JP2014099599A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ゲート電極と、多層膜と、を有し、
   前記多層膜は、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、
   前記多層膜は、酸化物層と、前記酸化物層に積層された酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物層は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体層との間の領域を有し、
   前記酸化物層は、前記酸化物半導体層と共通の元素を含み、
   前記元素は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆのいずれか一であり、
   前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもエネルギーギャップが大きく、
   前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間には、前記酸化物層と前記酸化物半導体層との比率が連続的に変化する領域が存在することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、多層膜と、を有し、
   前記多層膜は、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、
   前記多層膜は、酸化物層と、前記酸化物層に積層された酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物層は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体層との間の領域を有し、
   前記酸化物層は、前記酸化物半導体層と共通の元素を含み、
   前記元素は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆのいずれか一であり、
   前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、
   前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間には、前記酸化物層と前記酸化物半導体層との比率が連続的に変化する領域が存在することを特徴とする半導体装置。
3. ゲート電極と、多層膜と、を有し、
   前記多層膜は、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、
   前記多層膜は、酸化物層と、前記酸化物層に積層された酸化物半導体層と、を有し、
   前記酸化物層は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体層との間の領域を有し、
   前記酸化物層は、前記酸化物半導体層と共通の元素を含み、
   前記元素は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆのいずれか一であり、
   前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下真空準位に近く、
   前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間には、前記酸化物層と前記酸化物半導体層との比率が連続的に変化する領域が存在することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   ソース電極及びドレイン電極を有し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、銅を含むことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、結晶部を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層及び前記酸化物層は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆのいずれか一）を有し、
   前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもＭに対するＩｎの原子数比が小さい領域を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、厚さが３ｎｍ以上２００ｎｍ以下の領域を有し、
   前記酸化物層は、厚さが３ｎｍ以上５０ｎｍ以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。