JPS6314414A - 単板コンデンサの製造方法 - Google Patents
単板コンデンサの製造方法Info
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- JPS6314414A JPS6314414A JP61158292A JP15829286A JPS6314414A JP S6314414 A JPS6314414 A JP S6314414A JP 61158292 A JP61158292 A JP 61158292A JP 15829286 A JP15829286 A JP 15829286A JP S6314414 A JPS6314414 A JP S6314414A
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は単板コンデンサを製造する方法に関するもので
ある。
ある。
（従来の技術とその問題点）
従来の単板コンデンサは、第６図に示されるように誘電
体２の両面に電極４，６を形成し、それぞれの電極４，
６にリード線８，１０を取りつけ、外装材１２によりコ
ンデンサ部分を外装したものである。
体２の両面に電極４，６を形成し、それぞれの電極４，
６にリード線８，１０を取りつけ、外装材１２によりコ
ンデンサ部分を外装したものである。
このような単板コンデンサでは、誘電体２の機械的な強
度の点から誘電体２を薄板化するのに限界があるため、
静電容量を向上させることが難かしく、また、小型化す
る上でも困雅である。また、各装置２を施こした後ワッ
クスを含浸させなければ耐圧が悪くなるので、ワックス
含浸によるコストが上昇するという問題もある。また、
従来の単板コンデンサは連続製法により製造することが
できないので、この点でもコストが上昇するという問題
がある。
度の点から誘電体２を薄板化するのに限界があるため、
静電容量を向上させることが難かしく、また、小型化す
る上でも困雅である。また、各装置２を施こした後ワッ
クスを含浸させなければ耐圧が悪くなるので、ワックス
含浸によるコストが上昇するという問題もある。また、
従来の単板コンデンサは連続製法により製造することが
できないので、この点でもコストが上昇するという問題
がある。
他の単板コンデンサとしては第７図に示される構造のも
のが知られている。これは誘電体層２とその両表面の電
極４，６からなるコンデンサを補強板１４（セラミック
）により補強したものである。この場合、電極６が内側
電極となるので、電極を補強板１４の外側へ外側電極１
６として取り出す必要がある。
のが知られている。これは誘電体層２とその両表面の電
極４，６からなるコンデンサを補強板１４（セラミック
）により補強したものである。この場合、電極６が内側
電極となるので、電極を補強板１４の外側へ外側電極１
６として取り出す必要がある。
本発明は誘電体を薄くして静電容量を向上させるととも
に、小型化を図り、また連続的に生産することのできる
単板コンデンサの製造方法を提供することを目的とする
ものである。
に、小型化を図り、また連続的に生産することのできる
単板コンデンサの製造方法を提供することを目的とする
ものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の製造方法はキャリヤフィルム上に、誘電体層と
、この誘電体層を挟んだ電ｐｉ層と、前記誘電体層の両
側の電極層のうちの上側の電極層又は下側の電極層を一
部露出させたダミーセラミック層とを積層形成する工程
、及びそれら各層を同時に焼成する工程を含んでいる。
、この誘電体層を挟んだ電ｐｉ層と、前記誘電体層の両
側の電極層のうちの上側の電極層又は下側の電極層を一
部露出させたダミーセラミック層とを積層形成する工程
、及びそれら各層を同時に焼成する工程を含んでいる。
（実施例）
第１図ないし第３図は本発明の第１の実施例を工程順に
表わす。
表わす。
ポリプロピレンなどにてなるキャリヤフィルム１８上に
補強部材となるダミーセラミック層２０を印刷法により
塗布する。このダミーセラミック層２０には複数個の通
孔３０が形成されている。
補強部材となるダミーセラミック層２０を印刷法により
塗布する。このダミーセラミック層２０には複数個の通
孔３０が形成されている。
そのダミーセラミック層２０を乾燥した後、電極５２２
を導電ペーストの印刷により塗布し乾燥させる。この電
極層２２はダミーセラミックＭ２０の通孔３０内のフィ
ルム１８上、及びダミーセラミック層２０の通孔３０の
周面上にまたがって形成されるように塗布する。
を導電ペーストの印刷により塗布し乾燥させる。この電
極層２２はダミーセラミックＭ２０の通孔３０内のフィ
ルム１８上、及びダミーセラミック層２０の通孔３０の
周面上にまたがって形成されるように塗布する。
次に誘電体層２４を誘電体ペーストの印刷により塗布し
乾燥させる。
乾燥させる。
その誘電体層２４上に電Ｉ！ｌ！２６を、前記電極層２
２と重合させて導電ペーストの印刷により塗布し乾燥さ
せる。
２と重合させて導電ペーストの印刷により塗布し乾燥さ
せる。
次にキャリヤフィルム１８を剥離し、第１図及び第２図
で記号２８として示される位置で切断し、ダミーセラミ
ック層２０．電極層２２．誘電体層２４及び電極層２６
を同時に仮焼した後、同時に本焼成する。その状態を示
したのが第３図である。
で記号２８として示される位置で切断し、ダミーセラミ
ック層２０．電極層２２．誘電体層２４及び電極層２６
を同時に仮焼した後、同時に本焼成する。その状態を示
したのが第３図である。
その後、電極２２．２６にそれぞれリード線を取りつけ
、外装を施こしてコンデンサとする。
、外装を施こしてコンデンサとする。
ここで、ダミーセラミック層としては、例えばチタン酸
カルシウムとチタン酸マグネシウムを混合したもの、又
はチタン酸ストロンチウムとチタン酸カルシウムを混合
したものなどを使用することができる。焼成後において
、ダミーセラミック層２０の厚みは０．２ｍｍ程度であ
り、電極２２と電極２６に挟まれた誘電体層２４の厚み
は０．０５ｍｍ程度である。
カルシウムとチタン酸マグネシウムを混合したもの、又
はチタン酸ストロンチウムとチタン酸カルシウムを混合
したものなどを使用することができる。焼成後において
、ダミーセラミック層２０の厚みは０．２ｍｍ程度であ
り、電極２２と電極２６に挟まれた誘電体層２４の厚み
は０．０５ｍｍ程度である。
第４図及び第５図は本発明の第２の実施例を表わすもの
である。
である。
第１の実施例と比較すると、キャリヤフィルム１８上に
積層されるコンデンサ部材の順序が異なっている０本実
施例ではまずキャリヤフィルム１８上に電極２２が塗布
されて乾燥され、その上に誘電体層２４が塗布されて乾
燥され、次にその誘電体層２４上に電極２６が塗布され
て乾燥され、最後にダミーセラミック層２０が塗布され
て乾燥される。その後、第１の実施例と同様にしてキャ
リヤフィルム１８を剥にした後、それぞれのコンデンサ
用に切断され、同時仮焼及び同時本焼成が行なわれ、リ
ード線が取りつけられて外装が施こされる。
積層されるコンデンサ部材の順序が異なっている０本実
施例ではまずキャリヤフィルム１８上に電極２２が塗布
されて乾燥され、その上に誘電体層２４が塗布されて乾
燥され、次にその誘電体層２４上に電極２６が塗布され
て乾燥され、最後にダミーセラミック層２０が塗布され
て乾燥される。その後、第１の実施例と同様にしてキャ
リヤフィルム１８を剥にした後、それぞれのコンデンサ
用に切断され、同時仮焼及び同時本焼成が行なわれ、リ
ード線が取りつけられて外装が施こされる。
上記の第１及び第２の実施例では、キャリヤフィルム１
８を剥離した後にそれぞれのコンデンサ用に切断してい
るが、キャリヤフィルムがある状態で記号２８の位置で
切断し、その後にキャリヤフィルム１８を剥離し、仮焼
及び本焼成を行なうようにしでもよく、また、キャリヤ
フィルム１８は焼成中になくなるので、キャリヤフィル
ム１８が付いたままで切断をし、そのままで仮焼し本焼
成を行なうようにしてもよい。
８を剥離した後にそれぞれのコンデンサ用に切断してい
るが、キャリヤフィルムがある状態で記号２８の位置で
切断し、その後にキャリヤフィルム１８を剥離し、仮焼
及び本焼成を行なうようにしでもよく、また、キャリヤ
フィルム１８は焼成中になくなるので、キャリヤフィル
ム１８が付いたままで切断をし、そのままで仮焼し本焼
成を行なうようにしてもよい。
また、仮焼は通常行なわれるが、場合によってはいきな
り本焼成を行なうようにすることもできる。
り本焼成を行なうようにすることもできる。
（発明の効果）
本発明によればダミーセラミック層２０により補強され
るので、誘電体層２４を薄くしても機械的な強度を保持
することができるようになる。そのため誘電体層２４を
薄くして静電容量を大きくすることができる。また、小
型にすることができる。第６図に示されるような従来の
コンデンサと比較すると電極の取出しが不要になる。
るので、誘電体層２４を薄くしても機械的な強度を保持
することができるようになる。そのため誘電体層２４を
薄くして静電容量を大きくすることができる。また、小
型にすることができる。第６図に示されるような従来の
コンデンサと比較すると電極の取出しが不要になる。
キャリヤフィルム上にコンデンサの部材を積層して連続
製造を行なうことができるため、コストを低減すること
ができる。
製造を行なうことができるため、コストを低減すること
ができる。
また、補強部材としてのダミーセラミック層２０が設け
られる分だけ電極間の沿面距離が長くなるので、湿気に
対する耐圧性も向上し、その結果ワックスの含浸を敢え
て行なうことが不要になり、コストが低下する。
られる分だけ電極間の沿面距離が長くなるので、湿気に
対する耐圧性も向上し、その結果ワックスの含浸を敢え
て行なうことが不要になり、コストが低下する。
また、このような製造方法によればコンデンサの形状は
円板であっても角板であってもよく、それらの形状に拘
束されない。
円板であっても角板であってもよく、それらの形状に拘
束されない。
折曲げに対して強度の強いダミーセラミック層２０が誘
電体Ｍ２４を補強しているため、外装塗料の収縮による
容量の温度特性の変化が小さくなるので、強度の強い外
装塗料を使用することができるようになる。
電体Ｍ２４を補強しているため、外装塗料の収縮による
容量の温度特性の変化が小さくなるので、強度の強い外
装塗料を使用することができるようになる。
このようにして製造された本発明にかかるコンデンサを
従来の第６図に示される単板コンデンサと比較すると、
いずれも誘電体層としてチタン酸バリウムを使用した場
合、従来のものでは機械的強度が８００ｇであるのに対
し、本発明では約ＩＫｇになり、また、静電容量は従来
のものでは４７００ｐＦであるのに対し、本発明のもの
では１００００ＰＦであった。
従来の第６図に示される単板コンデンサと比較すると、
いずれも誘電体層としてチタン酸バリウムを使用した場
合、従来のものでは機械的強度が８００ｇであるのに対
し、本発明では約ＩＫｇになり、また、静電容量は従来
のものでは４７００ｐＦであるのに対し、本発明のもの
では１００００ＰＦであった。
第１図ないし第３図は本発明の第１の実施例を表わす図
であり、第１図は斜視断面図、第２図及び第３図は断面
図である。第４図及び第５図は本発明の第２の実施例を
表わす断面図、第６図は従来の単板コンデンサを表わす
断面図、第７図は従来の他の単板コンデンサの要部を表
わす断面図である。 １８・・・・・・キャリヤフィルム、 ２０・・・・・・ダミーセラミック居、２２．２６・・
・・・・電極、 ２４・・・・・・誘電体層。
であり、第１図は斜視断面図、第２図及び第３図は断面
図である。第４図及び第５図は本発明の第２の実施例を
表わす断面図、第６図は従来の単板コンデンサを表わす
断面図、第７図は従来の他の単板コンデンサの要部を表
わす断面図である。 １８・・・・・・キャリヤフィルム、 ２０・・・・・・ダミーセラミック居、２２．２６・・
・・・・電極、 ２４・・・・・・誘電体層。
Claims (1)
- （１）キャリヤフィルム上に、誘電体層と、この誘電体
層を挟んだ電極層と、前記誘電体層の両側の電極層のう
ちの上側の電極層又は下側の電極層を一部露出させたダ
ミーセラミック層とを積層形成する工程、及びそれら各
層を同時に焼成する工程を含む単板コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61158292A JPS6314414A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 単板コンデンサの製造方法 |
| US07/760,801 US5230721A (en) | 1986-07-04 | 1991-09-09 | Apparatus for supplying ultrahigh purity gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61158292A JPS6314414A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 単板コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314414A true JPS6314414A (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=15668418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61158292A Pending JPS6314414A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 単板コンデンサの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5230721A (ja) |
| JP (1) | JPS6314414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180428A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4112659B2 (ja) * | 1997-12-01 | 2008-07-02 | 大陽日酸株式会社 | 希ガスの回収方法及び装置 |
| US20050229947A1 (en) * | 2002-06-14 | 2005-10-20 | Mykrolis Corporation | Methods of inserting or removing a species from a substrate |
| WO2004112117A1 (en) * | 2003-06-02 | 2004-12-23 | Entegris, Inc. | Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen and/or water gas mixtures |
| US6913654B2 (en) * | 2003-06-02 | 2005-07-05 | Mykrolis Corporation | Method for the removal of airborne molecular contaminants using water gas mixtures |
| US7018448B2 (en) * | 2003-10-28 | 2006-03-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas cabinet including integrated effluent scrubber |
| CN101263590B (zh) * | 2005-08-03 | 2010-05-19 | 恩特格林斯公司 | 传送容器 |
| CN105137660A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光配向膜杂质去除装置和方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3279151A (en) * | 1964-03-23 | 1966-10-18 | Air Technologies Inc | Compressed air dehydration system with desiccant reactivating means |
| FR1409271A (fr) * | 1964-04-22 | 1965-08-27 | Pechiney Saint Gobain | Procédé de chlorométhylation de dérivés aromatiques |
| GB1516318A (en) * | 1974-10-28 | 1978-07-05 | British Steel Corp | Filtering a gas stream |
| SU827125A1 (ru) * | 1978-03-20 | 1981-05-07 | Всесоюзный Научно-Исследовательскийи Проектный Институт По Очисткетехнологических Газов, Сточных Води Использованию Вторичных Энерго-Ресурсов Предприятий Черной Me-Таллургии | Способ очистки отход щих от агре-гАТОВ гАзОВ HA ТКАНЕВыХ фильТРАХ |
| DE3139369C2 (de) * | 1981-10-03 | 1985-11-21 | Rekuperator KG Dr.-Ing. Schack & Co, 4000 Düsseldorf | Adsorptionsfilter mit Desorptionseinrichtung |
| JPS60108334A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Hitachi Cable Ltd | 偏波面保存光ファイバ母材の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP61158292A patent/JPS6314414A/ja active Pending
-
1991
- 1991-09-09 US US07/760,801 patent/US5230721A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180428A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5230721A (en) | 1993-07-27 |
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