KR101900915B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 화상을 표시하는 복수개의 표시 화소를 포함하는 표시부, 상기 표시부의 주변에 형성되는 복수개의 더미 화소를 포함하는 더미부를 포함하고, 상기 더미 화소 내부에는 정전기 태그가 형성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시부의 주변에 형성되는 더미 화소 내부에 정전기 태그를 형성함으로써 정전기 태그의 정전기 트랜지스터의 변화가 표시부 내의 트랜지스터의 변화를 대변할 수 있도록 하여 공정중 발생하는 정전기에 대한 모니터링을 강화할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화상을 표시하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치의 제조 공정은 각 공정들의 진행 결과가 바람직한 것인가를 확인하기 위해 각 공정 결과물의 두께, 저항, 농도, 오염의 정도, 임계치수 및 소자의 전기적인 특성 등을 측정해야 하는데, 그 측정 과정에서 소자에 손상을 입히는 이유 때문에 공정 특성상 실제 기판을 대상으로 모니터링을 할 수 없는 경우가 있다.
이러한 경우에는 소자들이 형성된 기판의 특정 부분이나, 별도의 블랭크(blank) 영역에 태그(Test Element Group, TEG)라는 패턴을 형성하여 실제 소자들이 형성된 기판에서 행하는 공정을 똑같이 수행한 후에, 태그를 측정하여 해당 공정을 평가한다.
표시 장치의 제조 공정 중 발생하는 정전기를 모니터링하기 위해, 표시 장치의 주변 영역에 트랜지스터를 포함하는 태그를 형성하고, 트랜지스터를 측정하여 트랜지스터의 변화로부터 정전기를 모니터링하였다.
그러나, 태그 내부의 트랜지스터는 독립된 형태의 트랜지스터로서, 전체적으로 연결되어 있는 표시 영역 내부의 복수개의 트랜지스터를 대변하지 못한다. 따라서, 태그 내부의 트랜지스터는 정전기에 의해서 열화되어도 표시 영역 내부의 트랜지스터는 정상 구동될 수 있어 태그 내부의 트랜지스터는 표시 영역 내부의 트랜지스터를 대변하지 못하는 한계가 있다.
이와 같이, 태그 내부의 트랜지스터는 독립된 구조이므로, 플렉서블 표시 장치의 보호 필름 탈 부착 공정, 필름 스크라이빙(scribing) 공정, 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정 및 모듈(module) 공정 등에서 발생하는 정전기에 대해서 모니터링이 불가하다.
본 발명은 공정중 발생하는 정전기에 대한 모니터링을 강화할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 화상을 표시하는 복수개의 표시 화소를 포함하는 표시부, 상기 표시부의 주변에 형성되는 복수개의 더미 화소를 포함하는 더미부를 포함하고, 상기 더미 화소 내부에는 정전기 태그가 형성될 수 있다.
상기 정전기 태그는 복수개의 정전기 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 복수개의 정전기 트랜지스터의 정전 소스 전극은 소스 연결부를 이용하여 서로 연결될 수 있다.
상기 복수개의 정전기 트랜지스터의 정전 드레인 전극은 드레인 연결부를 이용하여 서로 연결될 수 있다.
상기 정전기 트랜지스터는 정전 게이트 전극에 연결되어 있는 정전 게이트 패드, 상기 정전 소스 전극에 연결되어 있는 정전 소스 패드, 상기 정전 드레인 전극에 연결되어 있는 정전 드레인 패드를 포함하고, 상기 정전 게이트 패드, 정전 소스 패드 및 정전 드레인 패드는 동일 선상에 배치될 수 있다.
상기 정전기 트랜지스터를 둘러싸고 있는 단일 가드 링을 더 포함할 수 있다.
상기 단일 가드 링의 폭은 40㎛ 내지 200㎛일 수 있다.
상기 단일 가드 링은 상기 정전 게이트 전극 또는 상기 정전 드레인 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 정전기 태그를 둘러싸고 있는 통합 가드 링을 더 포함할 수 있다.
상기 통합 가드 링의 폭은 40㎛ 내지 200㎛일 수 있다.
상기 통합 가드 링은 상기 정전 게이트 전극 또는 상기 정전 드레인 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 복수개의 정전기 태그는 상기 표시부의 4개의 모서리부에 인접하여 형성될 수 있다.
상기 복수개의 정전기 태그는 상기 표시부의 가장자리를 따라 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시부의 주변에 형성되는 더미 화소 내부에 정전기 태그를 형성함으로써 정전기 태그의 정전기 트랜지스터의 변화가 표시부 내의 트랜지스터의 변화를 대변할 수 있도록 하여 공정중 발생하는 정전기에 대한 모니터링을 강화할 수 있다.
또한, 이로부터 정전기에 의한 표시 장치의 불량을 정확하게 모니터링하여 공정을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 3은 도 2의 더미 화소에 형성된 정전기 태그의 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 정전기 태그의 평면도이다.
도 6은 도 5의 VI-VI선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7은 단일 가드 링의 폭이 작은 표시 장치의 정전기 발생 이전 및 이후의 정전기 트랜지스터의 문턱 전압의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 8은 단일 가드 링의 폭이 작은 표시 장치의 정전기 발생 이전 및 이후의 정전기 트랜지스터의 서브 쓰레스홀드 경사(Sub threshold Slop, S.S)의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 정전기 발생 이전 및 이후의 정전기 트랜지스터의 문턱 전압의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 정전기 발생 이전 및 이후의 정전기 트랜지스터의 서브 쓰레스홀드 경사(Sub threshold Slop, S.S)의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)는 표시 기판(110)과, 표시 기판(110)을 커버하는 밀봉 부재(210)와, 표시 기판(110)과 밀봉 부재(210) 사이에 배치된 실런트(sealant)(350)를 포함한다.
실런트(350)는 밀봉 부재(210)의 가장자리를 따라 배치되며, 실런트(350)는 표시 기판(110)과 밀봉 부재(210)를 서로 합착 밀봉시킨다. 이하, 실런트(350)에 의해 둘러싸인 표시 기판(110)과 밀봉 부재(210) 사이의 내부를 표시 영역(DA)이라 한다. 그리고 표시 영역(DA)에는 다수의 표시 화소가 형성되어 화상을 표시한다.
밀봉 부재(210)는 표시 기판(110)보다 작은 크기로 형성된다. 그리고 밀봉 부재(210)에 의해 커버되지 않은 표시 기판(110)의 일측 가장자리에는 구동 회로칩(550)이 실장(mount)될 수 있다.
표시 기판(110)의 가장자리에는 구동 회로칩(500)과 실런트(300)에 의해 밀봉된 공간 내부에 형성된 소자들을 전기적으로 연결하는 복수개의 도전 배선(510)이 형성되어 있다. 따라서, 도전 배선(510)은 실런트(350)와 일부 중첩되어 형성된다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 실런트(350) 내부의 표시 영역(DA)은 화상을 표시하는 복수개의 표시 화소(191)를 포함하는 표시부(S), 표시부(S)의 주변에 형성되는 복수개의 더미 화소(192)를 포함하는 더미부(P)를 포함한다.
표시 화소(191)는 화상을 표시하고, 더미 화소(192)는 표시부(S)의 시인성을 상대적으로 향상시키거나 표시 화소를 리페어하거나 또는 제조 공정 중 발생하는 주변부의 불량에 의한 표시 불균일을 방지하기 위해 사용되는 화소이다.
이러한 더미 화소(192)의 내부에는 표시 장치의 제조 공정 중 발생하는 정전기를 모니터링하기 위한 정전기 태그(400)가 형성되어 있다. 이러한 정전기 태그(400)는 표시부(S)의 4개의 모서리부에 형성될 수 있다. 구체적으로 정전기 태그(400)는 표시부(S) 중 4개의 모서리부의 표시부(S)에 인접한 더미부(P)의 더미 화소(192)에 형성될 수 있다. 이와 같이, 정전기가 발생하여 모이기 쉬운 모서리부에 인접한 더미 화소(192)에 정전기 태그(400)를 형성함으로써 표시 장치의 정전기에 의한 영향을 정확하게 모니터링할 수 있다.
도 3은 도 2의 더미 화소에 형성된 정전기 태그의 평면도이고, 도 4는 도 3의 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 정전기 태그(400)는 복수개의 정전기 트랜지스터(410)를 포함한다. 복수개의 정전기 트랜지스터(410)는 소정 행열을 이루며 배치되어 있다.
하나의 정전기 트랜지스터(410)는 정전 반도체층(130), 정전 반도체층(130)과 일부 중첩하고 있으며 게이트 신호를 전달하는 정전 게이트 전극(150), 정전 반도체층(130)의 소스 영역(133) 및 드레인 영역(135)과 각각 연결되어 있는 정전 소스 전극(173) 및 정전 드레인 전극(175)을 포함한다. 정전 소스 전극(173)을 통해 데이터 신호를 전달한다.
그리고, 정전기 트랜지스터(410)는 정전 게이트 전극(150)에 연결되어 있는 정전 게이트 패드(30), 정전 소스 전극(173)에 연결되어 있는 정전 소스 패드(50), 정전 드레인 전극(175)에 연결되어 있는 정전 드레인 패드(60)를 포함한다. 정전 게이트 패드(30), 정전 소스 패드(50) 및 정전 드레인 패드(60)는 외부 신호를 입력하는 프로브(probe)와 접촉할 수 있도록 넓게 형성되어 있다.
따라서, 정전 게이트 패드(30)에 게이트 신호를 입력하고, 이 때, 정전 소스 패드(50) 및 정전 드레인 패드(60)를 흐르는 데이터 신호를 측정하여 정전기에 의한 정전기 트랜지스터(410)의 변화를 측정할 수 있다.
이와 같이, 실런트(350) 외부의 주변 영역이 아닌 더미 화소(192)의 내부에 정전기 트랜지스터(410)가 형성됨으로써 표시 화소(191)의 정전기 변화를 정확하게 측정할 수 있다.
이 때, 하나의 정전기 트랜지스터(410)의 정전 소스 전극(173)은 인접하는 정전기 트랜지스터(410)의 정전 소스 전극(173)과 소스 연결부(73)를 통해 연결되어 있고, 하나의 정전기 트랜지스터(410)의 정전 드레인 전극(175)은 인접하는 정전기 트랜지스터(410)의 정전 드레인 전극(175)과 드레인 연결부(75)를 통해 연결되어 있다. 따라서, 복수개의 정전기 트랜지스터(410)의 정전 소스 전극(173)은 모두 서로 연결되어 있고, 정전 드레인 전극(175)도 모두 서로 연결되어 있다.
이와 같이, 트랜지스터가 모두 연결되어 있는 표시 화소(191)와 동일하게, 더미 화소(192)도 소스 연결부(73)와 드레인 연결부(75)를 통해 서로 연결되어 있으므로, 표시 화소의 정전기 변화와 동일한 정전기 변화를 측정할 수 있다.
본 실시예에서는 소스 연결부(73)와 드레인 연결부(75)가 모두 형성되어 있으나, 소스 연결부(73)만 또는 드레인 연결부(75)만 형성될 수도 있다.
정전기 트랜지스터(410)의 층상 구조에 대해 이하에서 도 4를 참고하여 상세히 설명한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 더미부(P)의 기판(111) 위에는 버퍼층(120)이 형성되어 있다. 그리고 버퍼층(120) 위에는 정전 반도체층(130)이 형성되어 있고, 정전 반도체층(130) 및 버퍼층 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 절연막(140) 위에는 정전 게이트 전극(150)이 형성되어 있고, 정전 게이트 전극(150) 및 게이트 절연막(140) 위에는 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 층간 절연막(160) 상에는 정전 소스 전극(173) 및 정전 드레인 전극(175)이 형성되어 있으며, 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 개구부를 통해 정전 반도체층(130)의 소스 영역(133) 및 드레인 영역(135)은 각각 정전 소스 전극(173) 및 정전 드레인 전극(175)과 연결되어 있다. 정전 소스 전극(173) 및 정전 드레인 전극(175) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다.
한편, 복수개의 정전기 트랜지스터(410)를 포함하는 정전기 태그(400)를 둘러싸는 통합 가드 링(1)이 형성되어 있다. 통합 가드 링(1)은 복수개의 정전기 트랜지스터(410)를 모두 둘러싸고 있으며, 정전 게이트 전극(150) 또는 정전 드레인 전극(175)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 또한, 통합 가드 링(1)은 정전 게이트 전극(150) 또는 정전 드레인 전극(175)과 동일한 층에 형성할 수 있다. 따라서, 정전기 발생 시 통합 가드 링(1)은 정전기 트랜지스터(410)와 함께 정전기를 흡수하게 되어 정전기 트랜지스터(410)에 흡수되는 정전기의 양을 줄일 수 있어 정전기 트랜지스터(410)의 열화를 방지할 수 있다.
상기의 제1 실시예에서는 정전기 태그를 둘러싸고 있는 통합 가드 링(1)이 형성되어 있으나, 하나의 정전기 트랜지스터를 둘러싸고 있는 단일 가드 링(2)이 형성될 수도 있다.
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 제2 실시예를 설명한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 정전기 태그의 평면도이고, 도 6은 도 5의 VI-VI선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 정전기 트랜지스터(410)는 정전 반도체층(130), 정전 반도체층(130)과 일부 중첩하고 있으며 게이트 신호를 전달하는 정전 게이트 전극(150), 정전 반도체층(130)의 소스 영역(133) 및 드레인 영역(135)과 각각 연결되어 있는 정전 소스 전극(173) 및 정전 드레인 전극(175)을 포함한다. 이러한 정전기 트랜지스터(410)는 정전 게이트 전극(150)에 연결되어 있는 정전 게이트 패드(30), 정전 소스 전극(173)에 연결되어 있는 정전 소스 패드(50), 정전 드레인 전극(175)에 연결되어 있는 정전 드레인 패드(60)를 포함한다. 정전 게이트 패드(30), 정전 소스 패드(50) 및 정전 드레인 패드(60)는 외부 신호를 입력하는 프로브(probe)와 접촉할 수 있도록 넓게 형성되어 있다. 정전 게이트 패드(30), 정전 소스 패드(50) 및 정전 드레인 패드(60)는 동일 선상에 배치되어 있다.
하나의 정전기 트랜지스터(410)를 둘러싸는 단일 가드 링(2)이 형성되어 있다. 단일 가드 링(2)은 정전 게이트 전극(150) 또는 정전 드레인 전극(175)과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 또한, 단일 가드 링(2)은 정전 게이트 전극(150) 또는 정전 드레인 전극(175)과 동일한 층에 형성할 수 있다.
이러한 단일 가드 링(2)은 정전기 발생 시 정전기 트랜지스터(410)와 함께 정전기를 흡수하게 되어 정전기 트랜지스터(410)에 흡수되는 정전기의 양을 줄일 수 있어 정전기 트랜지스터(410)의 열화를 방지할 수 있다.
단일 가드 링(2)의 폭(d)은 40㎛ 내지 200㎛일 수 있다. 단일 가드 링(2)의 폭이 40㎛보다 작은 경우, 단일 가드 링(2)이 흡수하는 정전기의 양이 적어 정전기 트랜지스터(410)의 열화가 발생하기 쉽다. 또한, 단일 가드 링(2)의 폭이 200㎛보다 큰 경우, 더미부(P)에서 단일 가드 링(2)이 차지하는 면적이 넓어져 데드 스페이스가 넓어지는 문제가 발생할 수 있다.
도 7은 단일 가드 링의 폭이 작은 표시 장치의 정전기 발생 이전 및 이후의 정전기 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 변화를 나타낸 그래프이고, 도 8은 단일 가드 링의 폭이 작은 표시 장치의 정전기 발생 이전 및 이후의 정전기 트랜지스터의 서브 쓰레스홀드 경사(Sub threshold Slop, S.S)의 변화를 나타낸 그래프이고, 도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 정전기 발생 이전 및 이후의 정전기 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 변화를 나타낸 그래프이고, 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 정전기 발생 이전 및 이후의 정전기 트랜지스터의 서브 쓰레스홀드 경사(Sub threshold Slop, S.S)의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7 내지 도 10은 표시 장치의 트랜지스터를 기판으로부터 분리하는 경우 발생하는 정전기에 의한 정전기 트랜지스터의 특성 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 단일 가드 링(2)의 폭이 40㎛ 이하인 경우, 소스 드레인 전압차인 Vds가 0.1V, 5.1V, 10.1V일 때, 문턱 전압과 서브 쓰레스홀드 경사(Sub threshold Slop, S.S)는 정전기 발생 이전 및 이후에 큰 변화를 보임을 알 수 있다. 따라서, 정전기 트랜지스터(410)의 열화가 발생하기 쉽다.
그러나, 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 단일 가드 링(2)의 폭이 40㎛ 내지 200㎛인 본 발명의 실시예의 경우 문턱 전압과 서브 쓰레스홀드 경사(Sub threshold Slop, S.S)는 정전기 발생 이전 및 이후에도 변화가 없음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치는 정전기 발생 시 단일 가드 링(2)이 정전기를 흡수하게 되어 정전기 트랜지스터(410)의 열화가 발생하지 않는다.
한편, 상기의 제1 실시예에서는 복수개의 정전기 태그가 표시부의 4개의 모서리부에 형성되었으나, 복수개의 정전기 태그는 표시부의 가장자리를 따라 형성될 수도 있다.
이하, 도 11을 참조하여 본 발명의 제3 실시예를 설명한다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 11에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치는 실런트(350) 내부의 표시 영역(DA)은 화상을 표시하는 복수개의 표시 화소(191)를 포함하는 표시부(S), 표시부(S)의 주변에 형성되는 복수개의 더미 화소(192)를 포함하는 더미부(P)를 포함한다.
복수개의 정전기 태그(400)는 표시부(S)의 가장자리를 따라 더미부(P)에 형성되어 있다. 정전기 태그(400)는 더미부(P)의 더미 화소(192) 내부에 형성되어 있다. 이와 같이, 많은 수의 정전기 태그(400)를 형성함으로써, 정전기에 의한 표시 장치의 영향을 정확하게 모니터링할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
1: 통합 가드 링 2: 단일 가드 링
30: 정전 게이트 패드 50: 정전 소스 패드
60: 정전 드레인 패드 73: 소스 연결부
75: 드레인 연결부 130: 정전 반도체층
150: 정전 게이트 전극 173: 정전 소스 전극
175: 정전 드레인 전극 400: 정전기 태그
410: 정전기 트랜지스터

Claims (13)

  1. 표시 기판,
    상기 표시 기판 상에 배치되는 밀봉 부재,
    상기 표시 기판과 상기 밀봉 부재 사이에 배치되는 실런트,
    상기 실런트의 둘레의 내측에 배치되고, 화상을 표시하는 복수개의 표시 화소를 포함하는 표시부,
    상기 실런트의 둘레의 내측에 배치되고, 상기 표시부의 주변에 형성되는 복수개의 더미 화소를 포함하는 더미부
    를 포함하고,
    상기 더미 화소 내부에는 정전기 태그가 형성되어 있고,
    상기 정전기 태그는 복수개의 정전기 트랜지스터를 포함하고,
    상기 복수개의 정전기 트랜지스터의 정전 소스 전극은 소스 연결부를 이용하여 서로 연결되어 있는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 정전기 트랜지스터의 정전 드레인 전극은 드레인 연결부를 이용하여 서로 연결되어 있는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 정전기 트랜지스터는 정전 게이트 전극에 연결되어 있는 정전 게이트 패드, 상기 정전 소스 전극에 연결되어 있는 정전 소스 패드, 상기 정전 드레인 전극에 연결되어 있는 정전 드레인 패드를 포함하고, 상기 정전 게이트 패드, 정전 소스 패드 및 정전 드레인 패드는 동일 선상에 배치되어 있는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 정전기 트랜지스터를 둘러싸고 있는 단일 가드 링을 더 포함하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 단일 가드 링의 폭은 40㎛ 내지 200㎛인 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 단일 가드 링은 상기 정전 게이트 전극 또는 상기 정전 드레인 전극과 동일한 물질로 형성되어 있는 표시 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 정전기 태그를 둘러싸고 있는 통합 가드 링을 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 통합 가드 링의 폭은 40㎛ 내지 200㎛인 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 통합 가드 링은 상기 정전 게이트 전극 또는 상기 정전 드레인 전극과 동일한 물질로 형성되어 있는 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 정전기 태그는 상기 표시부의 4개의 모서리부에 인접하여 형성되어 있는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 정전기 태그는 상기 표시부의 가장자리를 따라 형성되어 있는 표시 장치.
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