TW201316016A - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

根據本發明之一例示性實施例的一種顯示裝置包含顯示部分，其包含顯示影像之複數個顯示像素；以及虛擬部分，其包含形成於顯示部分之周邊區域的複數個虛擬像素。靜電測試元件組可形成於至少一虛擬像素中。

Description

顯示裝置

下列敘述係關於一種顯示裝置。更特別地，下列敘述係關於一種顯示影像的顯示裝置。

為決定各製程是否產生期望結果，製造顯示裝置之製程需要測定從各製程產生之製造元件之厚度、電阻、密度、污染程度、閥值以及電特性。然而，測定過程可能損壞製造元件，因此，基板上之實質元件不應做為監測的目標。

此例中，測試元件組之圖樣形成於基板之特定部份中，其中多個測試元件以執行於其中形成實質元件之基板上之相同製程執行，而形成於或位於額外的空白區域中，且接著可藉由測定測試元件組來評定對應之製程。

為了監測於顯示裝置之製造製程中產生的靜電，包含電晶體之測試元件組係形成於顯示裝置之周邊區域中，且電晶體係測定以監測自電晶體轉換出之靜電。

然而，形成於測試元件組中之電晶體為一獨立電晶體，且因此它可能不能精確地代表位於顯示區域中彼此互相連接之複數個電晶體。因此，就算位於測試元件組中之電晶體因靜電而損壞(或退化)，位於顯示區域中之多個電晶體可能不會損壞(或退化)，且可正常地運作，故位於測試元件組中之電晶體可能無法精確地代表顯示區域中之電晶體。

如上所述，位於測試元件組中之電晶體為一獨立結構，使用位於測試元件組中之電晶體可能無法正確地量測於保護膜附著/分離製程、膜切割製程、雷射剝離製程及撓性顯示裝置之組件製程所產生之靜電。

上述於此先前技術章節揭露之資訊，只為加強發明所屬技術領域之理解，因此其可能包含未形成已為所屬技術領域具有通常知識者所熟知之先前技術的資訊。

本發明之一實施例的一態樣係直接關於嘗試提供一種顯示裝置，其能加強測定於一製程中產生之靜電。

根據本發明之一例示性實施例的一顯示裝置包含具有顯示影像之複數個顯示像素的一顯示部分、以及具有形成於顯示部分之周邊區域之複數個虛擬像素的一虛擬部分。一靜電測試元件組可形成於至少一虛擬像素中。

靜電測試元件組可包含複數個靜電電晶體。

複數個靜電電晶體之靜態源極電極可透過一源極連接部分互相連接。

複數個靜電電晶體之靜態汲極電極可透過一汲極連接部分互相連接。

至少一靜電電晶體可包含與靜電電晶體之靜態閘極電極連接的一靜態閘極墊片、與靜電電晶體之靜態源極電極連接的一靜態源極墊片、以及與靜電電晶體之靜態汲極電極連接的一靜態汲極墊片。此外，靜態閘極墊片、靜態源極墊片、以及靜態汲極墊片可設置於同一線上。

顯示裝置可更包含圍繞於各靜電電晶體之一單一保護環。

單一保護環的寬度可為40微米至200微米。

單一保護環可以對應之靜態閘極電極或靜態汲極電極之其中之ㄧ的相同材料而形成。

顯示裝置可更包含圍繞於靜電測試元件組之一整合保護環。

整合保護環的寬度可為40微米至200微米。

整合保護環可以靜態閘極電極或靜態汲極電極之相同材料而形成。

複數個靜電測試元件組可互相相鄰地形成於顯示部分之四個角落。

複數個靜電測試元件組可延著顯示部分之邊緣形成。

根據本發明之例示性實施例之顯示裝置係形成靜電測試元件組於形成於顯示部分之周邊區域中之虛擬像素中，而靜電測試元件組中的靜電電晶體係改變以代表位於顯示部分中之電晶體之變化，從而加強測定製程(例如生產製程)中所產生之靜電。

再者，在本發明之例示性實施例中，顯示裝置由於靜電之缺陷能正確地測定，從而改進製程。

本發明將參考以下附圖更完全地說明，其中顯示本發明之例示性實施例。如所屬技術領域者將了解的是，說明的例示性實施例可修改成多種不同方式，全部未脫離本發明之精神與範疇。

第1圖為根據本發明之第一例示性實施例之顯示裝置100的上平面圖，且第2圖為第1圖之A部份之放大圖。

如第1圖所示，為根據本發明之第一例示性實施例的顯示裝置100包含一顯示基板110、覆蓋顯示基板110之一密封構件210、以及設置於顯示基板110及密封構件210之間之一密封劑350。

密封劑350係沿著密封構件210之一邊緣而設置，且密封劑350以一氣密方式使顯示基板110及密封構件210密封於一起。以下，位於被密封劑350所園繞之顯示基板110及密封構件210之間的一內部區域即稱為一顯示區域DA。複數個顯示像素形成於顯示區域DA以顯示影像。

密封構件210於尺寸上係形成而小於顯示基板110。此外，驅動電路晶片550在不被密封構件210覆蓋下安裝於顯示基板110之邊緣上。

在顯示基板110之邊緣中，複數條導電線510電性連接於形成於由密封劑350及驅動電路晶片550所形成之一密封區域中之元件。因此，導電線510部份地與密封劑350重疊。

如第1圖及第2圖所示，位於密封劑350中之顯示區域DA包含一顯示部分S，其包含顯示影像之複數個顯示像素191、以及一虛擬部分P，其包含形成於顯示部分S之周邊區域中的複數個虛擬像素192。

在此，顯示像素191顯示影像，而虛擬像素192用於相對地加強顯示部分S之可見度、修復顯示像素、或預防在周邊區域中由於生產製程之錯誤而產生之顯示不均勻性。

一靜電測試元件組400形成於一虛擬像素192中，以測定顯示裝置之生產過程所產生之靜電。一靜電測試元件組400可形成於顯示部分S之四個角落的每一角落。更詳細地，靜電測試元件組400可形成於虛擬部分P之虛擬像素192中，其於顯示部分S之四個角落的每一角落與顯示部分S相鄰。如上所述，顯示裝置上靜電之影響能藉由形成靜電測試元件組400於虛擬像素192而正確地被測定，其相鄰於其中靜電能輕易地產生且收集之一或多個角落部分。

第3圖為形成於第2圖之虛擬像素中之靜電測試元件組400的上平面圖，且第4圖為延著第3圖之線段IV-IV所截取的橫切面圖。

如第3圖所示，靜電測試元件組400包含複數個靜電電晶體410。複數個靜電電晶體410被排列成一組或預定的矩陣。

一靜電電晶體410包含一靜態半導體層130、部份地與靜態半導體層130重疊及傳遞一閘極訊號之一靜態閘極電極150、一靜態源極電極173、以及一靜態汲極電極175。靜態源極電極173及靜態汲極電極175分別與靜態半導體層130的一源極區域133及一汲極區域135相連接。一資料訊號係透過靜態源極電極173而傳遞。

此外，靜電電晶體410包含連接於靜態閘極電極150之一靜態閘極墊片30、連接於靜態源極電極173之一靜態源極墊片50、以及連接於靜態汲極電極175之靜態汲極墊片60。靜態閘極墊片30、靜態源極墊片50、以及靜態汲極墊片60形成足夠寬以接觸輸入外部訊號之探測器。

因此，閘極訊號輸入靜態閘極墊片30，而此時靜電造成之靜電電晶體410之改變能藉由測量流至靜態源極墊片50及靜態汲極墊片60之資料訊號而測定。

如上所述，顯示像素191之靜電的改變能藉由形成靜電電晶體410於虛擬像素192中而非於密封劑350外部之周邊區域中而正確地測定。

在此例中，靜電電晶體410之靜態源極電極173透過源極連接部分73與每一鄰近的靜電電晶體410之靜態源極電極173連接，且靜電電晶體410之靜態汲極電極175透過汲極連接部分75與每一鄰近的靜電電晶體410之靜態汲極電極175連接。因此，複數個靜電電晶體410之靜態源極電極173係彼此互相連接，且靜態汲極電極175係彼此互相連接。

如上所述，如顯示像素191中多個電晶體係彼此互相連接一樣，多個虛擬像素192係透過源極連接部分73及汲極連接部分75而彼此互相連接，且使等同於顯示像素191之靜電改變之相對應靜電改變能被測定(或呈現)。

在本例示性實施例中，源極連接部分73及汲極連接部分75係形成，但本發明並不因此設限。例如，係只有源極連接部分73或只有汲極連接部分75可形成。

靜電電晶體410之層狀結構將參考第4圖說明。

如第4圖所示，一緩衝層120形成於虛擬部分P之基板111上。靜態半導體層130形成於緩衝層120上，以及一閘極絕緣層140形成於靜態半導體層130及緩衝層120上。此外，靜態閘極電極150形成於閘極絕緣層140上，且一層間絕緣層160形成於靜態閘極電極150及閘極絕緣層140上。靜態源極電極173及靜態汲極電極175形成於層間絕緣層160上，且靜態半導體層130之一源極區域133及一汲極區域135係分別透過形成於層間絕緣層160及閘極絕緣層140之開口而分別連接於靜態源極電極173及靜態汲極電極175。一保護層180形成於靜態源極電極173及靜態汲極電極175上。

一整合保護環1係形成，以圍繞包含複數個靜電電晶體410之靜電測試元件組400。整合保護環1完全地圍繞複數個靜電電晶體410，且可由靜態閘極電極150或靜態汲極電極175之相同材料所形成。整合保護環1可形成於靜態閘極電極150或靜態汲極電極175所形成之同一層中。因此，當靜電產生，整合保護環1連同靜電電晶體410一起吸收靜電，以減少被靜電電晶體410吸收之靜電量，因此減少或預防靜電電晶體410退化。在一實施例中，整合保護環1具40微米至200微米之寬度d。

在第一例示性實施例中，整合保護環1形成以圍繞靜電測試元件組，但一單一保護環2可形成以圍繞單一靜電電晶體。

此後，本發明之第二例示性實施例將參考第5圖及第6圖說明。

第5圖為根據本發明之第二例示性實施例之顯示裝置之靜電測試元件組的上平面圖，而第6圖為延著第5圖之線段IV-IV所截取的橫切面圖。

第5圖及如第6圖所示，根據本發明之第二例示性實施例之顯示裝置的一靜電電晶體410包含一靜態半導體層130、部分地與靜態半導體層130重疊及傳遞一閘極訊號之一靜態閘極電極150、一靜態源極電極173、以及一靜態汲極電極175。靜態源極電極173及靜態汲極電極175係分別地與靜態半導體層130之一源極區域及一汲極區域相連接。上述之靜電電晶體410包含連接於靜態閘極電極150之一靜態閘極墊片30、連接於靜態源極電極173之一靜態源極墊片50、以及連接於靜態汲極電極175之一靜態汲極墊片60。靜態閘極墊片30、靜態源極墊片50、及靜態汲極墊片60係形成足夠寬以接觸輸入外部訊號之探測器。靜態閘極墊片30、靜態源極墊片50、及靜態汲極墊片60係設置於同一線上。

一單一保護環2係形成以圍繞一單一靜電電晶體410。單一保護環2可由靜態閘極電極150或靜態汲極電極175之相同材料而形成。此外，單一保護環2可形成於靜態閘極電極150或靜態汲極電極175所形成之同一層。

當靜電產生時，單一保護環2連同靜電電晶體410一起吸收靜電，以減少被靜電電晶體410吸收之靜電量，因此減少或預防靜電電晶體410退化。

在一實施例中，單一保護環2具有40微米至200微米之寬度d。亦即，在一實施例中，當單一保護環2之寬度小於40微米時，單一保護環無法吸收足夠量之靜電，因此導致靜電電晶體410退化。在另一實施例中，當單一保護環2之寬度大於200微米時，在虛擬部分P中單一保護環2之區域係增加，因此死角係增加。

第7圖為說明具有狹幅單一保護環之顯示裝置之靜電電晶體在產生靜電前後之電壓閥値Vth變化之示意圖。第8圖為說明具有狹幅單一保護環之顯示裝置之靜電電晶體在產生靜電前後之次臨界斜率(sub-threshold slope, S.S)變化之示意圖。第9圖為說明根據本發明第二例示性實施例中，顯示裝置之靜電電晶體在產生靜電前後之電壓閥値Vth之變化之示意圖，第10圖為說明根據本發明第二例示性實施例，顯示裝置之靜電電晶體在產生靜電前後之次臨界斜率之變化。

第7圖至第10圖為說明當顯示裝置之電晶體從基板分離時，靜電電晶體由於靜電之產生而特有的變化。

如第7圖及第8圖所示，當單一保護環2之寬度小於40微米及一源極汲極電壓差Vds為0.1V、5.1V及10.1V時，電壓閥値及次臨界斜率在產生靜電前後有顯著的改變。因此，靜電電晶體410可能容易地損壞或退化。

然而，如第9圖及第10圖所示，當本發明之例示性實施例的單一保護環2之寬度為40微米至200微米時，電壓閥値及次臨界斜率在產生靜電前後未有任何改變。因此，當靜電產生於依據本發明之第二例示性實施例之顯示裝置時，單一保護環2吸收靜電，以減少或預防靜電電晶體410退化。

此外，在第一例示性實施例中，複數個靜電測試元件組形成於顯示部分之四個角落，但本發明並不因此設限。例如，複數個靜電測試元件組可沿著顯示部分之邊緣形成。

下文中，本發明之第三例示性實施例將參考第11圖而說明。

第11圖為根據本發明之第三例示性實施例之顯示裝置的上平面圖。

如第11圖所示，根據本發明之第三例示性實施例之顯示裝置的一密封劑350包含顯示區域DA。顯示區域DA包含一顯示部分S，其包含顯示影像的複數個顯示像素；以及一虛擬部分P，其包含形成於顯示部分S之周邊區域的複數個虛擬像素。

複數個靜電測試元件組400延著顯示部份S之邊緣形成於虛擬部分P中。多個靜電測試元件組400形成於虛擬部分P之虛擬像素中。如上所述，顯示裝置上靜電的影響能藉由形成大量的靜電測試元件組400而正確地監測。

雖然此發明已結合目前所考量具實行性的例示性實施例而說明，應了解本發明並未因所揭露之實施例而設限，且相反地，其係旨在涵蓋包含於後附申請專利範圍及其等效物之精神與範疇內不同的修改及等效配置。

1．．．整合保護環

2．．．單一保護環

30．．．靜態閘極墊片

50．．．靜態源極墊片

60．．．靜態汲極墊片

73．．．源極連接部分

75．．．汲極連接部分

100．．．顯示裝置

110．．．顯示基板

111．．．基板

120．．．緩衝層

130．．．靜態半導體層

133．．．源極區域

135．．．汲極區域

140．．．閘極絕緣層

150．．．靜態閘極電極

160．．．層間絕緣層

173．．．靜態源極電極

175．．．靜態汲極電極

180．．．保護層

191．．．顯示像素

192．．．虛擬像素

210．．．密封構件

350．．．密封劑

400．．．靜電測試元件組

410．．．靜電電晶體

510．．．導電線

550．．．驅動電路晶片

d．．．寬度

DA．．．顯示區域

P．．．虛擬部分

S．．．顯示部分

第1圖為根據本發明第一例示性實施例之顯示裝置的上平面圖。
第2圖為第1圖中A部分的放大圖。
第3圖為形成於第2圖之虛擬像素中之靜電測試元件組的上平面圖。
第4圖為延著第3圖之線段IV-IV所截取的橫切面圖。
第5圖為根據本發明第二例示性實施例之顯示裝置之靜電測試元件組的上平面圖。
第6圖為延著第5圖之線段VI-VI所截取的橫切面圖。
第7圖為說明具有狹幅單一保護環之顯示裝置之靜電電晶體在產生靜電前後電壓閥値Vth之變化之示意圖。
第8圖為說明具有狹幅單一保護環之顯示裝置之靜電電晶體在產生靜電前後次臨界斜率(sub-threshold slope, S.S)之變化之示意圖。
第9圖為說明根據本發明第二例示性實施例，顯示裝置之靜電電晶體在產生靜電前後之電壓閥値Vth之變化之示意圖。
第10圖為說明根據本發明第二例示性實施例，顯示裝置之靜電電晶體在產生靜電前後次臨界斜率之變化之示意圖。
第11圖為根據本發明第三例示性實施例之顯示裝置的上平面圖。

100．．．顯示裝置

110．．．顯示基板

210．．．密封構件

350．．．密封劑

400．．．靜電測試元件組

510．．．導電線

550．．．驅動電路晶片

DA．．．顯示區域

P．．．虛擬部分

S．．．顯示部分

Claims (13)

1. 一種顯示裝置，其包含：
   一顯示部分，其包含顯示一影像之複數個顯示像素；以及
   一虛擬部分，其包含位於該顯示部分之ㄧ周邊區域的複數個虛擬像素，
   其中一靜電測試元件組位於該複數個虛擬像素之至少一虛擬像素中。
2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該靜電測試元件組包含複數個靜電電晶體。
3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該複數個靜電電晶體之多個靜態源極電極係透過一源極連接部分互相連接。
4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中該複數個靜電電晶體之多個靜態汲極電極係透過一汲極連接部分互相連接。
5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中該複數個靜電電晶體之至少一靜電電晶體包含連接於該至少一靜電電晶體之一靜態閘極電極的一靜態閘極墊片、連接於該至少一靜電電晶體之該靜態源極電極的一靜態源極墊片、以及連接於該至少一靜電電晶體之該靜態汲極電極的一靜態汲極墊片，且其中該靜態閘極墊片、該靜態源極墊片、以及該靜態汲極墊片係設置於同一線上。
6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，更包含圍繞於每一該複數個靜電電晶體之一單一保護環。
7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該單一保護環之寬度為40微米至200微米。
8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該單一保護環係由所對應之該些靜態閘極電極或該些靜態汲極電極之其中之一之相同材料所形成。
9. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，更包含圍繞於該靜電測試元件組之一整合保護環。
10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該整合保護環之寬度為40微米至200微米。
11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該整合保護環由該些靜態閘極電極或該些靜態汲極電極之相同材料所形成。
12. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該靜電測試元件組包含互相相鄰地形成於該顯示部分之四個角落的複數個該靜電測試元件組。
13. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該靜電測試元件組包含延著該顯示部分之一邊緣所形成的複數個該靜電測試元件組。