JP2016074580A5 - 酸化物半導体膜 - Google Patents

Claims (12)

1. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン及び第２の電子回折パターンが得られ、
   前記第１の電子回折パターンは、ｃ軸配向領域を示し、
   前記第２の電子回折パターンは、微結晶領域を示すことを特徴とする酸化物半導体膜。
2. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン及び第２の電子回折パターンが得られ、
   前記第１の電子回折パターンは、複数のスポットが観察されるものであり、
   前記第２の電子回折パターンは、リング状に輝度の高い領域があり、前記リング状の領域に複数のスポットが観察されるものであることを特徴とする酸化物半導体膜。
3. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン乃至第３の電子回折パターンが得られ、
   前記第１の電子回折パターン及び前記第２の電子回折パターンは、それぞれ、ｃ軸配向領域を示し、
   前記第３の電子回折パターンは、微結晶領域を示し、
   前記第１の電子回折パターンの向きは、前記第２の電子回折パターンの向きと異なることを特徴とする酸化物半導体膜。
4. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン及び第２の電子回折パターンが得られ、
   前記第１の電子回折パターン及び前記第２の電子回折パターンは、それぞれ、ｃ軸配向領域を示し、
   前記第１の電子回折パターンの向きは、前記第２の電子回折パターンの向きと異なることを特徴とする酸化物半導体膜。
5. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、かつスピネル型の結晶構造を有さない酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン及び第２の電子回折パターンが得られ、
   前記第１の電子回折パターンは、ｃ軸配向領域を示し、
   前記第２の電子回折パターンは、微結晶領域を示すことを特徴とする酸化物半導体膜。
6. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、かつスピネル型の結晶構造を有さない酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン及び第２の電子回折パターンが得られ、
   前記第１の電子回折パターンは、複数のスポットが観察されるものであり、
   前記第２の電子回折パターンは、リング状に輝度の高い領域があり、前記リング状の領域に複数のスポットが観察されるものであることを特徴とする酸化物半導体膜。
7. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、かつスピネル型の結晶構造を有さない酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン乃至第３の電子回折パターンが得られ、
   前記第１の電子回折パターン及び前記第２の電子回折パターンは、それぞれ、ｃ軸配向領域を示し、
   前記第３の電子回折パターンは、微結晶領域を示し、
   前記第１の電子回折パターンの向きは、前記第２の電子回折パターンの向きと異なることを特徴とする酸化物半導体膜。
8. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、かつスピネル型の結晶構造を有さない酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン及び第２の電子回折パターンが得られ、
   前記第１の電子回折パターン及び前記第２の電子回折パターンは、それぞれ、ｃ軸配向領域を示し、
   前記第１の電子回折パターンの向きは、前記第２の電子回折パターンの向きと異なることを特徴とする酸化物半導体膜。
9. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、かつｉｎ−ｐｌａｎｅ法によるＸ線回折で２θ＝３６°のピークを示さない酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン及び第２の電子回折パターンが得られ、
   前記第１の電子回折パターンは、ｃ軸配向領域を示し、
   前記第２の電子回折パターンは、微結晶領域を示すことを特徴とする酸化物半導体膜。
10. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、かつｉｎ−ｐｌａｎｅ法によるＸ線回折で２θ＝３６°のピークを示さない酸化物半導体膜であって、
    前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン及び第２の電子回折パターンが得られ、
    前記第１の電子回折パターンは、複数のスポットが観察されるものであり、
    前記第２の電子回折パターンは、リング状に輝度の高い領域があり、前記リング状の領域に複数のスポットが観察されるものであることを特徴とする酸化物半導体膜。
11. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、かつｉｎ−ｐｌａｎｅ法によるＸ線回折で２θ＝３６°のピークを示さない酸化物半導体膜であって、
    前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン乃至第３の電子回折パターンが得られ、
    前記第１の電子回折パターン及び前記第２の電子回折パターンは、それぞれ、ｃ軸配向領域を示し、
    前記第３の電子回折パターンは、微結晶領域を示し、
    前記第１の電子回折パターンの向きは、前記第２の電子回折パターンの向きと異なることを特徴とする酸化物半導体膜。
12. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、かつｉｎ−ｐｌａｎｅ法によるＸ線回折で２θ＝３６°のピークを示さない酸化物半導体膜であって、
    前記酸化物半導体膜に対して、プローブ径の半値幅が１ｎｍである電子線をスキャンすると、第１の電子回折パターン及び第２の電子回折パターンが得られ、
    前記第１の電子回折パターン及び前記第２の電子回折パターンは、それぞれ、ｃ軸配向領域を示し、
    前記第１の電子回折パターンの向きは、前記第２の電子回折パターンの向きと異なることを特徴とする酸化物半導体膜。