JP2012128159A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
トップゲートのTFTには映像信号線と接続するためのコンタクトホール130が形成されている。TFTを覆って、無機パッシベーション膜108、有機パッシベーション膜109がこの順で形成され、その上にコモン電極110が形成され、さらにその上に層間絶縁膜111が形成されている。層間絶縁膜111にはガス抜きのためのスルーホール140が形成されている。スルーホール140の径をコンタクトホール130の径よりも大きくする。ガス抜きのためのスルーホール140から有機パッシベーション膜109からのガスを放出させ、層間絶縁膜111の剥離を防止する。
【選択図】図3
Description
また、層間絶縁膜におけるガス抜きのためのスルーホールは、表示領域周辺に形成された周辺回路を覆う層間絶縁膜に形成してもよい。さらに、TFT基板の端子部付近に形成された、TEG(Testing Elemet Group)パターンあるいは目合わせマークが形成された部分を覆う層間絶縁膜に形成することも出来る。
なお、本実施例においても、第2層間絶縁膜111に形成されたガス抜きのためのスルーホール140はITOによって覆われてはいない。したがって、有機パッシベーション膜からの放出されるガスをより効果的に外部に放出することが出来る。
なお、本実施例においても、第2層間絶縁膜111に形成されたガス抜きのためのスルーホール140はITOによって覆われてはいない。したがって、有機パッシベーション膜からの放出されるガスをより効果的に外部に放出することが出来る。
Claims (8)
- 第1の方向に延在して第2の方向に配列する走査線と第2の方向に延在して第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素電極が形成され、前記画素電極がTFTを介して前記映像信号線から映像信号が供給される液晶表示装置であって、
前記TFTはチャンネル部と前記映像信号線側に形成されたドレイン部と前記画素電極側に形成されたソース部を有する半導体層と、前記半導体層を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上でかつ前記チャネル部の上方に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う第1の層間絶縁膜によって形成され、
前記映像信号線は前記第1の層間絶縁膜の上に配置し、
前記映像信号線を覆って無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜がこの順で形成され、前記有機パッシベーション膜の上にコモン電極が形成され、前記コモン電極の上に第2の層間絶縁膜が形成され、前記第2の層間絶縁膜の上に前記画素電極が形成され、前記画素電極はスリットを有し、
前記映像信号線は前記TFTの前記ドレイン部と接続する部分は幅が広く形成され、前記映像信号線は前記幅が広くなった部分において、コンタクトホールを介して前記ドレイン部と接続し、
前記映像信号線の幅が広くなった部分において、前記第2の層間絶縁膜にスルーホールが形成され、前記スルーホールの径は、前記コンタクトホールの径よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記TFTは、前記映像信号線と接続するドレイン部を有する第1TFTと、前記第1TFTと接続し、ソース部が画素電極と接続する第2TFTから構成され、前記第1TFTと前記第2TFTのゲート電極は前記走査線が兼ねていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 第1の方向に延在して第2の方向に配列する走査線と第2の方向に延在して第1の方向に配列した映像信号線とで囲まれた領域に画素電極が形成され、前記画素電極がTFTを介して前記映像信号線から映像信号が供給される液晶表示装置であって、
前記TFTはチャンネル部と前記映像信号線側に形成されたドレイン部と前記画素電極側に形成されたソース部を有する半導体層と、前記半導体層を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上でかつ前記チャネル部の上方に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う第1の層間絶縁膜によって形成され、
前記映像信号線は前記第1の層間絶縁膜の上に配置し、
前記映像信号線を覆って無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜がこの順で形成され、前記有機パッシベーション膜の上に画素電極が形成され、前記画素電極の上に第2の層間絶縁膜が形成され、前記第2の層間絶縁膜の上にコモン電極が形成され、前記コモン電極はスリットを有し、
前記映像信号線は前記TFTの前記ドレイン部と接続する部分は幅が広く形成され、前記映像信号線は前記幅が広くなった部分において、コンタクトホールを介して前記ドレイン部と接続し、
前記映像信号線の幅が広くなった部分において、前記第2の層間絶縁膜にスルーホールが形成され、前記スルーホールの径は、前記コンタクトホールの径よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記TFTは、前記映像信号線と接続するドレイン部を有する第1TFTと、前記第1TFTと接続し、ソース部が画素電極と接続する第2TFTから構成され、前記第1TFTと前記第2TFTのゲート電極は前記走査線が兼ねていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 表示領域と周辺回路部を有する液晶表示装置であって、
前記周辺回路部は、チャンネル部とソース部とドレイン部を有する半導体層と、前記半導体層を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上でかつ前記チャネル部の上方に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う第1の層間絶縁膜によって形成されたTFTを有し、
前記第1の層間絶縁膜の上に金属による配線が形成され、前記金属による配線は前記第1の層間絶縁膜およびゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ドレイン部または前記ソース部と接続し、
前記金属による配線を覆って無機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜がこの順で形成され、
前記有機パッシベーション膜の上にITOからなる配線が形成され、前記ITOからなる配線の上に第2の層間絶縁膜が形成され、前記第2の層間絶縁膜にはスルーホールが形成され、前記スルーホールの径は、前記コンタクトホールの径よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 - TFT基板と対向基板とが対向して接着し、内部に液晶層が形成され、前記TFT基板の前記対向電極と対向していない部分には端子部とTEG(Testing Elemet Group)が形成された液晶表示装置であって、
前記TEGにおいては、TFT基板の上に半導体層、ゲート絶縁膜、第1の層間絶縁膜、無機パッシベーション膜、有機パッシベーション膜がこの順で積層され、
前記有機パッシベーション膜の上には、ITOで形成された電極が形成され、前記ITOで形成された電極の上に第2の層間絶縁膜が形成され、前記第2の層間絶縁膜には、前記TEGが形成されている領域において、スルーホールが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - TFT基板と対向基板とが対向して接着し、内部に液晶層が形成され、前記TFT基板の前記対向電極と対向していない部分には端子部と目合わせマークが形成された液晶表示装置であって、
前記目合わせマークにおいては、TFT基板の上にゲート絶縁膜、第1の層間絶縁膜、無機パッシベーション膜、有機パッシベーション膜がこの順で積層され、
前記有機パッシベーション膜の上には、ITOで形成された電極が形成され、前記ITOで形成された電極の上に第2の層間絶縁膜が形成され、前記第2の層間絶縁膜には、前記目合わせマークが形成されている領域において、スルーホールが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2の層間絶縁膜に形成された前記スルーホールはITOによって覆われていないことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
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