CN107300810A - 一种阵列基板的制程及显示面板的制程 - Google Patents
一种阵列基板的制程及显示面板的制程 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107300810A CN107300810A CN201710612790.2A CN201710612790A CN107300810A CN 107300810 A CN107300810 A CN 107300810A CN 201710612790 A CN201710612790 A CN 201710612790A CN 107300810 A CN107300810 A CN 107300810A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- array base
- base palte
- polyimides
- processing procedure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 87
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 87
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000002362 mulch Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- -1 about 2mm~4mm Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
- G02F1/133723—Polyimide, polyamide-imide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
Abstract
本发明提供了一种阵列基板及显示面板的制程，该阵列基板制程包括：依次形成基板层、薄膜晶体管、第一钝化层、色阻层和保护层；在第一钝化层、色阻层和保护层上对应薄膜晶体管设置第一过孔；在保护层上形成像素电极，第一过孔表层覆盖像素电极形成第二过孔；在像素电极上形成配向膜，其中形成配向膜包括步骤：在像素电极上涂布一层聚酰亚胺液，聚酰亚胺液覆盖第二过孔；将阵列基板设置在密封空间内；将密封空间内气体抽出，使第二过孔内气压大于密封空间的气压，以使第二过孔内气体穿过聚酰亚胺液排出后，聚酰亚胺液流入第二过孔；烘烤固化所述聚酰亚胺液形成配向膜。配向膜在第二过孔周边同样均匀，降低配向膜亮度不均匀等不良发生率。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制程及显示面板的制程。
【背景技术】
现有的显示器主要包括有液晶(Liquid Crystal Display，LCD)显示器和OLED(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器。
TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)LCD工艺中，PI(Polyimide，聚酰亚胺)液喷刷在导电玻璃上经过烘烤后成为配向膜，可以给液晶分子提供一个预倾角，使液晶分子的旋转方向一致。配向膜膜厚的均一性直接影响了TFT LCD的显示效果。
随着COA(Color filter On Array，彩色光阻层制备于阵列基板上)等技术的发展，多过孔设计导致TFT玻璃地形复杂，PI液无法流入过孔，造成PI液在过孔周围堆积，影响配向膜膜厚的均一性，进而导致显示器亮度不均匀。
【发明内容】
本发明的一个目的在于提供一种阵列基板的制程，其可以使覆盖像素电极的聚酰亚胺液厚度更均匀，降低配向膜亮度不均匀等不良发生率。
本发明的另一个目的在于提供一种显示面板的制程，其可以使覆盖像素电极的聚酰亚胺液厚度更均匀，降低配向膜亮度不均匀等不良发生率。为解决上述问题，本发明的优选实施例提供了一种阵列基板的制程，包括：
提供一基板层；
在所述基板层上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成一层第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成一层色阻层；
在所述色阻层上形成一层保护层；
在所述第一钝化层、色阻层和保护层上对应薄膜晶体管设置第一过孔，使所述第一过孔穿过所述钝化层、色阻层和保护层与薄膜晶体管导通；
在所述保护层上形成像素电极，并使像素电极通过所述第一过孔与薄膜晶体管电连接,所述第一过孔表层覆盖像素电极形成第二过孔；以及
在所述像素电极上形成配向膜，其中形成所述配向膜包括步骤：
在所述像素电极上涂布一层聚酰亚胺液，所述聚酰亚胺液覆盖第二过孔；
将所述阵列基板设置在密封空间内；
将所述密封空间内气体抽出，使所述第二过孔内气压大于密封空间的气压，以使所述第二过孔内气体穿过所述聚酰亚胺液排出后，所述聚酰亚胺液流入第二过孔；
烘烤固化所述聚酰亚胺液形成配向膜。
在本发明优选实施例的阵列基板的制程中，还包括：根据所述第二过孔的深度、大小和数量设置抽出密封空间内气体后的工作气压、和保持所述工作气压的保持时间。
在本发明优选实施例的阵列基板的制程中，所述将所述密封空间内气体抽出包括：
将所述密封空间内气体抽出，使所述密封空间内气体抽出后气压为0.4Pa～0.8Pa；
将所述密封空间内气压保持在0.4Pa～0.8Pa持续20s～40s。
在本发明优选实施例的阵列基板的制程中，所述保护层为第二钝化层，则将所述密封空间内气压保持在0.4Pa～0.8Pa持续20s～30s。例如可以是，将密封空间内气压保持在0.5Pa持续20s。
在本发明优选实施例的阵列基板的制程中，所述保护层为平坦层，则将所述密封空间内气压保持在0.4Pa～0.8Pa持续30s～40s。例如可以是，将密封空间内气压保持在0.5Pa持续30s。
在本发明优选实施例的阵列基板的制程中，所述将所述显示面板设置在密封空间内包括：
将多个所述显示面板转移至预先设置好的密封空间内，并平行放置在所述密封空间内的支撑脚上。
在本发明优选实施例的阵列基板的制程中，还包括：利用聚酰亚胺涂布机将所述聚酰亚胺液均匀涂布在所述像素电极上形成聚酰亚胺湿膜。
在本发明优选实施例的阵列基板的制程中，还包括：所述聚酰亚胺涂布机将聚酰亚胺液分成聚酰亚胺液滴均匀涂布，其中，所述聚酰亚胺液滴为20纳克～80纳克，所述聚酰亚胺涂布机将聚酰亚胺液滴间隔40微米～200微米涂布。
在本发明优选实施例的阵列基板的制程中，所述聚酰亚胺湿膜厚度为3微米～6微米。
为解决上述问题，本发明的优选实施例还提供了一种显示面板的制程，包括：
在如上述任一所述的阵列基板上设置框胶，以形成容纳空间；
向所述容纳空间内滴注液晶；
提供彩膜基板，并使所述彩膜基板与所述阵列基板贴合以形成显示面板。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：在像素电极上涂布一层聚酰亚胺液，然后将阵列基板设置在密封空间内，接着将密封空间内气体抽出，使第二过孔内气压大于密封空间的气压，以使第二过孔内气体穿过聚酰亚胺液排出后，聚酰亚胺液流入过孔；聚酰亚胺液能够全面覆盖，没有死角。然后将聚酰亚胺液烘烤固化形成配向膜。因为第二过孔内的气体都已经排出，第二过孔内也填充满了聚酰亚胺液，烘烤固化过程中，第二过孔内没有气体溢出，不会导致第二过孔周边聚酰亚胺液堆积，配向膜在第二过孔周边同样均匀，降低配向膜亮度不均匀等不良发生率。同时，聚酰亚胺液通过自由扩散覆盖表面，将密封空间内气体抽出，使聚酰亚胺液扩散加速，各处厚度更均匀。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为传统的阵列基板配向膜的结构示意图；
图2为传统的阵列基板配向膜的另一结构示意图；
图3为本发明实施例阵列基板制程的流程示意图；
图4为本发明实施例阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例聚酰亚胺液喷涂示意图；
图6为本发明实施例聚酰亚胺湿膜的结构示意图；
图7为本发明实施例阵列基板抽气示意图；
图8为本发明实施例聚酰亚胺湿膜烘烤固化形成配向膜的结构示意图；
图9为本发明实施例显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
下面参考图1至图9描述本发明实施例一种阵列基板及显示面板的制程。
根据本发明实施例，如图1至图9所示，图1为传统的阵列基板配向膜的结构示意图；图2为传统的阵列基板配向膜的另一结构示意图，图2示出了图1中多个点的高度；图3为本发明实施例阵列基板制程的流程示意图；4为本发明实施例阵列基板的结构示意图；图5为本发明实施例聚酰亚胺液喷涂示意图；图6为本发明实施例聚酰亚胺湿膜的结构示意图，图6为图5喷涂后形成的示意图；图7为本发明实施例阵列基板抽气示意图；图8为本发明实施例聚酰亚胺湿膜烘烤固化形成配向膜的结构示意图；图9为本发明实施例显示面板的结构示意图。
如图3所示，本发明优选实施例公开了一种阵列基板的制程，结合图4，该阵列基板的制程包括以下步骤：
S101：提供一基板层200。其中，基板层200可以为低温多晶硅(LTPS，lowtemperature poly-silicon)。也可以为玻璃基板、树脂基板等。
S102：在所述基板层200上形成薄膜晶体管。其中，薄膜晶体管TFT具体可以包括，设置在基板层的第一金属层41，设置在第一金属层41上的绝缘层30，设置在绝缘层30上的第二金属层43、45，所述第二金属层43、45对应第一金属层41形成薄膜晶体管。
S103：在所述薄膜晶体管上形成一层第一钝化层62。起到保护和绝缘第二金属层43、45的作用。
S104：在所述第一钝化层62上形成一层色阻层70。色阻层70可以起到遮光的效果。该色阻层70可以是单层色阻层，也可以是多层色阻层，例如该色阻层70可以是单层红色色阻层，也可以是红色色阻层和蓝色色阻层堆叠。
S105：在所述色阻层70上形成一层保护层80。用于保护色阻层70。
S106：在所述第一钝化层62、色阻层70和保护层80上对应薄膜晶体管设置第一过孔，使所述第一过孔穿过所述第一钝化层62、色阻层70和保护层8与薄膜晶体管导通。
S107：在所述保护层80上形成像素电极63，并使像素电极63通过所述第一过孔与薄膜晶体管电连接,所述第一过孔表层覆盖像素电极63形成第二过孔82。像素电极ITO63通过第一过孔和薄膜晶体管的漏极45电性连接。像素电极ITO63覆盖第一过孔，但因为像素电极ITO63的厚度小，仅覆盖了第一过孔的表层形成第二过孔82，第二过孔82的深度为第一钝化层62、色阻层70、保护层80和覆盖第一过孔出口的像素电极63的厚度之和，减去覆盖第一过孔底部的像素电极63的厚度，约等于第一钝化层62、色阻层70、保护层80之和。因为色阻层70厚度约3um～4um，第一钝化层63和保护层80的厚度较小，则第二过孔82的深度大于色阻层70厚度，也约为3um～4um。
S108：在所述像素电极63上形成配向膜(图中未示出)。结合图5至图8，其中形成所述配向膜包括以下步骤：
S111：在所述像素电极上涂布一层聚酰亚胺液91，所述聚酰亚胺液91覆盖第二过孔82；
S112：将所述阵列基板设置在密封空间93内；
S113：将所述密封空间93内气体抽出，使所述第二过孔82内气压大于密封空间93的气压，以使所述第二过孔82内气体穿过所述聚酰亚胺液91排出后，所述聚酰亚胺液91流入第二过孔82；
S114，烘烤固化聚酰亚胺液91形成配向膜95。
如图1至图2所示，因为第二过孔82的深度大于色阻层70厚度，也约为3um～4um。而且多过孔设计导致TFT玻璃地形复杂，聚酰亚胺液无法流入第二过孔82，造成聚酰亚胺液在第二过孔82周围堆积，影响配向膜膜厚94的均一性较差。现有技术中，为了使聚酰亚胺液进入第二过孔82，成膜均匀，通常要求聚酰亚胺配向膜涂布机的聚酰亚胺液的液滴更小。但是小滴化一方面增加聚酰亚胺配向膜涂布机设备成本，另一方面增大喷头未吐出风险。
本实施例，在像素电极上涂布一层聚酰亚胺液91，聚酰亚胺液91覆盖第二过孔82，但因为第二过孔82孔深较大，聚酰亚胺液91无法填满第二过孔82，此时将阵列基板设置在密封空间93内；然后将密封空间93内气体抽出，使第二过孔82内气压大于密封空间93的气压，以使第二过孔82内气体穿过聚酰亚胺液91排出，然后让聚酰亚胺液91流入第二过孔82，使聚酰亚胺液91能够全面覆盖，没有死角。最后将聚酰亚胺液91烘烤固化形成配向膜95。因为第二过孔82内的气体都已经排出，第二过孔82内也填充满了聚酰亚胺液91，烘烤固化过程中，第二过孔82内没有气体溢出，不会导致第二过孔82周边聚酰亚胺液91堆积，配向膜95在第二过孔82周边同样均匀，降低配向膜95亮度不均匀等不良发生率。同时，聚酰亚胺液91通过自由扩散覆盖表面，将密封空间内气体抽出，使聚酰亚胺液91扩散加速，各处厚度更均匀。
TFT表面平坦度较差，表面有过孔、R/G/B色阻交界区牛角、ITO slit设计行成的沟槽等，靠PI液滴扩散成膜效果较差。密封空间抽气可以加速其扩散，PI液湿膜更均匀。
在一些实施例中，可以根据所述第二过孔82的深度、大小和数量设置抽出密封空间内气体后的工作气压、和保持所述工作气压的保持时间。
具体的，将所述密封空间内气体抽出，使所述密封空间内气体抽出后气压为0.4Pa～0.8Pa；然后将所述密封空间内气压保持在0.4Pa～0.8Pa持续20s～40s。可选的，所述保护层80为第二钝化层，则将所述密封空间内气压保持在0.4Pa～0.8Pa持续20s～30s。还可选的，所述保护层80为平坦层，则将所述密封空间内气压保持在0.4Pa～0.8Pa持续30s～40s。大尺寸化面板搭载平坦层是趋势，利用平坦层取代第二钝化层，平坦层厚度约2～3um，造成第二过孔82孔深更大，需要更长的时间使第二过孔内的空气排出。
在一些实施例中，如图7所示，步骤S112，所述将所述显示面板设置在密封空间内包括：将多个所述显示面板转移至预先设置好的密封空间93内，并平行放置在所述密封空间内的支撑脚上。可以一次性对多个显示面板进行操作，节约时间，提高效率。其中密封空间包括抽气口94，通过抽气口94将密封空间内的空气抽出。
在一些实施例中，利用聚酰亚胺涂布机将所述聚酰亚胺液均匀涂布在所述像素电极上形成聚酰亚胺湿膜。
具体的，如图5所示，所述聚酰亚胺涂布机将聚酰亚胺液分成聚酰亚胺液滴90均匀涂布，其中，所述聚酰亚胺液滴90为20纳克～80纳克，所述聚酰亚胺涂布机将聚酰亚胺液滴90间隔40微米～200微米涂布。可以使聚酰亚胺液涂布更均匀。
其中，所述聚酰亚胺湿膜厚度为3微米～6微米。进一步的，所述聚酰亚胺湿膜厚度可以约4微米～5微米。对聚酰亚胺湿膜烘烤固化后形成干膜配向膜，如图8所示，其中干膜配向膜95厚度约0.1um。
在一些实施例中，显示区距离密封胶边缘约2mm～4mm，聚酰亚胺液滴20ng～80ng，外扩可忽略；而且，外围一般设置挡墙，挡墙可以用单层或多层色阻做成，还可以用间隔物做成，防聚酰亚胺液溢出。此外超窄边框PI Over lap设计也成趋势，即PI与密封胶水重叠。
在一些实施例中，阵列基板的第二金属层43、45和第一钝化层62之间还设有第二绝缘层61，需要说明的是，在一些实施例中，阵列基板没有改第二绝缘层。
本发明还公开了一种显示面板的制程，结合图9，该显示面板的制程包括：
在如上述任一所述的阵列基板上设置框胶，以形成容纳空间；
向所述容纳空间内滴注液晶；在所述彩膜基板100和阵列基板之间还设置间隔物101；
提供彩膜基板100，并使所述彩膜基板100与所述阵列基板贴合以形成显示面板。
其中间隔物101可以对应薄膜晶体管设置，间隔物设置在保护层上面，对应位置的像素电极ITO80挖开。其中该间隔物101为主间隔物，并且可以采用BPS(Black PhotoSpacer，黑色光学间隔物)形成主间隔物，启动更好的遮光效果，并且也可以与边框区采用BPS形成黑矩阵一道工序完成，提高了效率，降低了成本。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板的制程，其特征在于，包括：
提供一基板层；
在所述基板层上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成一层第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成一层色阻层；
在所述色阻层上形成一层保护层；
在所述第一钝化层、色阻层和保护层上对应薄膜晶体管设置第一过孔，使所述第一过孔穿过所述钝化层、色阻层和保护层与薄膜晶体管导通；
在所述保护层上形成像素电极，并使像素电极通过所述第一过孔与薄膜晶体管电连接,所述第一过孔表层覆盖像素电极形成第二过孔；以及
在所述像素电极上形成配向膜，其中形成所述配向膜包括步骤：
在所述像素电极上涂布一层聚酰亚胺液，所述聚酰亚胺液覆盖第二过孔；
将所述阵列基板设置在密封空间内；
将所述密封空间内气体抽出，使所述第二过孔内气压大于密封空间的气压，以使所述第二过孔内气体穿过所述聚酰亚胺液排出后，所述聚酰亚胺液流入第二过孔；
烘烤固化所述聚酰亚胺液形成配向膜。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制程，其特征在于，还包括：根据所述第二过孔的深度、大小和数量设置抽出密封空间内气体后的工作气压、和保持所述工作气压的保持时间。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制程，其特征在于，所述将所述密封空间内气体抽出包括：
将所述密封空间内气体抽出，使所述密封空间内气体抽出后气压为0.4Pa～0.8Pa；
将所述密封空间内气压保持在0.4Pa～0.8Pa持续20s～40s。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制程，其特征在于，所述保护层为第二钝化层，则将所述密封空间内气压保持在0.4Pa～0.8Pa持续20s～30s。
5.根据权利要求3所述的阵列基板的制程，其特征在于，所述保护层为平坦层，则将所述密封空间内气压保持在0.4Pa～0.8Pa持续30s～40s。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制程，其特征在于，所述将所述显示面板设置在密封空间内包括：
将多个所述显示面板转移至预先设置好的密封空间内，并平行放置在所述密封空间内的支撑脚上。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制程，其特征在于，还包括：利用聚酰亚胺涂布机将所述聚酰亚胺液均匀涂布在所述像素电极上形成聚酰亚胺湿膜。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制程，其特征在于，还包括：所述聚酰亚胺涂布机将聚酰亚胺液分成聚酰亚胺液滴均匀涂布，其中，所述聚酰亚胺液滴为20纳克～80纳克，所述聚酰亚胺涂布机将聚酰亚胺液滴间隔40微米～200微米涂布。
9.根据权利要求7或8所述的阵列基板的制程，其特征在于，所述聚酰亚胺湿膜厚度为3微米～6微米。
10.一种显示面板的制程，其特征在于，包括：
在如权利要求1-9任一所述的阵列基板上设置框胶，以形成容纳空间；
向所述容纳空间内滴注液晶；
提供彩膜基板，并使所述彩膜基板与所述阵列基板贴合以形成显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710612790.2A CN107300810B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 一种阵列基板的制程及显示面板的制程 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710612790.2A CN107300810B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 一种阵列基板的制程及显示面板的制程 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107300810A true CN107300810A (zh) | 2017-10-27 |
| CN107300810B CN107300810B (zh) | 2020-05-12 |
Family
ID=60133039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710612790.2A Active CN107300810B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 一种阵列基板的制程及显示面板的制程 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107300810B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108008582A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板、制作方法以及液晶显示面板 |
| CN109240005A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板 |
| CN110473779A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-19 | 福建华佳彩有限公司 | 一种新型tft器件结构及其制作方法 |
| CN115220266A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-10-21 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020008818A1 (en) * | 2000-04-19 | 2002-01-24 | Nec Corporation | Transmission liquid crystal display and method of forming the same |
| US20120326172A1 (en) * | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| CN104157612A (zh) * | 2014-08-21 | 2014-11-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板的制作方法及tft阵列基板结构 |
| CN104932150A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光配向膜后烘处理装置及光配向膜后烘处理方法 |
| CN105137660A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光配向膜杂质去除装置和方法 |
| CN106950769A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-07-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示装置 |
-
2017
- 2017-07-25 CN CN201710612790.2A patent/CN107300810B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020008818A1 (en) * | 2000-04-19 | 2002-01-24 | Nec Corporation | Transmission liquid crystal display and method of forming the same |
| US20120326172A1 (en) * | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| CN104157612A (zh) * | 2014-08-21 | 2014-11-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板的制作方法及tft阵列基板结构 |
| CN104932150A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光配向膜后烘处理装置及光配向膜后烘处理方法 |
| CN105137660A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光配向膜杂质去除装置和方法 |
| CN106950769A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-07-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108008582A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板、制作方法以及液晶显示面板 |
| CN109240005A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板 |
| CN110473779A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-19 | 福建华佳彩有限公司 | 一种新型tft器件结构及其制作方法 |
| CN115220266A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-10-21 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107300810B (zh) | 2020-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107300810A (zh) | 一种阵列基板的制程及显示面板的制程 | |
| US10347862B2 (en) | EL display device and method for manufacturing EL display device | |
| CN107210375B (zh) | 柔性显示屏及柔性显示屏制作方法 | |
| CN102540603B (zh) | 液晶显示装置 | |
| CN103794628B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| US9887384B2 (en) | Method for producing flexible display device, and flexible display device | |
| CN108511614B (zh) | 一种oled面板及oled显示器 | |
| CN103278978B (zh) | 一种液晶显示面板及其制作方法 | |
| TWI313766B (en) | Sealant regions of display devices and method for sealing the same | |
| CN101517472B (zh) | 液晶显示装置 | |
| JP2011248072A (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
| CN104051668A (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
| CN100496978C (zh) | 电光面板、电子仪器的制造方法及电光面板、电光装置和电子仪器 | |
| CN109845406A (zh) | 有机el显示装置和有机el显示装置的制造方法 | |
| CN101859876A (zh) | 有机电致发光装置 | |
| US20010022645A1 (en) | Method of forming a seal pattern for liquid crystal display device | |
| CN105655292B (zh) | 液晶显示面板、阵列基板及其制造方法 | |
| CN110426879A (zh) | 一种基板及液晶显示面板 | |
| CN108845449A (zh) | 柔性显示面板及其制造方法 | |
| KR102100656B1 (ko) | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| CN107544175A (zh) | 一种基板及显示装置 | |
| CN108628039A (zh) | 液晶显示基板及其制备方法、液晶显示装置 | |
| KR20150024471A (ko) | 유기 발광 장치와 이의 제조방법 | |
| CN107331790A (zh) | 一种oled显示面板及其封装方法、oled显示装置 | |
| CN103744216B (zh) | 一种液晶显示面板及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |