JPH08148373A - 厚膜コンデンサ素子およびその製造方法 - Google Patents
厚膜コンデンサ素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH08148373A JPH08148373A JP6283432A JP28343294A JPH08148373A JP H08148373 A JPH08148373 A JP H08148373A JP 6283432 A JP6283432 A JP 6283432A JP 28343294 A JP28343294 A JP 28343294A JP H08148373 A JPH08148373 A JP H08148373A
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- phenol resin
- resin film
- film
- capacitor element
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体をフェノール
樹脂膜Ａと、フェノール樹脂膜Ａの無機フィラーを変え
て硬度を上げたフェノール樹脂膜Ｂとで被覆し、優れた
耐湿性、機械強度、耐クラック性を有する高容量値可能
な厚膜コンデンサ素子を得ることを目的とする。 【構成】 アルミナ等の絶縁基板１上に下部電極２を形
成し、その上に鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体３を、さ
らに鉛ペロブスカイト系膜厚誘電体３上に上部電極４を
形成し、鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体３をフェノール
樹脂膜Ａ５で被覆し、フェノール樹脂膜Ａ５の無機フィ
ラーを変えて硬度を上げたフェノール樹脂膜Ｂ６をフェ
ノール樹脂膜Ａ５上に形成する。
樹脂膜Ａと、フェノール樹脂膜Ａの無機フィラーを変え
て硬度を上げたフェノール樹脂膜Ｂとで被覆し、優れた
耐湿性、機械強度、耐クラック性を有する高容量値可能
な厚膜コンデンサ素子を得ることを目的とする。 【構成】 アルミナ等の絶縁基板１上に下部電極２を形
成し、その上に鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体３を、さ
らに鉛ペロブスカイト系膜厚誘電体３上に上部電極４を
形成し、鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体３をフェノール
樹脂膜Ａ５で被覆し、フェノール樹脂膜Ａ５の無機フィ
ラーを変えて硬度を上げたフェノール樹脂膜Ｂ６をフェ
ノール樹脂膜Ａ５上に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜コンデンサ素子お
よびその製造方法に関するものである。
よびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に厚膜コンデンサ素子は、印刷・焼
成工法を用いて、絶縁基板上に下部電極を形成し、この
下部電極上から前記絶縁基板上にかけて厚膜誘電体を形
成し、さらにこの厚膜誘電体上から前記絶縁基板上にか
けて上部電極を形成して構成した厚膜コンデンサを、特
性および耐湿性等の信頼性を向上させるために、厚膜誘
電体層をガラス層、もしくは樹脂層で完全に被覆したも
のが考えられている。
成工法を用いて、絶縁基板上に下部電極を形成し、この
下部電極上から前記絶縁基板上にかけて厚膜誘電体を形
成し、さらにこの厚膜誘電体上から前記絶縁基板上にか
けて上部電極を形成して構成した厚膜コンデンサを、特
性および耐湿性等の信頼性を向上させるために、厚膜誘
電体層をガラス層、もしくは樹脂層で完全に被覆したも
のが考えられている。
【０００３】この厚膜コンデンサの誘電体材料として、
通常の厚膜材料と同様の８５０℃前後の比較的低温で焼
成でき、また誘電率が高く高容量値を形成することがで
きる鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体は有用であるが、一
般のチップセラミックコンデンサ等の誘電体材料に比べ
ポーラス（粗）である。そのためガラス、もしくは樹脂
で完全に被覆されないと、厚膜誘電体層中に湿気が入り
込み、特に下部電極と上部電極間に電圧が印加された場
合、上下電極間で電気マイグレーションが起こり絶縁不
良等の特性、信頼性不良を起こしやすい。
通常の厚膜材料と同様の８５０℃前後の比較的低温で焼
成でき、また誘電率が高く高容量値を形成することがで
きる鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体は有用であるが、一
般のチップセラミックコンデンサ等の誘電体材料に比べ
ポーラス（粗）である。そのためガラス、もしくは樹脂
で完全に被覆されないと、厚膜誘電体層中に湿気が入り
込み、特に下部電極と上部電極間に電圧が印加された場
合、上下電極間で電気マイグレーションが起こり絶縁不
良等の特性、信頼性不良を起こしやすい。
【０００４】図４は従来の厚膜コンデンサ素子の断面図
を示すものである。図４において、１１はアルミナ等の
絶縁基板である。１２は下部電極で、絶縁基板１１上に
形成されている。１３は厚膜誘電体層で、下部電極１２
上および絶縁基板１１上に形成されている。１４は上部
電極で、厚膜誘電体層１３表面から絶縁基板１１表面に
かけて形成されている。１５は保護膜でガラス、または
樹脂からなり、厚膜誘電体層１３を完全に被覆してい
る。
を示すものである。図４において、１１はアルミナ等の
絶縁基板である。１２は下部電極で、絶縁基板１１上に
形成されている。１３は厚膜誘電体層で、下部電極１２
上および絶縁基板１１上に形成されている。１４は上部
電極で、厚膜誘電体層１３表面から絶縁基板１１表面に
かけて形成されている。１５は保護膜でガラス、または
樹脂からなり、厚膜誘電体層１３を完全に被覆してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４のように構成され
鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体を用いた厚膜コンデンサ
素子において保護膜がガラスの場合、チップ部品におけ
る分割やバレルめっき等の衝撃がかかる製造工程で、ガ
ラス保護膜にクラックが生じ大幅に耐湿性が劣化するこ
とがある。
鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体を用いた厚膜コンデンサ
素子において保護膜がガラスの場合、チップ部品におけ
る分割やバレルめっき等の衝撃がかかる製造工程で、ガ
ラス保護膜にクラックが生じ大幅に耐湿性が劣化するこ
とがある。
【０００６】また樹脂保護膜としては、エポキシ樹脂の
ようにハロゲンイオンを含有するアミン系硬化剤等を用
いるものが鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体の上下電極間
のマイグレーションを特に助長しやすいため、硬化剤を
用いない単純熱硬化型のフェノール樹脂やシリコン樹脂
を用いて保護膜を形成している。特にフェノール樹脂は
印刷性に優れた厚膜ペーストが作れ、薄いフラットな保
護膜を形成できるため厚膜コンデンサ素子の保護膜とし
て有用されている。これらフェノール樹脂やシリコン樹
脂は衝撃工程での耐クラック性に優れているが、柔らか
いため基板エッジ等により深いキズが生じ、外観不良や
耐湿性の劣化が起ることがある。また、これを防ぐため
に樹脂硬度を上げても絶縁基板や電極との密着性が悪く
なり、かえって耐湿性が劣化する。
ようにハロゲンイオンを含有するアミン系硬化剤等を用
いるものが鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体の上下電極間
のマイグレーションを特に助長しやすいため、硬化剤を
用いない単純熱硬化型のフェノール樹脂やシリコン樹脂
を用いて保護膜を形成している。特にフェノール樹脂は
印刷性に優れた厚膜ペーストが作れ、薄いフラットな保
護膜を形成できるため厚膜コンデンサ素子の保護膜とし
て有用されている。これらフェノール樹脂やシリコン樹
脂は衝撃工程での耐クラック性に優れているが、柔らか
いため基板エッジ等により深いキズが生じ、外観不良や
耐湿性の劣化が起ることがある。また、これを防ぐため
に樹脂硬度を上げても絶縁基板や電極との密着性が悪く
なり、かえって耐湿性が劣化する。
【０００７】本発明は上記の問題点を解決するもので、
鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体をまずフェノール樹脂膜
Ａで被覆し、さらにフェノール樹脂膜Ａ上にフェノール
樹脂膜Ａの無機フィラーの種類を変えて硬度を上げたフ
ェノール樹脂膜Ｂを形成することにより、高容量値可能
で、耐湿性に優れ、かつ機械強度、耐クラック性に優れ
る厚膜コンデンサ素子を提供することを目的とする。
鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体をまずフェノール樹脂膜
Ａで被覆し、さらにフェノール樹脂膜Ａ上にフェノール
樹脂膜Ａの無機フィラーの種類を変えて硬度を上げたフ
ェノール樹脂膜Ｂを形成することにより、高容量値可能
で、耐湿性に優れ、かつ機械強度、耐クラック性に優れ
る厚膜コンデンサ素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の厚膜コンデンサ素子は、絶縁基板と、この
絶縁基板上に形成された下部電極と、この下部電極から
前記絶縁基板上にかけて形成された鉛ペロブスカイト系
厚膜誘電体と、この鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体上か
ら前記絶縁基板上にかけて前記下部電極とともにコンデ
ンサ素子を構成するように形成された上部電極と、この
上部電極上に前記鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体が完全
に被覆されるように形成されたフェノール樹脂膜Ａと、
前記フェノール樹脂膜Ａ上に形成され、前記フェノール
樹脂膜Ａ中の無機フィラーとは種類の異なる無機フィラ
ーを含有させることにより硬度を上げたフェノール樹脂
膜Ｂとを備えたものである。
に、本発明の厚膜コンデンサ素子は、絶縁基板と、この
絶縁基板上に形成された下部電極と、この下部電極から
前記絶縁基板上にかけて形成された鉛ペロブスカイト系
厚膜誘電体と、この鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体上か
ら前記絶縁基板上にかけて前記下部電極とともにコンデ
ンサ素子を構成するように形成された上部電極と、この
上部電極上に前記鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体が完全
に被覆されるように形成されたフェノール樹脂膜Ａと、
前記フェノール樹脂膜Ａ上に形成され、前記フェノール
樹脂膜Ａ中の無機フィラーとは種類の異なる無機フィラ
ーを含有させることにより硬度を上げたフェノール樹脂
膜Ｂとを備えたものである。
【０００９】
【作用】この構成によって、高誘電率の鉛ペロブスカイ
ト系厚膜誘電体により高容量値が可能であり、フェノー
ル樹脂膜Ａにより耐湿性を確保し、フェノール樹脂膜Ａ
の無機フィラーの種類を変えて硬度を上げたフェノール
樹脂膜Ｂにより、チップ部品の分割やバレルめっき等の
衝撃がかかる製造工程に耐える機械強度を確保すること
ができるので、耐湿性、機械強度、耐クラック性に優れ
かつ高容量値可能な厚膜コンデンサ素子を提供できる。
ト系厚膜誘電体により高容量値が可能であり、フェノー
ル樹脂膜Ａにより耐湿性を確保し、フェノール樹脂膜Ａ
の無機フィラーの種類を変えて硬度を上げたフェノール
樹脂膜Ｂにより、チップ部品の分割やバレルめっき等の
衝撃がかかる製造工程に耐える機械強度を確保すること
ができるので、耐湿性、機械強度、耐クラック性に優れ
かつ高容量値可能な厚膜コンデンサ素子を提供できる。
【００１０】
（実施例１）以下、本発明の一実施例の厚膜コンデンサ
素子について、図面を参照しながら説明する。図１は、
本発明の第１の実施例における厚膜コンデンサ素子の断
面図を示すものである。図１において、１はアルミナ等
の絶縁基板である。２は下部電極で絶縁基板１の一方の
端縁から上面にかけて形成されている。３は鉛ペロブス
カイト系厚膜誘電体で下部電極２上に形成されている。
４は上部電極で鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体３表面か
ら絶縁基板１の下部電極２と対向する端縁にかけて形成
される。５は厚膜コンデンサの保護膜として汎用的なフ
ェノール樹脂膜Ａで鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体３を
完全に被覆するように形成される。６はフェノール樹脂
膜Ａ５の無機フィラーの種類を変えて硬度を上げたフェ
ノール樹脂膜Ｂでフェノール樹脂膜Ａ５の上に形成され
る。
素子について、図面を参照しながら説明する。図１は、
本発明の第１の実施例における厚膜コンデンサ素子の断
面図を示すものである。図１において、１はアルミナ等
の絶縁基板である。２は下部電極で絶縁基板１の一方の
端縁から上面にかけて形成されている。３は鉛ペロブス
カイト系厚膜誘電体で下部電極２上に形成されている。
４は上部電極で鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体３表面か
ら絶縁基板１の下部電極２と対向する端縁にかけて形成
される。５は厚膜コンデンサの保護膜として汎用的なフ
ェノール樹脂膜Ａで鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体３を
完全に被覆するように形成される。６はフェノール樹脂
膜Ａ５の無機フィラーの種類を変えて硬度を上げたフェ
ノール樹脂膜Ｂでフェノール樹脂膜Ａ５の上に形成され
る。
【００１１】以上のように構成された厚膜コンデンサ素
子は、高誘電率の鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体を用い
るため高容量値が可能であり、フェノール樹脂膜Ａ５に
より耐湿性を確保し、フェノール樹脂膜Ａ５より高硬度
のフェノール樹脂膜Ｂ６により、チップ部品の分割、バ
レルめっき等の衝撃がかかる製造工程に耐える機械強度
を確保することができ、またフェノール樹脂膜Ａ５、フ
ェノール樹脂膜Ｂ６ともに無機フィラーの種類が違うだ
けの同種のフェノール樹脂であるため、フェノール樹脂
膜Ａ５とフェノール樹脂膜Ｂ６同士の密着性も高い。
子は、高誘電率の鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体を用い
るため高容量値が可能であり、フェノール樹脂膜Ａ５に
より耐湿性を確保し、フェノール樹脂膜Ａ５より高硬度
のフェノール樹脂膜Ｂ６により、チップ部品の分割、バ
レルめっき等の衝撃がかかる製造工程に耐える機械強度
を確保することができ、またフェノール樹脂膜Ａ５、フ
ェノール樹脂膜Ｂ６ともに無機フィラーの種類が違うだ
けの同種のフェノール樹脂であるため、フェノール樹脂
膜Ａ５とフェノール樹脂膜Ｂ６同士の密着性も高い。
【００１２】なお、フェノール樹脂膜を３層以上形成し
て保護膜とする場合は、最下層をフェノール樹脂膜Ａ、
最上層をフェノール樹脂膜Ｂで形成すれば、中間層はど
ちらで形成しても良い。
て保護膜とする場合は、最下層をフェノール樹脂膜Ａ、
最上層をフェノール樹脂膜Ｂで形成すれば、中間層はど
ちらで形成しても良い。
【００１３】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら説明する。図２（ａ），
（ｂ），（ｃ）は、それぞれ本発明の第２の実施例にお
ける厚膜コンデンサ素子の平面図、短辺方向断面図、長
辺方向断面図を示すものである。図２において、各部は
図１の構成と同様なものである。図１と異なるのは、下
部電極２を絶縁基板１の長辺側の端縁からそれと対向す
る端縁にかけて複数個と、絶縁基板１の短辺側の両端縁
に１つずつ設け、上部電極４を絶縁基板１の短辺側の端
縁の一方の下部電極２から対向端縁の下部電極２にかけ
て形成した点である。
について図面を参照しながら説明する。図２（ａ），
（ｂ），（ｃ）は、それぞれ本発明の第２の実施例にお
ける厚膜コンデンサ素子の平面図、短辺方向断面図、長
辺方向断面図を示すものである。図２において、各部は
図１の構成と同様なものである。図１と異なるのは、下
部電極２を絶縁基板１の長辺側の端縁からそれと対向す
る端縁にかけて複数個と、絶縁基板１の短辺側の両端縁
に１つずつ設け、上部電極４を絶縁基板１の短辺側の端
縁の一方の下部電極２から対向端縁の下部電極２にかけ
て形成した点である。
【００１４】以上のような構成により、耐湿性に優れ、
かつ機械強度、耐クラック性に優れる厚膜３端子コンデ
ンサ素子の集合体を簡単に製造することができる。
かつ機械強度、耐クラック性に優れる厚膜３端子コンデ
ンサ素子の集合体を簡単に製造することができる。
【００１５】なお、下部電極２、上部電極４は基板端縁
に凹部または凸部を設けて、スルーホール印刷やローラ
ー印刷によって形成すれば、一括印刷により下部電極２
や上部電極４を形成することができ、より簡易な製造方
法で厚膜３端子コンデンサ素子の集合体を作ることがで
きる。
に凹部または凸部を設けて、スルーホール印刷やローラ
ー印刷によって形成すれば、一括印刷により下部電極２
や上部電極４を形成することができ、より簡易な製造方
法で厚膜３端子コンデンサ素子の集合体を作ることがで
きる。
【００１６】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。
について説明する。
【００１７】本実施例では、図１および図２に示した実
施例１および２の厚膜コンデンサ素子において、フェノ
ール樹脂膜Ａの無機フィラーとしてタルクを、フェノー
ル樹脂膜Ｂの無機フィラーとして二酸化珪素を用いた。
施例１および２の厚膜コンデンサ素子において、フェノ
ール樹脂膜Ａの無機フィラーとしてタルクを、フェノー
ル樹脂膜Ｂの無機フィラーとして二酸化珪素を用いた。
【００１８】フェノール樹脂膜Ａの無機フィラーとして
タルクを用いれば、タルクが柔らかく鱗片状であるため
鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体、絶縁基板、および厚膜
電極の表面の凹凸に入り込み密着性を高くでき、フェノ
ール樹脂膜Ｂの無機フィラーとして二酸化珪素を用いれ
ば、二酸化珪素が高硬度で粒状であるため膜の硬度およ
び強度を向上させることができ、耐湿性に優れ、かつ機
械強度、耐クラック性に優れる厚膜コンデンサ素子を容
易に得ることができる。
タルクを用いれば、タルクが柔らかく鱗片状であるため
鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体、絶縁基板、および厚膜
電極の表面の凹凸に入り込み密着性を高くでき、フェノ
ール樹脂膜Ｂの無機フィラーとして二酸化珪素を用いれ
ば、二酸化珪素が高硬度で粒状であるため膜の硬度およ
び強度を向上させることができ、耐湿性に優れ、かつ機
械強度、耐クラック性に優れる厚膜コンデンサ素子を容
易に得ることができる。
【００１９】（実施例４）本実施例においては、実施例
１，２に示した厚膜コンデンサ素子において、シランカ
ップリング剤を１．５ｗｔ％程度含有するフェノール樹
脂ペーストの印刷・硬化によりフェノール樹脂膜Ａを形
成することにより、シランカップリング剤が鉛ペロブス
カイト系厚膜誘電体との界面に沈降し、ポーラスな鉛ペ
ロブスカイト系厚膜誘電体表面に含浸して薄くコートさ
れる。
１，２に示した厚膜コンデンサ素子において、シランカ
ップリング剤を１．５ｗｔ％程度含有するフェノール樹
脂ペーストの印刷・硬化によりフェノール樹脂膜Ａを形
成することにより、シランカップリング剤が鉛ペロブス
カイト系厚膜誘電体との界面に沈降し、ポーラスな鉛ペ
ロブスカイト系厚膜誘電体表面に含浸して薄くコートさ
れる。
【００２０】このように、フェノール樹脂が厚膜誘電体
表面に薄くコートされると、シランカップリング剤自身
が防水性をもつため、より耐湿性に優れたものとなり、
万一保護膜にキズ等が入り鉛ペロブスカイト系厚膜誘電
体が露呈した場合にもある程度の耐湿性を持たせること
ができる。
表面に薄くコートされると、シランカップリング剤自身
が防水性をもつため、より耐湿性に優れたものとなり、
万一保護膜にキズ等が入り鉛ペロブスカイト系厚膜誘電
体が露呈した場合にもある程度の耐湿性を持たせること
ができる。
【００２１】フェノール樹脂膜Ａを形成するフェノール
樹脂ペーストのシランカップリング剤の含有量は０．２
〜５．０ｗｔ％が好ましい。
樹脂ペーストのシランカップリング剤の含有量は０．２
〜５．０ｗｔ％が好ましい。
【００２２】
【表１】
【００２３】（表１）にシランカップリング剤の含有量
を変えて作製した厚膜コンデンサ素子サンプルの６０
℃、９５％ＲＨ（環境湿度）、５０Ｖ印加、１０００時
間での耐湿負荷試験結果を示しているが、０．２ｗｔ％
未満では添加効果が期待できず、また５．０ｗｔ％より
多いとフェノール樹脂自身の硬化を阻害するため耐湿性
が劣化する。
を変えて作製した厚膜コンデンサ素子サンプルの６０
℃、９５％ＲＨ（環境湿度）、５０Ｖ印加、１０００時
間での耐湿負荷試験結果を示しているが、０．２ｗｔ％
未満では添加効果が期待できず、また５．０ｗｔ％より
多いとフェノール樹脂自身の硬化を阻害するため耐湿性
が劣化する。
【００２４】（実施例５）本実施例においては、実施例
１，２に示した厚膜コンデンサ素子において、フェノー
ル樹脂膜Ａを印刷し、１５０℃では２〜３分、１００℃
では１５分程度乾燥し、この上にフェノール樹脂膜Ｂを
印刷し、１５０℃では２〜３分、１００℃では１５分程
度乾燥した後、フェノール樹脂膜Ａとフェノール樹脂膜
Ｂを一緒に１５０℃で４０〜１２０分または２５０℃で
５〜１５分硬化させることにより、耐湿性に優れ、かつ
機械強度、耐クラック性に優れる厚膜コンデンサ素子を
確実に得ることができる。
１，２に示した厚膜コンデンサ素子において、フェノー
ル樹脂膜Ａを印刷し、１５０℃では２〜３分、１００℃
では１５分程度乾燥し、この上にフェノール樹脂膜Ｂを
印刷し、１５０℃では２〜３分、１００℃では１５分程
度乾燥した後、フェノール樹脂膜Ａとフェノール樹脂膜
Ｂを一緒に１５０℃で４０〜１２０分または２５０℃で
５〜１５分硬化させることにより、耐湿性に優れ、かつ
機械強度、耐クラック性に優れる厚膜コンデンサ素子を
確実に得ることができる。
【００２５】
【表２】
【００２６】（表２）にフェノール樹脂膜の乾燥・硬化
条件を変えて作製した厚膜コンデンサ素子サンプルの６
０℃、９５％ＲＨ、５０Ｖ印加、１０００時間での耐湿
負荷試験結果を示しているが、フェノール樹脂は１５０
℃以上では硬化が急速に進行し、未硬化乾燥時間が極端
に短くなるため、フェノール樹脂膜Ａの乾燥を１５０℃
より高い温度で行うと未硬化制御が難しく、硬化が進行
して、フェノール樹脂膜Ｂとの密着性が損なわれフェノ
ール樹脂膜Ｂが剥離し耐湿性劣化の危険性が高くなる。
また、硬化温度が２５０℃以上では極端に短い時間で過
硬化となるため、過硬化による保護膜の脆性化による耐
湿性劣化の危険性が高くなる。
条件を変えて作製した厚膜コンデンサ素子サンプルの６
０℃、９５％ＲＨ、５０Ｖ印加、１０００時間での耐湿
負荷試験結果を示しているが、フェノール樹脂は１５０
℃以上では硬化が急速に進行し、未硬化乾燥時間が極端
に短くなるため、フェノール樹脂膜Ａの乾燥を１５０℃
より高い温度で行うと未硬化制御が難しく、硬化が進行
して、フェノール樹脂膜Ｂとの密着性が損なわれフェノ
ール樹脂膜Ｂが剥離し耐湿性劣化の危険性が高くなる。
また、硬化温度が２５０℃以上では極端に短い時間で過
硬化となるため、過硬化による保護膜の脆性化による耐
湿性劣化の危険性が高くなる。
【００２７】なお、フェノール樹脂膜が３層以上でも、
同様に乾燥状態で全層を形成し、一括で硬化させること
ができる。
同様に乾燥状態で全層を形成し、一括で硬化させること
ができる。
【００２８】（実施例６）本実施例においては、実施例
１，２に示した厚膜コンデンサ素子において、セラミッ
ク基板上にＡｇ系厚膜電極ペーストを用いて下部電極を
印刷・乾燥し、８５０℃前後で焼成した後、鉛ペロブス
カイト系厚膜誘電体を２層に分け、まず１層目を印刷・
乾燥し、８５０℃前後で焼成し、次に１層目の上に２層
目を印刷・乾燥し、さらに未焼成のまま、２層目の上に
Ａｇ系厚膜電極ペーストを用いて上部電極を印刷・乾燥
し、この鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体２層目と上部電
極とを一緒に８５０℃前後で焼成した。
１，２に示した厚膜コンデンサ素子において、セラミッ
ク基板上にＡｇ系厚膜電極ペーストを用いて下部電極を
印刷・乾燥し、８５０℃前後で焼成した後、鉛ペロブス
カイト系厚膜誘電体を２層に分け、まず１層目を印刷・
乾燥し、８５０℃前後で焼成し、次に１層目の上に２層
目を印刷・乾燥し、さらに未焼成のまま、２層目の上に
Ａｇ系厚膜電極ペーストを用いて上部電極を印刷・乾燥
し、この鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体２層目と上部電
極とを一緒に８５０℃前後で焼成した。
【００２９】
【表３】
【００３０】（表３）に、本実施例のようにして作製し
た厚膜コンデンサ素子サンプルと、鉛ペロブスカイト系
厚膜誘電体２層目と上部電極を個別にしたものと、鉛ペ
ロブスカイト系厚膜誘電体１層目と２層目を同時に焼成
したものとを、６０℃、９５％ＲＨ、５０Ｖ印加、１０
００時間での耐湿負荷試験結果を示した。（表３）から
分かるように、本実施例のようにして作製したものがよ
り耐湿性に優れている。
た厚膜コンデンサ素子サンプルと、鉛ペロブスカイト系
厚膜誘電体２層目と上部電極を個別にしたものと、鉛ペ
ロブスカイト系厚膜誘電体１層目と２層目を同時に焼成
したものとを、６０℃、９５％ＲＨ、５０Ｖ印加、１０
００時間での耐湿負荷試験結果を示した。（表３）から
分かるように、本実施例のようにして作製したものがよ
り耐湿性に優れている。
【００３１】これは、鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体を
２層に分けて形成することにより、１層目の焼成で発生
するピンホール等の欠陥を２層目の印刷で埋めることが
でき、鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体のピンホール等の
欠陥率を低くできるためである。さらに、図３に示すよ
うに、鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体２層目と上部電極
とを個別に焼成せずに同時に焼成することにより、鉛ペ
ロブスカイト系厚膜誘電体と上部電極の膨張係数の違い
で上部電極回りに亀裂溝が生じ、保護膜印刷時にこの亀
裂溝に保護膜が埋め込まれ、電圧印加がなされる鉛ペロ
ブスカイト系厚膜誘電体が３次元的にコートされる状態
となり耐湿負荷特性を向上させることになるためであ
る。尚、上記効果は実施例１，２に示したようなフェノ
ール樹脂保護膜を用いた場合だけでなく、他の保護膜、
例えばガラス保護膜を用いることもできる。
２層に分けて形成することにより、１層目の焼成で発生
するピンホール等の欠陥を２層目の印刷で埋めることが
でき、鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体のピンホール等の
欠陥率を低くできるためである。さらに、図３に示すよ
うに、鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体２層目と上部電極
とを個別に焼成せずに同時に焼成することにより、鉛ペ
ロブスカイト系厚膜誘電体と上部電極の膨張係数の違い
で上部電極回りに亀裂溝が生じ、保護膜印刷時にこの亀
裂溝に保護膜が埋め込まれ、電圧印加がなされる鉛ペロ
ブスカイト系厚膜誘電体が３次元的にコートされる状態
となり耐湿負荷特性を向上させることになるためであ
る。尚、上記効果は実施例１，２に示したようなフェノ
ール樹脂保護膜を用いた場合だけでなく、他の保護膜、
例えばガラス保護膜を用いることもできる。
【００３２】なお、鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体を３
層以上に分けて形成する場合も、同様に最上層以外は個
別に焼成し、最上層のみを上部電極と一括焼成させるこ
とができる。
層以上に分けて形成する場合も、同様に最上層以外は個
別に焼成し、最上層のみを上部電極と一括焼成させるこ
とができる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明の厚膜コンデンサ素
子およびその製造方法によれば、耐湿性、機械強度、耐
クラック性に優れ、かつ高容量値可能な厚膜コンデンサ
素子を提供できるものである。
子およびその製造方法によれば、耐湿性、機械強度、耐
クラック性に優れ、かつ高容量値可能な厚膜コンデンサ
素子を提供できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例における厚膜コンデンサ
素子の断面図
素子の断面図
【図２】（ａ）本発明の第２の実施例における厚膜コン
デンサ素子の斜視図 （ｂ）同実施例における厚膜コンデンサ素子の短辺方向
断面図 （ｃ）同実施例における厚膜コンデンサ素子の長辺方向
断面図
デンサ素子の斜視図 （ｂ）同実施例における厚膜コンデンサ素子の短辺方向
断面図 （ｃ）同実施例における厚膜コンデンサ素子の長辺方向
断面図
【図３】本発明の第６の実施例における厚膜コンデンサ
素子の断面図
素子の断面図
【図４】従来の厚膜コンデンサ素子の断面図
【符号の説明】 １ 絶縁基板 ２ 下部電極 ３ 鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体 ４ 上部電極 ５ フェノール樹脂膜Ａ ６ フェノール樹脂膜Ｂ ７ 鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体亀裂
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/33
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され
た下部電極と、この下部電極上に形成された鉛ペロブス
カイト系厚膜誘電体と、この鉛ペロブスカイト系厚膜誘
電体上から前記絶縁基板上にかけて前記下部電極ととも
にコンデンサ素子を構成するように形成された上部電極
と、この上部電極上に前記鉛ペロブスカイト系厚膜誘電
体が完全に被覆されるように形成されたフェノール樹脂
膜Ａと、前記フェノール樹脂膜Ａ上に形成され、前記フ
ェノール樹脂膜Ａ中の無機フィラーとは種類の異なる無
機フィラーを含有させることにより硬度を上げたフェノ
ール樹脂膜Ｂとを備えた厚膜コンデンサ素子。 - 【請求項２】 フェノール樹脂膜Ａの無機フィラーがタ
ルク、フェノール樹脂膜Ｂの無機フィラーが二酸化珪素
である請求項１記載の厚膜コンデンサ素子。 - 【請求項３】 フェノール樹脂膜Ａがシランカップリン
グ剤を含有するフェノール樹脂ペーストである請求項１
記載の厚膜コンデンサ素子。 - 【請求項４】 絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され
た下部電極と、この下部電極上に形成された鉛ペロブス
カイト系厚膜誘電体と、この鉛ペロブスカイト系厚膜誘
電体上から前記絶縁基板上にかけて前記下部電極とコン
デンサ素子を構成するように形成された上部電極と、前
記鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体が完全に被覆されるよ
うに形成されたフェノール樹脂膜Ａと、前記フェノール
樹脂膜Ａ上に形成され、前記フェノール樹脂膜Ａ中の無
機フィラーとは種類の異なる無機フィラーを含有させる
ことにより硬度を上げたフェノール樹脂膜Ｂとを備えた
厚膜コンデンサ素子の製造方法において、前記フェノー
ル樹脂膜Ａを印刷した後、１５０℃以下で乾燥し、その
上に前記フェノール樹脂膜Ｂを印刷して１５０℃以下で
乾燥した後、前記フェノール樹脂膜Ａと前記フェノール
樹脂膜Ｂを一緒に１５０℃〜２５０℃で硬化させること
を特徴とする厚膜コンデンサ素子の製造方法。 - 【請求項５】 絶縁基板上に厚膜電極ペーストを用いて
下部電極を印刷・乾燥し、８５０℃前後で焼成した後、
第１鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体層を印刷・乾燥し、
８５０℃前後で焼成し、次に前記第１鉛ペロブスカイト
系厚膜誘電体層上に第２鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体
層を印刷・乾燥し、さらに前記第２鉛ペロブスカイト系
厚膜誘電体層上に厚膜電極ペーストを用いて上部電極を
印刷・乾燥し、前記第２鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体
層と前記上部電極とを一緒に８５０℃前後で焼成した
後、前記第１および第２鉛ペロブスカイト系厚膜誘電体
層を保護膜で被覆する厚膜コンデンサ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06283432A JP3123367B2 (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | 厚膜コンデンサ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06283432A JP3123367B2 (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | 厚膜コンデンサ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148373A true JPH08148373A (ja) | 1996-06-07 |
| JP3123367B2 JP3123367B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=17665465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06283432A Expired - Fee Related JP3123367B2 (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | 厚膜コンデンサ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123367B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1311484C (zh) * | 2002-11-20 | 2007-04-18 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 漏电流少且绝缘耐压高的薄膜电容器的形成方法 |
| JP2018061008A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品 |
| US10566129B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-02-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic component |
-
1994
- 1994-11-17 JP JP06283432A patent/JP3123367B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1311484C (zh) * | 2002-11-20 | 2007-04-18 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 漏电流少且绝缘耐压高的薄膜电容器的形成方法 |
| JP2018061008A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品 |
| US10566129B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-02-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic component |
| US11791086B2 (en) | 2016-09-30 | 2023-10-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3123367B2 (ja) | 2001-01-09 |
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