JP2021170654A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
全般をいい、電気光学装置、半導体回路および電子機器などは全て半導体装置である。
注目されている。当該トランジスタは集積回路や表示装置のような半導体装置に広く応用
されている。トランジスタに適用可能な半導体層としてシリコン層が知られている。
結晶シリコン層とが使い分けられている。例えば、大型の表示装置を構成するトランジス
タに適用する場合、大面積基板への成膜技術が確立されている非晶質シリコン層を用いる
と好適である。一方、駆動回路を一体形成した高機能の表示装置を構成するトランジスタ
に適用する場合、高い電界効果移動度を有するトランジスタを作製可能な多結晶シリコン
層を用いると好適である。多結晶シリコン層は、非晶質シリコン層に対し高温での熱処理
、またはレーザ光処理を行うことで形成する方法が知られる。
cm3未満であるインジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む酸化物半導体層を用いたトラン
ジスタが開示されている(特許文献1参照。)。
るトランジスタに適用することができる。また、酸化物半導体層を用いたトランジスタは
、高い電界効果移動度を有するため、駆動回路を一体形成した高機能の表示装置を実現で
きる。また、非晶質シリコン層を用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用す
ることが可能であるため、設備投資を抑えられるメリットもある。
(オフ電流ともいう。)が小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体層を用いた
トランジスタの低いリーク特性を応用した低消費電力のCPUなどが開示されている(特
許文献2参照。)。
いる。そこで、本発明の一態様は、酸化物半導体層を用いたトランジスタに安定した電気
特性を付与することを課題の一とする。また、当該トランジスタを有する信頼性の高い半
導体装置を提供することを課題の一とする。
設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して多層膜と重ねて設けられたゲート電極
と、を有し、酸化物層は、酸化物半導体層と共通の元素を含み、かつ酸化物半導体層より
もエネルギーギャップが大きく、酸化物層と酸化物半導体層との間における組成が連続的
に変化する半導体装置である。なお、酸化物層と酸化物半導体層との間における組成が連
続的に変化するとは、酸化物層と酸化物半導体層との間に酸化物層と酸化物半導体層の中
間の組成である酸化物層または酸化物半導体層を有することをいう。
接して設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して多層膜と重ねて設けられたゲー
ト電極と、を有し、酸化物層は、酸化物半導体層と共通の元素を含み、かつ酸化物半導体
層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、酸化物層と酸化物半導体層との間に
おける組成が連続的に変化する半導体装置である。
設けられ、伝導帯下端のエネルギーが酸化物半導体層よりも0.05eV以上、0.07
eV以上、0.1eV以上または0.15eV以上、かつ2eV以下、1eV以下、0.
5eV以下または0.4eV以下真空準位に近い酸化物層(バリア層とも呼ぶ。)である
。このとき、酸化物半導体層にはチャネルが形成され、酸化物層にはチャネルが形成され
ない。また、酸化物層は酸化物半導体層と共通の元素を含むため、酸化物層と酸化物半導
体層との間における組成が連続的に変化する。従って、酸化物層と酸化物半導体層との間
に明確な界面が存在せず、界面準位を形成しにくい。酸化物層と酸化物半導体層との間に
界面準位があると、該界面をチャネルとしたしきい値電圧の異なる第2のトランジスタが
形成され、トランジスタの見かけ上のしきい値電圧が変動することがある。従って、酸化
物半導体層のバックチャネル側に酸化物層を設けることにより、トランジスタのしきい値
電圧などの電気特性のばらつきを低減することができる。
には、酸化物半導体層中の不純物濃度を低減し、高純度真性化することが有効である。高
純度真性化とは、酸化物半導体層を真性または実質的に真性にすることをいう。なお、実
質的に真性という場合、酸化物半導体層のキャリア密度は、1×1017/cm3未満、
1×1015/cm3未満、または1×1013/cm3未満である。酸化物半導体層に
おいて、主成分以外(1atomic%未満)の軽元素、半金属元素、金属元素などは不
純物となる。例えば、水素、窒素、炭素、シリコン、ゲルマニウム、チタンおよびハフニ
ウムは、酸化物半導体層中で不純物となる。酸化物半導体層中の不純物濃度を低減するた
めには、近接するゲート絶縁膜および酸化物層中の不純物濃度も低減することが好ましい
。
トラップ中心となることがある。具体的には、酸化物半導体層のシリコン濃度を1×10
19atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未満、さらに
好ましくは2×1018atoms/cm3未満とする。従って、酸化物半導体層のバッ
クチャネル側にシリコンを含む絶縁膜(酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン
、窒化酸化シリコンなど)が設けられないことが好ましい。
させてしまう。
、ジルコニウム、ランタン、セリウム、ネオジムまたはハフニウム(特にアルミニウムま
たはガリウム)を酸化物半導体層よりも高い原子数比で含む酸化物層とすればよい。具体
的には、酸化物層として、酸化物半導体層よりも前述の元素を1.5倍以上、好ましくは
2倍以上、さらに好ましくは3倍以上高い原子数比で含む酸化物層を用いる。前述の元素
は酸素と強く結合するため、酸素欠損が酸化物層に生じることを抑制する機能を有する。
即ち、酸化物層は酸化物半導体層よりも酸素欠損が生じにくい酸化物層である。
物であるとき、酸化物半導体層をIn:M:Zn=x1:y1:z1[原子数比]、酸化
物層をIn:M:Zn=x2:y2:z2[原子数比]とすると、y2/x2がy1/x
1よりも大きくなる酸化物半導体層および酸化物層を選択する。なお、元素MはInより
も酸素との結合力が強い金属元素であり、例えばAl、Si、Ga、Ge、Y、Zr、L
a、Ce、NdまたはHf(特にAlまたはGa)などが挙げられる。好ましくは、y2
/x2がy1/x1よりも1.5倍以上大きくなる酸化物半導体層および酸化物層を選択
する。さらに好ましくは、y2/x2がy1/x1よりも2倍以上大きくなる酸化物半導
体層および酸化物層を選択する。より好ましくは、y2/x2がy1/x1よりも3倍以
上大きくなる酸化物半導体層および酸化物層を選択する。このとき、酸化物半導体層にお
いて、y1がx1以上であるとトランジスタに安定した電気特性を付与できるため好まし
い。ただし、y1がx1の3倍以上になると、トランジスタの電界効果移動度が低下して
しまうため、y1はx1の3倍未満であると好ましい。
る。
即ち、トランジスタのソース電極−ドレイン電極間の電流(ドレイン電流ともいう。)は
、酸化物層を介して酸化物半導体層を流れることになる。
てくる。そのため、配線は抵抗の低い銅を含む層を有する多層膜を用いることが好ましい
。ただし、前述したように、銅は酸化物半導体層中で不純物となる。本発明の一態様に係
る半導体装置では、酸化物層があることで、配線に銅を含む層を有する多層膜を用いた場
合でも、酸化物半導体層中の銅濃度を低くすることができる。なお、配線の一部がソース
電極およびドレイン電極として機能すると、半導体装置の作製工程が簡略化できるため、
好ましい。
ランジスタに安定した電気特性を付与することができる。また、当該トランジスタを有す
る信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば
容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈され
るものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符
号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを
同じくし、特に符号を付さない場合がある。
ものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示
すものではない。
との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である
。
的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。
には入れ替わることがある。このため、本明細書においては、ソースおよびドレインの用
語は、入れ替えて用いることができるものとする。
以下では、多層膜106を用いたトランジスタについて説明する。
本項では、ボトムゲート型トランジスタについて説明する。ここでは、ボトムゲート型ト
ランジスタの一種であるボトムゲートトップコンタクト構造(BGTC構造)のトランジ
スタについて図1を用いて説明する。
トランジスタの上面図を示す。図1(A)において、一点鎖線A1−A2に対応する断面
図を図1(B)に示す。また、図1(A)において、一点鎖線A3−A4に対応する断面
図を図1(C)に示す。
ト電極104上に設けられたゲート絶縁膜112と、ゲート絶縁膜112上に設けられた
、酸化物半導体層106a、および酸化物半導体層106a上に設けられた酸化物層10
6bを含む多層膜106と、ゲート絶縁膜112および多層膜106上に設けられたソー
ス電極116aおよびドレイン電極116bと、多層膜106、ソース電極116aおよ
びドレイン電極116b上に設けられた保護絶縁膜118と、を有する。
、酸化物層106bの一部から酸素を奪い、または混合層を形成し、酸化物層106b中
にソース領域106cおよびドレイン領域106dを形成することがある。
レイン電極116bとの間隔をチャネル長という。ただし、トランジスタが、ソース領域
106cおよびドレイン領域106dを含む場合、ゲート電極104と重なる領域におい
て、ソース領域106cとドレイン領域106dとの間隔をチャネル長といってもよい。
ソース電極116aとドレイン電極116bとに挟まれる領域をいう(図1(B)参照。
)。また、チャネル領域とは、チャネル形成領域において、電流が主として流れる領域を
いう。ここでは、チャネル領域は、チャネル形成領域中の酸化物半導体層106a部分で
ある。
うに設けられる。こうすることで、基板100側から光が入射した際に、多層膜106中
で光によってキャリアが生成されることを抑制することができる。即ち、ゲート電極10
4は遮光膜としての機能を有する。ただし、ゲート電極104の外側まで多層膜106が
形成されていても構わない。
以下では、多層膜106、ならびに多層膜106を構成する酸化物半導体層106aおよ
び酸化物層106bについて説明する。
成され、伝導帯下端のエネルギーが酸化物半導体層106aよりも0.05eV以上、0
.07eV以上、0.1eV以上または0.15eV以上、かつ2eV以下、1eV以下
、0.5eV以下または0.4eV以下真空準位に近い酸化物層である。このとき、ゲー
ト電極104に電界を印加すると、多層膜106のうち、伝導帯下端のエネルギーが小さ
い酸化物半導体層106aにチャネルが形成される。即ち、酸化物半導体層106aと保
護絶縁膜118との間に酸化物層106bを有することによって、トランジスタのチャネ
ルを保護絶縁膜118と接しない酸化物半導体層106aに形成することができる。また
、酸化物半導体層106aを構成する酸素以外の元素一種以上から酸化物層106bが構
成されるため、酸化物半導体層106aと酸化物層106bとの間において、界面散乱が
起こりにくい。従って、酸化物半導体層106aと酸化物層106bとの間において、キ
ャリアの動きが阻害されないため、トランジスタの電界効果移動度が高くなる。また、酸
化物半導体層106aと酸化物層106bとの間に界面準位を形成しにくい。酸化物半導
体層106aと酸化物層106bとの間に界面準位があると、該界面をチャネルとしたし
きい値電圧の異なる第2のトランジスタが形成され、トランジスタの見かけ上のしきい値
電圧が変動することがある。従って、酸化物層106bを設けることにより、トランジス
タのしきい値電圧などの電気特性のばらつきを低減することができる。
トリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、ネオジムまたはハフニウム(特にアルミ
ニウムまたはガリウム)を酸化物半導体層106aよりも高い原子数比で含む酸化物層と
すればよい。具体的には、酸化物層106bとして、酸化物半導体層106aよりも前述
の元素を1.5倍以上、好ましくは2倍以上、さらに好ましくは3倍以上高い原子数比で
含む酸化物層を用いる。前述の元素は酸素と強く結合するため、酸素欠損が酸化物層に生
じることを抑制する機能を有する。即ち、酸化物層106bは酸化物半導体層106aよ
りも酸素欠損が生じにくい酸化物層である。
n−M−Zn酸化物であるとき、酸化物半導体層106aをIn:M:Zn=x1:y1
:z1[原子数比]、酸化物層106bをIn:M:Zn=x2:y2:z2[原子数比
]とすると、y1/x1がy2/x2よりも大きくなる酸化物層106bおよび酸化物半
導体層106aを選択する。なお、元素MはInよりも酸素との結合力が強い金属元素で
あり、例えばAl、Si、Ga、Ge、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf(特にA
lまたはGa)などが挙げられる。好ましくは、y1/x1がy2/x2よりも1.5倍
以上大きくなる酸化物層106bおよび酸化物半導体層106aを選択する。さらに好ま
しくは、y1/x1がy2/x2よりも2倍以上大きくなる酸化物層106bおよび酸化
物半導体層106aを選択する。より好ましくは、y1/x1がy2/x2よりも3倍以
上大きくなる酸化物層106bおよび酸化物半導体層106aを選択する。このとき、酸
化物半導体層106aにおいて、y1がx1以上であるとトランジスタに安定した電気特
性を付与できるため好ましい。ただし、y1がx1の3倍以上になると、トランジスタの
電界効果移動度が低下してしまうため、y1はx1の3倍未満であると好ましい。
bに対し、昇温脱離ガス分光法(TDS:Thermal Desorption Sp
ectroscopy)分析を行い、質量電荷比(m/z)が32である気体分子の放出
量を測定した結果を図43に示す。なお、図43では、基板温度が50℃から測定を開始
し、基板温度が420℃となったところまでの結果を示す。
Zn=1:3:2[原子数比])であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて厚さ
が35nmとなるように成膜した。なお、酸化物層106bの成膜は、アルゴンガスおよ
び酸素ガスを混合した成膜ガスを用い、圧力を0.6Paとし、基板の温度を170℃と
し、AC電力を5kW印加することで行った。
のTDS分析結果を図43(A)に、酸素割合が50%(アルゴンガス:酸素ガス=1:
1)のときの酸化物層106bのTDS分析結果を図43(B)に、酸素割合が100%
(アルゴンガス:酸素ガス=0:1)のときの酸化物層106bのTDS分析結果を図4
3(C)に、それぞれ示す。
子の放出がほとんど確認されないことがわかった。従って、酸化物層106bは酸素欠損
の生じにくい酸化物層であることがわかる。
造時のプラズマなどによってダメージが入りにくく、安定した電気特性のトランジスタと
することができる。
)測定法によって評価した。なお、石英基板上に、測定対象である酸化物層106bを、
In−Ga−Zn酸化物(In:Ga:Zn=1:3:2[原子数比])であるターゲッ
トを用いて、スパッタリング法にて厚さが35nmとなるように成膜した。なお、酸化物
層106bの成膜は、アルゴンガスおよび酸素ガスを混合した成膜ガスを用い、圧力を0
.3Paまたは0.6Paとし、基板の温度を室温(約25℃)とし、AC電力を5kW
印加することで行った。
m3と高いことがわかった。
Diffraction)によって行った。
1:3:2[原子数比])であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて厚さが10
0nmとなるように成膜した。なお、酸化物層106bの成膜は、アルゴンガスおよび酸
素ガスを混合した成膜ガスを用い、圧力を0.6Paとし、AC電力を5kW印加するこ
とで行った。
ゴンガス:酸素ガス=1:1)、100%(アルゴンガス:酸素ガス=0:1)とした。
また、成膜時の基板温度は、室温(約25℃)、100℃または200℃とした。結果を
図44に示す。
つ基板温度が室温で成膜した酸化物層106bは、結晶の強い配向は見られなかった。一
方、上記を除く、酸素割合が50%および100%で成膜した酸化物層106bは、XR
Dによる鋭いピークが観測された。従って、酸素割合が50%および100%で成膜した
酸化物層106bは、空間群Fd−3mに分類される結晶構造(例えば、スピネル型の結
晶構造)を含んでおり、例えば、18°近傍のピークは(111)面に、36°近傍のピ
ークは(222)面に、56°近傍のピークは(333)面に、それぞれ帰属すると考え
ることができる。
以下とする。また、酸化物半導体層106aの厚さは、3nm以上200nm以下、好ま
しくは3nm以上100nm以下、さらに好ましくは3nm以上50nm以下とする。
する。なお、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体層106a中
の不純物濃度を低減し、高純度真性化することが有効である。なお、酸化物半導体層10
6aのキャリア密度は、1×1017/cm3未満、1×1015/cm3未満、または
1×1013/cm3未満とする。酸化物半導体層106aにおいて、主成分以外(1a
tomic%未満)の軽元素、半金属元素、金属元素などは不純物となる。例えば、水素
、窒素、炭素、シリコン、ゲルマニウム、チタンおよびハフニウムは酸化物半導体層10
6a中で不純物となる。従って、近接するゲート絶縁膜112および酸化物層106b中
の不純物濃度も低減することが好ましい。
に、酸化物半導体層106aと酸化物層106bとの間にシリコンがあると、該不純物準
位がトラップ中心となる。そのため、酸化物半導体層106aと酸化物層106bとの間
におけるシリコン濃度を1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018
atoms/cm3未満、さらに好ましくは2×1018atoms/cm3未満とする
。
度を増大させてしまう。酸化物半導体層106aの水素濃度は二次イオン質量分析法(S
IMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)において
、2×1020atoms/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以
下、より好ましくは1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×101
8atoms/cm3以下とする。また、窒素濃度は、SIMSにおいて、5×1019
atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好まし
くは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/
cm3以下とする。
06bの水素濃度および窒素濃度を低減すると好ましい。酸化物層106bの水素濃度は
SIMSにおいて、2×1020atoms/cm3以下、好ましくは5×1019at
oms/cm3以下、より好ましくは1×1019atoms/cm3以下、さらに好ま
しくは5×1018atoms/cm3以下とする。また、窒素濃度は、SIMSにおい
て、5×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3
以下、より好ましくは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×10
17atoms/cm3以下とする。
とする。好ましくは、酸化物半導体層106aは結晶質構造とし、酸化物層106bは非
晶質構造または結晶質構造とする。チャネルが形成される酸化物半導体層106aが結晶
質構造であることにより、トランジスタに安定した電気特性を付与することができる。な
お、結晶質構造の酸化物半導体層106aは、好ましくはCAAC−OS(C Axis
Aligned Crystalline Oxide Semiconductor
)層とする。
配置されている状態をいう。従って、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂
直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。し
たがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。
単結晶酸化物半導体層とは、非晶質酸化物半導体層、微結晶酸化物半導体層、多結晶酸化
物半導体層、CAAC−OS層などをいう。
化物半導体層である。微小領域においても結晶部を有さず、膜全体が完全な非晶質構造の
酸化物半導体層が典型である。
ともいう。)を含む。したがって、微結晶酸化物半導体層は、非晶質酸化物半導体層より
も原子配列の規則性が高い。そのため、微結晶酸化物半導体層は、非晶質酸化物半導体層
よりも欠陥準位密度が低いという特徴がある。
晶部は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさである。したがって、CAAC
−OS層に含まれる結晶部は、一辺が10nm未満、5nm未満または3nm未満の立方
体内に収まる大きさの場合も含まれる。CAAC−OS層は、微結晶酸化物半導体層より
も欠陥準位密度が低いという特徴がある。以下、CAAC−OS層について詳細な説明を
行う。
ron Microscope)によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち結
晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、CA
AC−OS層は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
)すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子
の各層は、CAAC−OS層の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹凸
を反映した形状であり、CAAC−OS層の被形成面または上面と平行に配列する。
M観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列しているこ
とを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られな
い。
いることがわかる。
置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC−OS層
のout−of−plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属される
ことから、CAAC−OS層の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
ane法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは
、InGaZnO4の結晶の(110)面に帰属される。InGaZnO4の単結晶酸化
物半導体層であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)と
して試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結晶面に
帰属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC−OS層の場合は、2θを5
6°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
規則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。したがって、前述の断面TEM観察で確認された層状
に配列した金属原子の各層は、結晶のab面に平行な面である。
った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC−OS層の被形成面また
は上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。したがって、例えば、CAAC−OS層
の形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC−OS層の被形
成面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
の結晶部が、CAAC−OS層の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面
近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CAA
C−OS層に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分
的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
AC−OS層のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
酸化物半導体層106aの結晶性を低下させることがある。酸化物半導体層106aの結
晶性を低下させないためには、酸化物半導体層106aのシリコン濃度を1×1019a
toms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未満、さらに好まし
くは2×1018atoms/cm3未満とすればよい。また、酸化物半導体層106a
の結晶性を低下させないためには、酸化物半導体層106aの炭素濃度を1×1019a
toms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未満、さらに好まし
くは2×1018atoms/cm3未満とすればよい。
純物や欠陥などに起因する準位密度が低い場合、多層膜106を用いたトランジスタは安
定した電気特性を有する。
を低減することで、多層膜106を用いたトランジスタに安定した電気特性を付与するこ
とができる。多層膜106の局在準位は、一定光電流測定法(CPM:Constant
Photocurrent Method)によって評価可能である。
定で得られる局在準位による吸収係数を、1×10−3cm−1未満、好ましくは3×1
0−4cm−1未満とすればよい。また、多層膜106中のCPM測定で得られる局在準
位による吸収係数を、1×10−3cm−1未満、好ましくは3×10−4cm−1未満
とすることで、トランジスタの電界効果移動度を高めることができる。なお、多層膜10
6中のCPM測定で得られる局在準位による吸収係数を、1×10−3cm−1未満、好
ましくは3×10−4cm−1未満とするためには、酸化物半導体層106a中で局在準
位を形成する元素であるシリコン、ゲルマニウム、炭素、ハフニウム、チタンなどの濃度
を2×1018atoms/cm3未満、好ましくは2×1017atoms/cm3未
満とすればよい。
印加した状態で光電流値が一定となるように端子間の試料面に照射する光量を調整し、照
射光量から吸収係数を導出することを各波長にて行うものである。CPM測定において、
試料に欠陥があるとき、欠陥の存在する準位に応じたエネルギー(波長より換算)におけ
る吸収係数が増加する。この吸収係数の増加分に定数を掛けることにより、試料の欠陥密
度を導出することができる。
CPM測定で観測される局在準位による吸収係数が小さい多層膜106を用いたトランジ
スタは安定した電気特性を有することがわかる。
について図2を用いて説明する。
て、SIMSを行い、深さ方向における18Oの濃度分布を測定した結果を示す。
1:2[原子数比])であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した酸化物
半導体層である。
原子数比])であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した酸化物層である
。
aには18O2ガスを用いていない試料の酸化物層106bおよび酸化物半導体層106
aの間を含む深さ方向における18Oの濃度分布である。加熱処理なし(as−depo
と表記、細実線)と比べ、450℃加熱処理後(450℃加熱後と表記、太実線)では、
18Oが酸化物層106bから酸化物半導体層106aまで拡散していることがわかった
。
には18O2ガスを用いていない試料の酸化物半導体層106aおよび酸化物層106b
の間を含む深さ方向における18Oの濃度分布である。加熱処理なし(as−depoと
表記、細実線)と比べ、450℃加熱処理後(450℃加熱後と表記、太実線)では、1
8Oが酸化物半導体層106aから酸化物層106bまで拡散していることがわかった。
物半導体層106aと酸化物層106bとの間には、酸化物半導体層106aおよび酸化
物層106bの混合層が形成されていることがわかる。
a−Zn酸化物を用い、酸化物層106bとしてエネルギーギャップが3.5eVである
In−Ga−Zn酸化物とする。エネルギーギャップは、分光エリプソメータ(HORI
BA JOBIN YVON社 UT−300)を用いて測定した。
差(イオン化ポテンシャルともいう。)は、それぞれ8eVおよび8.2eVであった。
なお、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光分析(UPS:Ul
traviolet Photoelectron Spectroscopy)装置(
PHI社 VersaProbe)を用いて測定した。
ルギー差(電子親和力ともいう。)は、それぞれ4.85eVおよび4.7eVであった
。
および酸化物層106bのそれぞれと接する酸化シリコン層を設けた場合について説明す
る。ここで、EcI1は酸化シリコン層の伝導帯下端のエネルギーを示し、EcS1は酸
化物半導体層106aの伝導帯下端のエネルギーを示し、EcS2は酸化物層106bの
伝導帯下端のエネルギーを示し、EcI2は酸化シリコン層の伝導帯下端のエネルギーを
示す。
端のエネルギーが連続的に変化する。これは、酸化物半導体層106aおよび酸化物層1
06b間で、酸素が相互に移動することで混合層を形成するという図2に示す結果からも
理解される。
6を用いたトランジスタにおいて、チャネルが酸化物半導体層106aに形成されること
がわかる。なお、多層膜106は伝導帯下端のエネルギーが連続的に変化しているため、
酸化物半導体層106aと酸化物層106bとが連続接合している、ともいえる。
純物や欠陥に起因したトラップ中心が形成され得るものの、酸化物層106bがあること
により、酸化物半導体層106aと当該トラップ中心とを遠ざけることができる。ただし
、EcS1とEcS2とのエネルギー差が小さい場合、酸化物半導体層106aの電子が
該エネルギー差を越えてトラップ中心に達することがある。トラップ中心に電子が捕獲さ
れることで、絶縁膜界面にマイナスの固定電荷が生じ、トランジスタのしきい値電圧はプ
ラス方向にシフトしてしまう。
0.15eV以上とすると、トランジスタのしきい値電圧の変動が低減され、安定した電
気特性となるため、好ましい。
ソース電極116aおよびドレイン電極116bは、アルミニウム、チタン、クロム、コ
バルト、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、タ
ンタルおよびタングステンを一種以上含む導電膜を、単層で、または積層で用いればよい
。好ましくは、ソース電極116aおよびドレイン電極116bは、銅を含む層を有する
多層膜とする。ソース電極116aおよびドレイン電極116bを銅を含む層を有する多
層膜とすることで、ソース電極116aおよびドレイン電極116bと同一層で配線を形
成する場合、配線抵抗を低くすることができる。なお、ソース電極116aとドレイン電
極116bは同一組成であってもよいし、異なる組成であってもよい。
多層膜を用いる場合、銅の影響により、酸化物層106bと保護絶縁膜118との界面に
図4に示したようなトラップ中心を形成することがある。この場合も、酸化物層106b
を有することにより、当該トラップ中心に電子が捕獲されることを抑制することができる
。従って、トランジスタに安定した電気特性を付与し、かつ配線抵抗を低くすることが可
能となる。
保護絶縁膜118は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イッ
トリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化
タンタルを一種以上含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。
した多層膜とすればよい。この場合、酸化シリコン層は酸化窒化シリコン層でも構わない
。また、窒化シリコン層は窒化酸化シリコン層でも構わない。酸化シリコン層は、欠陥密
度の小さい酸化シリコン層を用いると好ましい。具体的には、電子スピン共鳴(ESR:
Electron Spin Resonance)にてg値が2.001の信号に由来
するスピンの密度が3×1017spins/cm3以下、好ましくは5×1016sp
ins/cm3以下である酸化シリコン層を用いる。窒化シリコン層は水素ガスおよびア
ンモニアガスの放出量が少ない窒化シリコン層を用いる。水素ガス、アンモニアガスの放
出量は、TDS分析にて測定すればよい。また、窒化シリコン層は、水素、水および酸素
を透過しない、またはほとんど透過しない窒化シリコン層を用いる。
層目を第2の酸化シリコン層118bとし、3層目を窒化シリコン層118cとした多層
膜とすればよい(図1(D)参照。)。この場合、第1の酸化シリコン層118aまたは
/および第2の酸化シリコン層118bは酸化窒化シリコン層でも構わない。また、窒化
シリコン層は窒化酸化シリコン層でも構わない。第1の酸化シリコン層118aは、欠陥
密度の小さい酸化シリコン層を用いると好ましい。具体的には、ESRにてg値が2.0
01の信号に由来するスピンの密度が3×1017spins/cm3以下、好ましくは
5×1016spins/cm3以下である酸化シリコン層を用いる。第2の酸化シリコ
ン層118bは、過剰酸素を含む酸化シリコン層を用いる。窒化シリコン層118cは水
素ガスおよびアンモニアガスの放出量が少ない窒化シリコン層を用いる。また、窒化シリ
コン層は、水素、水および酸素を透過しない、またはほとんど透過しない窒化シリコン層
を用いる。
酸化シリコン層をいう。また、過剰酸素を含む絶縁膜は、加熱処理によって酸素を放出す
る機能を有する絶縁膜である。
。酸化物半導体層106a中で酸素欠損は、欠陥準位を形成し、その一部がドナー準位と
なる。従って、酸化物半導体層106a中の酸素欠損を低減することで、トランジスタに
安定した電気特性を付与することができる。
ms/cm3以上、1×1019atoms/cm3以上または1×1020atoms
/cm3以上の酸素(酸素原子数に換算)を放出することもある。
例する。そして標準試料との比較により、気体の全放出量を計算することができる。
び測定試料のTDS分析結果から、測定試料の酸素分子の放出量(NO2)は、数式(1
)で求めることができる。ここで、TDS分析で得られる質量数32で検出されるガスの
全てが酸素分子由来と仮定する。質量数32のものとしてほかにCH3OHがあるが、存
在する可能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量
数17の酸素原子および質量数18の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界におけ
る存在比率が極微量であるため考慮しない。
料をTDS分析したときのイオン強度の積分値である。ここで、標準試料の基準値を、N
H2/SH2とする。SO2は、測定試料をTDS分析したときのイオン強度の積分値で
ある。αは、TDS分析におけるイオン強度に影響する係数である。数式(1)の詳細に
関しては、特開平6−275697公報を参照する。なお、上記酸素の放出量は、電子科
学株式会社製の昇温脱離分析装置EMD−WA1000S/Wを用い、標準試料として1
×1016atoms/cm2の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した。
子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分
子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量につ
いても見積もることができる。
の放出量の2倍となる。
的には、過酸化ラジカルに起因するスピン密度が、5×1017spins/cm3以上
であることをいう。なお、過酸化ラジカルを含む膜は、ESRにて、g値が2.01近傍
に非対称の信号を有することもある。
あってもよい。酸素が過剰な酸化シリコン(SiOX(X>2))は、シリコン原子数の
2倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位体積当たりのシリコン原
子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法(RBS:Rutherford B
ackscattering Spectrometry)により測定した値である。
ゲート絶縁膜112は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化
シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イ
ットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸
化タンタルを一種以上含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。
とした多層膜とすればよい。この場合、酸化シリコン層は酸化窒化シリコン層でも構わな
い。また、窒化シリコン層は窒化酸化シリコン層でも構わない。酸化シリコン層は、欠陥
密度の小さい酸化シリコン層を用いると好ましい。具体的にはESRにてg値が2.00
1の信号に由来するスピンの密度が3×1017spins/cm3以下、好ましくは5
×1016spins/cm3以下である酸化シリコン層を用いる。酸化シリコン層は、
過剰酸素を含む酸化シリコン層を用いると好ましい。窒化シリコン層は水素ガスおよびア
ンモニアガスの放出量が少ない窒化シリコン層を用いる。水素ガス、アンモニアガスの放
出量は、TDS分析にて測定すればよい。
含む場合、酸化物半導体層106aの酸素欠損が低減され、トランジスタに安定した電気
特性を付与することができる。
ゲート電極104は、アルミニウム、チタン、クロム、コバルト、ニッケル、銅、イット
リウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、タンタルおよびタングステンを一
種以上含む導電膜を、単層で、または積層で用いればよい。
基板100に大きな制限はない。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サフ
ァイア基板などを、基板100として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなど
の単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板
、SOI(Silicon On Insulator)基板などを適用することも可能
であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板100として用いてもよ
い。
1500mm)、第6世代(1500mm×1800mm)、第7世代(1870mm×
2200mm)、第8世代(2200mm×2500mm)、第9世代(2400mm×
2800mm)、第10世代(2880mm×3130mm)などの大型ガラス基板を用
いる場合、半導体装置の作製工程における加熱処理などで生じる基板100の縮みによっ
て、微細な加工が困難になる場合ある。そのため、前述したような大型ガラス基板を基板
100として用いる場合、加熱処理による縮みの小さいものを用いることが好ましい。例
えば、基板100として、400℃、好ましくは450℃、さらに好ましくは500℃の
温度で1時間加熱処理を行った後の縮み量が10ppm以下、好ましくは5ppm以下、
さらに好ましくは3ppm以下である大型ガラス基板を用いればよい。
ジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トラン
ジスタを剥離し、可とう性基板である基板100に転置する方法もある。その場合には、
非可とう性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。
されることにより、安定した電気特性を有し、高い電界効果移動度を有する。また、ソー
ス電極116aおよびドレイン電極116bに銅を含む層を有する多層膜を用いても、安
定した電気特性が得られる。
ここで、トランジスタの作製方法について図5および図6を用いて説明する。
ート電極104として示した導電膜をスパッタリング法、化学気相成長(CVD:Che
mical Vapor Deposition)法、分子線エピタキシー(MBE:M
olecular Beam Epitaxy)法、原子層堆積(ALD:Atomic
Layer Deposition)法またはパルスレーザ堆積(PLD:Pulse
d Laser Deposition)法を用いて成膜すればよい。
る(図5(A)参照。)。
ート絶縁膜112として示した絶縁膜をスパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD
法またはPLD法を用いて成膜すればよい。
aの成膜方法については後述する。
、酸化物層106bとして示した酸化物層をスパッタリング法、CVD法、MBE法、A
LD法またはPLD法を用いて成膜すればよい。
物層は、大気曝露することなく連続で成膜すると、各層の間に不純物が取り込まれること
が少なくなり好ましい。
1μm以上のパーティクル数を測定した。
=2:5[原子数比])ターゲットを用いて成膜した試料、In−Ga−Zn酸化物(I
n:Ga:Zn=3:1:2[原子数比])ターゲットを用いて成膜した試料、In−G
a−Zn酸化物(In:Ga:Zn=1:1:1[原子数比])ターゲットを用いて成膜
した試料、In−Ga−Zn酸化物(In:Ga:Zn=1:3:2[原子数比])ター
ゲットを用いて成膜した試料について行った。
トを用いて成膜した場合、酸化物層が厚くなるほど1μm以上のパーティクル数が急増し
ていくことがわかった。一方、In−Ga−Zn酸化物ターゲットを用いて成膜した場合
、酸化物層が厚くなっても比較的1μm以上のパーティクル数が増大しにくいことがわか
った。
点から、インジウムを含むターゲットを用いると好ましい。また、ガリウムの原子数比が
比較的小さい酸化物ターゲットを用いることが好ましいとわかる。特に、インジウムを含
むターゲットを用いる場合、ターゲットの導電率を高めることができ、DC放電およびA
C放電が容易となるため、大面積の基板へ対応しやすくなる。従って、半導体装置の生産
性を高めることができる。
物層の一部をエッチングし、酸化物半導体層106aおよび酸化物層106bを含む多層
膜106を形成する(図5(C)参照。)。
、好ましくは300℃以上500℃以下で行えばよい。第1の加熱処理の雰囲気は、不活
性ガス雰囲気、酸化性ガスを10ppm以上、1%以上もしくは10%以上含む雰囲気、
または減圧状態で行う。または、第1の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処
理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを10ppm以上、1%以上または1
0%以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。第1の加熱処理によって、酸化物半導体
層106aの結晶性を高め、さらにゲート絶縁膜112または/および多層膜106から
水素や水などの不純物を除去することができる。
電極116aおよびドレイン電極116bとなる導電膜は、ソース電極116aおよびド
レイン電極116bとして示した導電膜をスパッタリング法、CVD法、MBE法、AL
D法またはPLD法を用いて成膜すればよい。
テン層と、タングステン層上に設けられた銅層を含む多層膜を成膜すればよい。
し、ソース電極116aおよびドレイン電極116bを形成する(図6(A)参照。)。
ソース電極116aおよびドレイン電極116bとなる導電膜として、タングステン層と
、タングステン層上に設けられた銅層を含む多層膜を用いた場合、同一のフォトマスクを
用いて当該多層膜をエッチングすることができる。タングステン層および銅層を一度にエ
ッチングしても、酸化物半導体層106a上に酸化物層106bが設けられることにより
、酸化物半導体層106aと酸化物層106bとの間における銅濃度を1×1019at
oms/cm3未満、2×1018atoms/cm3未満、または2×1017ato
ms/cm3未満とすることができるため、銅によるトランジスタの電気特性の劣化が起
こらない。そのため、工程の自由度が高くなり、トランジスタの生産性を高めることがで
きる。
照して行えばよい。第2の加熱処理により、多層膜106から水素や水などの不純物を除
去することができる。水素は多層膜106中で特に移動しやすいため、第2の加熱処理に
よって低減しておくとトランジスタに安定した電気特性を付与することができる。なお、
水も水素を含む化合物であるため、酸化物半導体層106a中で不純物となり得る。
縁膜118として示した絶縁膜をスパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法また
はPLD法を用いて成膜すればよい。
る。まず、第1の酸化シリコン層118aを成膜する。次に、第2の酸化シリコン層11
8bを成膜する。次に、第2の酸化シリコン層118bに酸素イオンを添加する処理を行
ってもよい。酸素イオンを添加する処理は、イオンドーピング装置またはプラズマ処理装
置を用いればよい。イオンドーピング装置として、質量分離機能を有するイオンドーピン
グ装置を用いてもよい。酸素イオンの原料として、16O2もしくは18O2などの酸素
ガス、亜酸化窒素ガスまたはオゾンガスなどを用いればよい。次に、窒化シリコン層11
8cを成膜することで、保護絶縁膜118を形成すればよい。
すると好ましい。具体的には、基板温度を180℃以上400℃以下、好ましくは200
℃以上370℃以下とし、シリコンを含む堆積性ガスおよび酸化性ガスを用いて圧力20
Pa以上250Pa以下、好ましくは40Pa以上200Pa以下として、電極に高周波
電力を供給することで成膜すればよい。なお、シリコンを含む堆積性ガスの代表例として
は、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シラン、などがある。酸化性ガスとしては、
酸素、オゾン、亜酸化窒素、二酸化窒素などがある。
、第1の酸化シリコン層118a中の水素含有量を低減し、かつダングリングボンドを低
減することができる。
第1の酸化シリコン層118aは、ESRにてg値が2.001の信号に由来するスピン
の密度が3×1017spins/cm3以下、または5×1016spins/cm3
以下とすることができる。
的には、基板温度を160℃以上350℃以下、好ましくは180℃以上260℃以下と
し、シリコンを含む堆積性ガスおよび酸化性ガスを用いて圧力100Pa以上250Pa
以下、好ましくは100Pa以上200Pa以下として、電極に0.17W/cm2以上
0.5W/cm2以下、好ましくは0.25W/cm2以上0.35W/cm2以下の高
周波電力を供給することで成膜すればよい。
ガスの酸化が進むため、過剰酸素を含む第2の酸化シリコン層118bを成膜することが
できる。
、基板温度を180℃以上400℃以下、好ましくは200℃以上370℃以下とし、シ
リコンを含む堆積性ガス、窒素ガスおよびアンモニアガスを用いて圧力20Pa以上25
0Pa以下、好ましくは40Pa以上200Pa以下として、高周波電力を供給すること
で成膜すればよい。
0倍以下とする。なお、アンモニアガスを用いることで、シリコンを含む堆積性ガスおよ
び窒素ガスの分解を促すことができる、これは、アンモニアガスがプラズマエネルギーお
よび熱エネルギーによって解離し、解離することで生じるエネルギーが、シリコンを含む
堆積性ガスの結合、および窒素ガスの結合の分解に寄与するためである。
コン層118cを成膜することができる。また、水素の含有量が少ないため、緻密となり
、水素、水および酸素を透過しない、またはほとんど透過しない窒化シリコン層118c
とすることができる。
照して行えばよい。第3の加熱処理により、ゲート絶縁膜112または/および保護絶縁
膜118から過剰酸素が放出され、多層膜106の酸素欠損を低減することができる。な
お、多層膜106中では、酸素欠損が隣接する酸素原子を捕獲していくことで、見かけ上
移動する。
るため、安定した電気特性を有する。
酸化物半導体層106aに含まれる不純物濃度が低いことによって、トランジスタの電気
特性は安定となる。また、酸化物半導体層106aが高い結晶性を有することで、酸化物
半導体層106aが非晶質構造である場合と比べて、トランジスタの電気特性は安定とな
る。以下では、不純物濃度が低く、結晶性の高い酸化物半導体層106aを成膜するため
の成膜装置について説明する。
る。
するカセットポート74を3つ有する大気側基板供給室71と、ロードロック室72aお
よびアンロードロック室72bと、搬送室73と、搬送室73aと、搬送室73bと、基
板加熱室75と、成膜室70aと、成膜室70bと、を有する。大気側基板供給室71は
、ロードロック室72aおよびアンロードロック室72bと接続する。ロードロック室7
2aおよびアンロードロック室72bは、搬送室73aおよび搬送室73bを介して搬送
室73と接続する。基板加熱室75、成膜室70aおよび成膜室70bは、搬送室73と
のみ接続する。なお、各室の接続部にはゲートバルブ(GV)が設けられており、大気側
基板供給室71を除き、各室を独立して真空状態に保持することができる。また、大気側
基板供給室71および搬送室73は、一以上の基板搬送ロボット76を有し、基板を搬送
することができる。ここで、基板加熱室75は、プラズマ処理室を兼ねると好ましい。マ
ルチチャンバーの成膜装置は、処理と処理の間で基板を大気暴露することなく搬送可能な
ため、基板に不純物が吸着することを抑制できる。また、成膜や熱処理などの順番を自由
に構築することができる。なお、搬送室、成膜室、ロードロック室、アンロードロック室
および基板加熱室の数は、上述の数に限定されるわけではなく、設置スペースやプロセス
に併せて適宜決めればよい。
該成膜装置は、カセットポート84を有する大気側基板供給室81と、ロード/アンロー
ドロック室82と、搬送室83と、基板加熱室85と、成膜室80aと、成膜室80bと
、成膜室80cと、成膜室80dと、を有する。大気側基板供給室81、基板加熱室85
、成膜室80a、成膜室80b、成膜室80cおよび成膜室80dは、搬送室83を介し
てそれぞれ接続される。
を除き各室を独立して真空状態に保持することができる。また、大気側基板供給室81お
よび搬送室83は一以上の基板搬送ロボット86を有し、ガラス基板を搬送することがで
きる。
て説明する。成膜室80bは、ターゲット87と、防着板88と、基板ステージ90と、
を有する。なお、ここでは基板ステージ90には、ガラス基板89が設置されている。基
板ステージ90は、図示しないが、ガラス基板89を保持する基板保持機構や、ガラス基
板89を裏面から加熱する裏面ヒーターなどを備えていても良い。また、防着板88によ
って、ターゲット87からスパッタリングされる粒子が不要な領域に堆積することを抑制
できる。
おり、搬送室83はゲートバルブを介してロード/アンロードロック室82と接続されて
いる。搬送室83には、基板搬送ロボット86が設けられており、成膜室80bとロード
/アンロードロック室82とのガラス基板の受け渡しを行うことができる。また、ロード
/アンロードロック室82は、一つの真空チャンバー内で上下に分かれており、いずれか
一方をロードロック室として用い、他方をアンロードロック室として用いることができる
。このような構造とすることで、スパッタリング装置の設置面積を縮小することができる
ため、好適である。
4と接続される。なお、精製機94およびマスフローコントローラ97は、ガス種の数だ
け設けられるが、簡単のため一つのみを示す。成膜室80bなどに用いるガスは、露点が
−80℃以下、好ましくは−100℃以下であるガスを用いる。露点の低い酸素ガス、希
ガス(アルゴンガスなど)などを用いることで、成膜時に混入する水分を低減することが
できる。
れ、搬送室83は、ゲートバルブを介してクライオポンプ95bと接続され、ロード/ア
ンロードロック室82は、ゲートバルブを介して真空ポンプ96と接続される。なお、ロ
ード/アンロードロック室82は、ロードロック室、アンロードロック室をそれぞれ独立
して真空ポンプ96と接続してもよい。また、成膜室80bおよび搬送室83は、それぞ
れゲートバルブを介して真空ポンプ96と接続される。
列に接続されたものとすればよい。このような構成とすることで、成膜室80bおよび搬
送室83は、大気圧から低真空(0.1Pa〜10Pa程度)までは真空ポンプ96を用
いて排気し、バルブを切り替えて低真空から高真空(1×10−4Pa〜1×10−7P
a)まではクライオポンプ95aまたはクライオポンプ95bを用いて排気される。
送室83はゲートバルブを介してロード/アンロードロック室82と接続されている。
7と接続され、ガス加熱機構98はマスフローコントローラ97を介して精製機94と接
続される。ガス加熱機構98により、成膜室80bに用いるガスを40℃以上400℃以
下、または50℃以上200℃以下に加熱することができる。なお、ガス加熱機構98、
精製機94およびマスフローコントローラ97は、ガス種の数だけ設けられるが、簡単の
ため一つのみを示す。
ンプ96bと接続される。なお、ターボ分子ポンプ95cは、補助ポンプとしてバルブを
介して真空ポンプ96aが設けられる。真空ポンプ96aおよび真空ポンプ96bは真空
ポンプ96と同様の構成とすればよい。
ンスの頻度が低いため、生産性に優れる一方、水素や水の排気能力が低いことが知られる
。そこで、水などの比較的融点の高い分子(原子)に対する排気能力が高い、クライオト
ラップ99が成膜室80bに接続された構成としている。クライオトラップ99の冷凍機
の温度は100K以下、好ましくは80K以下とする。また、クライオトラップ99が複
数の冷凍機を有する場合、冷凍機ごとに温度を変えると、効率的に排気することが可能と
なるため好ましい。例えば、1段目の冷凍機の温度を100K以下とし、2段目の冷凍機
の温度を20K以下とすればよい。
クライオポンプ95eとそれぞれバルブを介して接続される。クライオポンプが1台の場
合、クライオポンプをリジェネしている間は排気することができないが、クライオポンプ
を2台以上並列に接続することで、1台がリジェネ中であっても残りのクライオポンプを
使って排気することが可能となる。なお、クライオポンプのリジェネとは、クライオポン
プ内にため込まれた分子(原子)を放出する処理をいう。クライオポンプは、分子(原子
)をため込みすぎると排気能力が低下してくるため、定期的にリジェネが行われる。
び真空ポンプ96cとそれぞれバルブを介して接続される。なお、真空ポンプ96cは真
空ポンプ96と同様の構成とすればよい。
置を適用しても構わない。
、搬送室83はゲートバルブを介してロード/アンロードロック室82と接続されている
。なお、ロード/アンロードロック室82の構成は図9(A)または図9(B)の構成と
同様である。
される。なお、精製機94およびマスフローコントローラ97は、ガス種の数だけ設けら
れるが、簡単のため一つのみを示す。また、基板加熱室85は、バルブを介して真空ポン
プ96bと接続される。
1枚の基板が設置できればよく、複数の基板を設置可能な基板ステージとしても構わない
。また、基板加熱室85は、加熱機構93を有する。加熱機構93は、例えば、抵抗発熱
体などを用いて加熱する加熱機構としてもよい。または、加熱されたガスなどの媒体から
の熱伝導または熱輻射によって、加熱する加熱機構としてもよい。例えば、GRTA(G
as Rapid Thermal Anneal)、LRTA(Lamp Rapid
Thermal Anneal)などのRTA(Rapid Thermal Ann
eal)を用いることができる。LRTAは、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、
キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプ
などのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する。GRTAは、
高温のガスを用いて熱処理を行う。ガスとしては、不活性ガスが用いられる。
3×10−5Pa以下、さらに好ましくは1×10−5Pa以下である。
圧が3×10−5Pa以下、好ましくは1×10−5Pa以下、さらに好ましくは3×1
0−6Pa以下である。
圧が3×10−5Pa以下、好ましくは1×10−5Pa以下、さらに好ましくは3×1
0−6Pa以下である。
圧が3×10−5Pa以下、好ましくは1×10−5Pa以下、さらに好ましくは3×1
0−6Pa以下である。
s以下、好ましくは1×10−6Pa・m3/s以下である。
ークレートが1×10−7Pa・m3/s以下、好ましくは3×10−8Pa・m3/s
以下である。
ークレートが1×10−5Pa・m3/s以下、好ましくは1×10−6Pa・m3/s
以下である。
ークレートが3×10−6Pa・m3/s以下、好ましくは1×10−6Pa・m3/s
以下である。
いて測定することができる。例えば、株式会社アルバック製四重極形質量分析計(Q−m
assともいう。)Qulee CGM−051を用いればよい。なお、リークレートに
関しては、前述の質量分析計を用いて測定した全圧および分圧から導出すればよい。
ール不良などによって真空系外から気体が流入することである。内部リークは、真空系内
のバルブなどの仕切りからの漏れや内部の部材からの放出ガスに起因する。リークレート
を上述の数値以下とするために、外部リークおよび内部リークの両面から対策をとる必要
がある。
、フッ化鉄、酸化アルミニウム、または酸化クロムによって被覆された金属を用いると好
ましい。メタルガスケットはOリングと比べ密着性が高く、外部リークを低減できる。ま
た、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどによって被覆された金属の不動態を用
いることで、メタルガスケットから放出される不純物を含む放出ガスが抑制され、内部リ
ークを低減することができる。
チタン、ジルコニウム、ニッケルまたはバナジウムを用いる。また、前述の部材を鉄、ク
ロムおよびニッケルなどを含む合金に被覆して用いてもよい。鉄、クロムおよびニッケル
などを含む合金は、剛性があり、熱に強く、また加工に適している。ここで、表面積を小
さくするために部材の表面凹凸を研磨などによって低減しておくと、放出ガスを低減でき
る。
てもよい。
る覗き窓などを設置する場合も、放出ガスを抑制するために表面をフッ化鉄、酸化アルミ
ニウム、酸化クロムなどで薄く被覆するとよい。
10m以下、好ましくは5m以下、さらに好ましくは1m以下とする。配管の長さを10
m以下、5m以下または1m以下とすることで、配管からの放出ガスの影響を長さに応じ
て低減できる。
覆された金属配管を用いるとよい。前述の配管は、例えばSUS316L−EP配管と比
べ、不純物を含むガスの放出量が少なく、成膜ガスへの不純物の入り込みを低減できる。
また、配管の継手には、高性能超小型メタルガスケット継手(UPG継手)を用いるとよ
い。また、配管を全て金属で構成することで、樹脂等を用いた場合と比べ、生じる放出ガ
スおよび外部リークの影響を低減できて好ましい。
、成膜室を排気した際のガス放出の原因となる。そのため、リークレートと排気速度に相
関はないものの、排気能力の高いポンプを用いて、成膜室に存在する吸着物をできる限り
脱離し、あらかじめ排気しておくことは重要である。なお、吸着物の脱離を促すために、
成膜室をベーキングしてもよい。ベーキングすることで吸着物の脱離速度を10倍程度大
きくすることができる。ベーキングは100℃以上450℃以下で行えばよい。このとき
、不活性ガスを成膜室に流しながら吸着物の除去を行うと、排気するだけでは脱離しにく
い水などの脱離速度をさらに大きくすることができる。なお、不活性ガスをベーキングの
温度と同程度に加熱することで、吸着物の脱離速度をさらに高めることができる。ここで
不活性ガスとして希ガスを用いると好ましい。また、成膜する膜種によっては不活性ガス
の代わりに酸素などを用いても構わない。例えば、酸化物半導体層を成膜する場合は、主
成分である酸素を用いた方が好ましい場合もある。
高め、一定時間経過後に再び成膜室を排気する処理を行うと好ましい。加熱したガスを流
すことで成膜室内の吸着物を脱離させることができ、成膜室内に存在する不純物を低減す
ることができる。なお、この処理は2回以上30回以下、好ましくは5回以上15回以下
の範囲で繰り返し行うと効果的である。具体的には、温度が40℃以上400℃以下、ま
たは50℃以上200℃以下である不活性ガスまたは酸素などを流すことで成膜室内の圧
力を0.1Pa以上10kPa以下、好ましくは1Pa以上1kPa以下、さらに好まし
くは5Pa以上100Pa以下とし、圧力を保つ期間を1分以上300分以下、好ましく
は5分以上120分以下とすればよい。その後、成膜室を5分以上300分以下、好まし
くは10分以上120分以下の期間排気する。
成膜とは、ダミー基板に対してスパッタリング法などによる成膜を行うことで、ダミー基
板および成膜室内壁に膜を堆積させ、成膜室内の不純物および成膜室内壁の吸着物を膜中
に閉じこめることをいう。ダミー基板は、放出ガスの少ない基板が好ましく、例えば後述
する基板100と同様の基板を用いてもよい。ダミー成膜を行うことで、後に成膜される
膜中の不純物濃度を低減することができる。なお、ダミー成膜はベーキングと同時に行っ
てもよい。
の入り込みを抑制できる。さらには、以上の成膜装置を用いて、酸化物半導体層に接する
膜を成膜することで、酸化物半導体層に接する膜から酸化物半導体層へ不純物の入り込み
を抑制できる。
する方法について説明する。
程度(代表的には20℃または25℃)とする。大面積の基板に対応するスパッタリング
装置では大面積のターゲットを用いることが多い。ところが、大面積に対応した大きさの
ターゲットをつなぎ目なく作製することは困難である。現実には複数のターゲットをなる
べく隙間のないように並べて大きな形状としているが、どうしても僅かな隙間が生じてし
まう。こうした僅かな隙間から、ターゲットの表面温度が高まることでZnなどが揮発し
、徐々に隙間が広がっていくことがある。隙間が広がると、バッキングプレートや接着に
用いている金属がスパッタリングされることがあり、不純物濃度を高める要因となる。従
って、ターゲットは、十分に冷却されていることが好ましい。
体的にはCu)を用いる。また、バッキングプレート内に水路を形成し、水路に十分な量
の冷却水を流すことで、効率的にターゲットを冷却できる。ここで、十分な量の冷却水は
、ターゲットの大きさにもよるが、例えば直径が300mmである正円形のターゲットの
場合、3L/min以上、5L/min以上または10L/min以上とすればよい。
0℃以上550℃以下、さらに好ましくは200℃以上500℃以下とし、酸素ガス雰囲
気で成膜する。成膜時の加熱温度が高いほど、酸化物半導体層106aの不純物濃度は低
くなる。また、被成膜面でスパッタリング粒子のマイグレーションが起こりやすくなるた
め、原子配列が整い、高密度化され、酸化物半導体層106aの結晶性は高くなる。さら
に、酸素ガス雰囲気で成膜することで、プラズマダメージが軽減され、また希ガスなどの
余分な原子が含まれないため、結晶性の高い酸化物半導体層106aが成膜される。ただ
し、酸素ガスと希ガスの混合雰囲気としてもよく、その場合は酸素ガスの割合は30体積
%以上、好ましくは50体積%以上、より好ましくは80体積%以上とする。
メージが軽減され、Znの揮発が起こりにくい酸化物半導体層106aを得ることができ
る。
.8Pa以下、好ましくは0.4Pa以下とし、圧力を安定させるために10秒以上10
00秒以下、好ましくは15秒以上720秒以下保持してから成膜する。圧力を安定させ
るために上述の時間保持することで、酸化物半導体層106aを成膜する際の不純物の混
入量を低減できる。このとき、ターゲットと基板との距離を40mm以下、好ましくは2
5mm以下とする。このような条件で酸化物半導体層106aを成膜することで、スパッ
タリング粒子と、別のスパッタリング粒子、ガス分子またはイオンとが衝突する頻度を下
げることができる。即ち、成膜圧力に応じてターゲットと基板との距離をスパッタリング
粒子、ガス分子またはイオンの平均自由行程よりも小さくすることで膜中に取り込まれる
不純物濃度を低減できる。
は、水素分子(H2)が48.7mm、ヘリウム原子(He)が57.9mm、水分子(
H2O)が31.3mm、メタン分子(CH4)が13.2mm、ネオン原子(Ne)が
42.3mm、窒素分子(N2)が23.2mm、一酸化炭素分子(CO)が16.0m
m、酸素分子(O2)が26.4mm、アルゴン原子(Ar)が28.3mm、二酸化炭
素分子(CO2)が10.9mm、クリプトン原子(Kr)が13.4mm、キセノン原
子(Xe)が9.6mmである。なお、圧力が2倍になれば平均自由行程は2分の1にな
り、絶対温度が2倍になれば平均自由行程は2倍になる。
定とした場合は、分子(原子)の直径が大きいほど平均自由行程は短くなる。なお、各分
子(原子)の直径は、H2が0.218nm、Heが0.200nm、H2Oが0.27
2nm、CH4が0.419nm、Neが0.234nm、N2が0.316nm、CO
が0.380nm、O2が0.296nm、Arが0.286nm、CO2が0.460
nm、Krが0.415nm、Xeが0.491nmである。
まれた際には、分子(原子)の直径が大きいために結晶性を低下させる。そのため、例え
ば、Ar以上の直径を有する分子(原子)は結晶性を低下させる不純物になりやすいとい
える。
)以上600℃以下、好ましくは70℃以上550℃以下、さらに好ましくは100℃以
上500℃以下とし、酸素ガス雰囲気で成膜する。成膜時の加熱温度が高いほど、酸化物
層106bの不純物濃度は低くなる。また、被成膜面でスパッタリング粒子のマイグレー
ションが起こりやすくなるため、原子配列が整い、高密度化され、酸化物層106bの結
晶性は高くなる。さらに、酸素ガス雰囲気で成膜することで、プラズマダメージが軽減さ
れ、また希ガスなどの余分な原子が含まれないため、結晶性の高い酸化物層106bが成
膜される。ただし、酸素ガスと希ガスの混合雰囲気としてもよく、その場合は酸素ガスの
割合は30体積%以上、好ましくは50体積%以上、より好ましくは80体積%以上とす
る。酸化物層106bは、基板を成膜室に搬送した後、成膜ガスを流し、成膜圧力を0.
8Pa以下、好ましくは0.4Pa以下とし、圧力を安定させるために10秒以上100
0秒以下、好ましくは15秒以上720秒以下保持してから成膜する。圧力を安定させる
ために上述の時間保持することで、酸化物層106bを成膜する際の不純物の混入量を低
減できる。
加熱処理により、酸化物半導体層106a中の不純物濃度を低減することができる。
雰囲気に切り替えてさらに加熱処理を行うと好ましい。これは、減圧下または不活性雰囲
気にて加熱処理を行うと、酸化物半導体層106a中の不純物濃度を低減することができ
るが、同時に酸素欠損も生じてしまうためであり、このとき生じた酸素欠損を、酸化性雰
囲気での加熱処理により低減することができる。
純物濃度を低減することが可能となる。
atoms/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好まし
くは1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/
cm3以下とすることができる。
ms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1
×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3
以下とすることができる。
oms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは
2×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm
3以下とすることができる。
気体分子(原子)、m/zが18である気体分子(原子)、m/zが28である気体分子
(原子)およびm/zが44である気体分子(原子)の放出量が、それぞれ1×1019
個/cm3以下、好ましくは1×1018個/cm3以下とすることができる。
方法についての記載を参照する。
酸化物半導体層106aの結晶性を高くでき、かつ酸化物半導体層106a、酸化物層1
06b、および酸化物半導体層106aと酸化物層106bとの界面における不純物濃度
を低減することができる。
本項では、トップゲート型トランジスタについて説明する。ここでは、トップゲート型ト
ランジスタの一種であるトップゲートトップコンタクト構造(TGTC構造)のトランジ
スタについて図11を用いて説明する。
は、トランジスタの上面図を示す。図11(A)において、一点鎖線B1−B2に対応す
る断面図を図11(B)に示す。また、図11(A)において、一点鎖線B3−B4に対
応する断面図を図11(C)に示す。
地絶縁膜202上に設けられた酸化物層206a、および酸化物層206a上に設けられ
た酸化物半導体層206bを含む多層膜206と、下地絶縁膜202および多層膜206
上に設けられたソース電極216aおよびドレイン電極216bと、多層膜206、ソー
ス電極216aおよびドレイン電極216b上に設けられたゲート絶縁膜212と、ゲー
ト絶縁膜212上に設けられたゲート電極204と、ゲート絶縁膜212およびゲート電
極204上に設けられた保護絶縁膜218と、を有する。なお、トランジスタは、下地絶
縁膜202または/および保護絶縁膜218を有さなくても構わない。
、酸化物半導体層206bの一部から酸素を奪い、または混合層を形成し、酸化物半導体
層206b中にソース領域およびドレイン領域を形成することがある。
ドレイン電極216bとの間隔をチャネル長という。ただし、トランジスタが、ソース領
域およびドレイン領域を含む場合、ゲート電極204と重なる領域において、ソース領域
とドレイン領域との間隔をチャネル長といってもよい。
ソース電極216aとドレイン電極216bとに挟まれる領域をいう。また、チャネル領
域とは、チャネル形成領域において、電流が主として流れる領域をいう。ここでは、チャ
ネル領域は、チャネル形成領域中の酸化物半導体層206b部分である。
は酸化物層106bについての記載を参照し、酸化物半導体層206bは酸化物半導体層
106aについての記載を参照する。
ドレイン電極216bは、ソース電極116aおよびドレイン電極116bについての記
載を参照する。また、ゲート絶縁膜212は、ゲート絶縁膜112についての記載を参照
する。また、ゲート電極204は、ゲート電極104についての記載を参照する。また、
保護絶縁膜218は、保護絶縁膜118についての記載を参照する。
るが、多層膜206中で光によってキャリアが生成されることを抑制するために、ゲート
電極204の内側に多層膜206が形成されていても構わない。
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イッ
トリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化
タンタルを一種以上含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。
した多層膜とすればよい。この場合、酸化シリコン層は酸化窒化シリコン層でも構わない
。また、窒化シリコン層は窒化酸化シリコン層でも構わない。酸化シリコン層は、欠陥密
度の小さい酸化シリコン層を用いると好ましい。具体的には、ESRにてg値が2.00
1の信号に由来するスピンの密度が3×1017spins/cm3以下、好ましくは5
×1016spins/cm3以下である酸化シリコン層を用いる。窒化シリコン層は水
素およびアンモニアの放出量が少ない窒化シリコン層を用いる。水素、アンモニアの放出
量は、TDS分析にて測定すればよい。また、窒化シリコン層は、水素、水および酸素を
透過しない、またはほとんど透過しない窒化シリコン層を用いる。
化シリコン層とし、3層目を第2の酸化シリコン層とした多層膜とすればよい。この場合
、第1の酸化シリコン層または/および第2の酸化シリコン層は酸化窒化シリコン層でも
構わない。また、窒化シリコン層は窒化酸化シリコン層でも構わない。第1の酸化シリコ
ン層は、欠陥密度の小さい酸化シリコン層を用いると好ましい。具体的には、ESRにて
g値が2.001の信号に由来するスピンの密度が3×1017spins/cm3以下
、好ましくは5×1016spins/cm3以下である酸化シリコン層を用いる。第2
の酸化シリコン層は、過剰酸素を含む酸化シリコン層を用いる。窒化シリコン層は水素お
よびアンモニアの放出量が少ない窒化シリコン層を用いる。また、窒化シリコン層は、水
素、水および酸素を透過しない、またはほとんど透過しない窒化シリコン層を用いる。
含む場合、酸化物半導体層206bの酸素欠損を低減することができる。
チャネルが形成されることにより、安定した電気特性を有し、高い電界効果移動度を有す
る。
ここで、トランジスタの作製方法について図12および図13を用いて説明する。
成膜方法は、酸化物層106bについての記載を参照する。なお、酸化物層206aは、
CAAC−OS層または非晶質酸化物半導体層となるように成膜する。酸化物層206a
がCAAC−OS層または非晶質酸化物半導体層であると、酸化物半導体層206bとな
る酸化物半導体層がCAAC−OS層となりやすい。
bとなる酸化物半導体層の成膜方法は、酸化物半導体層106aについての記載を参照す
る。
、好ましくは300℃以上500℃以下で行えばよい。第1の加熱処理の雰囲気は、不活
性ガス雰囲気、酸化性ガスを10ppm以上、1%以上もしくは10%以上含む雰囲気、
または減圧状態で行う。または、第1の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処
理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを10ppm以上、1%以上または1
0%以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。第1の加熱処理によって、酸化物半導体
層206bとなる酸化物半導体層の結晶性を高め、さらに下地絶縁膜202、酸化物層2
06aとなる酸化物層または/および酸化物半導体層206bとなる酸化物半導体層から
水素や水などの不純物を除去することができる。
導体層の一部をエッチングし、酸化物層206aおよび酸化物半導体層206bを含む多
層膜206を形成する(図12(A)参照。)。
電極216aおよびドレイン電極216bとなる導電膜の成膜方法は、ソース電極116
aおよびドレイン電極116bについての記載を参照する。
し、ソース電極216aおよびドレイン電極216bを形成する(図12(B)参照。)
。
照して行えばよい。第2の加熱処理により、多層膜206から水素や水などの不純物を除
去することができる。
膜方法は、ゲート絶縁膜112についての記載を参照する。
方法は、ゲート電極104となる導電膜についての記載を参照する。
る(図13(A)参照。)。
法は、保護絶縁膜118についての記載を参照する。
るため、安定した電気特性を有する。
以下では、上述したトランジスタを用いた応用製品について説明する。
本項では、上述したトランジスタを適用した表示装置について説明する。
(発光表示素子ともいう。)などを用いることができる。発光素子は、電流または電圧に
よって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Elect
ro Luminescence)、有機ELなどを含む。また、電子インクなど、電気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体も表示素子として適用することができる。
以下では、表示装置の一例としてEL素子を用いた表示装置および液晶素子を用いた表示
装置について説明する。
ントローラを含むICなどを実装した状態にあるモジュールとを含む。
、コネクター、例えばFPC、TCPが取り付けられたモジュール、TCPの先にプリン
ト配線板が設けられたモジュールまたは表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が
直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
まずはEL素子を用いた表示装置(EL表示装置ともいう。)について説明する。
タ742と、発光素子719と、を有する。
と電気的に接続される。トランジスタ741のソースは発光素子719の一端と電気的に
接続される。トランジスタ741のドレインはキャパシタ742の他端と電気的に接続さ
れ、電源電位VDDが与えられる。スイッチ素子743の他端は信号線744と電気的に
接続される。発光素子719の他端は定電位が与えられる。なお、定電位は接地電位GN
Dまたはそれより小さい電位とする。
タを用いる。当該トランジスタは、安定した電気特性を有する。そのため、表示品位の高
いEL表示装置とすることができる。
ことで、画素の面積を小さくでき、解像度の高いEL表示装置とすることができる。また
、スイッチ素子743として、上述した酸化物半導体層を含む多層膜を用いたトランジス
タを用いてもよい。スイッチ素子743として当該トランジスタを用いることで、トラン
ジスタ741と同一工程によってスイッチ素子743を作製することができ、EL表示装
置の生産性を高めることができる。
00と、シール材734と、駆動回路735と、駆動回路736と、画素737と、FP
C732と、を有する。シール材734は、画素737、駆動回路735および駆動回路
736を囲むように基板100と基板700との間に設けられる。なお、駆動回路735
または/および駆動回路736をシール材734の外側に設けても構わない。
。FPC732は、端子731を介して配線733aと接続される。なお、配線733a
は、ゲート電極104と同一層である。
れた例を示す。このような構造とすることで、キャパシタ742をトランジスタ741の
ゲート電極、ゲート絶縁膜およびソース電極(ドレイン電極)と同一平面に作製すること
ができる。このように、トランジスタ741とキャパシタ742とを同一平面に設けるこ
とにより、EL表示装置の作製工程を短縮化し、生産性を高めることができる。
を示す。そのため、トランジスタ741の各構成のうち、以下で特に説明しないものにつ
いては、図1についての記載を参照する。
16aに達する開口部が設けられる。
絶縁膜118に設けられた開口部を介してトランジスタ741のソース電極116aと接
する。
設けられる。
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂膜を用いても構わない。
ば、図15(C)に示すような構造とすればよい。図15(C)は、中間層785a、発
光層786a、中間層785b、発光層786b、中間層785c、発光層786cおよ
び中間層785dの順番で積層した構造である。このとき、発光層786a、発光層78
6bおよび発光層786cに適切な発光色の発光層を用いると演色性の高い、または発光
効率の高い、発光素子719を形成することができる。
が、白色光を着色層を介して取り出す構造としても構わない。
ものではなく、適宜発光層の数および中間層の数を変更することができる。例えば、中間
層785a、発光層786a、中間層785b、発光層786bおよび中間層785cの
みで構成することもできる。また、中間層785a、発光層786a、中間層785b、
発光層786b、発光層786cおよび中間層785dで構成し、中間層785cを省い
た構造としても構わない。
で用いることができる。なお、中間層は、これらの層を全て備えなくてもよい。これらの
層は適宜選択して設ければよい。なお、同様の機能を有する層を重複して設けてもよい。
また、中間層としてキャリア発生層のほか、電子リレー層などを適宜加えてもよい。
、可視光領域(例えば400nm〜800nmの波長範囲)における平均の透過率が70
%以上、特に80%以上であることをいう。
n酸化物膜、酸化インジウム膜、酸化亜鉛膜および酸化スズ膜などの酸化物膜を用いれば
よい。また、前述の酸化物膜は、Al、Ga、Sb、Fなどが微量添加されてもよい。ま
た、光を透過する程度の金属薄膜(好ましくは、5nm〜30nm程度)を用いることも
できる。例えば5nmの膜厚を有するAg膜、Mg膜またはAg−Mg合金膜を用いても
よい。
、リチウム、アルミニウム、チタン、マグネシウム、ランタン、銀、シリコンまたはニッ
ケルを含む膜を用いればよい。
極781が可視光透過性を有する場合は、電極783が可視光を効率よく反射すると好ま
しい。また、電極781が可視光を効率よく反射する場合は、電極783が可視光透過性
を有すると好ましい。
1と電極783を入れ替えても構わない。アノードとして機能する電極には、仕事関数の
大きい導電膜を用いることが好ましく、カソードとして機能する電極には仕事関数の小さ
い導電膜を用いることが好ましい。ただし、アノードと接してキャリア発生層を設ける場
合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電膜をアノードに用いることができる。
樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂膜を用いても構わない。
、表示品位の高いEL表示装置を提供することができる。
の一例である。具体的には、FPC732と接続する配線が異なる。図16(A)では、
端子731を介してFPC732と配線733bが接続している。配線733bは、ソー
ス電極116aおよびドレイン電極116bと同一層である。図16(B)では、端子7
31を介してFPC732と配線733cが接続している。配線733cは、電極781
と同一層である。
次に、液晶素子を用いた表示装置(液晶表示装置ともいう。)について説明する。
、トランジスタ751と、キャパシタ752と、一対の電極間に液晶の充填された素子(
以下液晶素子ともいう)753とを有する。
れ、ゲートが走査線754に電気的に接続されている。
に電気的に接続され、他方の電極が共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。
電気的に接続され、他方の電極が共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。な
お、上述のキャパシタ752の他方の電極が電気的に接続する配線に与えられる共通電位
と、液晶素子753の他方の電極に与えられる共通電位とが異なる電位であってもよい。
線M−Nに対応する液晶表示装置の断面図を図18(A)に示す。図18(A)において
、FPC732は、端子731を介して配線733aと接続される。なお、配線733a
は、ゲート電極104と同一層である。
例を示す。このような構造とすることで、キャパシタ752をトランジスタ751のゲー
ト電極、ゲート絶縁膜およびソース電極(ドレイン電極)と同一平面に作製することがで
きる。このように、トランジスタ751とキャパシタ752とを同一平面に設けることに
より、液晶表示装置の作製工程を短縮化し、生産性を高めることができる。
A)においては、図1に示したトランジスタを適用した例を示す。そのため、トランジス
タ751の各構成のうち、以下で特に説明しないものについては、図1についての記載を
参照する。
従って、キャパシタ752に保持された電荷がリークしにくく、長期間に渡って液晶素子
753に印加される電圧を維持することができる。そのため、動きの少ない動画や静止画
の表示の際に、トランジスタ751をオフ状態とすることで、トランジスタ751の動作
のための電力が不要となり、消費電力の小さい液晶表示装置とすることができる。
116bに達する開口部が設けられる。
絶縁膜118に設けられた開口部を介してトランジスタ751のドレイン電極116bと
接する。
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂膜を用いても構わない。
強誘電性液晶、反強誘電性液晶などを用いればよい。これらの液晶は、条件により、コレ
ステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相などを
示す。
て機能する絶縁膜792および絶縁膜794を設けない構成とすればよい。
n酸化物膜、酸化インジウム膜、酸化亜鉛膜および酸化スズ膜などの酸化物膜を用いれば
よい。また、前述の酸化物膜は、Al、Ga、Sb、Fなどが微量添加されてもよい。ま
た、光を透過する程度の金属薄膜(好ましくは、5nm〜30nm程度)を用いることも
できる。
、アルミニウム、チタン、クロム、銅、モリブデン、銀、タンタルまたはタングステンを
含む膜を用いればよい。
極791が可視光透過性を有する場合は、電極796が可視光を効率よく反射すると好ま
しい。また、電極791が可視光を効率よく反射する場合は、電極796が可視光透過性
を有すると好ましい。
1と電極796を入れ替えても構わない。
よい。
ーサ795の形状は、柱状、球状など様々にとることができる。
が、液晶素子753となる。
してもよい。
の一例である。具体的には、FPC732と接続する配線が異なる。図18(B)では、
端子731を介してFPC732と配線733bが接続している。配線733bは、ソー
ス電極116aおよびドレイン電極116bと同一層である。図18(C)では、端子7
31を介してFPC732と配線733cが接続している。配線733cは、電極791
と同一層である。
、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。また、トランジスタ751はオ
フ電流を極めて小さくできるため、消費電力の小さい液晶表示装置を提供することができ
る。
駆動方法に、基板に対して直交に電圧を印加する縦電界方式、基板に対して平行に電圧を
印加する横電界方式がある。
断面模式図を示す。
挟持されている。また、基板3101側に偏光板3103が形成され、基板3102側に
偏光板3104が形成されている。偏光板3103の吸収軸と、偏光板3104の吸収軸
は、クロスニコルの状態で配置されている。
1および基板3102上には、それぞれ電極3108および電極3109が設けられてい
る。そして、バックライトと反対側、つまり視認側の電極である電極3108は、透光性
を有するように形成する。
108および電極3109に電圧が印加(縦電界方式と呼ぶ)されると、図19(A1)
に示すように、液晶分子3105は縦に並んだ状態となる。すると、バックライトからの
光は偏光板3103を通過することができず、黒色表示となる。
されていないときは、液晶分子3105は横に並び、平面内で捩れている状態となる。そ
の結果、バックライトからの光は偏光板3103を通過することができ、白色表示となる
。また、電極3108および電極3109に印加する電圧を調節することにより、階調を
表現することができる。このようにして、所定の映像表示が行われる。
基板3101側、または基板3102側のどちらに設けることもできる。
模式図を示す。VAモードは、無電界の時に液晶分子3105が基板に垂直となるように
配向されているモードである。
れぞれ電極3108、電極3109が設けられている。そして、バックライトと反対側、
つまり視認側の電極である電極3108は、透光性を有するように形成する。そして基板
3101側には、偏光板3103が形成され、基板3102側に偏光板3104が形成さ
れている。また、偏光板3103の吸収軸と、偏光板3104の吸収軸は、クロスニコル
の状態で配置されている。
が印加される(縦電界方式)と、図19(B1)に示すように液晶分子3105は横に並
んだ状態となる。すると、バックライトからの光は、偏光板3103を通過することがで
き、白色表示となる。
されていないときは、液晶分子3105は縦に並んだ状態となる。その結果、偏光板31
04により偏光されたバックライトからの光は、液晶分子3105の複屈折の影響を受け
ることなくセル内を通過する。すると、偏光されたバックライトからの光は、偏光板31
03を通過することができず、黒色表示となる。また、電極3108および電極3109
に印加する電圧を調節することにより、階調を表現することができる。このようにして、
所定の映像表示が行われる。
基板3101側、または基板3102側のどちらに設けることもできる。
面模式図を示す。MVAモードは一画素を複数に分割し、それぞれの部分の配向方向を異
ならせて、視野角依存性を互いに補償する方法である。図19(C1)に示すように、M
VAモードでは、電極3108および電極3109上に配向制御用に断面が三角の突起物
3158および突起物3159が設けられている。なお、他の構成はVAモードと同様で
ある。
に示すように液晶分子3105は突起物3158および3159の面に対して液晶分子3
105の長軸が概ね垂直となるように配向する。すると、バックライトからの光は、偏光
板3103を通過することができ、白色表示となる。
されていないときは、液晶分子3105は縦に並んだ状態となる。その結果、バックライ
トからの光は、偏光板3103を通過することができず、黒色表示となる。また、電極3
108および電極3109に印加する電圧を調節することにより、階調を表現することが
できる。このようにして、所定の映像表示が行われる。
基板3101側、または基板3102側のどちらに設けることもできる。
、電極3109a、電極3109bおよび電極3109cは、くの字(V字)のように屈
曲したパターンに形成されている。図22(B)で示すように、電極3109a、310
9b、3109c上および電極3108上に配向膜である絶縁膜3162および絶縁膜3
163がそれぞれが形成されている。電極3108上には突起物3158が電極3109
bと重なるように形成されている。
面模式図を示す。OCBモードは、液晶層内で液晶分子3105が視野角依存性を補償す
るように配向しており、これはベンド配向と呼ばれる。
電極3109が設けられている。そして、バックライトと反対側、つまり視認側の電極で
ある電極3108は、透光性を有するように形成する。そして基板3101側には、偏光
板3103が形成され、基板3102側に偏光板3104が形成されている。また、偏光
板3103の吸収軸と、偏光板3104の吸収軸は、クロスニコルの状態で配置されてい
る。
が印加される(縦電界方式)と黒色表示が行われる。このとき液晶分子3105は、図2
0(A1)に示すように縦に並んだ状態となる。すると、バックライトからの光は、偏光
板3103を通過することができず、黒色表示となる。
されていないときは、液晶分子3105はベンド配向の状態となる。その結果、バックラ
イトからの光は、偏光板3103を通過することができ、白色表示となる。また、電極3
108および電極3109に印加する電圧を調節することにより、階調を表現することが
できる。このようにして、所定の映像表示が行われる。
基板3101側、または基板3102側のどちらに設けることもできる。
補償できる。さらに、一対の積層された偏光子を含む層によりコントラスト比を高めるこ
とができる。
画素構成を説明する断面模式図を示す。
極3109が設けられている。そして、バックライトと反対側、つまり視認側の電極であ
る電極3108は、透光性を有するように形成する。そして基板3101側には、偏光板
3103が形成され、基板3102側に偏光板3104が形成されている。また、偏光板
3103の吸収軸と、偏光板3104の吸収軸は、クロスニコルの状態で配置されている
。
が印加(縦電界方式と呼ぶ)されると、液晶分子3105はラビング方向からずれた方向
で横に並んでいる状態となる。その結果、バックライトからの光は、偏光板3103を通
過することができ、白色表示となる。
されていないときは、液晶分子3105はラビング方向に沿って横に並んだ状態となる。
すると、バックライトからの光は、偏光板3103を通過することができず、黒色表示と
なる。また、電極3108および電極3109に印加する電圧を調節することにより、階
調を表現することができる。このようにして、所定の映像表示が行われる。
基板3101側、または基板3102側のどちらに設けることもできる。
い。
面模式図を示す。IPSモードは、一方の基板側のみに設けた電極の横電界によって液晶
分子3105を基板に対して平面内で回転させるモードである。
る。そのため、基板3102上に一対の電極3150および電極3151が設けられてい
る。一対の電極3150および電極3151は、それぞれ透光性を有するとよい。そして
基板3101側には、偏光板3103が形成され、基板3102側に偏光板3104が形
成されている。また、偏光板3103の吸収軸と、偏光板3104の吸収軸は、クロスニ
コルの状態で配置されている。
に電圧が印加されると、図21(A1)に示すように液晶分子3105はラビング方向か
らずれた電気力線に沿って配向する。すると、バックライトからの光は、偏光板3103
を通過することができ、白色表示となる。
が印加されていないとき、液晶分子3105は、ラビング方向に沿って横に並んだ状態と
なる。その結果、バックライトからの光は、偏光板3103を通過することができず、黒
色表示となる。また、一対の電極3150および電極3151の間に印加する電圧を調節
することにより、階調を表現することができる。このようにして、所定の映像表示が行わ
れる。
基板3101側、または基板3102側のどちらに設けることもできる。
示す。図23(A)乃至図23(C)の上面図に示すように、一対の電極3150および
電極3151が互い違いとなるように形成されており、図23(A)では電極3150a
および電極3151aはうねりを有する波状形状であり、図23(B)では電極3150
bおよび電極3151bは櫛歯状であり一部重なっている形状であり、図23(C)では
電極3150cおよび電極3151cは櫛歯状であり電極同士がかみ合うような形状であ
る。
面模式図を示す。FFSモードはIPSモードと同じ横電界方式であるが、図21(B1
)および(B2)に示すように、電極3150上に絶縁膜を介して電極3151が形成さ
れる構造である。
01側には、偏光板3103が形成され、基板3102側に偏光板3104が形成されて
いる。また、偏光板3103の吸収軸と、偏光板3104の吸収軸は、クロスニコルの状
態で配置されている。
圧が印加されると、図21(B1)に示すように液晶分子3105はラビング方向からず
れた電気力線に沿って配向する。すると、バックライトからの光は、偏光板3103を通
過することができ、白色表示となる。
が印加されていないとき、液晶分子3105は、ラビング方向に沿って横に並んだ状態と
なる。その結果、バックライトからの光は、偏光板3103を通過することができず、黒
色表示となる。また、一対の電極3150および電極3151の間に印加する電圧を調節
することにより、階調を表現することができる。このようにして、所定の映像表示が行わ
れる。
基板3101側、または基板3102側のどちらに設けることもできる。
示す。図24(A)乃至図24(C)の上面図に示すように、電極3150上に様々なパ
ターンに形成された電極3151が形成されており、図24(A)では電極3150a上
の電極3151aは屈曲したくの字(V字)形状であり、図24(B)では電極3150
b上の電極3151bは櫛歯状で電極同士がかみ合うような形状であり、図24(C)で
は電極3150c上の電極3151cは櫛歯状の形状である。
。
適用することが可能である。
止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板および位相差基
板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用
いてもよい。
(フィールドシーケンシャル駆動方式)を行うことも可能である。フィールドシーケンシ
ャル駆動方式を適用することで、着色層を用いることなく、カラー表示を行うことができ
る。
などを用いる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(Rは
赤、Gは緑、Bは青を表す)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す)
、またはRGBに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものがある。な
お、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明は
カラー表示の液晶表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の液晶表示装置に適
用することもできる。
上述したトランジスタは、さまざまな電子機器に搭載されるマイクロコンピュータに適用
することができる。
動作について、図25、図26、図27および図28(A)を用いて説明する。
であり、例えば、住宅用火災警報器や、自動火災報知設備や、当該自動火災報知設備に用
いられる火災感知器なども火災報知器に含むものとする。
イクロコンピュータ500は、警報装置の内部に設けられている。マイクロコンピュータ
500は、高電位電源線VDDと電気的に接続されたパワーゲートコントローラ503と
、高電位電源線VDDおよびパワーゲートコントローラ503と電気的に接続されたパワ
ーゲート504と、パワーゲート504と電気的に接続されたCPU(Central
Processing Unit)505と、パワーゲート504およびCPU505と
電気的に接続された検出部509と、が設けられる。また、CPU505には、揮発性記
憶部506と不揮発性記憶部507と、が含まれる。
続されている。インターフェース508もCPU505と同様にパワーゲート504と電
気的に接続されている。インターフェース508のバス規格としては、例えば、I2Cバ
スなどを用いることができる。また、警報装置には、インターフェース508を介してパ
ワーゲート504と電気的に接続される発光素子530が設けられる。
機EL素子、LEDなどを用いることができる。
504を制御する。パワーゲート504は、パワーゲートコントローラ503の制御に従
って、CPU505、検出部509およびインターフェース508に高電位電源線VDD
から供給される電源を供給または遮断する。ここで、パワーゲート504としては、例え
ば、トランジスタなどのスイッチング素子を用いることができる。
り、光量を測定する期間に検出部509、CPU505およびインターフェース508へ
の電源供給を行い、測定期間の合間には検出部509、CPU505およびインターフェ
ース508への電源供給を遮断することができる。このように警報装置を動作させること
により、上記の各構成に常時電源供給を行う場合より消費電力の低減を図ることができる
。
いられる、極めてオフ電流の低いトランジスタ、例えば上述した酸化物半導体層を含む多
層膜を用いたトランジスタを用いることが好ましい。このようなトランジスタを用いるこ
とにより、パワーゲート504で電源を遮断する際にリーク電流を低減し、消費電力の低
減を図ることができる。
してもよい。直流電源501の高電位側の電極は、高電位電源線VDDと電気的に接続さ
れ、直流電源501の低電位側の電極は、低電位電源線VSSと電気的に接続される。低
電位電源線VSSはマイクロコンピュータ500に電気的に接続される。ここで、高電位
電源線VDDは、高電位Hが与えられている。また、低電位電源線VSSは、例えば接地
電位(GND)などの低電位Lが与えられている。
された電極と、低電位電源線VSSに電気的に接続された電極と、当該電池を保持するこ
とができる筐体と、を有する電池ケースを筐体に設ける構成とすればよい。なお、警報装
置は、必ずしも直流電源501を設けなくてもよく、例えば、当該警報装置の外部に設け
られた交流電源から配線を介して電源を供給する構成としてもよい。
電池、リチウムイオン電池、またはリチウムイオンバッテリーとも呼ぶ。)を用いること
もできる。また、当該二次電池を充電できるように太陽電池を設けることが好ましい。
係る物理量は、警報装置の用途によって異なり、火災報知器として機能する警報装置では
、火災に係る物理量を計測する。故に、検出部509には、火災に係る物理量として光量
を計測し、煙の存在を感知する。
ート504と電気的に接続されたアンプ512と、パワーゲート504およびCPU50
5と電気的に接続されたADコンバータ513と、を有する。発光素子530、光センサ
511、アンプ512およびADコンバータ513は、パワーゲート504が検出部50
9に電源を供給したときに動作する。
有し、ゲート絶縁膜207およびゲート電極209、n型の不純物領域211a、n型の
不純物領域211b、絶縁膜215および絶縁膜217を有するn型のトランジスタ51
9が形成されている。n型のトランジスタ519は、単結晶シリコンなどの半導体を用い
て形成されており、高速動作が可能である。従って、高速なアクセスが可能なCPUの揮
発性記憶部を形成することができる。
クトプラグ219aおよびコンタクトプラグ219bを形成し、絶縁膜217およびコン
タクトプラグ219aおよびコンタクトプラグ219b上に溝部を有する絶縁膜221を
設けている。また、絶縁膜221の溝部に配線223aおよび配線223bを形成する。
また、絶縁膜221、配線223aおよび配線223b上にスパッタリング法、CVD法
等により絶縁膜220を形成し、当該絶縁膜220上に、溝部を有する絶縁膜222を形
成する。絶縁膜222の溝部に電極224を形成する。電極224は、第2のトランジス
タ517のバックゲート電極として機能する電極である。このような電極224を設ける
ことにより、第2のトランジスタ517のしきい値電圧の制御を行うことができる。
膜225を設けている。
第2のトランジスタ517は、酸化物層206aおよび酸化物半導体層206bを含む多
層膜206と、多層膜206上に接するソース電極216a、ドレイン電極216bと、
ゲート絶縁膜212と、ゲート電極204と、保護絶縁膜218を含む。また、光電変換
素子514と第2のトランジスタ517を覆う絶縁膜245が設けられ、絶縁膜245上
にドレイン電極216bに接して配線249を有する。配線249は、第2のトランジス
タ517のドレイン電極とn型のトランジスタ519のゲート電極209とを電気的に接
続するノードとして機能する。
トランジスタ517と、第3のトランジスタと、n型のトランジスタ519と、を含む。
ここで光電変換素子514としては、例えば、フォトダイオードなどを用いることができ
る。
方は、第2のトランジスタ517のソース電極およびドレイン電極の一方に電気的に接続
される。第2のトランジスタ517のゲート電極は、電荷蓄積制御信号Txが与えられ、
ソース電極およびドレイン電極の他方は、容量素子の一対の電極の一方と、第1のトラン
ジスタのソース電極およびドレイン電極の一方と、n型のトランジスタ519のゲート電
極と電気的に接続される(以下、当該ノードをノードFDと呼ぶ場合がある)。容量素子
の一対の電極の他方は、低電位電源線VSSと電気的に接続される。第1のトランジスタ
のゲート電極は、リセット信号Resが与えられ、ソース電極およびドレイン電極の他方
は、高電位電源線VDDと電気的に接続される。n型のトランジスタ519のソース電極
およびドレイン電極の一方は、第3のトランジスタのソース電極およびドレイン電極の一
方と、アンプ512と電気的に接続される。また、n型のトランジスタ519のソース電
極およびドレイン電極の他方は、高電位電源線VDDと電気的に接続される。第3のトラ
ンジスタのゲート電極は、バイアス信号Biasが与えられ、ソース電極およびドレイン
電極の他方は、低電位電源線VSSと電気的に接続される。
生容量が十分大きい場合、容量素子を設けない構成としてもよい。
ランジスタを用いることが好ましい。また、極めてオフ電流の低いトランジスタとしては
、上述した酸化物半導体層を含む多層膜を用いたトランジスタを用いることが好ましい。
このような構成とすることによりノードFDの電位を長時間保持することが可能となる。
5上に光電変換素子514が設けられている。
上に接して設けられたソース電極216a、電極216cと、を有する。ソース電極21
6aは第2のトランジスタ517のソース電極またはドレイン電極として機能する電極で
あり、光電変換素子514と第2のトランジスタ517とを電気的に接続している。
保護絶縁膜218および絶縁膜245が設けられている。また、絶縁膜245上に配線2
56が設けられており、ゲート絶縁膜212、保護絶縁膜218および絶縁膜245に設
けられた開口を介して電極216cと接する。
線249と同様の工程で形成することができる。
、シリコンやゲルマニウムなどを用いることができる。半導体層260にシリコンを用い
た場合は、可視光を検知する光センサとして機能する。また、シリコンとゲルマニウムで
は吸収できる電磁波の波長が異なるため、半導体層260にゲルマニウムを用いる構成と
すると、赤外線を検知するセンサとして用いることができる。
蔵して設けることができるので、部品数を削減し、警報装置の筐体を縮小することができ
る。
組み合わせ、それらを1つのICチップに搭載したCPU505が用いられる。
図27は、上述したトランジスタを少なくとも一部に用いたCPUの具体的な構成を示す
ブロック図である。
metic logic unit、論理演算回路)、ALUコントローラ1192、イ
ンストラクションデコーダ1193、インタラプトコントローラ1194、タイミングコ
ントローラ1195、レジスタ1196、レジスタコントローラ1197、バスインター
フェース1198(Bus I/F)、書き換え可能なROM1199、およびROMイ
ンターフェース1189(ROM I/F)を有している。基板1190は、半導体基板
、SOI基板、ガラス基板などを用いる。ROM1199およびROMインターフェース
1189は、別チップに設けてもよい。もちろん、図27(A)に示すCPUは、その構
成を簡略化して示した一例にすぎず、実際のCPUはその用途によって多種多様な構成を
有している。
デコーダ1193に入力され、デコードされた後、ALUコントローラ1192、インタ
ラプトコントローラ1194、レジスタコントローラ1197、タイミングコントローラ
1195に入力される。
ラ1197、タイミングコントローラ1195は、デコードされた命令に基づき、各種制
御を行なう。具体的にALUコントローラ1192は、ALU1191の動作を制御する
ための信号を生成する。また、インタラプトコントローラ1194は、CPUのプログラ
ム実行中に、外部の入出力装置や、周辺回路からの割り込み要求を、その優先度やマスク
状態から判断し、処理する。レジスタコントローラ1197は、レジスタ1196のアド
レスを生成し、CPUの状態に応じてレジスタ1196の読み出しや書き込みを行なう。
2、インストラクションデコーダ1193、インタラプトコントローラ1194、および
レジスタコントローラ1197の動作のタイミングを制御する信号を生成する。例えばタ
イミングコントローラ1195は、基準クロック信号CLK1を元に、内部クロック信号
CLK2を生成する内部クロック生成部を備えており、内部クロック信号CLK2を上記
各種回路に供給する。
ジスタ1196のメモリセルとして、上述したトランジスタを用いることができる。
からの指示に従い、レジスタ1196における保持動作の選択を行う。すなわち、レジス
タ1196が有するメモリセルにおいて、フリップフロップによるデータの保持を行うか
、容量素子によるデータの保持を行うかを、選択する。フリップフロップによるデータの
保持が選択されている場合、レジスタ1196内のメモリセルへの、電源電圧の供給が行
われる。容量素子におけるデータの保持が選択されている場合、容量素子へのデータの書
き換えが行われ、レジスタ1196内のメモリセルへの電源電圧の供給を停止することが
できる。
電源電位VDDまたは電源電位VSSの与えられているノード間に、スイッチング素子を
設けることにより行うことができる。以下に図27(B)および図27(C)の回路の説
明を行う。
ング素子に、上述したトランジスタを用いた記憶装置である。
数有するメモリセル群1143とを有している。具体的に、各メモリセル1142には、
上述したトランジスタを用いることができる。メモリセル群1143が有する各メモリセ
ル1142には、スイッチング素子1141を介して、ハイレベルの電源電位VDDが供
給されている。さらに、メモリセル群1143が有する各メモリセル1142には、信号
INの電位と、ローレベルの電源電位VSSの電位が与えられている。
り、該トランジスタは、そのゲート電極層に与えられる信号SigAによりスイッチング
が制御される。
成を示しているが、特に限定されず、トランジスタを複数有していてもよい。スイッチン
グ素子1141が、スイッチング素子として機能するトランジスタを複数有している場合
、上記複数のトランジスタは並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよ
いし、直列と並列が組み合わされて接続されていてもよい。
する各メモリセル1142への、ハイレベルの電源電位VDDの供給が制御されているが
、スイッチング素子1141により、ローレベルの電源電位VSSの供給が制御されてい
てもよい。
ッチング素子1141を介して、ローレベルの電源電位VSSが供給されている、記憶装
置の一例を示す。スイッチング素子1141により、メモリセル群1143が有する各メ
モリセル1142への、ローレベルの電源電位VSSの供給を制御することができる。
イッチング素子を設け、一時的にCPUの動作を停止し、電源電圧の供給を停止した場合
においてもデータを保持することが可能であり、消費電力の低減を行うことができる。具
体的には、例えば、パーソナルコンピュータのユーザーが、キーボードなどの入力装置へ
の情報の入力を停止している間でも、CPUの動作を停止することができ、それにより消
費電力を低減することができる。
rocessor)、カスタムLSI、FPGA(Field Programmabl
e Gate Array)等のLSIにも応用可能である。
図28(A)において、テレビジョン装置8000は、筐体8001に表示部8002が
組み込まれており、表示部8002により映像を表示し、スピーカ部8003から音声を
出力することが可能である。上述のトランジスタを表示部8002に用いることが可能で
ある。
置、電気泳動表示装置、DMD(Digital Micromirror Devic
e)、PDP(Plasma Display Panel)などの、半導体表示装置を
用いることができる。
てもよい。CPUやメモリに、先に示したトランジスタ、記憶装置、またはCPUを用い
ることによって省電力化を図ることができる。
クロコンピュータ8101を有している。マイクロコンピュータ8101には、上述した
トランジスタを用いたCPUが含まれる。
ナーには、上述したトランジスタを用いたCPUが含まれる。具体的に、室内機8200
は、筐体8201、送風口8202、CPU8203等を有する。図28(A)において
、CPU8203が、室内機8200に設けられている場合を例示しているが、CPU8
203は室外機8204に設けられていてもよい。または、室内機8200と室外機82
04の両方に、CPU8203が設けられていてもよい。上述したトランジスタを用いた
CPUが含まれることで、エアコンディショナーを省電力化できる。
PUが含まれる。具体的に、電気冷凍冷蔵庫8300は、筐体8301、冷蔵室用扉83
02、冷凍室用扉8303、CPU8304等を有する。図28(A)では、CPU83
04が、筐体8301の内部に設けられている。上述したトランジスタを用いたCPUが
含まれることで、電気冷凍冷蔵庫8300を省電力化できる。
二次電池9701が搭載されている。二次電池9701の電力は、制御回路9702によ
り出力が調整されて、駆動装置9703に供給される。制御回路9702は、図示しない
ROM、RAM、CPU等を有する処理装置9704によって制御される。上述したトラ
ンジスタを用いたCPUが含まれることで、電気自動車9700を省電力化できる。
を組み合わせて構成される。処理装置9704は、電気自動車9700の運転者の操作情
報(加速、減速、停止など)や走行時の情報(上り坂や下り坂等の情報、駆動輪にかかる
負荷情報など)の入力情報に基づき、制御回路9702に制御信号を出力する。制御回路
9702は、処理装置9704の制御信号により、二次電池9701から供給される電気
エネルギーを調整して駆動装置9703の出力を制御する。交流電動機を搭載している場
合は、図示していないが、直流を交流に変換するインバータも内蔵される。
ランジスタの構造は、図1(B)を参照する。ここで、実施例試料と比較例試料との違い
は、酸化物層106bの有無のみである。
膜はスパッタリング法にて成膜した。
に設けられた厚さが50nmの酸化窒化シリコン層からなる多層膜を用いた。窒化シリコ
ン層および酸化窒化シリコン層はCVD法にて成膜した。
酸化物層106bについて説明する。
:1[原子数比])であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した酸化物半
導体層を用いた。なお、酸化物半導体層106aは、アルゴンガスおよび酸素ガスを1:
1の体積比で混合した成膜ガスを用い、圧力を0.6Paとし、基板の温度を170℃と
し、AC電力を5kW印加することで成膜した。なお、実施例試料1では、酸化物半導体
層106aの厚さを20nmとした。また、実施例試料2では、酸化物半導体層106a
の厚さを35nmとした。また、実施例試料3では、酸化物半導体層106aの厚さを5
0nmとした。
原子数比])であるターゲットを用いて、スパッタリング法にて成膜した厚さが20nm
の酸化物層を用いた。なお、酸化物層106bは、アルゴンガスおよび酸素ガスを9:1
の体積比で混合した成膜ガスを用い、圧力を0.3Paとし、基板の温度を室温(約25
℃)とし、AC電力を5kW印加することで成膜した。
ギーギャップよりも0.45eV大きかった。また、酸化物半導体層106aの電子親和
力は、酸化物層106bの電子親和力よりも0.15eV大きかった。
6bを設けない構成とし、そのほかの構成については実施例試料1、実施例試料2および
実施例試料3と同様とした。
ン層と、タングステン層上に設けられた厚さが400nmのアルミニウム層と、アルミニ
ウム層上に設けられた厚さが100nmのチタン層からなる多層膜を用いた。なお、タン
グステン層、アルミニウム層およびチタン層は、スパッタリング法にて成膜した。
ン層上に設けられた厚さが100nmの窒化シリコン層からなる多層膜を用いた。酸化窒
化シリコン層および窒化シリコン層は、CVD法にて成膜した。
図32に重ねて示す。ここでは、ドレイン電圧を1Vまたは10Vとし、ゲート電圧Vg
を−20V〜15Vの範囲で掃引したときのドレイン電流Idを測定した。なお、図29
(A)には実施例試料1であるチャネル長Lが3μm、チャネル幅Wが50μmのトラン
ジスタのVg−Id特性を、図29(B)には実施例試料1であるチャネル長Lが6μm
、チャネル幅Wが50μmのトランジスタのVg−Id特性を示す。また、図30(A)
には実施例試料2であるチャネル長Lが3μm、チャネル幅Wが50μmのトランジスタ
のVg−Id特性を、図30(B)には実施例試料2であるチャネル長Lが6μm、チャ
ネル幅Wが50μmのトランジスタのVg−Id特性を示す。また、図31(A)には実
施例試料3であるチャネル長Lが3μm、チャネル幅Wが50μmのトランジスタのVg
−Id特性を、図31(B)には実施例試料3であるチャネル長Lが6μm、チャネル幅
Wが50μmのトランジスタのVg−Id特性を示す。また、図32(A)には比較例試
料であるチャネル長Lが3μm、チャネル幅Wが50μmのトランジスタのVg−Id特
性を、図32(B)には比較例試料であるチャネル長Lが6μm、チャネル幅Wが50μ
mのトランジスタのVg−Id特性を示す。
。また、ゲート電圧とは、ソース電位を基準としたときのゲート電位との電位差をいう。
また、ドレイン電流とは、ソース−ドレイン間を流れる電流値をいう。
と比べ、しきい値電圧の面内でのばらつきが小さかった。また、実施例試料1、実施例試
料2および実施例試料3は、サブスレッショルドスイング値の小さい、良好な電気特性を
有するトランジスタであることがわかった。
に対し、暗状態または明状態でのプラスゲートBT試験およびマイナスゲートBT試験を
行った。図33乃至図40に、実施例試料1、実施例試料2、実施例試料3および比較例
試料であるトランジスタのゲートBT試験前後のVg−Id特性を示す。なお、ゲートB
T試験は、チャネル長Lが6μm、チャネル幅Wが50μmのトランジスタで行った。ま
た、Vg−Id特性の測定は、ドレイン電圧を5Vとし、ゲート電圧Vgを−30V〜3
0Vの範囲で掃引したときのドレイン電流Idを測定することで行った。
測定を行った後、ゲート電圧Vgを30V、ドレイン電圧Vdを0Vとして2000秒保
持した後、2回目のVg−Id特性の測定を行った。
の測定を行った後、ゲート電圧Vgを−30V、ドレイン電圧Vdを0Vとして2000
秒保持した後、2回目のVg−Id特性の測定を行った。
状態では、3000lxの白色LEDをトランジスタに照射し、プラスまたはマイナスB
Tストレスを印加した。図41に、明状態でのゲートBT試験に用いた白色LEDの発光
スペクトルを示す。
し、2回目(ゲートBT試験後)のVg−Id特性を実線で示す。
を、図33(B)には実施例試料1の暗状態でのマイナスゲートBT試験前後のVg−I
d特性を示す。図34(A)には実施例試料1の明状態でのプラスゲートBT試験前後の
Vg−Id特性を、図34(B)には実施例試料1の明状態でのマイナスゲートBT試験
前後のVg−Id特性を示す。図35(A)には実施例試料2の暗状態でのプラスゲート
BT試験前後のVg−Id特性を、図35(B)には実施例試料2の暗状態でのマイナス
ゲートBT試験前後のVg−Id特性を示す。図36(A)には実施例試料2の明状態で
のプラスゲートBT試験前後のVg−Id特性を、図36(B)には実施例試料2の明状
態でのマイナスゲートBT試験前後のVg−Id特性を示す。図37(A)には実施例試
料3の暗状態でのプラスゲートBT試験前後のVg−Id特性を、図37(B)には実施
例試料3の暗状態でのマイナスゲートBT試験前後のVg−Id特性を示す。図38(A
)には実施例試料3の明状態でのプラスゲートBT試験前後のVg−Id特性を、図38
(B)には実施例試料3の明状態でのマイナスゲートBT試験前後のVg−Id特性を示
す。図39(A)には比較例試料の暗状態でのプラスゲートBT試験前後のVg−Id特
性を、図39(B)には比較例試料の暗状態でのマイナスゲートBT試験前後のVg−I
d特性を示す。図40(A)には比較例試料の明状態でのプラスゲートBT試験前後のV
g−Id特性を、図40(B)には比較例試料の明状態でのマイナスゲートBT試験前後
のVg−Id特性を示す。
のゲートBT試験前後の変動量(ΔVth)、およびドレイン電流Idが1×10−12
Aにおけるゲート電圧VgのゲートBT試験前後の変動量(ΔShift)を示す。
態および明状態での、プラスゲートBT試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の
変動量、およびドレイン電流Idが1×10−12Aにおけるゲート電圧Vgの変動量が
小さいことがわかった。また、実施例試料1、実施例試料2および実施例試料3は、マイ
ナスゲートBT試験前後におけるしきい値電圧の変動量も小さく、安定した電気特性を有
するトランジスタであることがわかった。
化物層を設けることで、ゲートBT試験におけるトランジスタの電気特性の変動を小さく
できることがわかった。特に、プラスゲートBT試験において、顕著な改善が見られた。
従って、酸化物半導体層上にエネルギーギャップが大きく、電子親和力の小さい酸化物層
を設けることで、安定した電気特性を有するトランジスタが得られることがわかる。
70b 成膜室
71 大気側基板供給室
72a ロードロック室
72b アンロードロック室
73 搬送室
73a 搬送室
73b 搬送室
74 カセットポート
75 基板加熱室
76 基板搬送ロボット
80a 成膜室
80b 成膜室
80c 成膜室
80d 成膜室
81 大気側基板供給室
82 ロード/アンロードロック室
83 搬送室
84 カセットポート
85 基板加熱室
86 基板搬送ロボット
87 ターゲット
88 防着板
89 ガラス基板
90 基板ステージ
92 基板ステージ
93 加熱機構
94 精製機
95a クライオポンプ
95b クライオポンプ
95c ターボ分子ポンプ
95d クライオポンプ
95e クライオポンプ
95f クライオポンプ
96 真空ポンプ
96a 真空ポンプ
96b 真空ポンプ
96c 真空ポンプ
97 マスフローコントローラ
98 ガス加熱機構
99 クライオトラップ
100 基板
104 ゲート電極
106 多層膜
106a 酸化物半導体層
106b 酸化物層
106c ソース領域
106d ドレイン領域
112 ゲート絶縁膜
116a ソース電極
116b ドレイン電極
118 保護絶縁膜
118a 第1の酸化シリコン層
118b 第2の酸化シリコン層
118c 窒化シリコン層
200 基板
201 半導体基板
202 下地絶縁膜
203 素子分離領域
204 ゲート電極
206 多層膜
206a 酸化物層
206b 酸化物半導体層
207 ゲート絶縁膜
209 ゲート電極
211a 不純物領域
211b 不純物領域
212 ゲート絶縁膜
215 絶縁膜
216a ソース電極
216b ドレイン電極
216c 電極
217 絶縁膜
218 保護絶縁膜
219a コンタクトプラグ
219b コンタクトプラグ
220 絶縁膜
221 絶縁膜
222 絶縁膜
223a 配線
223b 配線
224 電極
225 絶縁膜
245 絶縁膜
249 配線
256 配線
260 半導体層
500 マイクロコンピュータ
501 直流電源
502 バスライン
503 パワーゲートコントローラ
504 パワーゲート
505 CPU
506 揮発性記憶部
507 不揮発性記憶部
508 インターフェース
509 検出部
511 光センサ
512 アンプ
513 ADコンバータ
514 光電変換素子
517 トランジスタ
519 トランジスタ
530 発光素子
700 基板
719 発光素子
720 絶縁膜
721 絶縁膜
731 端子
732 FPC
733a 配線
733b 配線
733c 配線
734 シール材
735 駆動回路
736 駆動回路
737 画素
741 トランジスタ
742 キャパシタ
743 スイッチ素子
744 信号線
750 画素
751 トランジスタ
752 キャパシタ
753 液晶素子
754 走査線
755 信号線
781 電極
782 発光層
783 電極
784 隔壁
785a 中間層
785b 中間層
785c 中間層
785d 中間層
786a 発光層
786b 発光層
786c 発光層
791 電極
792 絶縁膜
793 液晶層
794 絶縁膜
795 スペーサ
796 電極
797 基板
1141 スイッチング素子
1142 メモリセル
1143 メモリセル群
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
3100 液晶層
3101 基板
3102 基板
3103 偏光板
3104 偏光板
3105 液晶分子
3108 電極
3109 電極
3109a 電極
3109b 電極
3109c 電極
3150 電極
3150a 電極
3150b 電極
3150c 電極
3151 電極
3151a 電極
3151b 電極
3151c 電極
3158 突起物
3159 突起物
3162 絶縁膜
3163 絶縁膜
8000 テレビジョン装置
8001 筐体
8002 表示部
8003 スピーカ部
8100 警報装置
8101 マイクロコンピュータ
8200 室内機
8201 筐体
8202 送風口
8203 CPU
8204 室外機
8300 電気冷凍冷蔵庫
8301 筐体
8302 冷蔵室用扉
8303 冷凍室用扉
8304 CPU
9700 電気自動車
9701 二次電池
9702 制御回路
9703 駆動装置
9704 処理装置
Claims (11)
- 酸化物層および酸化物半導体層を含む多層膜と、
前記酸化物層と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層と共通の元素を含み、かつ前記酸化物半導体層よりもエネルギーギャップが大きく、
前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間における組成が連続的に変化することを特徴とする半導体装置。 - 酸化物層および酸化物半導体層を含む多層膜と、
前記酸化物層と接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記多層膜と重ねて設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層と共通の元素を含み、かつ前記酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが真空準位に近く、
前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間における組成が連続的に変化することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2において、
前記酸化物層は、伝導帯下端のエネルギーが前記酸化物半導体層よりも0.05eV以上2eV以下真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記酸化物層と接してソース電極およびドレイン電極が設けられ、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、少なくとも銅を含む層を有する多層膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記酸化物層は結晶質構造を有し、
前記酸化物層に含まれる結晶部のc軸は、前記酸化物層の表面の法線ベクトルに平行であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記酸化物半導体層および前記酸化物層は、In−M−Zn酸化物(MはAl、Si、Ga、Ge、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf)であり、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層よりもMに対するInの原子数比が小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の厚さが3nm以上200nm以下であり、前記酸化物層の厚さが3nm以上50nm以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記酸化物層の厚さが3nm以上50nm以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、
前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間におけるシリコン濃度が、5×1018atoms/cm3未満であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、
前記酸化物層と前記酸化物半導体層との間における炭素濃度が、5×1018atoms/cm3未満であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の銅濃度が、1×1019atoms/cm3未満であることを特徴とする半導体装置。
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