JP2018006734A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (8)

1. 第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜乃至前記第３の酸化物半導体膜は、それぞれ同じ元素を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜のいずれか一方または双方よりも結晶性が低い領域を有する、
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体膜乃至前記第３の酸化物半導体膜は、それぞれ同じ元素を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜のいずれか一方または双方よりも結晶性が低い領域を有する、
   ことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の酸化物半導体膜乃至前記第３の酸化物半導体膜は、それぞれ独立に、Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する、
   ことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３において、
   ＩｎとＭとＺｎとの原子数比は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍であり、
   Ｉｎが４の場合、Ｍが１．５以上２．５以下であり且つＺｎが２以上４以下である、
   ことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３において、
   ＩｎとＭとＺｎとの原子数比は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍であり、
   Ｉｎが５の場合、Ｍが０．５以上１．５以下であり且つＺｎが５以上７以下である、
   ことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎ_ａＭ_ｂＺｎ_ｃＯ_ｄ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎを表し、ａ、ｂ、ｃ、及びｄは任意数を表す）を有する第１の領域と、Ｉｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚ（ｘ、ｙ、及びｚは任意数を表す）を有する第２の領域と、を有する複合酸化物半導体である、
   ことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第２の酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜のいずれか一方または双方よりも、膜厚が厚い、
   ことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜のいずれか一方または双方は、結晶部を有し、
   前記結晶部は、ｃ軸配向性を有する、
   ことを特徴とする半導体装置。