JP2015029087A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、
   前記酸化物半導体層と前記ゲート電極層の間のゲート絶縁層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、
   前記酸化物半導体層を介して前記ゲート絶縁層と重なる絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第１の層と、前記第１の層と前記絶縁層との間の第２の層とを有し、
   前記第１の層及び前記第２の層はそれぞれ、１０ｎｍ以下のサイズの結晶を含み、
   前記第１の層及び前記第２の層はそれぞれ、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ又はＨｆ）で表記される酸化物半導体層であり、且つ、前記第２の層のインジウムに対するＭの原子数比は前記第１の層のインジウムに対するＭの原子数比よりも高いことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の層及び前記第２の層はそれぞれ、電子線のプローブ径を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下に収束させたナノビーム電子線回折における回折パターンにおいて、円周状に配置された複数のスポットが観察される領域を有する半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記絶縁層は、前記酸化物半導体層上に接して設けられ、且つ第１の開口部を有し、
   前記第１の開口部を介して、前記酸化物半導体層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の一方とが接する半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記第２の層は、前記第１の開口部と重なる第２の開口部を有し、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の一方は、前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して、前記第１の層と接する半導体装置。