JP2014067701A5 - 導電性酸化物膜、電子機器、及び導電性酸化物膜の作製方法 - Google Patents
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- Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有することを特徴とする導電性酸化物膜。
- Ｘ線回折測定により得られる回折ピークが３１°付近である結晶構造を有することを特徴とする導電性酸化物膜。
- タッチ位置の検出機能を有する電子機器であって、
前記タッチ位置を検出する導電性酸化物膜を有し、
前記導電性酸化物膜は、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有することを特徴とする電子機器。 - タッチ位置の検出機能を有する電子機器であって、
前記タッチ位置を検出する導電性酸化物膜を有し、
前記導電性酸化物膜は、Ｘ線回折測定により得られる回折ピークが３１°付近である結晶構造を有することを特徴とする電子機器。 - 基板温度が２００℃以上の条件下で、スパッタリング法を用いて前記基板上に導電性酸化物膜を成膜し、
成膜後、前記導電性酸化物膜に対して窒素アニール処理を行うことを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法。 - 基板温度が２００℃以上の条件下で、スパッタリング法を用いてアルゴンガスを含む雰囲気中で、前記基板上に導電性酸化物膜を成膜し、
成膜後、前記導電性酸化物膜に対して窒素アニール処理を行うことを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法。 - 請求項６において、
前記アルゴンガスの比率は７０％以上であることを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法。 - 請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記窒素アニール処理時の温度は、３５０℃以上であることを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法。
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