CN103676344B - 一种制造平面转换ips屏幕电极的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了制造平面转换IPS屏幕电极的方法，包括：采用草酸刻蚀第一金属层；在预设温度下进行第一预设时间长度的第一次煺火；采用草酸刻蚀第二金属层；在预设温度下进行第二预设时间长度的第二次煺火。采用本发明，能够有效地控制ITO层的线宽及各ITO层间的间距，从而避免ITO层间间距太小而导致短路的问题。

Description

一种制造平面转换IPS屏幕电极的方法
技术领域
本发明涉及显示器领域，尤其涉及一种制造平面转换IPS屏幕电极的方法。
背景技术
平面转换IPS（In-panel switching）技术是日立公司于2001推出的液晶面板技术，采用该项技术制造的IPS屏幕的最大特点是两级都在同一个面上，并对液晶分子的排列方式进行了优化，采取水平排列方式。当遇到外界压力时，分子结构向下稍微凹陷，但整体分子仍然呈水平状，从而不会产生画面失真，不会影响画面色彩。由于具有以上优点，IPS屏幕在显示领域中占据着越来越重要的作用。
IPS屏幕电极包括像素ITO层和公共ITO层。现有技术制造IPS屏幕电极时，为了保证像素ITO层与公共ITO层的透光率、电阻率等重要参数一致，通常同时制作像素ITO层与公共ITO层。但是受到曝光机分辨率的影响，同时制作两个ITO层时将会导致各ITO层间的间距较小，容易导致ITO层间导电连接从而造成电路短路；并且，采用减小ITO层线宽以增大各ITO层间间距的方法容易影响产品的性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种制造平面转换IPS屏幕的方法，分别刻蚀两层ITO，可在不增加工艺复杂度、不影响产品性能的前提下，有效增加各ITO层间的间距，避免ITO层间间距过小导致电路短路的问题。
为了解决上述技术问题，一方面，本发明的实施例提供了一种制造平面转换IPS屏幕电极的方法，包括：采用草酸刻蚀第一金属层；在预设温度下进行第一预设时间长度的第一次煺火；采用草酸刻蚀第二金属层；在预设温度下进行第二预设时间长度的第二次煺火。
具体地，所述在预设温度下进行第一预设时间长度的第一次煺火及第二预设时间长度的第二次煺火包括：
在150℃至280℃的温度下进行煺火，且所述第一预设时间长度与所述第二预设时间长度的和值不超过4小时。
具体地，所述采用草酸刻蚀第一金属层及所述采用草酸刻蚀第二金属层之前分别包括曝光显影的步骤。
所述第一金属层为第一ITO层，所述第二金属层为第二ITO层。
在一种实施方式中，所述第一ITO层为像素ITO层，所述第二ITO层为公共ITO层。
在另一种实施方式中，所述第一ITO层为公共ITO层，所述第二ITO层为像素ITO层。
在一种实施方式中，所述像素ITO和/或公共ITO的线宽为4微米。
进一步地，在一种实施方式中，所述像素ITO与所述公共ITO之间的间距为3微米。
本发明实施例具有如下优点或有益效果：
采用两步分别刻蚀像素ITO层和公共ITO层，第二次刻蚀对第一次形成的ITO层不产生影响，有效控制煺火时的温度，从而能够在保证两个ITO层重要参数差距不大的情况下，有效地控制ITO层的线宽及各ITO层间的间距，从而避免ITO层间间距太小而导致短路的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例中第一次曝光显影后电极的剖面图；
图2是本发明实施例中第一次刻蚀后电极的剖面图；
图3是本发明实施例中第二次曝光显影后电极的剖面图；
图4是本发明实施例中第二次刻蚀后电极的剖面图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面参考附图对本发明的实施例进行描述。参见图1，为本发明实施例中第一次曝光显影后电极的剖面图，第一次曝光显影的是像素ITO层或者公共ITO层。第一次曝光显影后像素ITO层或公共ITO层的线宽为6um。
请参考图2，其中所示为本发明实施例中对第一次曝光显影后的像素ITO层或公共ITO层进行第一次刻蚀后的效果图，本例中刻蚀后的像素ITO层或公共ITO层的线宽为4um。
第一次刻蚀后，在预设的温度下进行时间长度为第一预设时间长度的第一次煺火处理。
请参考图3，其中所示为本发明实施例中第二次曝光显影后电极的剖面图，第二次曝光显影的是公共ITO层或像素ITO层。图4中所示为本发明实施例中进行第二次刻蚀后电极的剖面图，其中像素ITO层与公共ITO层的线宽均为4um，两者之间的间距为3um。
第二次刻蚀后，在预设的温度下进行时间长度为第二预设时间长度的第二次煺火。
需要说明的是，第一预设时间长度与第二预设时间长度除了应当满足正常工艺需求外，还应当保证进行过两次煺火处理的第一ITO层与仅进行一次煺火处理的第二ITO层的重要参数，如电阻率、透光率相差不大。例如此两者之间的绝对误差不超过5%。在一种实施例中，可以将煺火温度控制在150℃至280℃之间，进行第一次煺火的第一预设时间长度与第二次煺火的第二预设时间长度的和值不超过4小时。
上述实施例中第一次煺火与第二次煺火中设置的温度可以相同也可以不同。
当然，本领域的技术人员也可以根据自己的实际需求，选择作为控制两次煺火时间和温度的其他参数作为参考标准。
需要说明的是，本发明实施例中所给出的温度及时间参数均只是一种实验数据。在本发明实施例的教导下，本领域的技术人员通过实验得出的其他能够保证第一层ITO与第二层ITO电阻率及透光率的相对偏差在5%以内的温度及时间参数均应包括在本发明的保护范围之内。
本发明实施例具有如下优点或有益效果：
采用两步分别刻蚀像素ITO层和公共ITO层，第二次刻蚀对第一次形成的ITO层不产生影响，有效控制煺火时的温度，从而能够在保证两个ITO层重要参数差距不大的情况下，有效地控制ITO层的线宽及各ITO层间的间距，从而避免ITO层间间距太小而导致短路的问题。
以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种制造平面转换IPS屏幕电极的方法，其特征在于，包括：
采用草酸刻蚀第一金属层；
在预设温度下进行第一预设时间长度的第一次煺火；
采用草酸刻蚀第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层同层设置，所述第一金属层为像素ITO层，所述第二金属层为公共ITO层；或者，所述第一金属层为公共ITO层，所述第二金属层为像素ITO层；
在预设温度下进行第二预设时间长度的第二次煺火；
所述在预设温度下进行第一预设时间长度的第一次煺火及第二预设时间长度的第二次煺火包括：在150℃至280℃的温度下进行煺火，且所述第一预设时间长度与所述第二预设时间长度的和值不超过4小时。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用草酸刻蚀第一金属层及所述采用草酸刻蚀第二金属层之前分别包括曝光显影的步骤。
3.如权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属层为第一ITO层，所述第二金属层为第二ITO层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一ITO层为像素ITO层，所述第二ITO层为公共ITO层。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一ITO层为公共ITO层，所述第二ITO层为像素ITO层。
6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述像素ITO和/或公共ITO的线宽为4微米。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述像素ITO与所述公共ITO之间的间距为3微米。
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