JP2780408B2 - 角板型チップ抵抗器 - Google Patents
角板型チップ抵抗器Info
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- JP2780408B2 JP2780408B2 JP2008628A JP862890A JP2780408B2 JP 2780408 B2 JP2780408 B2 JP 2780408B2 JP 2008628 A JP2008628 A JP 2008628A JP 862890 A JP862890 A JP 862890A JP 2780408 B2 JP2780408 B2 JP 2780408B2
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- glass
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- glass layer
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、主に自動実装機により高密度配線回路（ハ
イブリッドIC等）に装備される角板型チップ抵抗器に関
するものである。
イブリッドIC等）に装備される角板型チップ抵抗器に関
するものである。
従来の技術 近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求がますます
増大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、抵
抗素子には非常に小型な角板型チップ抵抗器が多く用い
られるようになってきた。
増大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、抵
抗素子には非常に小型な角板型チップ抵抗器が多く用い
られるようになってきた。
また、この角板型チップ抵抗器は高速度でプリント基
板に実装するために、自動実装機により実装されること
がほとんどである。このため、角板型チップ抵抗器の実
装品質を高める要望が強くなってきている。
板に実装するために、自動実装機により実装されること
がほとんどである。このため、角板型チップ抵抗器の実
装品質を高める要望が強くなってきている。
従来の角板型チップ抵抗器の構造を第２図に示す。
従来の高電力型の角板型チップ抵抗器は、96アルミナ
基板11と、銀系厚膜電極による上面電極層12と端面電極
層13、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層14と、抵抗層
14を覆うホウ珪酸鉛系ガラスによる第１ガラス層15と捺
印ガラス層16と第２ガラス層17から構成されている。な
お、露出電極面には半円付け性を向上させるために、Ni
メッキ層18とSn−Pbメッキ層19を電解メッキにより施し
ている。
基板11と、銀系厚膜電極による上面電極層12と端面電極
層13、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層14と、抵抗層
14を覆うホウ珪酸鉛系ガラスによる第１ガラス層15と捺
印ガラス層16と第２ガラス層17から構成されている。な
お、露出電極面には半円付け性を向上させるために、Ni
メッキ層18とSn−Pbメッキ層19を電解メッキにより施し
ている。
発明が解決しようとする課題 しかし、従来の角板型チップ抵抗器の抵抗体の、保護
層は信頼性を確保するため、３層のガラス構造をとって
おり、第１ガラス層・捺印ガラス層・第２ガラス層から
構成されている。このガラスはガラス軟化点が590℃〜6
10℃で線膨張係数が64×10-7〜66×10-7/℃であり、こ
れを580℃〜600℃の温度で焼成することにより形成して
いる。この場合、ガラス表面には、捺印ガラス層の盛り
上がり部分が残り、約20〜30μの凹凸が発生してしま
う。
層は信頼性を確保するため、３層のガラス構造をとって
おり、第１ガラス層・捺印ガラス層・第２ガラス層から
構成されている。このガラスはガラス軟化点が590℃〜6
10℃で線膨張係数が64×10-7〜66×10-7/℃であり、こ
れを580℃〜600℃の温度で焼成することにより形成して
いる。この場合、ガラス表面には、捺印ガラス層の盛り
上がり部分が残り、約20〜30μの凹凸が発生してしま
う。
これは、ガラス軟化点付近で保護ガラスを焼成するた
め、ガラスが十分に溶融せず、捺印ガラス層の盛り上が
りが残るためと考えられる。
め、ガラスが十分に溶融せず、捺印ガラス層の盛り上が
りが残るためと考えられる。
この表面に凹凸がある角板型チップ抵抗器を自動実装
機でプリント基板等に実装しようとする場合、自動実装
機の吸着ピンで角板型チップ抵抗器を吸い上げたとき
に、ガラス表面の凹凸のために吸着ピンと角板型チップ
抵抗器が点接触しているような形となり、角板型チップ
抵抗器が回転してしまうことが多く、第３図に示すよう
に斜めに実装され、正確にプリント基板に実装できない
といった課題があった。なお、20はプリント基板、21は
導体部、22は角板型チップ抵抗器である。
機でプリント基板等に実装しようとする場合、自動実装
機の吸着ピンで角板型チップ抵抗器を吸い上げたとき
に、ガラス表面の凹凸のために吸着ピンと角板型チップ
抵抗器が点接触しているような形となり、角板型チップ
抵抗器が回転してしまうことが多く、第３図に示すよう
に斜めに実装され、正確にプリント基板に実装できない
といった課題があった。なお、20はプリント基板、21は
導体部、22は角板型チップ抵抗器である。
この課題を解決するための対策として従来、ガラス
の焼成温度を640℃以上の高温で焼成し、保護ガラスを
十分に溶融させ、表面の凹凸を小さくする、保護ガラ
スの軟化点を550℃程度に下げることにより、従来の焼
成温度により十分にガラスを溶融させ、表面の凹凸を小
さくする、等の検討が考えられた。しかし、のように
焼成温度を上げると、抵抗値のばらつきが大きくなり、
のようにガラスの軟化点を下げると線膨張係数が大き
くなるとともに、ガラスの耐酸性も劣化する。このた
め、ガラスとアルミナ基板との熱膨張係数の差によるガ
ラス内部の応力が残りやすく、更に耐酸性が劣化してい
るので、露出電極面に電気めっきを施すときにガラス表
面が酸に侵食され、内部応力が発散しようとして、ガラ
ス表面にクラックが発生するといった課題があった。
の焼成温度を640℃以上の高温で焼成し、保護ガラスを
十分に溶融させ、表面の凹凸を小さくする、保護ガラ
スの軟化点を550℃程度に下げることにより、従来の焼
成温度により十分にガラスを溶融させ、表面の凹凸を小
さくする、等の検討が考えられた。しかし、のように
焼成温度を上げると、抵抗値のばらつきが大きくなり、
のようにガラスの軟化点を下げると線膨張係数が大き
くなるとともに、ガラスの耐酸性も劣化する。このた
め、ガラスとアルミナ基板との熱膨張係数の差によるガ
ラス内部の応力が残りやすく、更に耐酸性が劣化してい
るので、露出電極面に電気めっきを施すときにガラス表
面が酸に侵食され、内部応力が発散しようとして、ガラ
ス表面にクラックが発生するといった課題があった。
本発明は、このような課題を一挙に解決するもので、
抵抗値ばらつきを大きくすることなく、ガラスの耐酸性
も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を小さくし高実
装精度を実現した角板型チップ抵抗器を提供するもので
ある。
抵抗値ばらつきを大きくすることなく、ガラスの耐酸性
も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を小さくし高実
装精度を実現した角板型チップ抵抗器を提供するもので
ある。
課題を解決するための手段 本発明の角板型チップ抵抗器は、絶縁性のセラミック
基板と、前記セラミック基板上に形成される銀系厚膜の
上面電極層と、前記上面電極層の一部に重なるルテニウ
ム系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層を完全に覆う軟化点が
550℃〜570℃でかつ線膨張係数が69×10-7〜75×10-7/
℃の第１ガラス層と、前記第１ガラス層上に形成される
軟化点が550℃〜570℃でかつ線膨張係数が68×10-7〜74
×10-7/℃の捺印ガラス層と、前記第１ガラス層上で前
記捺印ガラス層を完全に覆うように形成される軟化点が
580℃〜630℃でかつ線膨張係数が62×10-7〜68×10-7/
℃の第２ガラス層と、前記上面電極層の一部に重なる銀
系厚膜の端面電極層とより構成されている。
基板と、前記セラミック基板上に形成される銀系厚膜の
上面電極層と、前記上面電極層の一部に重なるルテニウ
ム系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層を完全に覆う軟化点が
550℃〜570℃でかつ線膨張係数が69×10-7〜75×10-7/
℃の第１ガラス層と、前記第１ガラス層上に形成される
軟化点が550℃〜570℃でかつ線膨張係数が68×10-7〜74
×10-7/℃の捺印ガラス層と、前記第１ガラス層上で前
記捺印ガラス層を完全に覆うように形成される軟化点が
580℃〜630℃でかつ線膨張係数が62×10-7〜68×10-7/
℃の第２ガラス層と、前記上面電極層の一部に重なる銀
系厚膜の端面電極層とより構成されている。
作用 この構成にによると、第１ガラス層のガラス軟化点が
焼成温度（590℃）に比べ低いので、捺印ガラスが第１
ガラス層に沈み込み、表面の凹凸を小さくできると共
に、第２ガラス層の耐酸性は劣化していないので、電気
メッキの時ガラスが侵食されず、ガラス表面にクラック
は発生しない。
焼成温度（590℃）に比べ低いので、捺印ガラスが第１
ガラス層に沈み込み、表面の凹凸を小さくできると共
に、第２ガラス層の耐酸性は劣化していないので、電気
メッキの時ガラスが侵食されず、ガラス表面にクラック
は発生しない。
また、第２ガラス層の線膨張係数が最も小さいので、
内部応力は第２ガラス層を圧縮する方向に発生し、クラ
ックは更に発生しにくい。
内部応力は第２ガラス層を圧縮する方向に発生し、クラ
ックは更に発生しにくい。
これにより、抵抗値ばらつきを大きくすることなく、
ガラスの耐酸性も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸
を小さくし高精度実装を可能にした角板型チップ抵抗器
を提供することができる。
ガラスの耐酸性も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸
を小さくし高精度実装を可能にした角板型チップ抵抗器
を提供することができる。
実施例 以下、本発明の実施例について、第１図を用いて説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図において、本発明の角板型チップ抵抗器は、96
アルミナ基板１と、銀系厚膜電極による上面電極層２と
端面電極層３、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層４
と、抵抗層４を覆うホウ珪酸鉛系ガラスによる第１ガラ
ス層５と捺印ガラス層６と第２ガラス層７からなってい
る。なお、露出電極面には半田付け性を向上させるため
に、Niメッキ層８とSn−Pbメッキ層９を電解メッキによ
り施している。
アルミナ基板１と、銀系厚膜電極による上面電極層２と
端面電極層３、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層４
と、抵抗層４を覆うホウ珪酸鉛系ガラスによる第１ガラ
ス層５と捺印ガラス層６と第２ガラス層７からなってい
る。なお、露出電極面には半田付け性を向上させるため
に、Niメッキ層８とSn−Pbメッキ層９を電解メッキによ
り施している。
第２図を用いて、本発明の実施例の詳細について説明
する。まず、耐熱性及び絶縁性に優れた大版の96アルミ
ナ基板を受け入れる。このアルミナ基板には短冊状、お
よび個片状に分割するために、分割のための溝（グリー
ンシート時に金型成型）が形成されている。次に、前記
96アルミナ基板上に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷
し、ベルト式連続焼成炉によって850℃の温度で、ピー
ク時間６分、IN−OUT 45分のプロファイルによって焼
成し上面電極層２を形成する。次に、上面電極層２の一
部に重なるように、RuO2を主成分とする厚膜抵抗ペース
トをスクリーン印刷し、ベルト式連続焼成炉により850
℃の温度でピーク時間６分、IN−OUT時間45分のプロフ
ァイルによって焼成し、抵抗層４を形成する。次に、前
記上面電極層２間の前記抵抗層４の抵抗値を揃えるため
に、レーザー光によって、前記抵抗体層４の一部を破壊
し抵抗値修正を行う。更に、前記抵抗層４を完全に覆う
ように、ガラス軟化点が560±５℃で焼成後の線膨張係
数が72±２×10-7の第１ガラスペーストをスクリーン印
刷し、近赤外線乾燥炉によって150℃で10分乾燥する。
さらに、乾燥済みの第１ガラスペーストの上に、ガラス
軟化点が560±５℃で焼成後の線膨張係数が71±２×10
-7の捺印ガラスペーストをスクリーン印刷し、近赤外線
乾燥炉によって110℃で10分乾燥する。さらに、乾燥済
みの第１ガラスペーストの上で乾燥済み捺印ガラスペー
ストを完全に覆うように、ガラス軟化点が603±15℃で
焼成後の線膨張係数が65±２×10-7の第２ガラスペース
トをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉によって150℃
で10分乾燥する。その後、ベルト式連続焼成炉によって
590℃の温度で、ピーク時間６分、IN−OUT 50分の焼成
プロファイルによって焼成し、第１ガラス層５と捺印ガ
ラス層６と第２ガラス層７を形成する。次に、端面電極
を形成するための準備工程として、端面電極を露出させ
るために、アルミナ基板１を短冊状に分割し、短冊状ア
ルミナ基板をえる一部基板分割を行った。前記短冊状ア
ルミナ基板の側面に、前記上面電極層２の一部に重なる
ように厚膜銀ペーストをローラーによって塗布し、ベル
ト式連続焼成炉によって600℃の温度で、ピーク時間６
分、IN−OUT45分の焼成プロファイルによって焼成し端
面電極層３を形成するために端面導体ペースト印刷・焼
成を行う。次に、電極メッキ工程Ｊの準備工程として、
前記端面電極層３を形成済みの短冊状アルミナ基板を個
片状に分割する二次基板分割を行い、個片状アルミナ基
板を得る。そして最後に、露出している上面電極層２と
端面電極層３のはんだ付け時の電極喰われの防止および
はんだ付けの信頼性の確保のため、電解メッキによって
Niメッキ層8,Sn−Pbのメッキ層９を形成する電解メッキ
を行う。
する。まず、耐熱性及び絶縁性に優れた大版の96アルミ
ナ基板を受け入れる。このアルミナ基板には短冊状、お
よび個片状に分割するために、分割のための溝（グリー
ンシート時に金型成型）が形成されている。次に、前記
96アルミナ基板上に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷
し、ベルト式連続焼成炉によって850℃の温度で、ピー
ク時間６分、IN−OUT 45分のプロファイルによって焼
成し上面電極層２を形成する。次に、上面電極層２の一
部に重なるように、RuO2を主成分とする厚膜抵抗ペース
トをスクリーン印刷し、ベルト式連続焼成炉により850
℃の温度でピーク時間６分、IN−OUT時間45分のプロフ
ァイルによって焼成し、抵抗層４を形成する。次に、前
記上面電極層２間の前記抵抗層４の抵抗値を揃えるため
に、レーザー光によって、前記抵抗体層４の一部を破壊
し抵抗値修正を行う。更に、前記抵抗層４を完全に覆う
ように、ガラス軟化点が560±５℃で焼成後の線膨張係
数が72±２×10-7の第１ガラスペーストをスクリーン印
刷し、近赤外線乾燥炉によって150℃で10分乾燥する。
さらに、乾燥済みの第１ガラスペーストの上に、ガラス
軟化点が560±５℃で焼成後の線膨張係数が71±２×10
-7の捺印ガラスペーストをスクリーン印刷し、近赤外線
乾燥炉によって110℃で10分乾燥する。さらに、乾燥済
みの第１ガラスペーストの上で乾燥済み捺印ガラスペー
ストを完全に覆うように、ガラス軟化点が603±15℃で
焼成後の線膨張係数が65±２×10-7の第２ガラスペース
トをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉によって150℃
で10分乾燥する。その後、ベルト式連続焼成炉によって
590℃の温度で、ピーク時間６分、IN−OUT 50分の焼成
プロファイルによって焼成し、第１ガラス層５と捺印ガ
ラス層６と第２ガラス層７を形成する。次に、端面電極
を形成するための準備工程として、端面電極を露出させ
るために、アルミナ基板１を短冊状に分割し、短冊状ア
ルミナ基板をえる一部基板分割を行った。前記短冊状ア
ルミナ基板の側面に、前記上面電極層２の一部に重なる
ように厚膜銀ペーストをローラーによって塗布し、ベル
ト式連続焼成炉によって600℃の温度で、ピーク時間６
分、IN−OUT45分の焼成プロファイルによって焼成し端
面電極層３を形成するために端面導体ペースト印刷・焼
成を行う。次に、電極メッキ工程Ｊの準備工程として、
前記端面電極層３を形成済みの短冊状アルミナ基板を個
片状に分割する二次基板分割を行い、個片状アルミナ基
板を得る。そして最後に、露出している上面電極層２と
端面電極層３のはんだ付け時の電極喰われの防止および
はんだ付けの信頼性の確保のため、電解メッキによって
Niメッキ層8,Sn−Pbのメッキ層９を形成する電解メッキ
を行う。
以上の工程により、本発明の実施例による角板型薄膜
チップ抵抗器を試作した また、比較例１として第１ガラス層・捺印ガラス層・
第２ガラス層を、ガラス軟化点が600±20℃かつ焼成後
の線膨張係数が65±２×10-7のガラスペーストを用い、
640℃で焼成した角板型チップ抵抗器を試作し、比較例
２として第１ガラス層・捺印ガラス層・第２ガラス層
を、ガラス軟化点が550±20℃かつ焼成後の線膨張係数
が65±２×10-7のガラスを用い、590℃で焼成した角板
型チップ抵抗器を試作した。
チップ抵抗器を試作した また、比較例１として第１ガラス層・捺印ガラス層・
第２ガラス層を、ガラス軟化点が600±20℃かつ焼成後
の線膨張係数が65±２×10-7のガラスペーストを用い、
640℃で焼成した角板型チップ抵抗器を試作し、比較例
２として第１ガラス層・捺印ガラス層・第２ガラス層
を、ガラス軟化点が550±20℃かつ焼成後の線膨張係数
が65±２×10-7のガラスを用い、590℃で焼成した角板
型チップ抵抗器を試作した。
この本発明の実施例と比較例１、比較例２の性能比較
を第１表に示す。
を第１表に示す。
第１表に示さなかった特性（抵抗温度特性，電流雑音
特性等）は本発明の実施例，従来例，比較例1,比較例２
は同等の性能を有していることを確認した。
特性等）は本発明の実施例，従来例，比較例1,比較例２
は同等の性能を有していることを確認した。
また更に、本発明の角板型チップ抵抗器は第１ガラス
層・捺印ガラス層のガラス軟化点は焼成温度より約30℃
も低いので、十分に軟化し、角板型チップ抵抗器でしば
しば問題になるガラス表面のピンホールも改善されてい
る。
層・捺印ガラス層のガラス軟化点は焼成温度より約30℃
も低いので、十分に軟化し、角板型チップ抵抗器でしば
しば問題になるガラス表面のピンホールも改善されてい
る。
第１表より明らかなように、本発明の実施例の角板型
チップ抵抗器はガラス表面の凹凸が小さいため実装性能
が優れ（斜め実装無し）、耐酸性も良好で、抵抗値バラ
ツキも従来品と比べ同等で優れた性能を有していると言
える。
チップ抵抗器はガラス表面の凹凸が小さいため実装性能
が優れ（斜め実装無し）、耐酸性も良好で、抵抗値バラ
ツキも従来品と比べ同等で優れた性能を有していると言
える。
なお、第１ガラス層にガラス軟化点が560±５℃で焼
成後の線膨張係数が72±２×10-7のガラスペーストを、
捺印ガラス層としてガラス軟化点が560±５℃で焼成後
の線膨張係数が71±２×10-7のガラスペーストを、第２
ガラス層としてガラス軟化点が603±15℃で焼成後の線
膨張係数が65±２×10 のガラスペーストを用いたが、
これはガラス層を限定するものではなく、これは軟化点
が550℃〜570℃（555℃〜565℃が最適）でかつ線膨張係
数が69×10-7〜75×10-7/℃の第１ガラス層と、軟化点
が550℃〜570℃（555℃〜565℃が最適）でかつ線膨張係
数が68×10-7〜74×10-7/℃の捺印ガラス層と、軟化点
が580℃〜630℃（588℃〜618℃が最適）でかつ線膨張係
数が62×107〜68×10-7/℃の第２ガラス層であればよ
い。
成後の線膨張係数が72±２×10-7のガラスペーストを、
捺印ガラス層としてガラス軟化点が560±５℃で焼成後
の線膨張係数が71±２×10-7のガラスペーストを、第２
ガラス層としてガラス軟化点が603±15℃で焼成後の線
膨張係数が65±２×10 のガラスペーストを用いたが、
これはガラス層を限定するものではなく、これは軟化点
が550℃〜570℃（555℃〜565℃が最適）でかつ線膨張係
数が69×10-7〜75×10-7/℃の第１ガラス層と、軟化点
が550℃〜570℃（555℃〜565℃が最適）でかつ線膨張係
数が68×10-7〜74×10-7/℃の捺印ガラス層と、軟化点
が580℃〜630℃（588℃〜618℃が最適）でかつ線膨張係
数が62×107〜68×10-7/℃の第２ガラス層であればよ
い。
また実施例においては、抵抗値トリミング前に抵抗値
ドリフトを抑えるためのプリコートガラスを形成しなか
ったが、プリコートガラスを形成した後にトリミング
し、角板型チップ抵抗器を試作しても同等の性能が得ら
れることを確認している。
ドリフトを抑えるためのプリコートガラスを形成しなか
ったが、プリコートガラスを形成した後にトリミング
し、角板型チップ抵抗器を試作しても同等の性能が得ら
れることを確認している。
発明の効果 以上の説明より明らかなように、本発明の角板型チッ
プ抵抗器は抵抗値ばらつきを大きくすることなく、ガラ
スの耐酸性も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を小
さくし高精度実装を可能にした角板型チップ抵抗器を提
供することができるといった優れた効果が得られる。
プ抵抗器は抵抗値ばらつきを大きくすることなく、ガラ
スの耐酸性も劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を小
さくし高精度実装を可能にした角板型チップ抵抗器を提
供することができるといった優れた効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例による角板型チップ抵抗器の
構造を示す断面図、第２図は従来の角板型チップ抵抗器
の構造の一例を示す断面図、第３図は従来の角板型チッ
プ抵抗器が斜めに実装されたときの状態説明図である。 １……96アルミナ基板、２……上面電極層、３……端面
電極層、４……抵抗層、５……第１ガラス層、６……捺
印ガラス層、７……第２ガラス層、８……Niメッキ層、
９……Sn−Pbメッキ層。
構造を示す断面図、第２図は従来の角板型チップ抵抗器
の構造の一例を示す断面図、第３図は従来の角板型チッ
プ抵抗器が斜めに実装されたときの状態説明図である。 １……96アルミナ基板、２……上面電極層、３……端面
電極層、４……抵抗層、５……第１ガラス層、６……捺
印ガラス層、７……第２ガラス層、８……Niメッキ層、
９……Sn−Pbメッキ層。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性のセラミック基板と、前記セラミッ
ク基板上に形成される銀系厚膜の上面電極層と、前記上
面電極層の一部に重なるルテニウム系厚膜の抵抗層と、
前記抵抗層を完全に覆う軟化点が550℃〜570℃でかつ線
膨張係数が69×10-7〜75×10-7/℃の第１ガラス層と、
前記第１ガラス層上に形成される軟化点が550℃〜570℃
でかつ線膨張係数が68×10-7〜74×10-7/℃の捺印ガラ
ス層と、前記第１ガラス層上で前記捺印ガラス層を完全
に覆うように形成される軟化点が580℃〜630℃でかつ線
膨張係数が62×10-7〜68×10-7/℃の第２ガラス層と、
前記上面電極層の一部に重なる銀系厚膜の端面電極層と
より構成したことを特徴とする角板型チップ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008628A JP2780408B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 角板型チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008628A JP2780408B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 角板型チップ抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212901A JPH03212901A (ja) | 1991-09-18 |
| JP2780408B2 true JP2780408B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=11698218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008628A Expired - Fee Related JP2780408B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 角板型チップ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2780408B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101944429A (zh) * | 2009-07-06 | 2011-01-12 | Tdk株式会社 | 电子零件 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5379017A (en) * | 1993-10-25 | 1995-01-03 | Rohm Co., Ltd. | Square chip resistor |
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