CN105137660A - 一种光配向膜杂质去除装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光配向膜杂质去除装置和方法，涉及显示器技术领域，用于去除光配向过程中光配向膜中产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。该装置包括：加热设备、气体抽出设备以及气体输入设备；加热设备形成一个密封腔体，用于对放置于密封腔体内部的配向膜进行加热；气体抽出设备通过抽气管道与密封腔体连通，用于抽取密封腔体内的气体；气体输入设备包括供气管道和控制开关，供气管道与密封腔体连通，控制开关用于控制供气管道的导通或截止；气体输入设备用于在控制开关的控制下通过供气管道向密封腔体内输送气体。本发明的实施例用于显示器的制造。

Description

一种光配向膜杂质去除装置和方法
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种光配向膜杂质去除装置和方法。
背景技术
随着显示技术的进步，显示器在人们日常生活中的应用越来越广泛，其中，薄膜晶体管液晶显示器(英文全称：ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，简称：TFT-LCD)因为具有低驱动电压、靠性高、无辐射、无闪烁、适用范围宽等众多优势，因此TFT-LCD是目前的主流显示器。
在TFT-LCD的制造过程中需要对液晶进行配向，控制液晶分子在TFT-LCD中的初始排列方式，进而精确控制液晶分子在TFT-LCD显示过程的排列方式以实现显示效果，因此，对液晶配向是TFT-LCD制造工艺中十分重要的一道工序。现有的配向技术包括：接触式配向技术和非接触式配向技术。其中，应用最为广泛的接触式配向技术为磨刷配向(英文全程：RubbingAlignment)法，磨刷配向法可对液晶分子较好的进行配向，但是由于在接触过程中会在配向膜上产生静电以及杂质颗粒，且静电以及杂质颗粒很可能会直接造成液晶元件的损坏。通过非接触式配向技术则可以避免直接与配向膜接触，因此可以很好的避免静电以及杂质颗粒的产生，目前本领域技术人员所熟知的非接触式配向方法为紫外光配向法，简称光配向。具体的，光配向是以线偏极紫外光照射有感光剂的聚酰亚胺薄膜(英文全称：PolyimideFilm，简称PI膜)。然而光配向虽然避免了静电以及杂质颗粒的产生，但是PI膜经过线偏极紫外光照射后，PI膜的部分分子链会断裂，产生的小分子杂质，若这些小分子杂质残留在TFT-LCD内部，在TFT-LCD显示过程中会形成异物型亮点，从而影响TFT-LCD的显示效果。现有技术中通过加热蒸发来去除这些小分子杂质，然而，加热温度过低时，仍会有较多杂质未蒸发，杂质去除效果不理想，加热温度过高时，高温可能会影响配向膜以及其他元件。因此，如何去除光配向过程中光配向膜产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种配向膜杂质去除装置和方法，用于去除光配向过程中光配向膜中产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种光配向膜杂质去除装置，包括：加热设备、气体抽出设备以及气体输入设备；
所述加热设备形成一个密封腔体，用于对放置于所述密封腔体内部的配向膜进行加热；
所述气体抽出设备通过抽气管道与所述密封腔体连通，用于抽取所述密封腔体内的气体；
所述气体输入设备包括供气管道和控制开关，所述供气管道与所述密封腔体连通，所述控制开关用于控制所述供气管道的导通或截止；所述气体输入设备用于在所述控制开关的控制下通过供气管道向所述密封腔体内输送气体。
可选的，所述抽气管道设置于所述密封腔体的第一侧，所述气体输入设备的供气管道设置于所述密封腔体的第二侧；其中，所述密封腔体的第一侧与所述密封腔体的第二侧相互远离。
可选的，所述气体输入设备还包括过滤网；所述过滤网用于对进入所述密封腔体的气体进行过滤。
可选的，所述加热设备用于将放置于腔体内部的配向膜加热至预设温度，所述预设温度大于190℃且小于250℃。
第二方面，提供一种光配向膜杂质去除方法，应用于第一方面任一项所述的光配向膜杂质去除装置；该方法包括：
控制所述气体抽出设备开始工作并通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道导通，对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气；
当换气时间达到预设时间时，控制所述加热设备开始工作；
当放置于所述密封腔体内部的配向膜的温度达到预设温度时，通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道截止。
可选的，在对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前，所述方法还包括：
通过过滤网对进入所述密封腔体的气体进行过滤。
可选的，所述预设温度大于190℃且小于250℃。
第三方面，提供一种光配向膜杂质去除方法，应用于第一方面任一项所述的光配向膜杂质去除装置；该方法包括：
控制所述气体抽出设备开始工作并通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道导通，对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气；
当换气时间达到预设时间时，通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道截止；
当所述密封腔体内部的压强达到预设压强时，控制所述加热设备开始工作，将放置于所述密封腔体内部的配向膜加热至预设温度。
可选的，在对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前，所述方法还包括：
通过过滤网对进入所述密封腔体的气体进行过滤。
可选的，所述预设温度大于190℃且小于250℃。
本发明实施例提供的光配向膜杂质去除装置，包括加热设备、气体抽出设备以及气体输入设备，加热设备形成一个密封腔体用于可以对放置于密封腔体内部的配向膜进行加热，气体抽出设备通过抽气管道与密封腔体连通，用于抽取密封腔体内的气体，气体输入设备用于在控制开关的控制下通过供气管道向密封腔体内输送气体，在上述光配向膜杂质去除装置工作时，可以通过控制气体抽出设备开始工作且控制气体输入设备的供气管道截止，从而减小密封腔体内部的压强，进而在较低温度时使光配向中产生小分子杂质蒸发，所以本发明实施例能够去除光配向过程中光配向膜产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的光配向膜杂质去除装置示意性结构图；
图2为本发明的实施例提供的光配向膜中的杂质含量随温度变化的示例图；
图3为本发明的实施例提供的蒸发温度随真空度变化的示意图；
图4为本发明的实施例提供的光配向膜杂质去除方法的步骤流程图；
图5为本发明的实施例提供的另一种光配向膜杂质去除方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
本发明的实施例提供一种光配向膜杂质去除装置，具体的，参照图1所示，该光配向膜杂质去除装置包括：加热设备11、气体抽出设备12以及气体输入设备13。
加热设备11形成一个密封腔体111，用于对放置于密封腔体111内部的配向膜进行加热。
示例性的，密封腔体的形状可以为长方体、正方体或其他多面体，本发明的实施例中不对密封腔体的形状进行限定。
气体抽出设备12通过抽气管道121与密封腔体111连通，用于抽取密封腔体111内的气体。
示例性的，气体抽出设备可以为真空泵或者具有类似功能的设备。
气体输入设备13包括供气管道131和控制开关132，供气管道131与密封腔体111连通，控制开关132用于控制供气管道131的导通或截止；气体输入设备13用于在控制开关132的控制下通过供气管道131向密封腔体111内输送气体。
本发明实施例提供的光配向膜杂质去除装置，包括加热设备、气体抽出设备以及气体输入设备，加热设备形成一个密封腔体用于可以对放置于密封腔体内部的配向膜进行加热，气体抽出设备通过抽气管道与密封腔体连通，用于抽取密封腔体内的气体，气体输入设备用于在控制开关的控制下通过供气管道向密封腔体内输送气体，在上述光配向膜杂质去除装置工作时，可以通过控制气体抽出设备开始工作且控制气体输入设备的供气管道截止，从而减小密封腔体内部的压强，进而在较低温度时使光配向中产生小分子杂质蒸发，所以本发明实施例能够去除光配向过程中光配向膜产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。
进一步的，抽气管道设置于密封腔体的第一侧，气体输入设备的供气管道设置于密封腔体的第二侧；其中，密封腔体的第一侧与密封腔体的第二侧相互远离。
在进行加热去除光配向膜中的小分子杂质前，需要首先对密封腔体内部的空气进行换气，将抽气管道设置于密封腔体的第一侧，气体输入设备的供气管道设置于密封腔体的第二侧，且密封腔体的第一侧与密封腔体的第二侧相互远离，即为将抽气管道和供气管道设置于密封腔体上相互远离的侧面，这样可以使密封腔体内部的换气更加充分，从而更有利于去除密封腔体内自然蒸发的小分子杂质。示例性的，可以将抽气管道和供气管道设置于密封腔体的相对面上，例如：抽气管道设置与密封腔体的顶面，供气管道设置与密封腔体的底面，或者抽气管道设置与密封腔体的左侧面，供气管道设置与密封腔体的右侧面，或者抽气管道设置与密封腔体的前侧面，供气管道设置与密封腔体的后侧面。
优选的，气体输入设备13还包括过滤网133；过滤网用于对进入密封腔体的气体进行过滤。
具体的，过滤网133可以设置与于供气管道131的任一端，也可以设置于供气管道131内部，本发明实施例中不限定过滤网的设置位置，以能够对进入密封腔体内部的气体进行过滤为准。
大气中可能含有灰尘颗粒、水蒸气等杂质，若灰尘颗粒和空气一起进入密封腔体内部，则可能会污染放置密封腔体内的光配向膜，而设置过滤对空气中的灰尘颗粒、水蒸气等杂质进行过滤可以有效避免空气中的大致污染光配向膜。可选的，过滤网的材质可以为：超低透过率空气过滤材料(英文全称：UltraLowPenetrationAirFilter，简称：ULPA)或者膨体聚四氟乙烯(英文全称：expendedpolytetrafluoroethylene，简称e-PTFE或者expandedPTFE)。
进一步的，参照图2、3所示，其中，图2为PI膜经过线偏极紫外光照射后，产生的小分子杂质A1和A2在不同温度下加热30分钟后在光配向膜中含量的示意图，图2中横坐标为温度值，纵坐标为光配向膜中杂质的含量。由图2可知温度越高则光配向膜中残留的杂质越少。图3为真空度对蒸发温度的影响示意图，图3中，横坐标表示真空度，纵坐标表示温度值，图中各点连成的曲线表示蒸发温度随真空度的变化。由图3可知真空度越高则蒸发温度越低。
通过上述示意图2、3可知可以通过提高温度，以及提高真空度来去除光配向膜中的杂质，且温度在不损坏光配向膜的情况下尽量高，真空度越高越好。因此优选的，加热设备用于将放置于腔体内部的配向膜加热至预设温度，预设温度大于190℃且小于250℃。
需要说明的是，当减小密封腔体内部气体压强时，理想状态为将密封腔体内部压强减小到零，即绝对真空状态，然而由于工艺限制，密封腔体内部不可能达到绝对真空状态，所以本发明实施例中不对密封腔体内的真空对进行限定，密封腔体内部的真空度越高越好。此外，配向膜中的小分子杂质温度越高蒸发越多，但过高的温度又会损坏光配向膜，因此优选的，将配向膜加热的温度大于190℃且小于250℃。
本发明的实施例提供一种光配向膜杂质去除方法，该方法应用于上述任一实施例提供的光配向膜杂质去除装置。具体的，参照图4所示，该方法包括如下步骤：
S401、控制气体抽出设备开始工作并通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道导通，对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气。
首先，对密封腔体内的气体进行换气可以去除密封腔体内自然蒸发的小分子杂质以及其他杂质气体。
S402、当换气时间达到预设时间时，控制加热设备开始工作。
预设时间可以根据密封腔体的容积、换气速度等实际数据进行设定，本发明不限定换气时间的长度。
S403、当放置于密封腔体内部的配向膜的温度达到预设温度时，通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道截止。
在步骤S403中，气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道截止，则继续工作的气体抽出设设备会使密封腔体内部的气压逐渐减小，真空度逐渐升高，在预设温度时，光配向膜中的小分子杂质能够去除的更加彻底。
本发明的实施例提供的光配向膜杂质去除方法，首先控制气体抽出设备开始工作并通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道导通，对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气；然后控制加热设备开始工作，对光配向膜进行加热，最后在配向膜的温度达到预设温度时，通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道截止，进而通过继续工作的气体抽出设设备使密封腔体内部的气压逐渐减小，真空度逐渐升高，所以本发明的实施例在较低温度时除去除光配向中产生小分子杂质，因此可以去除光配向过程中光配向膜产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。
可选的，在对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前，上述方法还包括：
通过过滤网对进入密封腔体的气体进行过滤。
大气中可能含有灰尘颗粒、水蒸气等杂质，若灰尘颗粒和空气一起进入密封腔体内部，则可能会污染放置于密封腔体内的光配向膜，而在对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前通过过滤网对进入密封腔体的气体进行过滤，过滤对空气中的灰尘颗粒、水蒸气等杂质，进而可以有效避免空气中的大致污染光配向膜。
可选的，预设温度大于190℃且小于250℃。
本发明的实施例提供一种光配向膜杂质去除方法，该方法应用于上述任一实施例提供的光配向膜杂质去除装置。具体的，参照图5所示，该方法包括如下步骤：
S501、控制气体抽出设备开始工作并通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道导通，对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气。
首先，对密封腔体内的气体进行换气可以去除密封腔体内自然蒸发的小分子杂质以及其他杂质气体。
S502、当换气时间达到预设时间时，通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道截止。
预设时间可以根据密封腔体的容积、换气速度等实际数据进行设定，本发明不限定换气时间的长度。在步骤S502中，当达到预设时间时，气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道截止，则继续工作的气体抽出设设备会使密封腔体内部的气压逐渐减小，真空度逐渐升高，真空度升高后光配向膜中的小分子杂质可以进一步蒸发。
S503、当密封腔体内部的压强达到预设压强时，控制加热设备开始工作，将放置于密封腔体内部的配向膜加热至预设温度。
需要说明的是，此处理想状态下密封腔体内为绝对真空，预设压强值为零，但是基于实际气体抽出设备的可达到的真空度不可能为绝对真空，所以此处预设压强的设定可以设定为密封腔体内部可以达到的最小压强。
当压强达到预设压强时，将光配向膜加热值预设温度可以进一步蒸发光配向膜中的小分子杂质。
本发明的实施例提供的光配向膜杂质去除方法，首先控制气体抽出设备开始工作并通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道导通，对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气；然后控通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道截止，通过继续工作的气体抽出设备减小密封装置内部的压强，提高真空度，最后当密封腔体内部的压强达到预设压强时，控制加热设备开始工作，将放置于密封腔体内部的配向膜加热至预设温度，所以本发明的实施例在较低温度时除去除光配向中产生小分子杂质，因此可以去除光配向过程中光配向膜产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。
可选的，在对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前，方法还包括：
通过过滤网对进入密封腔体的气体进行过滤。
大气中可能含有灰尘颗粒、水蒸气等杂质，若灰尘颗粒和空气一起进入密封腔体内部，则可能会污染放置于密封腔体内的光配向膜，而在对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前通过过滤网对进入密封腔体的气体进行过滤，过滤对空气中的灰尘颗粒、水蒸气等杂质，进而可以有效避免空气中的大致污染光配向膜。
可选的，预设温度大于190℃且小于250℃。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种光配向膜杂质去除装置，其特征在于，包括：加热设备、气体抽出设备以及气体输入设备；
所述加热设备形成一个密封腔体，用于对放置于所述密封腔体内部的配向膜进行加热；
所述气体抽出设备通过抽气管道与所述密封腔体连通，用于抽取所述密封腔体内的气体；
所述气体输入设备包括供气管道和控制开关，所述供气管道与所述密封腔体连通，所述控制开关用于控制所述供气管道的导通或截止；所述气体输入设备用于在所述控制开关的控制下通过供气管道向所述密封腔体内输送气体。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述抽气管道设置于所述密封腔体的第一侧，所述气体输入设备的供气管道设置于所述密封腔体的第二侧；其中，所述密封腔体的第一侧与所述密封腔体的第二侧相互远离。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体输入设备还包括过滤网；所述过滤网用于对进入所述密封腔体的气体进行过滤。
4.根据权利要求1-3任一项所述的装置，其特征在于，所述加热设备用于将放置于腔体内部的配向膜加热至预设温度，所述预设温度大于190℃且小于250℃。
5.一种光配向膜杂质去除方法，其特征在于，应用于权利要求1-4任一项所述的光配向膜杂质去除装置；该方法包括：
控制所述气体抽出设备开始工作并通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道导通，对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气；
当换气时间达到预设时间时，控制所述加热设备开始工作；
当放置于所述密封腔体内部的配向膜的温度达到预设温度时，通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道截止。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前，所述方法还包括：
通过过滤网对进入所述密封腔体的气体进行过滤。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预设温度大于190℃且小于250℃。
8.一种光配向膜杂质去除方法，其特征在于，应用于权利要求1-4任一项所述的光配向膜杂质去除装置；该方法包括：
控制所述气体抽出设备开始工作并通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道导通，对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气；
当换气时间达到预设时间时，通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道截止；
当所述密封腔体内部的压强达到预设压强时，控制所述加热设备开始工作，将放置于所述密封腔体内部的配向膜加热至预设温度。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前，所述方法还包括：
通过过滤网对进入所述密封腔体的气体进行过滤。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预设温度大于190℃且小于250℃。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105739139A (zh) * 2016-05-12 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种配向膜的检测方法及装置
CN105783438A (zh) * 2016-03-09 2016-07-20 武汉华星光电技术有限公司 一种减压加热干燥装置
CN107300810A (zh) * 2017-07-25 2017-10-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制程及显示面板的制程

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102648617B1 (ko) * 2016-06-30 2024-03-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1991525A (zh) * 2005-12-26 2007-07-04 株式会社日立显示器 液晶显示装置
JP2007187862A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Seiko Epson Corp 基板の洗浄方法
CN101285968A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 Nec液晶技术株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN104133322A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 北京京东方光电科技有限公司 取向膜的固化与冷却装置、取向膜的固化与冷却方法

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4481406A (en) * 1983-01-21 1984-11-06 Varian Associates, Inc. Heater assembly for thermal processing of a semiconductor wafer in a vacuum chamber
US4878930A (en) * 1984-03-15 1989-11-07 W. L. Gore & Associates, Inc. Filter cartridge
JPS6314414A (ja) * 1986-07-04 1988-01-21 株式会社村田製作所 単板コンデンサの製造方法
JP2602880B2 (ja) * 1988-03-05 1997-04-23 忠弘 大見 シリンダーキャビネット配管装置
JPH0520407Y2 (zh) * 1988-04-14 1993-05-27
US5019140A (en) * 1988-12-21 1991-05-28 W. L. Gore & Associates, Inc. Irradiated expanded polytetrafluoroethylene composites, and devices using them, and processes for making them
US5593482A (en) * 1990-03-20 1997-01-14 W. L. Gore & Associates, Inc. Adsorbent assembly for removing gaseous contaminants
TW237562B (zh) * 1990-11-09 1995-01-01 Semiconductor Energy Res Co Ltd
US6893906B2 (en) * 1990-11-26 2005-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method for the same
KR950001360B1 (ko) * 1990-11-26 1995-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기 광학장치와 그 구동방법
US5139747A (en) * 1991-01-14 1992-08-18 Semi-Gas Systems, Inc. Gas filter-purifier
GB9202360D0 (en) * 1992-02-04 1992-03-18 Gore W L & Ass Uk Ostomy filter
JP3005373B2 (ja) * 1992-10-23 2000-01-31 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5466509A (en) * 1993-01-15 1995-11-14 Impra, Inc. Textured, porous, expanded PTFE
US6027779A (en) * 1993-08-18 2000-02-22 W. L. Gore & Associates, Inc. Thin-wall polytetrafluoroethylene tube
US5892227A (en) * 1994-09-29 1999-04-06 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Radiation detection system and processes for preparing the same
US5538545A (en) * 1994-11-04 1996-07-23 W. L. Gore & Associates Nonparticulating adsorbent recirculating filter
US6143675A (en) * 1995-06-07 2000-11-07 W. L. Gore & Associates (Uk) Ltd. Porous composite
US5928414A (en) * 1996-07-11 1999-07-27 W. L. Gore & Associates, Inc. Cleanable filter media and filter elements
US6016848A (en) * 1996-07-16 2000-01-25 W. L. Gore & Associates, Inc. Fluoropolymer tubes and methods of making same
DE19638416C1 (de) * 1996-09-19 1997-11-13 Gore W L & Ass Gmbh Formkörper aus einem Blend eines Fluorpolymeren und eines Thermoplasten und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3162313B2 (ja) * 1997-01-20 2001-04-25 工業技術院長 薄膜製造方法および薄膜製造装置
JP3169926B2 (ja) * 1998-02-13 2001-05-28 キヤノン株式会社 電子源の製造方法
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
WO2001014041A2 (en) * 1999-08-23 2001-03-01 Gore Enterprise Holdings, Inc. Filter for removing contaminants from an enclosure
JP2001185503A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Nec Corp 半導体薄膜改質装置
US6909111B2 (en) * 2000-12-28 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
TW550672B (en) * 2001-02-21 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Method and apparatus for film deposition
JP4997670B2 (ja) * 2001-06-29 2012-08-08 日本電気株式会社 共重合高分子膜の作製方法、前記形成方法で作製される共重合高分子膜、共重合高分子膜を利用する半導体装置
WO2003021642A2 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
US20030045098A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
JP2003107243A (ja) * 2001-09-18 2003-04-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 光透過膜、該光透過膜の製造方法、配向膜並びに該配向膜を含む液晶パネルおよび表示装置
JP3966705B2 (ja) * 2001-09-26 2007-08-29 ジャパンゴアテックス株式会社 ガス吸着フィルターの取り付け構造及びガス吸着フィルター付きハウジング
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
SG149680A1 (en) * 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
TWI273642B (en) * 2002-04-19 2007-02-11 Ulvac Inc Film-forming apparatus and film-forming method
US6936551B2 (en) * 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
TWI288443B (en) * 2002-05-17 2007-10-11 Semiconductor Energy Lab SiN film, semiconductor device, and the manufacturing method thereof
JP3535871B2 (ja) * 2002-06-13 2004-06-07 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像表示装置及び電子放出素子の製造方法
JP2004071696A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR100875465B1 (ko) * 2002-12-10 2008-12-22 삼성전자주식회사 편광판 부착 설비
CN1723741B (zh) * 2002-12-12 2012-09-05 株式会社半导体能源研究所 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法
KR101061891B1 (ko) * 2003-02-05 2011-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 제작 방법
WO2004070823A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置の作製方法
WO2004070819A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置の製造方法
JP4526951B2 (ja) * 2003-02-06 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR20040088935A (ko) * 2003-04-14 2004-10-20 삼성전자주식회사 원자빔으로 배향막에 멀티 도메인을 형성하는 방법, 이를이용한 광시야각 액정표시장치의 제조 방법, 광시야각액정표시장치 및 액정 배향 장치
US20060121197A1 (en) * 2003-09-05 2006-06-08 Moffat William A Method for silane coating of indium tin oxide surfaced substrates
WO2006052370A2 (en) * 2004-11-03 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Diamond like carbon films
US7622392B2 (en) * 2005-02-18 2009-11-24 Tokyo Electron Limited Method of processing substrate, method of manufacturing solid-state imaging device, method of manufacturing thin film device, and programs for implementing the methods
JP2006349917A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示パネルの製造装置及びその製造方法
US7306729B2 (en) * 2005-07-18 2007-12-11 Gore Enterprise Holdings, Inc. Porous PTFE materials and articles produced therefrom
KR100907818B1 (ko) * 2006-06-08 2009-07-16 주식회사 엘지화학 Ｔｎ－ｌｃｄ 시야각 개선을 위한 일체형 ｏ-필름, 이를포함하는 편광판 적층체 및 ｔｎ－ｌｃｄ
US20100112814A1 (en) * 2006-09-06 2010-05-06 Sowmya Krishnan Pre-certified process chamber and method
US20080078743A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Munoz Andres F Elevated temperature chemical oxide removal module and process
US7880846B2 (en) * 2007-04-13 2011-02-01 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
CN102077134B (zh) * 2008-06-27 2013-11-27 夏普株式会社 液晶显示装置及其制造方法
JP5455407B2 (ja) * 2009-03-25 2014-03-26 日本ゴア株式会社 触媒粒子を担持した延伸ポリテトラフルオロエチレン多孔質膜またはテープの製造方法およびオゾン除去用フィルタ
WO2011037008A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR20120084751A (ko) * 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011048959A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101995704B1 (ko) * 2009-11-20 2019-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5292438B2 (ja) * 2011-05-23 2013-09-18 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
EP2785431B1 (en) * 2011-12-02 2016-03-16 W.L. Gore & Associates, Inc. Heat-stabilized composite filter media and method of making the filter media
KR102227591B1 (ko) * 2012-10-17 2021-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9480953B2 (en) * 2012-10-17 2016-11-01 W. L. Gore & Associates, Inc. Composite filter media for fuel streams
JP2014135478A (ja) * 2012-12-03 2014-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9314824B2 (en) * 2013-11-08 2016-04-19 Mks Instruments, Inc. Powder and deposition control in throttle valves
US10369524B2 (en) * 2014-01-06 2019-08-06 W. L. Gore & Associates, Inc. Autogenous cleaning filtration method and device
US11136697B2 (en) * 2015-03-16 2021-10-05 W. L. Gore & Associates, Inc. Fabrics containing conformable low density fluoropolymer fiber blends

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1991525A (zh) * 2005-12-26 2007-07-04 株式会社日立显示器 液晶显示装置
JP2007187862A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Seiko Epson Corp 基板の洗浄方法
CN101285968A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 Nec液晶技术株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN104133322A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 北京京东方光电科技有限公司 取向膜的固化与冷却装置、取向膜的固化与冷却方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105783438A (zh) * 2016-03-09 2016-07-20 武汉华星光电技术有限公司 一种减压加热干燥装置
CN105739139A (zh) * 2016-05-12 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种配向膜的检测方法及装置
CN105739139B (zh) * 2016-05-12 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种配向膜的检测方法及装置
CN107300810A (zh) * 2017-07-25 2017-10-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制程及显示面板的制程

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Publication number Publication date
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