JP4546723B2 - 表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板上に走査線、データ線及びスイッチング素子を備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：以下、ＬＣＤという）に関し、特に、基板上に形成された走査線、データ線及びスイッチング素子間を静電気による破壊や短絡から保護する静電気保護素子を備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置に関する。

スイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型のＬＣＤは、優れた画像品質が得られるフラットパネル・ディスプレイとしてコンピュータやＯＡ機器等に多用されている。このアクティブマトリックス型のＬＣＤは、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴという）及び画素電極が形成されたアレイ基板と共通電極が形成された対向基板との間に封止した液晶に対して両電極から電圧を印加して液晶を駆動するようになっている。

図８は、従来のＬＣＤに用いられるアレイ基板１０１を基板面に向かってみた状態を示している。アレイ基板１０１上には、図中基板左右方向に延びる走査線１０２が上下方向に平行に複数形成されている。また、複数の走査線１０２上には図示を省略した絶縁膜が形成され、絶縁膜上には走査線１０２に交差して複数のデータ線１０４が形成されている。複数の走査線１０２とデータ線１０４との各交差部には画素領域が形成され、各画素領域内にはＴＦＴと画素電極（共に不図示）が形成されている。ＴＦＴのゲート電極は所定の走査線１０２に接続され、ドレイン電極は所定のデータ線１０４に接続され、ソース電極は画素領域内の画素電極に接続されている。

各走査線１０２の両端部近傍には、走査線用静電気保護配線部１０６が形成されている。走査線用静電気保護配線部１０６は、走査線用静電気保護配線１０８と、各走査線１０２と走査線用静電気保護配線１０８とを接続する走査線用静電気保護素子１１０とを有している。走査線用静電気保護配線１０８はドレイン金属で形成され、各走査線１０２の上層に絶縁膜を介して交差して形成されている。さらに、走査線用静電気保護配線部１０６から引き出された走査線用検査端子１１１が形成されている。走査線用検査端子１１１は、走査線用静電気保護配線１０８と各走査線１０２との短絡欠陥の有無を検査するために用いられる。

各データ線１０４の両端部近傍にはデータ線用静電気保護配線部１１２が形成されている。データ線用静電気保護配線部１１２は、データ線用静電気保護配線１１４と、各データ線１０４とデータ線用静電気保護配線１１４とを接続するデータ線用静電気保護素子１１６とを有している。データ線用静電気保護配線１１４はゲート金属で形成され、各データ線１０４の下層に絶縁膜を介して交差して形成されている。さらに、データ線用静電気保護配線部１１２から引き出されたデータ線用検査端子１１７が形成されている。データ線用検査端子１１７は、データ線用静電気保護配線１１４と各データ線１０４との短絡欠陥の有無を検査するために用いられる。
さらに、アレイ基板１０１上には、高抵抗部１１８が形成されている。高抵抗部１１８は、走査線用静電気保護配線部１０６とデータ線用静電気保護配線部１１２とを接続している。

各走査線１０２と走査線用静電気保護配線１０８との短絡欠陥検査は、走査線用検査端子１１１と各走査線１０２との間に順次電圧を印加して、走査線用検査端子１１１と各走査線１０２との間に流れる電流量を測定して行われる。同様に、各データ線１０４とデータ線用静電気保護配線１１４との短絡欠陥検査は、データ線用検査端子１１７と各データ線１０４との間に順次電圧を印加して、データ線用検査端子１１７と各データ線１０４との間に流れる電流量を測定して行われる。

ところで、走査線用静電気保護配線部１０６とデータ線用静電気保護配線部１１２とは、高抵抗部１１８で電気的にほぼ開放された状態になっている。このため、走査線用静電気保護配線部１０６及びデータ線用静電気保護配線部１１２に、それぞれ走査線用検査端子１１１及びデータ線用検査端子１１７が必要になる。従って、当該短絡欠陥検査において、走査線１０２又はデータ線１０４のそれぞれの短絡検査毎に、各端子１１１、１１７にプロービングして電圧を印加する必要があり、短絡検査に要する時間が長くなってしまう。さらに、短絡欠陥検査装置（不図示）の制約で、走査線用検査端子１１１及びデータ線用検査端子１１７を所定の場所に集中して形成する必要があると、走査線用検査端子１１１及びデータ線用検査端子１１７の引き出し線が長くなる可能性がある。これにより、当該引き出し線にノイズが混入し易くなって、微量な電流量の変化を検出し難くなり、短絡検査の精度が低下してしまう。
特開平８−１７９３６６号公報

図９は、短絡検査工程の短縮化を図るために、検査用端子１２０を１箇所に形成したアレイ基板１０１を示す図である。図９に示すように、走査線用静電気保護配線部１０６とデータ線用静電気保護配線部１１２とは低抵抗配線１２２で接続されて電気的にほぼ短絡された状態になっている。このため、検査用端子１２０を１箇所にすることができる。これにより、検査用端子１２０への１回のプロービングで、走査線１０２側の短絡検査及びデータ線１０４側の短絡検査を全て行うことができ、短絡検査工程の短縮化を図ることができる。また、検査用端子１２０の引き出し配線を短くすることもできる。

ところで、アレイ基板１０１に対向基板（不図示）を貼り合わせて各基板間に液晶層（不図示）を封止して形成した液晶表示パネルの検査項目の１つに一括駆動検査がある。一括駆動検査では、全ての走査線１０２を電気的に接続して同一の駆動信号を一括して供給し、全てのデータ線１０４を電気的に接続して同一の駆動信号を一括して供給して液晶表示パネルの表示不良が検査される。図１０は、各走査線１０２及び各データ線１０４をそれぞれ接続した状態の等価回路を示している。図１０に示すように、アレイ基板１０１上に形成された各配線は、並列接続された複数の走査線１０２と並列接続された複数のデータ線１０４とが低抵抗配線１２２で直列に接続された状態になる。走査線用静電気保護素子１１０を含み１本当たりの抵抗Ｒが２ＭΩの走査線１０２が７６８本形成されていると、走査線１０２の合成抵抗値は約２．６ｋΩになる。また、データ線用静電気保護素子１１６を含み１本当たりの抵抗Ｒが２ＭΩのデータ線１０４が３０７２本形成されていると、データ線１０４の合成抵抗値は約０．６５ｋΩになる。低抵抗配線１２２の抵抗ｒが各合成抵抗に対して約０Ωと見做せると、各走査線１０２及び各データ線１０４をそれぞれ接続した状態の合成抵抗値は、約３．３ｋΩになる。

例えば、走査線１０２側に２５Ｖの電圧を印加して、データ線１０４側に５Ｖの電圧を印加すると、走査線１０２とデータ線１０４とが互いに干渉して走査線１０２側の電圧は低下してデータ線１０４側の電圧は上昇する。このため、各画素領域内に形成したＴＦＴのゲート電極に十分な電圧を印加できず、当該ＴＦＴのスイッチング機能が十分に発揮されないため所定の表示状態が得られなかったり、データ線１０４に印加した電圧が所望の電圧から変動して、所望の表示が得られなかったりする可能性がある。こうなると、液晶表示パネルで生じる不良なのか、一括駆動検査装置上の不具合なのかを判別し難くなる。また、走査線１０２とデータ線１０４との間の抵抗値測定等の電気的な検査も精度よく行い難くなる。さらに、走査線１０２とデータ線１０４との間の抵抗値を大きくするために、短絡検査終了後に、低抵抗配線１２２の切断工程を追加すると、ＬＣＤの製造工程が増加して、ＬＣＤが高コスト化してしまう。

本発明の目的は、静電気に対して十分な保護機能を備え、検査時間を短縮でき、精度の高い検査を行うことができる表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置を提供することにある。

上記目的は、複数の走査線と、前記走査線に絶縁膜を介して交差する複数のデータ線と、複数の画素毎に形成されたスイッチング素子とを有する表示装置用基板において、前記走査線に接続された走査線用静電気保護配線部と、前記データ線に接続されたデータ線用静電気保護配線部と、前記走査線用静電気保護配線部と前記データ線用静電気保護配線部とを電気的に接続し、パネル切断工程で切断されるパネル切断線を跨いで形成された接続配線部とを有することを特徴とする表示装置用基板によって達成される。

本発明によれば、静電気に対して十分な保護機能を備え、検査時間を短縮でき、精度の高い検査を行うことができる表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置を実現できる。

本発明の一実施の形態による表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置について図１乃至図７を用いて説明する。まず、本実施の形態による表示装置用基板の概略の構成について図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施の形態のアレイ基板（表示装置用基板）１を基板面に向かってみた状態を示す液晶表示パネルの概略構成である。図１において、一部の画素領域内には液晶駆動のための等価回路を示している。アレイ基板１上には、図中基板左右方向に延びる走査線２が上下方向に平行に複数形成されている。また、複数の走査線２上には図示を省略した絶縁膜が形成され、絶縁膜上には走査線２に交差して複数のデータ線４が形成されている。複数の走査線２とデータ線４との交差部には画素領域が形成され、各画素領域内にはＴＦＴ６と画素電極８が形成されている。ＴＦＴのゲート電極は所定の走査線２に接続され、ドレイン電極は所定のデータ線４に接続され、ソース電極は画素領域内の画素電極８に接続されている。パネル切断工程で切断されるパネル切断線１４とほぼ同一の大きさの不図示の対向基板には、共通電極１２が形成されている。アレイ基板１と対向基板との間には液晶１０が封止されている。

各画素領域内には、電荷保持用の蓄積容量電極１６が形成されている。蓄積容量電極１６は画素電極８を介してＴＦＴ６のソース電極に接続されている。また、蓄積容量電極１６下層には絶縁膜を介して蓄積容量線１８が形成されている。

所定の走査線２に出力された走査信号により当該走査線２にゲート電極が接続されたＴＦＴ６はオン状態となり、データ線４に出力された階調信号に基づく電圧が画素電極８に印加される。一方、対向基板の共通電極１２にも所定の電圧が印加され、画素電極８と共通電極１２とに印加された電圧により、画素電極８と共通電極１２の間の液晶１０が駆動されるようになっている。

各走査線２の両端部近傍には、走査線用静電気保護配線部２０が形成されている。走査線用静電気保護配線部２０は、走査線用静電気保護配線２２と、各走査線２と走査線用静電気保護配線２２とを接続する走査線用静電気保護素子２４とを有している。走査線用静電気保護配線２２はドレイン金属層で形成され、各走査線２の上層に絶縁膜を介して交差して形成されている。さらに、図中右側の走査線用静電気保護配線部２０から引き出された検査用端子３２が形成されている。検査用端子３２は、走査線用静電気保護配線２２と各走査線２との短絡欠陥の有無、及びデータ線用静電気保護配線２８と各データ線４との短絡欠陥の有無を検査するために用いられる。

各データ線４の両端部近傍にはデータ線用静電気保護配線部２６が形成されている。データ線用静電気保護配線部２６は、データ線用静電気保護配線２８と、各データ線４とデータ線用静電気保護配線２８とを接続するデータ線用静電気保護素子３０とを有している。データ線用静電気保護配線２８はゲート金属層で形成され、各データ線４の下層に絶縁膜を介して交差して形成されている。
さらに、アレイ基板１上には、高抵抗部３４が形成されている。高抵抗部３４は、走査線用静電気保護配線部２０とデータ線用静電気保護配線部２８とを接続してパネル切断線１４近傍の四隅にそれぞれ形成されている。

図２は、高抵抗部３４の等価回路を示している。図２に示すように、高抵抗部３４は容量結合性のトランジスタである第１乃至第３のＴＦＴ３８、４０、４２及び導電体４４を有している。静電気保護素子である第１のＴＦＴ３８のソース電極（Ｓ）はデータ線用静電気保護素子部２６に接続されており、他方のドレイン電極（Ｄ）は走査線用静電気保護素子部２０に接続されている。第１のＴＦＴ３８のゲート電極（Ｇ）はデータ線用静電気保護素子部２６と走査線用静電気保護素子部２０のいずれとも電気的に絶縁された導電体４４に接続されている。

一方、第２のＴＦＴ４０のソース電極（Ｓ）はデータ線用静電気保護素子部２６に接続されており、他方のドレイン電極（Ｄ）は導電体４４に接続されている。また、第３のＴＦＴ４２のドレイン電極（Ｄ）は導電体４４に接続されており、他方のソース電極（Ｓ）は走査線用静電気保護素子部２０に接続されている。第２及び第３のＴＦＴ４０、４２のゲート電極（Ｇ）はいずれのパターンにも接続されておらず孤立している。

静電気により走査線用静電気保護素子部２０に対して正の高電圧がデータ線用静電気保護素子部２６に発生すると、第２及び第３のＴＦＴ４０、４２のゲート電極（Ｇ）にはそれぞれゲート−ソース間及びゲート−ドレイン間の寄生容量（不図示）によって内分された高電圧が印加されて第２及び第３のＴＦＴ４０、４２でチャネルが形成される。その結果、第２及び第３のＴＦＴ４０、４２を通して電流が流れ、導電体４４の電位も上昇する。それにより第１のＴＦＴ３８にチャネルが形成されて導電率が大きくなるため静電気による電荷が解放される。

走査線用静電気保護素子２４及びデータ線用静電気保護素子３０も高抵抗部３４と同様の構成を有しており、走査線用静電気保護素子２４及びデータ線用静電気保護素子３０は同様の動作で走査線２やデータ線４に静電気によって蓄積された電荷を解放できる。

図１に戻り、アレイ基板１上には、走査線用静電気保護配線部２０とデータ線用静電気保護配線部２６とを電気的に接続し、パネル切断線１４を跨いで形成された接続配線部３６が形成されている。接続配線部３６はパネル切断線１４近傍の四隅に形成され、各高抵抗部３４に並列に接続されている。接続配線部３６は、走査線用静電気保護配線部２０から引き出されてパネル切断線１４を跨ぐ第１の配線３６ａと、データ線用静電気保護配線部２６から引き出されてパネル切断線１４を跨ぐ第２の配線３６ｂと、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂを電気的に接続する第３の配線３６ｃとを有している。第１の配線３６ａはＡｌ（アルミニウム）等の低抵抗金属のドレイン配線層で形成され、第２の配線３６ｂはＡｌ等の低抵抗金属のゲート配線層で形成され、第３の配線３６ｃはゲート配線層で形成されている。第１及び第３の配線３６ａ、３６ｃ間には絶縁層（不図示）が形成されているので、第１及び第３の配線３６ａ、３６ｃは絶縁層に設けられたコンタクトホール（不図示）を介して接続されている。なお、第３の配線３６ｃはドレイン配線層で形成してもよい。この場合、第２及び第３の配線３６ｂ、３６ｃは絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して接続される。接続配線部３６の抵抗値が高抵抗部３４の非動作状態の抵抗値より低くなるように配線幅と配線長が形成される。例えば、高抵抗部３４の非動作状態の抵抗値が１ＭΩであれば、接続配線部３６の抵抗値は１０ｋΩ以下になるように形成される。接続配線部３６の上には腐食防止用の保護膜（不図示）が形成されている。

各走査線２と走査線用静電気保護配線２２との短絡欠陥検査及び各データ線４とデータ線用静電気保護配線２８との短絡欠陥検査は、検査用端子３２と各走査線２及び各データ線４との間に順次電圧を印加して、検査用端子３２と各走査線２及び各データ線４との間に流れる電流量を測定して行われる。

このように、走査線用静電気保護配線部２０とデータ線用静電気保護配線部２６とは、高抵抗部３４と接続配線部３６とで接続されている。接続配線部３６の方が高抵抗部３４より低抵抗になるように形成されているので、走査線用静電気保護配線部２０及びデータ線用静電気保護配線部２６間に流れる電流の多くは接続配線部３６を流れることになる。短絡欠陥検査において、各走査線２又は各データ線４と検査用端子３２間に流れる電流を十分に流せるように接続配線部３６を形成しておけば、検査用端子３２を１つにすることができる。これにより、検査用端子３２の配置場所の自由度が向上し、検査用端子３２の引き出し線を短くすることができる。従って、引き出し線にノイズが混入し難くなるので、微量な電流量の変化も検出することが可能になり、検出精度が向上する。

接続配線部３６はパネル切断線１４を跨いで形成されているので、アレイ基板１をパネル切断線１４で切断すると、パネル切断線１４を跨ぐ箇所で接続配線部３６は切断される。一方、高抵抗部３４はパネル切断線１４の内側に形成されているので、アレイ基板１をパネル切断線１４で切断しても、高抵抗部３４は切断されない。従って、アレイ基板１をパネル切断線１４で切断した後は、走査線用静電気保護配線部２０及びデータ線用静電気保護配線部２６は高抵抗部３４のみで接続されることになる。これにより、全ての走査線２及び全てのデータ線４をそれぞれ接続しても、アレイ基板１上の各配線の合成抵抗は高抵抗になる。従って、一括駆動検査を行うために各走査線２及び各データ線４に印加された電圧は互いに干渉され難くなるので、各画素領域内に形成したＴＦＴ６は所定のスイッチング機能を発揮すると共に、データ線４には所望の電圧が印加されるので、液晶表示パネルには所望の画像が表示される。これにより、液晶表示パネルの表示不良の検査を正確に行うことができる。さらに、走査線２とデータ線４との間の抵抗値測定等の電気的な検査も精度よく行うことができる。

ところで、アレイ基板１をパネル切断線１４で切断すると、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部はアレイ基板１切断面に露出する。第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ上には保護膜が形成されていても、アレイ基板１切断面には第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部の低抵抗金属配線層が露出する。この露出部に水分が付着すると低抵抗金属配線層が腐食してしまう可能性がある。そこで、接続配線部３６を走査線２又はデータ線４の少なくとも一方の駆動回路を実装する端子部近傍に形成し、駆動回路や端子部の腐食防止に用いる防湿剤で第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部を覆えば、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂの低抵抗金属配線層の腐食を防止できる。

図３は、データ線４駆動用の駆動回路４６を実装する端子部４８近傍に第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂを形成した例を示している。図３に示すように、データ線４端部に形成された端子部４８上には異方性導電膜５０が形成されている。異方性導電膜５０上に熱圧着で駆動回路４６が実装され、駆動回路４６は端子部４８に電気的に接続されている。駆動回路４６上と第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ上の一部に防湿剤５２が塗布されている。駆動回路４６の実装工程はパネル切断工程後に行われるので、防湿剤５２をパネル切断線１４の切断面に塗布すれば第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部を防湿剤５２で覆うことができる。これにより、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部の腐食を防止することができる。さらに、駆動回路４６実装面の裏面にも防湿剤５２を塗布すれば、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部の腐食防止効果を一層向上させることができる。また、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂを端子部４８近傍に形成しない場合であっても、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部を防湿剤５２で覆うようにすれば、同様の効果を奏する。

図４は、導電性酸化物配線層で接続配線部３６を形成したアレイ基板１のパネル切断線１４近傍を拡大して示している。導電性酸化物配線層として、例えばＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）が用いられる。図４に示すように、接続配線部３６はパネル切断線１４を跨いで形成され、接続配線部３６の抵抗値が１０ｋΩ以下になるように、配線幅や配線長が形成されている。ＩＴＯは水分で腐食し難いので、アレイ基板１の切断後、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部がパネル切断線１４の切断面に露出しても、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部の腐食を防止することができる。

ところで、ＩＴＯはＡｌ等の低抵抗金属配線層に比べて抵抗率が高い。また、接続配線部３６の配線領域の制約で、１０ｋΩ以下になるように配線幅や配線長を形成することができない場合には、図５に示すように、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂがパネル切断線１４を跨ぐ部分のみをＩＴＯ３６ｄで形成し、残りの部分及び第３の配線３６ｃを低抵抗金属配線層で形成すれば、接続配線部３６の抵抗値を１０ｋΩ以下にすることができる。さらに、アレイ基板１の切断後、パネル切断線１４の切断面にはＩＴＯ３６ｄが露出することになるので、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部の腐食を防止することができる。

図４及び図５における導電性酸化物配線層で形成した接続配線部３６においても、防湿剤を用いれば、第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂ端部の腐食防止効果を一層向上させることができる。

図６は、蓄積容量線１８を静電気から保護するために用いられる高抵抗部５４の等価回路を示しており、アレイ基板１のパネル切断線１４近傍を拡大して示している。各蓄積容量線１８は、ゲート金属層で形成された蓄積容量線束ね線部５６で接続されている。蓄積容量線束ね線部５６は不図示のトランスファを介して共通電極１２に接続されている。蓄積容量線１８に印加される電圧が走査線２やデータ線４に印加される電圧と干渉すると、各画素領域内のＴＦＴ６や液晶１０が所望の動作をすることができなくなり、液晶表示パネルの表示不良を引き起こす可能性がある。

そこで、蓄積容量線束ね線部５６と走査線用静電気保護配線部２０及びデータ線用静電気保護配線部２６とを電気的に分離するために、蓄積容量線束ね線部５６は高抵抗部５４を介して走査線用静電気保護配線部２０に接続されている。これにより、蓄積容量線束ね線部５６は走査線用静電気保護配線部２０及びデータ線用静電気保護配線部２６から電気的に分離されると共に、蓄積容量線１８を静電気から保護することが可能になる。図６に示すように、高抵抗部５４は高抵抗部３４と同様の回路構成を有している。第１のＴＦＴ３８’のソース電極（Ｓ）は走査線用静電気保護配線部２０に接続されており、他方のドレイン電極（Ｄ）は絶縁膜（不図示）に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して蓄積容量線束ね線部５６に接続されている。第１のＴＦＴ３８’のゲート電極（Ｇ）は走査線用静電気保護配線部２０と蓄積容量線束ね線部５６のいずれとも電気的に絶縁された導電体４４’に接続されている。

一方、第２のＴＦＴ４０’のソース電極（Ｓ）は走査線用静電気保護配線部２０に接続されており、他方のドレイン電極（Ｄ）は導電体４４’に接続されている。また、第３のＴＦＴ４２’のドレイン電極（Ｄ）は導電体４４’に接続されており、他方のソース電極（Ｓ）は第１のＴＦＴ３８’のドレイン電極（Ｄ）に接続されている。第２及び第３のＴＦＴ４０’、４２’のゲート電極（Ｇ）はいずれのパターンにも接続されておらず孤立している。
高抵抗部５４は高抵抗部３４と同様の動作で蓄積容量線１８に静電気で蓄積された電荷を解放する。

このように本実施の形態によれば、短絡欠陥検査では、接続配線部３６に電流が流れるので、１つの検査用端子３２から検査用の電圧を印加するだけで、各走査線２及び各データ線４の短絡の有無を検査することができる。また、パネル切断工程後は、走査線用静電気保護配線部２０とデータ線用静電気保護配線部２６とが高抵抗部３４で接続されるので、一括駆動検査において、液晶表示パネルの表示不良を正確に検査できる。

次に、本実施の形態による表示装置用基板の変形例について図７を用いて説明する。図７は、本変形例のアレイ基板１を基板面に向かってみた状態を示す液晶表示パネルの概略構成である。図７において、画素領域内の液晶駆動用の等価回路は省略している。また、図１に示した上記実施の形態のアレイ基板１の構成要素と同一の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。上記実施の形態のアレイ基板１は走査線用静電気保護配線部２０とデータ線用静電気保護配線部２６とを接続する高抵抗部３４を有している。これに対し、本変形例では高抵抗部３４を備えていない点に特徴を有している。この場合も、パネル切断線１４でアレイ基板１を切断すると、走査線用静電気保護配線部２０とデータ線用静電気保護配線部２６とは電気的に開放されて高抵抗で接続されていると見做すことができるので、同様の効果を奏する。

本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
上記実施の形態では、高抵抗部３４は第１乃至第３のＴＦＴ３８、４０、４２を有しているが、本発明はこれに限られない。例えば、高抵抗部３４を１ＭΩ以上の高抵抗配線で形成しても、同様の効果を奏する。高抵抗部３４の抵抗値は、接続配線部３６の抵抗値（第１、第２及び第３の配線３６ａ、３６ｂ、３６ｃの合成抵抗値）より高い抵抗値を有していれば、同様の効果を奏する。

また、上記実施の形態では、液晶表示装置を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、アレイ基板１は有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に用いることができる。

以上説明した実施の形態による表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
(付記１)
複数の走査線と、前記走査線に絶縁膜を介して交差する複数のデータ線と、複数の画素毎に形成されたスイッチング素子とを有する表示装置用基板において、
前記走査線に接続された走査線用静電気保護配線部と、
前記データ線に接続されたデータ線用静電気保護配線部と、
前記走査線用静電気保護配線部と前記データ線用静電気保護配線部とを電気的に接続し、パネル切断工程で切断されるパネル切断線を跨いで形成された接続配線部と
を有することを特徴とする表示装置用基板。
(付記２)
付記１記載の表示装置用基板において、
前記接続配線部は、前記走査線用静電気保護配線部から引き出されて前記パネル切断線を跨ぐ第１の配線と、前記データ線用静電気保護配線部から引き出されて前記パネル切断線を跨ぐ第２の配線と、前記第１及び第２の配線を電気的に接続する第３の配線とを有することを特徴とする表示装置用基板。
(付記３)
付記２記載の表示装置用基板において、
前記第１乃至第３の配線の少なくともいずれかは、低抵抗金属配線層を有していることを特徴とする表示装置用基板。
(付記４)
付記２又は３に記載の表示装置用基板において、
前記第１及び第２の配線は、前記パネル切断線を跨いで形成された導電性酸化物配線層を有していることを特徴とする表示装置用基板。
(付記５)
付記２記載の表示装置用基板において、
前記第１乃至第３の配線の少なくともいずれかは、導電性酸化物配線層を有していることを特徴とする表示装置用基板。
(付記６)
付記２乃至５のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
パネル切断後の前記第１及び第２の配線の端部は、パネル切断面に露出していることを特徴とする表示装置用基板。
(付記７)
付記４乃至６のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記導電性酸化物配線層は、ＩＴＯであることを特徴とする表示装置用基板。
(付記８)
付記１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記接続配線部に並列に接続され、前記走査線用静電気保護配線部と前記データ線用静電気保護配線部とを接続する高抵抗部を有することを特徴とする表示装置用基板。
(付記９)
付記８記載の表示装置用基板において、
前記高抵抗部は、非線形抵抗特性を有する素子を有していることを特徴とする表示装置用基板。
(付記１０)
付記８記載の表示装置用基板において、
前記高抵抗部は、前記第１、第２及び第３の配線の合成抵抗より高い抵抗値を有する高抵抗配線を有していることを特徴とする表示装置用基板。
(付記１１)
付記１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置用基板において、
前記複数の画素毎に形成された蓄積容量線と、
複数の前記蓄積容量線を束ねた蓄積容量線束ね線部と、
前記蓄積容量線束ね線部と前記走査線用静電気保護配線部とを接続する高抵抗部と
を有することを特徴とする表示装置用基板。
(付記１２)
対向配置された一対の基板と、前記基板間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方は、付記１乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置用基板であることを特徴とする液晶表示装置。

本発明の一実施の形態による表示装置用基板であって、アレイ基板１を基板面に向かってみた液晶表示パネルの概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態による表示装置用基板であって、高抵抗部３４の等価回路を示す図である。 本発明の一実施の形態による表示装置用基板であって、駆動回路４６を実装する端子部４８近傍に第１及び第２の配線３６ａ、３６ｂを形成した例を示す図である。 本発明の一実施の形態による表示装置用基板であって、導電性酸化物配線層で接続配線部３６を形成したアレイ基板１のパネル切断線１４近傍の拡大図である。 本発明の一実施の形態による表示装置用基板であって、パネル切断線１４を跨ぐ部分のみをＩＴＯ３６ｄで形成した接続配線部３６を示す図である。 本発明の一実施の形態による表示装置用基板であって、蓄積容量線１８を静電気から保護するために用いられる高抵抗部５４の等価回路を示す図である。 本発明の一実施の形態の変形例の表示装置用基板であって、アレイ基板１を基板面に向かってみた液晶表示パネルの概略構成を示す図である。 従来の表示装置用基板であって、アレイ基板１０１を基板面に向かってみた状態を示す図である。 従来の表示装置用基板であって、アレイ基板１０１を基板面に向かってみた状態を示す図である。 従来の表示装置用基板であって、各走査線１０２及び各データ線１０４をそれぞれ接続した状態の等価回路を示す図である。

符号の説明

１、１０１ アレイ基板
２、１０２ 走査線
４、１０４ データ線
６ ＴＦＴ
８ 画素電極
１０ 液晶
１２ 共通電極
１４ パネル切断線
１６ 蓄積容量電極
２０、１０６ 走査線用静電気保護配線部
２２、１０８ 走査線用静電気保護配線
２４、１１０ 走査線用静電気保護素子
２６、１１２ データ線用静電気保護配線部
２８、１１４ データ線用静電気保護配線
３０、１１６ データ線用静電気保護素子
３２、１２０ 検査用端子
３４、５４、１１８ 高抵抗部
３６ 接続配線部
３６ａ 第１の配線
３６ｂ 第２の配線
３６ｃ 第３の配線
３６ｄ ＩＴＯ
３８、３８’ 第１のＴＦＴ
４０、４０’ 第２のＴＦＴ
４２、４２’ 第３のＴＦＴ
４４、４４’ 導電体
４６ 駆動回路
４８ 端子部
５０ 異方性導電膜
５２ 防湿剤
５６ 蓄積容量線束ね線部
１１１ 走査線用検査端子
１１７ データ線用検査端子

Claims (5)

1. 複数の走査線と、前記走査線に絶縁膜を介して交差する複数のデータ線と、複数の画素毎に形成されたスイッチング素子とを有する表示装置用基板において、
   パネル切断工程で切断される枠状のパネル切断線の内側で対向して配置され、前記走査線に接続された一対の走査線用静電気保護配線部と、
   前記パネル切断線の内側で対向して配置され、前記データ線に接続された一対のデータ線用静電気保護配線部と、
   前記一対の走査線用静電気保護配線部と前記一対のデータ線用静電気保護配線部とを電気的に接続し、前記一対の走査線用静電気保護配線部と前記一対のデータ線用静電気保護配線部と共に環状となるように形成され、前記一対の走査線用静電気保護配線部及び前記一対のデータ線用静電気保護配線部から引き出されて前記パネル切断線を跨いで形成され、前記パネル切断線の四隅にそれぞれ形成された接続配線部と
   を有することを特徴とする表示装置用基板。
2. 請求項１記載の表示装置用基板において、
   前記接続配線部は、前記走査線用静電気保護配線部から引き出されて前記パネル切断線を跨ぐ第１の配線と、前記データ線用静電気保護配線部から引き出されて前記パネル切断線を跨ぐ第２の配線と、前記第１及び第２の配線を電気的に接続する第３の配線とを有することを特徴とする表示装置用基板。
3. 請求項２記載の表示装置用基板において、
   前記第１乃至第３の配線の少なくともいずれかは、低抵抗金属配線層を有していることを特徴とする表示装置用基板。
4. 請求項２又は３に記載の表示装置用基板において、
   前記第１及び第２の配線は、前記パネル切断線を跨いで形成された導電性酸化物配線層を有していることを特徴とする表示装置用基板。
5. 対向配置された一対の基板と、前記基板間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
   前記一対の基板の一方は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置用基板であることを特徴とする液晶表示装置。

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