JP2013214732A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上にあり、前記ゲート電極と重畳する半導体膜と、
   前記半導体膜上の絶縁膜と、を有し、
   前記絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
   前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁膜と、
   前記絶縁膜上のゲート電極と、
   前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上にあり、前記ゲート電極と重畳する半導体膜と、を有し、
   前記絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
   前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁膜と、
   前記絶縁膜上の半導体膜と、
   前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上にあり、前記半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
   前記絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
   前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
4. 半導体膜と、
   前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上にあり、前記半導体膜と重畳するゲート電極と、
   前記ゲート電極上の絶縁膜と、を有し、
   前記絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
   前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
5. 半導体膜と、
   前記半導体膜と重畳するゲート電極と、
   前記半導体膜および前記ゲート電極の間に位置するゲート絶縁膜と、を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、結晶性絶縁膜と、前記結晶性絶縁膜上の酸化アルミニウム膜とを有し、
   前記酸化アルミニウム膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記結晶性絶縁膜は、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、ＺｒおよびＴａのいずれか一種以上を含むことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記酸化アルミニウム膜の密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上４．１ｇ／ｃｍ^３以下であることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記半導体膜は、酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項８において、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎを含むことを特徴とする半導体装置。