CN102540603B - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示装置，用于防止覆盖形成在有机钝化膜上的通过ITO形成的电极的层间绝缘膜剥离的现象。在顶栅型的TFT上形成有用于与视频信号线连接的接触孔(130)。覆盖TFT并依次形成有无机钝化膜(108)、有机钝化膜(109)，在其上形成公共电极(110)，再在公共电极(110)上形成层间绝缘膜(111)。在层间绝缘膜(111)上形成有用于排气的通孔(140)。使通孔(140)的直径大于接触孔(130)的直径。使来自有机钝化膜(109)的气体从用于排气的通孔(140)放出，防止层间绝缘膜(111)的剥离。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种在横电场方式的液晶显示装置中针对形成在有机钝化膜上的膜发生剥落采取对策的液晶显示装置。
背景技术
在液晶显示装置中，配置具有像素电极和薄膜晶体管(TFT)等的将像素形成为矩阵状的TFT基板、以及与TFT基板对置并在与TFT基板的像素电极相对应的位置形成有滤色片等的对置基板，在TFT基板与对置基板之间夹持有液晶。并且，通过按各像素控制液晶分子的透光率，来形成图像。
液晶显示装置是平板的且分量轻，因此在各领域用途广泛。在便携式电话、DSC(Digital Still Camera：数字静态摄影机)等中广泛使用着小型的液晶显示装置。在液晶显示装置中视场角特性是一个问题。视场角特性是在从正面观看画面的情况和从斜方向观看画面的情况下亮度发生变化、或者色度发生变化的现象。视场角特性具有在通过水平方向的电场使液晶分子进行动作的IPS(In Plane Switching：平面转换)方式下优越的特性。
IPS方式也有很多种，但是在平面单板上形成公共电极并在公共电极上隔着绝缘膜配置具有狭缝的像素电极、通过在像素电极与公共电极之间产生的电场来使液晶分子旋转的方式能够增大透射率，因此在当前成为主流。为了使形成公共电极的基底平坦，而使用了有机钝化膜。但是，有机钝化膜吸湿性高，当放置在空气中时吸收水分，当在之后的膜形成中经过加热工序时，被有机钝化膜吸收的水分放出，由于该影响产生形成在有机钝化膜上的膜剥离的问题。
作为对应这种问题的方法，在“专利文献1”中记载有如下结构：在视频信号线的上面，针对形成在有机钝化膜上的层间绝缘膜，沿着视频信号线形成通孔，使存在于有机钝化膜中的水分从该通孔放出。在“专利文献1”中，将该通孔进一步由与公共电极导通的透明电极覆盖。
专利文献1：日本特开2009-271103号公报
发明内容
为了说明现有技术的问题，首先说明IPS液晶显示装置的截面结构。图9是表示液晶显示装置的显示区域10的像素部的结构的截面图。此外，图9的截面图是基本结构的例子，与之后示出的实施例的俯视图、即图2等并不是以1∶1对应的。如图9所示，以本发明为对象的液晶显示装置是顶栅型的TFT，对半导体层103使用poly-Si。在图9中，在玻璃基板100上通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)形成由SiN构成的第一底膜101和由SiO2构成的第二底膜102。第一底膜101和第二底膜102的作用在于防止来自玻璃基板100的杂质污染半导体层103。
在第二底膜102上形成半导体层103。该半导体层103在第二底膜102上通过CVD形成a-Si膜，通过对其进行激光退火来变换成poly-Si膜。通过光刻法对该poly-Si膜形成图案。
在半导体膜上形成栅极绝缘膜104。该栅极绝缘膜104是由TEOS(四乙氧基硅烷)形成的SiO2膜。该膜也是通过CVD形成的。在该膜上形成栅电极105。栅电极105与扫描信号线30在相同的层上同时形成。栅电极105例如由MoW膜形成。在需要减小扫描线30的电阻时，使用Al合金。
栅电极105通过光刻法进行图案形成，但是在该图案形成时，通过离子注入，将磷或者硼等杂质混入到poly-Si层，来在poly-Si层上形成源极S或者漏极D。另外，利用栅电极105图案形成时的光致抗蚀剂来在poly-Si层的沟道层与源极S或漏极D之间形成LDD(LightlyDoped Drain：轻掺杂漏极)层。
之后，覆盖栅电极105而通过SiO2形成第一层间绝缘膜106。第一层间绝缘膜106用于将栅电极105与源电极107绝缘。在第一层间绝缘膜106上形成源电极107。源电极107通过接触孔130与像素电极112进行连接。在图9中，源电极107形成为较大，成为覆盖TFT的形状。另一方面，TFT的漏极D在未图示的部分上与视频信号线相连接。
源电极107与视频信号线在相同的层上同时形成。源电极107或者视频信号线为了减小电阻而使用AlSi合金。AlSi合金或产生隆起、或者Al扩散到其它的层，因此采用通过由MoW形成的阻挡层以及覆盖层夹持AlSi的结构。另外，也存在不使用Al而使用MoW或MoCr的情况。
为了将源电极107与TFT的源极S进行连接，而在栅极绝缘膜104和第一层间绝缘膜106上形成接触孔130，将TFT的源极S与源电极107连接。覆盖源电极107后，覆盖无机钝化膜108，保护TFT整体。无机钝化膜108与第一底膜101同样地由CVD形成。
覆盖无机钝化膜108地形成有机钝化膜109。有机钝化膜109由感光性的丙烯酸类树脂形成。有机钝化膜也能够由除了丙烯酸类树脂以外的硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等形成。有机钝化膜109具有作为平坦化膜的作用，因此形成为较厚。有机钝化膜109的膜厚是1～4μm，但是多数情况下是2μm左右。
为了取得像素电极110与源电极107的导通，而在无机钝化膜108和有机钝化膜109上形成接触孔130。在涂上作为有机钝化膜109使用的感光性树脂之后，将该树脂进行曝光时，仅光所照射到的部分溶解于特定的显影液。即，通过使用感光性树脂，能够省略光致抗蚀剂的形成。在有机钝化膜109上形成接触孔之后，以230℃左右烧制有机钝化膜，由此完成有机钝化膜109。
将有机钝化膜109作为抗蚀剂并通过干蚀刻来在无机钝化膜108上形成接触孔。通过这样形成用于导通源电极107与像素电极110的接触孔130。
通过这样形成的有机钝化膜109的上表面变得平坦。在有机钝化膜109上通过溅射来沉积非结晶ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)，通过光致抗蚀剂进行图案形成之后，用草酸进行蚀刻，来进行公共电极110的图案形成。公共电极110避开接触孔130而在平面单板上形成。之后，以230℃烧制，将ITO形成为多晶体，来降低电阻。公共电极110由作为透明电极的ITO形成，厚度例如是77μm。
之后，覆盖公共电极110，通过CVD形成第二层间绝缘膜111。此时的CVD的温度条件是230℃左右，其被称为低温CVD。之后，通过光刻工序进行层间绝缘膜111的图案形成。在图9中，第二层间绝缘膜111形成为不覆盖接触孔130的侧壁的结构，但是也存在第二层间绝缘膜111覆盖接触孔130的侧壁的情况。
另外，在通过CVD形成其它的膜、例如第一底膜101、无机钝化膜108等时，以300℃以上进行。一般来说，CVD膜等越是以高温形成，与底膜的粘贴力越强。但是，由于在第二层间绝缘膜111下已经形成了有机钝化膜109，因此如果是230℃以上的高温，则有机钝化膜109的特性会发生变化，因此通过低温CVD进行第二层间绝缘膜111的形成。通过低温CVD形成第二层间绝缘膜111，其它的膜、尤其是公共电极110或者第二层间绝缘膜111与有机钝化膜109的粘贴力成为问题。
在第二层间绝缘膜111上溅射非结晶ITO，通过光刻工序形成具有狭缝115的像素电极112。像素电极112通过接触孔113与源电极107进行连接。当对像素电极112施加信号电压时，在与公共电极110之间通过狭缝产生电力线。通过该电场使液晶分子旋转，按每个像素控制液晶层的透光量，从而形成图像。像素电极112通过作为透明导电膜的ITO形成，膜厚例如是40nm至70nm左右。覆盖像素电极来形成取向膜113。
夹持液晶层300而配置有对置基板200。在对置基板200的内侧形成有滤色片201。滤色片201按每个像素形成红、绿、蓝的滤色片，从而形成彩色图像。在滤色片201与滤色片201之间形成黑矩阵202，提高了图像的对比度。此外，黑矩阵202也具有作为TFT的遮光膜的作用，防止光电流流过TFT。
覆盖滤色片201和黑矩阵202而形成了保护(overcoat)膜203。由于滤色片201和黑矩阵202的表面凹凸不平，因此通过保护膜203使表面变得平坦。在保护膜203上形成有用于使液晶分子进行初始取向的取向膜113。此外，由于图2是IPS，因此对置电极形成在TFT基板100侧，没有形成在对置基板侧。
如图9所示，在IPS中，没有在对置基板200的内侧形成导电膜。这样，对置基板200的电位变得不稳定。另外，来自外部的电磁干扰侵入到液晶层300，对图像产生影响。为了消除这样的问题，而在对置基板200的外侧形成外部导电膜210。外部导电膜210通过溅射作为透明导电膜的ITO来形成。
如以上所说明的那样，形成在有机钝化膜上的第二层间绝缘膜通过230℃左右的低温CVD形成，因此与底膜之间的粘贴力较弱。另一方面，形成在第二层间绝缘膜下的有机钝化膜如果放置不管，则吸收空气中的水分。之后，在有机钝化膜上形成各种膜时，当对有机钝化膜进行加热时，被吸收的水分放出。此时，产生粘贴力较弱的第二层间绝缘膜剥离的现象。
为了解决该现象，在“专利文献1”中记载了如下结构：沿着视频信号线，在第二层间绝缘膜上形成细长的通孔，从该通孔放出被有机钝化膜吸收的水分。在“专利文献1”中，通过ITO膜覆盖该通孔，使该ITO膜与公共电极导通，由此还具有屏蔽效果。
但是，“专利文献1”的结构存在如下的问题。即，第二层间绝缘膜通过低温CVD形成，因此膜结构与高温CVD的情况相比不紧密，因此当想要沿着视频信号线进行蚀刻来形成接触孔时，由于蚀刻率不稳定，因此通孔的宽度不稳定，从而到达像素电极的危险很大。如果通孔到达像素电极，则产生该部分的电场紊乱，从而无法适当地控制液晶分子，产生漏光等。并且，当由与公共电极导通的ITO膜覆盖通孔时，导致像素电极与公共电极导通，并导致其像素变得不良。
“专利文献1”的其它问题是通过由ITO覆盖沿着视频信号线形成的通孔，而减小了好不容易形成在第二层间绝缘膜上的通孔的效果。也就是说，在第二层间绝缘膜上进一步通过ITO形成像素电极时也同样地为减小ITO的电阻而以230℃进行退火。另外，并且，取向膜也为了进行亚胺化(imidization)而被烧制。因而，在形成这些膜时，被有机钝化膜吸收的水分也被放出，因此需要使水分从形成于第二层间绝缘膜的通孔高效地放出。
本发明用于解决以上的问题，其目的在于，防止第二层间绝缘膜的剥离而不减少工艺裕度(余量)且不使画质劣化。
本发明用于克服上述问题，具体的方案如下。即，一种IPS方式的液晶显示装置，使用顶栅型的TFT作为开关元件。TFT使用poly-Si作为半导体层。覆盖TFT而形成无机钝化膜和有机钝化膜，在有机钝化膜上形成公共电极，在公共电极上形成层间绝缘膜，在层间绝缘膜上形成有具有狭缝的像素电极。
视频信号线的宽度在TFT附近变宽，在该部分通过接触孔取得视频信号线与TFT的漏极部或者源极部的导通。在视频信号线变宽的部分，在形成于公共电极上的层间绝缘膜上形成通孔，放出在有机绝缘膜中产生的气体。用于排气的通孔形成在视频信号线变宽的部分，因此即使通过蚀刻形成的通孔的直径产生离差，也不会对液晶分子的驱动产生影响。另外，用于排气的通孔的直径大于用于取得视频信号线与源极部或漏极部的导通的接触孔的直径。另外，用于排气的通孔没有被ITO等的导电膜覆盖。因而，能够使来自有机钝化膜的气体有效地放出到外部。
上述结构也能够应用于像素电极形成在有机钝化膜上并在像素电极上形成层间绝缘膜、在层间绝缘膜上形成具有狭缝的公共电极的类型的IPS。
另外，层间绝缘膜中的用于排气的通孔也可以形成在覆盖形成于显示区域周边的周边电路的层间绝缘膜上。并且，也能够形成在形成于TFT基板的端子部附近的、覆盖形成有TEG(Testing ElementGroup：测试元件组)图案或者对准标记的部分的层间绝缘膜上。
根据本发明，能够防止层间绝缘膜的剥离，因此能够提高液晶显示装置的制造成品率。
附图说明
图1是液晶显示装置的俯视图。
图2是实施例1的像素部的俯视图。
图3是图2的A-A截面图。
图4是实施例2的截面图。
图5是将本发明应用于TEG图案部的例子的俯视图。
图6是图5的B-B截面图。
图7是将本发明应用于对准标记部的例子的俯视图。
图8是图7的C-C截面图。
图9是具有顶栅型的TFT的液晶显示装置的显示区域的截面图。
附图标记的说明
10显示区域
20密封材料
30扫描信号线
31扫描信号线引出线
40视频信号线
100TFT基板
101第一底膜
102第二底膜
103半导体层
104栅极绝缘膜
105栅电极
106第一层间绝缘膜
107源电极
108无机钝化膜
109有机钝化膜
110公共电极
111第二层间绝缘膜
112像素电极
113取向膜
115狭缝
130接触孔
135遮光电极
150端子部
140通孔
160上部周边电路
170TEG
180对准标记
200对置基板
210滤色片
202黑矩阵
203保护膜
210外部导电膜
300液晶层
301液晶分子
S源极部
D漏极部
具体实施方式
以下、使用实施例详细说明本发明的内容。
[实施例1]
图1是应用本发明的产品的例子、即便携式电话等中使用的小型液晶显示装置的俯视图。在图1中，在TFT基板100上配置有对置基板200。在TFT基板100与对置基板200之间夹持有未图示的液晶层。TFT基板100与对置基板200通过形成于边框部的密封材料20进行粘结。在图1中，液晶通过滴下方式而被封入，因此没有形成封入孔。
TFT基板100与对置基板200相比形成得较大，在TFT基板100比对置基板200大出的部分上形成用于对液晶单元1提供电源、视频信号、扫描信号等的端子部150，在端子部150的外侧进一步形成有用于检查电路特性的TEG(Testing Element Group)或者用于在制造工序中将上基板与下基板进行对合的对准标记。
图2是表示图1所示的显示区域10的像素部的一部分结构的俯视图。在图2中，具有狭缝115的像素电极112形成在由视频信号线40和扫描线30包围的区域上。在像素电极112的下方，通过未图示的第二层间绝缘膜形成有未图示的公共电极。从视频信号线40通过TFT向像素电极112提供视频信号。
在图2中，从视频信号线40至像素电极112以串联的方式存在第一TFT和第二TFT这两个TFT。在图2中，在视频信号线40的宽度变宽的部分形成有用于将半导体层103与视频信号线40进行连接的接触孔130。半导体层103超过扫描线30并延伸，弯曲后再越过扫描线30而与像素电极112进行连接。
半导体层103在具有作为栅电极的作用的扫描线30的下面形成为沟道部，在扫描线30的两侧形成为漏极部或者源极部。在图2中，为了便于说明，将在TFT中靠近视频信号线40的一侧称为漏极部，将靠近像素电极112的一侧称为源极部。因而，在第一TFT中，与视频信号线40相连接的一侧是漏极部，与第TFT相连接的一侧是源极部，在第二TFT中，与第一TFT相连接的一侧是漏极部，与像素电极112相连接的一侧是源极部。
在图2中，扫描线30兼作栅电极，在扫描线30的下面形成半导体层103的沟道部。由此，在图2中，从视频信号线40至像素电极112存在两个TFT。在图2中，视频信号线40与半导体层103的接触部重叠，形成有面积大于接触孔130的通孔140。该通孔140用于排出来自图2中未图示的有机钝化膜109的气体。
覆盖以上所说明的形成于TFT基板100的视频信号线40、扫描线30、通孔140、接触孔130、TFT的沟道部等，而在对置基板200中图2所示的区域上形成有黑矩阵。
图3是图2的A-A截面图。在第一底膜和第二底膜上形成有半导体层103。覆盖半导体103而形成栅极绝缘膜104、第一层间绝缘膜106，在其上形成有视频信号线40。视频信号线40通过形成在栅极绝缘膜104和第一层间绝缘膜106上的接触孔130与半导体层103相连接。覆盖视频信号线40或第一层间绝缘膜106而形成无机钝化膜108，在其上形成有有机钝化膜109。
在有机钝化膜109上形成有公共电极110，在公共电极110上形成有第二层间绝缘膜111。第二层间绝缘膜111用于将公共电极110与像素电极112绝缘，但是在视频信号线40上没有像素电极112。在本发明中，在该部分的第二层间绝缘膜111上形成通孔140，能够容易地放出有机钝化膜109所吸收的水分等。此外，在图3中省略了取向膜的记载。
如图2、图3所示，通孔140的直径大于接触孔130的直径。这是为了能够更有效地放出有机钝化膜109所吸收的气体。形成有接触孔130的部分形成为凹部，因此更容易产生第二层间绝缘膜111的剥离。因而，该部分形成用于排气的通孔140是有效的。
如图2所示，在形成有用于排气的通孔140的部分，视频信号线40变宽，其兼用作遮光电极135。因而，即使由于用于排气的通孔140的影响而使液晶分子的取向产生紊乱，也不会在该部分产生漏光。
用于排气的通孔140通过蚀刻而形成。第二层间绝缘膜111通过低温CVD形成，因此利用蚀刻的尺寸控制与通过高温CVD形成的膜相比较难。但是，如图2所示那样在用于排气的通孔140的下面形成有大面积的遮光电极135，因此即使用于排气的通孔140的尺寸产生离差也不会产生漏光。
并且，在图2中，用于排气的通孔140形成为与扫描线30非常近。由于在对置基板200中的与扫描线30对应的部分上形成有黑矩阵202，因此即使由于用于排气的通孔140产生了漏光，也能够通过黑矩阵202遮挡。
如上所述，根据本发明，由于在扫描线30附近且在视频信号线40变宽的部分上形成有用于排气的通孔140，因此能够防止第二层间绝缘膜111的剥离。另外，由于视频信号线40变宽的部分兼用作遮光电极135，因此也能够防止通过形成了用于排气的通孔140而产生的漏光等副作用。
此外，在本发明中，形成于第二层间绝缘膜111的用于排气的通孔140没有被ITO覆盖。因而，能够将从有机钝化膜放出的气体更有效地放出到外部。
[实施例2]
在图1中的显示区域10的上方画斜线的部分、即上部布线电路160上形成有保护布线电路或者驱动电路的一部分。这些保护电路等具有TFT。覆盖TFT而形成无机钝化膜108、有机钝化膜109，在其上形成公共电极110，覆盖公共电极110而形成有第二层间绝缘膜111。与实施例1中说明的显示区域10相同，第二层间绝缘膜111的粘贴力成为问题。
图4是形成有保护电路等的区域的截面图。图4是包含TFT的截面图。图4与图9所说明的相同，因此省略详细说明。在图4中，通过形成在覆盖半导体层103的栅极绝缘膜104和第一层间绝缘膜106上的接触孔130连接了源电极107或者漏电极。源电极107或者漏电极是在与视频信号线40相同的层上形成的布线。覆盖源电极107或者漏电极而形成无机钝化膜108，在其上形成有有机钝化膜109。
在无机钝化膜108上存在通过ITO与公共电极110同时形成的电极。该电极与公共电极110导通，因此以后将该电极也称为公共电极110。该公共电极110并不是如图9那样的驱动液晶分子的电极，而是具有作为简单的连接线或者屏蔽电极的作用。覆盖公共电极110形成了第二层间绝缘膜111。在TFT附近形成接触孔130，在该部分，第二层间绝缘膜111的粘贴力特别弱，因此在对应部分的第二层间绝缘膜111上形成有用于将从有机钝化膜109放出的气体排出的通孔140。
图4中所形成的用于排气的通孔140形成在显示区域10外，因此即使用于排气的通孔140的尺寸产生一些离差，也不会产生漏光等问题。因而，能够与显示区域10内相比形成得较大，并能够更可靠地防止第二层间绝缘膜111的剥离。
此外，在本实施例中也同样地，形成于第二层间绝缘膜111的用于排气的通孔140没有被ITO覆盖。因而，能够将从有机钝化膜放出的气体更有效地放出到外部。
[实施例3]
将本发明设为对象的液晶显示装置中的TFT由poly-Si形成，能够在液晶显示面板内内置驱动电路。在将驱动电路形成在液晶显示面板内的情况下，需要在工序进行过程中检查电路的特性变动。因此，如图1所示那样在比端子部150更靠外侧的位置形成TEG(TestingElement Group)170。通过该TEG 170检查TFT等的特性。因而，在TEG 170中也需要事先形成与显示区域10、或者驱动电路部分相同的结构。
在TEG 170中，在有机钝化膜109上存在通过ITO形成的公共电极110并在其上存在第二层间绝缘膜111的情况与显示区域10等相同。在作为TEG 170的例子的图5中，为了测量在端子1501与端子1502之间通过公共电极110形成的电阻值，而形成有较长的电阻。在该较长的电阻上形成有未图示的第二层间绝缘膜111。公共电极110形成在有机钝化膜109上，因此当水分从有机钝化膜109放出时，第二层间绝缘膜111剥离，将无法发挥作为TEG 170的作用。在本实施例中，如图5所示，通过形成大量的矩形状的用于排气的通孔140，使气体容易地从有机钝化膜109放出，从而防止了第二层间绝缘膜111的剥离。
图6是图5的B-B截面图。在图6中，省略了第一底膜、第二底膜。在图6中从下开始依次层叠半导体层103、栅极绝缘膜104、第一层间绝缘膜106、无机钝化膜108、有机钝化膜109，在有机钝化膜109上形成了公共电极110。在公共电极110上形成了第二层间绝缘膜111，但是通过在第二层间绝缘膜111上形成用于排气的通孔140，易于放出来自有机钝化膜109的水分等，由此防止了第二层间绝缘膜111的剥离。
液晶显示装置将形成有大量的TFT基板100的TFT母板以及形成有大量的对置基板200的对置母板粘贴而形成为母板，之后通过划线等分离成各个液晶显示面板。在将TFT母板与对置母板通过密封材料粘贴时，需要对准标记180。
图7是对准标记180的例子。在图7中，对准标记180由正方形的单元的组合形成。在对准标记180的单元的一部分上形成有矩形状的用于排气的通孔140。该通孔形成在第二层间绝缘膜111上。通过该用于排气的通孔140，容易地放出被有机钝化膜109吸收的水分等，从而防止了第二层间绝缘膜111的剥离。
图8是图7中的C-C截面。图8除了没有半导体层103以外，是与图6所记载的相同的结构，因此省略说明。此外，图6或者图8是截面的一例，并不是在图6中总是存在半导体层103、在图8中总是不存在半导体层103。
如上所述，在液晶显示面板中的密封有液晶的区域外也形成了有机钝化膜109和第二层间绝缘膜111的情况下，通过在该部分的第二层间绝缘膜111上也形成用于排气的通孔140，能够可靠地实现作为TEG 170或者对准标记180的作用。此外，图1所示的TEG 170或者对准标记180在完成液晶显示装置之后是不需要的，因此在进行划线时去除该部分的情况也很多。
此外，在本实施例中，形成于第二层间绝缘膜111的用于排气的通孔140也没有被ITO覆盖。因而，能够将从有机钝化膜放出的气体更有效地放出到外部。
在以上的例子中，针对在有机钝化膜109上形成公共电极110并在其上通过第二层间绝缘膜111形成有具有狭缝115的像素电极112的类型的IPS进行了说明。但是，本发明也能够完全同样地应用于在有机钝化膜109上形成像素电极112并在其上通过第二层间绝缘膜111配置具有狭缝115的公共电极的类型的IPS。

Claims (8)

1.一种液晶显示装置，其在由沿第一方向延伸并沿第二方向排列的扫描线和沿第二方向延伸并沿第一方向排列的视频信号线包围的区域形成像素电极，上述像素电极通过TFT从上述视频信号线提供视频信号，该液晶显示装置的特征在于，
上述TFT由半导体层、栅电极以及第一层间绝缘膜形成，该半导体层具有沟道部、形成在上述视频信号线侧的漏极部、以及形成在上述像素电极侧的源极部；该栅电极在栅极绝缘膜上形成在上述沟道部的上方，上述栅极绝缘膜形成为覆盖上述半导体层；该第一层间绝缘膜覆盖上述栅电极，
上述视频信号线配置在上述第一层间绝缘膜上，
覆盖上述视频信号线地依次形成有无机钝化膜、有机钝化膜，在上述有机钝化膜上形成公共电极，在上述公共电极上形成第二层间绝缘膜，在上述第二层间绝缘膜上形成上述像素电极，上述像素电极具有狭缝，
上述视频信号线与上述TFT的上述漏极部相连接的部分形成为宽度变宽，上述视频信号线在上述宽度变宽的部分通过接触孔与上述漏极部相连接，
在上述视频信号线的宽度变宽的部分，在上述第二层间绝缘膜上形成通孔，上述通孔的直径大于上述接触孔的直径。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述TFT包括第一TFT和第二TFT，该第一TFT具有与上述视频信号线相连接的漏极部；该第二TFT与上述第一TFT相连接、并且源极部与像素电极相连接，
上述第一TFT和上述第二TFT的栅电极兼作上述扫描线。
3.一种液晶显示装置，其在由沿第一方向延伸并沿第二方向排列的扫描线和沿第二方向延伸并沿第一方向排列的视频信号线包围的区域形成像素电极，上述像素电极通过TFT从上述视频信号线提供视频信号，该液晶显示装置的特征在于，
上述TFT由半导体层、栅电极以及第一层间绝缘膜形成，该半导体层具有沟道部、形成在上述视频信号线侧的漏极部、以及形成在上述像素电极侧的源极部；该栅电极在栅极绝缘膜上形成在上述沟道部的上方，上述栅极绝缘膜形成为覆盖上述半导体层；该第一层间绝缘膜覆盖上述栅电极，
上述视频信号线配置在上述第一层间绝缘膜上，
覆盖上述视频信号线地依次形成有无机钝化膜、有机钝化膜，在上述有机钝化膜上形成像素电极，在上述像素电极上形成第二层间绝缘膜，在上述第二层间绝缘膜上形成公共电极，上述公共电极具有狭缝，
上述视频信号线与上述TFT的上述漏极部相连接的部分形成为宽度变宽，上述视频信号线在上述宽度变宽的部分通过接触孔与上述漏极部相连接，
在上述视频信号线的宽度变宽的部分，在上述第二层间绝缘膜上形成通孔，上述通孔的直径大于上述接触孔的直径。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述TFT包括第一TFT和第二TFT，该第一TFT具有与上述视频信号线相连接的漏极部；该第二TFT与上述第一TFT相连接、并且源极部与像素电极相连接，
上述第一TFT和上述第二TFT的栅电极兼作上述扫描线。
5.一种液晶显示装置，其具有显示区域和周边电路部，该液晶显示装置的特征在于，
上述周边电路部具有TFT，该TFT由半导体层、栅电极以及第一层间绝缘膜形成，该半导体层具有沟道部、源极部、以及漏极部；该栅电极在栅极绝缘膜上形成在上述沟道部的上方，上述栅极绝缘膜形成为覆盖上述半导体层；该第一层间绝缘膜覆盖上述栅电极，
在上述第一层间绝缘膜上形成由金属形成的布线，上述由金属形成的布线通过形成于上述第一层间绝缘膜和栅极绝缘膜的接触孔来与上述漏极部或者上述源极部连接，
覆盖上述由金属形成的布线地依次形成有无机钝化膜、有机钝化膜，
在上述有机钝化膜上形成由ITO构成的布线，在上述由ITO构成的布线上形成第二层间绝缘膜，在上述第二层间绝缘膜上形成通孔，上述通孔的直径大于上述接触孔的直径。
6.一种液晶显示装置，将TFT基板与对置基板相对置地粘贴，在内部形成液晶层，在上述TFT基板的未与上述对置基板相对的部分上形成有端子部和TEG，该液晶显示装置的特征在于，
在上述TEG中，在TFT基板上依次层叠半导体层、栅极绝缘膜、第一层间绝缘膜、无机钝化膜、有机钝化膜，
在上述有机钝化膜上形成由ITO形成的电极，在上述由ITO形成的电极上形成第二层间绝缘膜，在上述第二层间绝缘膜上形成有上述TEG的区域中形成有通孔，
在所述通孔之下存在有机钝化膜。
7.一种液晶显示装置，将TFT基板与对置基板相对置地粘贴，在内部形成液晶层，在上述TFT基板的未与上述对置基板相对的部分上形成有端子部和对准标记，该液晶显示装置的特征在于，
在上述对准标记中，在TFT基板上依次层叠有栅极绝缘膜、第一层间绝缘膜、无机钝化膜、以及有机钝化膜，
在上述有机钝化膜上形成由ITO形成的电极，在上述由ITO形成的电极上形成第二层间绝缘膜，在上述第二层间绝缘膜上形成有上述对准标记的区域中形成有通孔，
在所述通孔之下存在有机钝化膜。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，
形成于上述第二层间绝缘膜的上述通孔没有被ITO覆盖。
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