、
   透過型電子顕微鏡によって、結晶粒界が確認されないことを特徴とする酸化物半導体膜。
2. 請求項１において、
   前記平板状の粒子は、厚さが０．５ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であり、かつ平面の円相当径が１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記平板状の粒子は、原子配列の秩序性を有することを特徴とする酸化物半導体膜。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の酸化物半導体膜と、
   ゲート電極と、
   前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。