JP2014067701A - 導電性酸化物膜、表示装置、及び導電性酸化物膜の作製方法 - Google Patents

導電性酸化物膜、表示装置、及び導電性酸化物膜の作製方法 Download PDF

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Abstract

【課題】高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有する導電性酸化物膜を提供する。
【解決手段】成膜時の基板温度を高くして導電性酸化物膜を成膜し、成膜後、該導電性酸化物膜に対して、窒素アニール処理を施す事で、高い導電率を有し且つ可視光に対する高い光透過率を有する導電性酸化物膜を得ることができる。また、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を得ることができる。
【選択図】図１

Description

導電性酸化物膜、表示装置、及び導電性酸化物膜の作製方法に関する。
本発明は、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜及び導電性酸化物膜の作製方法に関する。また、該導電性酸化物膜を用いた表示装置に関する。
近年、スマートフォンやタブレットＰＣの需要増加に伴い、マルチタッチ機能等を有するタッチパネルが急速に普及している。タッチパネル、薄膜太陽電池素子、電子粉流体を用いる電子ペーパー（粒子移動型）等には、透明導電性酸化物膜が利用されている。今後、高品質な透明導電性酸化物膜の需要は高まり、その市場は、拡大していくと予想される。
透明導電性酸化物膜に用いられる材料は、大別すると、結晶系材料と非晶質系材料に分類される。結晶系材料としては、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等、非晶質系材料としては、インジウム亜鉛酸化物等が挙げられる。
透明導電性酸化物膜の材料としては、ＩＴＯが、透明導電性酸化物膜の成膜方法としては、スパッタリング法が、最も一般的である。透明導電性酸化物膜には、可視光に対する光透過率が高い、導電率が高い、電気抵抗が低い、等、複数の性質を有する事に加えて、成膜時のコスト低減、材料コストの低減等が求められている。
透明導電性酸化物膜の導電率の高さを表す一つの指標として、シート抵抗が用いられる。電子ペーパー用途であれば、シート抵抗は、３００Ω／□〜４００Ω／□程度で十分動作するが、タッチパネル用途であれば、シート抵抗は、２００Ω／□以下であることが望まれる。
シート抵抗は、キャリア密度及び移動度に依存する。シート抵抗が小さい程、キャリア密度が大きい、あるいは移動度が高いと考えられ、導電率が高いと考えることができる。また、シート抵抗は、膜厚に依存する。例えば、ＩＴＯ膜のシート抵抗は、膜厚３０ｎｍの時、１００Ω／□程度、膜厚２００ｎｍの時、１０Ω／□程度となる。
特許文献１では、稠密な結晶性を有するＺｎＯ膜の製造方法が考案されている。
特開２００９−５７６０５号公報
透明導電性酸化物膜には、高い導電率を有し、且つ可視光に対する高い光透過率を有することが求められる。
透明導電性酸化物膜が、可視光に対する高い光透過率を有するためには、バンドギャップが、可視光領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ（３．２６ｅＶ〜１．５９ｅＶ）に存在しない事が要求される。透明導電性酸化物膜のバンドギャップが、３ｅＶ程度であれば、可視光領域における光の吸収を低減できる。
また、透明導電性酸化物膜が、高い導電率を有するためには、キャリア密度が、金属のキャリア密度（２．０×１０２１ｃｍ−３以上）より小さく、加えて十分に大きい（１．０×１０２０ｃｍ−３〜１．０×１０２１ｃｍ−３程度）事が要求される。透明導電性酸化物膜のキャリア密度が、金属のキャリア密度以上であれば、可視光領域における光の反射が増大し、光透過率が低下する。
即ち、透明導電性酸化物膜において、高い導電率を有する事と、可視光に対する高い光透過率を有する事とは、トレードオフで悪影響を生じさせる。導電率を高くする程、光透過率は低下する。また、光透過率を高くする程、絶縁性が強まる。
高い導電率を有し、且つ可視光に対する高い光透過率を有する導電性酸化物膜を提供することを課題とする。
Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を成膜し、成膜後に、該導電性酸化物膜に対して窒素アニール処理を施す事で、該導電性酸化物膜の光透過率の向上と、該導電性酸化物膜の導電率の向上との両立を図る。
本明細書で開示する本発明の一態様は、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有することを特徴とする導電性酸化物膜である。該導電性酸化物膜が有する結晶部は、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向している。なお、本明細書において、「Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜」を、「ＣＡＡＣ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−導電性酸化物膜」と呼ぶことがある。
本明細書で開示する本発明の一態様は、Ｘ線回折測定により得られる回折ピークが３１°である結晶構造を有することを特徴とする導電性酸化物膜である。
なお、結晶部のＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向していることは、Ｘ線回折測定により得られる回折ピークが３１°付近に存在する場合をもって、判断可能である。
上記において、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜のバンドギャップは、２．５ｅＶ以上である事が好ましく、３．０ｅＶ以上である事が特に好ましい。
Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜は、光透過率に優れる。
Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜が優れた光透過率を有するメカニズムは明らかではないが、非晶質系導電性酸化物膜に比べて、ＣＡＡＣ−導電性酸化物膜は、バンドギャップ中の欠陥準位密度を比較的小さくできる事が挙げられる。バンドギャップ中の欠陥準位密度を低減できる事で、欠陥準位による可視光領域における光の吸収を抑える事ができる。従って、可視光に対する光透過率を向上させることができる。
更に、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜は、他の結晶系導電性酸化物膜、非晶質系導電性酸化物膜等と比べて、比較的バンドギャップが大きくなり易い事が挙げられる。バンドギャップが大きくなる程、より広範囲の波長の光を透過させることができるため、可視光領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長の光を多く透過させることができる。従って、可視光に対する光透過率を向上させることができる。
上記において、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜のシート抵抗は、４０Ω／□以下である事が好ましい。
上記において、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜の膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の場合において、シート抵抗は、４０Ω／□以下である事が特に好ましい。
Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜は、導電率に優れる。
Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜が優れた導電率を有するメカニズムは明らかではないが、移動度が向上し易いことが挙げられる。Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜は、バンドギャップ中の欠陥準位密度を比較的小さくできるため、移動度を低下させる原因となる不純物散乱因子をより減少させることができる。
また、タッチ位置の検出機能（タッチパネル）を液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、等の表示装置、又は電子機器等の外部に搭載する場合、上記Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を、タッチパネル内のタッチ位置を検出するための電極として用いることができる。該導電性酸化物膜は、高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有するため、タッチパネルにおいて、タッチ位置の検出精度を向上させることができる。
例えば、一つの基板を用いて、タッチパネルを構成し、基板上に導電性酸化物膜を形成した場合、導電性酸化物膜に流れる電流の変化によりタッチ位置を検出することができる。
また、例えば、二つの基板を用いて、タッチパネルを構成し、第１の基板上に第１の導電性酸化物膜を、第２の基板上に第２の導電性酸化物膜を形成した場合、第１の導電性酸化物膜と、第２の導電性酸化物膜との接触によりタッチ位置を検出することができる。
また、例えば、二つの基板を用いて、タッチパネルを構成し、第１の基板上に第１の導電性酸化物膜を、第２の基板上に第２の導電性酸化物膜を形成した場合、第１の導電性酸化物膜と、第２の導電性酸化物膜との間に生じる容量変化によりタッチ位置を検出することができる。
また、タッチ位置の検出機能を表示装置、又は電子機器等の内部に組み込む場合であっても、上記Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を、タッチ位置を検出するための電極として用いることができる。
例えば、液晶層を挟持する二つの基板を用いて、一方の基板上に、第１の導電性酸化物膜及び液晶層を制御する電極（画素電極）を形成し、他方の基板上に、第２の導電性酸化物膜及び液晶層を制御する電極（共通電極）を形成し、タッチ位置を検出するための電極と、液晶層を制御するための電極とを、それぞれ同一基板上に、形成することができる。タッチ位置を検出するための電極と、液晶層を制御するための電極とを、液晶表示装置の画素内部に組み込むことで、液晶表示装置全体の厚さを薄くし、且つ液晶表示装置の性能を向上させることができる。また、第１の導電性酸化物膜を画素電極と兼用させることもできるし、第２の導電性酸化物膜を共通電極と兼用させることもできる。
また、例えば、発光層を挟持する二つの基板を用いて、一方の基板上に、第１の導電性酸化物膜を形成し、他方の基板上に、第２の導電性酸化物膜を形成することで、タッチ位置を検出するための電極と、発光層を制御するための電極とを、有機ＥＬ表示装置の画素内部に組み込むことができる。
また、本明細書で開示する本発明の一態様は、基板温度が２００℃以上の条件下で、スパッタリング法を用いて基板上に導電性酸化物膜を成膜し、成膜後、導電性酸化物膜に対して窒素アニール処理を行うことを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法である。
また、本明細書で開示する本発明の一態様は、基板温度が２００℃以上の条件下で、スパッタリング法を用いてアルゴンガスを含む雰囲気中で、基板上に導電性酸化物膜を成膜し、成膜後、導電性酸化物膜に対して窒素アニール処理を行うことを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法である。
上記作製方法において、成膜時のアルゴンガス添加量が多い程、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜の導電率は向上する。
上記作製方法において、成膜時の酸素ガス添加量が多い程ＣＡＡＣ化され易い（ＣＡＡＣ部を多く含み易い）。従って、成膜時の酸素ガス添加量が多い程、Ｘ線回折測定により得られる３１°付近に存在する回折ピークは、急峻になる。なお、本明細書において、「ＣＡＡＣ化され易い」、「ＣＡＡＣ部を多く含み易い」とは、「導電性酸化物膜において、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶部を多く含み易い」事を意味するものとする。
導電率、可視光に対する光透過率を考慮して、導電性酸化物膜の成膜時の、酸素ガス添加量及びアルゴンガス添加量を適宜調整することが好ましい。
上記作製方法において、成膜時の酸素ガス添加量とアルゴンガス添加量の比率が、３：７であることが特に好ましい。
上記作製方法において、成膜時の基板温度は、２００℃以上、より好ましくは４００℃以上であることが好ましい。
上記作製方法において、成膜時の基板温度を高くする程、導電性酸化物膜はＣＡＡＣ化され易い。よりＣＡＡＣ化された導電性酸化物膜を得る事で、可視光に対する光透過率を向上させ、導電率を向上させることができる。
なお、上記作製方法では、成膜後のＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜に対して窒素アニール処理を施している。窒素アニール処理を施す事で、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜の導電率をより向上させることが可能である。即ち、窒素アニール処理を施す事で、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜のシート抵抗を低減させることが可能である。
窒素アニール処理を施す事で、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜中の酸素欠損が増大する。電気伝導を担うキャリアとなる自由電子の密度が大きくなるため、該導電性酸化物膜のキャリア密度が大きくなる。即ち、窒素アニール処理を施す事で、該導電性酸化物膜の、導電率は高くなる。
また、上記作製方法において、窒素アニール処理時の温度は、３５０℃以上であることが好ましく、４５０℃以上であることが、特に好ましい。窒素アニール処理時の温度をより高くすることで、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜の導電率をより向上させることが可能である。
また、窒素アニールの処理時間は、１時間程度であることが好ましい。
なお、窒素アニール処理は、窒素ガス及び希ガスの混合ガス雰囲気中で行われても良い。
なお、窒素アニール処理は、酸素ガスを含まない雰囲気中で行われることが好ましい。
上記作製方法において、導電性酸化物膜の光透過率及び導電率は、成膜時の基板温度、成膜時の酸素ガス添加量、成膜時のアルゴンガス添加量、成膜後の窒素アニール処理の有無、窒素アニール処理時の温度、等によって制御される傾向にある。
上記作製方法において、成膜時の基板温度を高くし、且つ成膜後に行われる窒素アニール処理時の温度を高くすることで、高品質な導電性酸化物膜を得やすい。
上記作製方法において作製された導電性酸化物膜は、上記課題を解決する。
なお、本明細書において、単に垂直と記載する場合、８５°以上９５°以下の範囲も含まれることとする。
成膜時の基板温度を高くして導電性酸化物膜を成膜し、成膜後、該導電性酸化物膜に対して、窒素アニール処理を施す事で、高い導電率を有し、且つ可視光に対する高い光透過率を有する導電性酸化物膜を得ることができる。また、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を得ることができる。
成膜時のアルゴンガス添加量を適宜選択することで、導電率を更に向上させた導電性酸化物膜を得ることができる。
成膜時の酸素ガス添加量を適宜選択することで、より結晶性の高い導電性酸化物膜を得ることができる。
導電性酸化物膜のＸ線回折データを示す図。 導電性酸化物膜の断面ＴＥＭ写真を示す図。 導電性酸化物膜のＸ線回折データを示す図。 導電性酸化物膜のＸ線回折データを示す図。 導電性酸化物膜のＸ線回折データを示す図。 有機ＥＬ表示装置を示す図。 有機ＥＬ表示装置を示す図。 電子機器を示す図。 タッチパネルを示す図。 タッチパネルを示す図。 導電性酸化物膜のＸ線回折データを示す図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、成膜時のアルゴンガスの比率が１００％という条件下で、導電性酸化物膜を作製した場合について、図１及び表１を用いて説明する。
本実施の形態では、一例として、インジウム亜鉛酸化物膜を成膜した例について、説明する。
インジウム亜鉛酸化物膜の成膜方法、成膜条件について説明する。インジウム亜鉛酸化物膜は、スパッタリング法により成膜した。条件を以下に示す。
ターゲットは、ターゲット組成Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１（モル比Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１）を用いた。基板温度は、２００℃の場合と、４００℃の場合と、の２条件で成膜した。反応圧力０．４Ｐａ、ＤＣパワー０．５ｋＷ、とした。
なお、成膜後の窒素アニール処理は、施していない。
表１に、上記条件で成膜したインジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗の測定結果を示す。
インジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗は、以下のような手順により測定した。まず、基板上に上記条件に基づきインジウム亜鉛酸化物膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜した。その後、基板温度２００℃で成膜したインジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗と、基板温度４００℃で成膜したインジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗とを、四探針法の測定装置を用いてそれぞれ測定した。なお、四探針法の測定装置の測定精度は、精度０．２％である。
表１より成膜時の基板温度が２００℃の場合、シート抵抗は、４７．１Ω／□であり、成膜時の基板温度が４００℃の場合、シート抵抗は、３７．２Ω／□であり、非常に良好な測定結果が得られた。これは、導電性酸化物膜として十分に機能する値であり、タッチパネル及び電子ペーパー用途としての利用が可能な値である。
測定結果から、成膜時の基板温度が２００℃におけるシート抵抗より、成膜時の基板温度が４００℃におけるシート抵抗の方が低い値を示すことがわかる。従って、成膜時の基板温度が高い程、インジウム亜鉛酸化物膜の導電率を向上させられることがわかる。
なお、成膜後、上記条件で成膜したインジウム亜鉛酸化物膜に対して窒素アニール処理は、施していない。成膜後、上記条件で成膜したインジウム亜鉛酸化物膜に対して窒素アニール処理を施せば、より低いシート抵抗を得られる事が予想される。
次に、優れた導電率を示す上記条件で成膜したインジウム亜鉛酸化物膜の結晶構造を調べた。
測定装置は、Ｂｒｕｋｅｒ社製の粉末ＸＲＤ装置（Ｄ−８ ＡＤＶＡＮＣＥ）を用いた。
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に、上記条件で成膜したインジウム亜鉛酸化物膜のＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）データの測定結果を示す。横軸は回折角（２θ（ｄｅｇ））を示し、縦軸はＸ線回析強度（ａｒｂ．ｕｎｉｔｓ）を示している。
ただし、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）において、縦軸の単位は任意単位（ａｒｂ．ｕｎｉｔｓ）であるが、全てのスペクトルについて縦軸のスケールは揃えている。
図１（Ａ）は、成膜時の基板温度が２００℃におけるＸ線回折データの測定結果であり、図１（Ｂ）は、成膜時の基板温度が４００℃におけるＸ線回折データの測定結果である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）において、上側のＸ線回折データは、インジウム亜鉛酸化物膜を成膜した後に真空雰囲気で加熱処理を施した場合の結果を示しており、下側のＸ線回折データは、インジウム亜鉛酸化物膜を成膜した後に加熱処理を施していない場合の結果を示している。
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）より、Ｘ線回折測定により得られる回折ピークが３１°付近に存在することがわかる。
従って、基板温度が２００℃以上の条件下で、スパッタリング法を用いてインジウム亜鉛酸化物膜を成膜すると、成膜時のアルゴンガスの比率が１００％であっても、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜を作製できることがわかる。
また、図１（Ａ）と図１（Ｂ）とを比較すると、図１（Ｂ）の方が、３１°付近に存在する回折ピークが、急峻になっていることがわかる。成膜時の基板温度が２００℃の場合に比べて、成膜時の基板温度が４００℃の場合の方が、インジウム亜鉛酸化物膜が、よりＣＡＡＣ化され易いことがわかる。
上記測定結果より、インジウム亜鉛酸化物膜は、よりＣＡＡＣ化される程、導電性が高まることがわかる。
インジウム亜鉛酸化物膜は、よりＣＡＡＣ化される程、バンドギャップ中の欠陥準位密度が減少すると予想できる。
次に、吸収係数を測定した。Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜の吸収係数と、比較例として、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜の吸収係数とを測定し、値を比較した。
測定装置は、分光計器製のＳＧＡ−４、光源は、Ｘｅランプを用いて測定した。なお、測定波長範囲は、３００ｎｍ〜１２００ｎｍとした。
Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜の吸収係数を測定すると、２．５×１０−１ｃｍであった。
比較例として、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜の吸収係数を測定すると、３．０×１０−１ｃｍであった。
Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜の吸収係数は、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜の吸収係数に比べて小さかった。
これより、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜と比べて、比較的優れた光透過率を有することが示唆される。
欠陥準位密度が小さい程、移動度を低下させる原因となる不純物散乱因子が少なくなるため、吸収係数は小さくなる。従って、インジウム亜鉛酸化物膜は、よりＣＡＡＣ化される程、導電率が高まることがわかる。
更に、欠陥準位密度が小さい程、欠陥準位による可視光領域における光の吸収を抑えることができる。従って、インジウム亜鉛酸化物膜は、よりＣＡＡＣ化される程、可視光に対する光透過率が高まることがわかる。
上述の全ての測定結果から、成膜時の基板温度を高くする程、インジウム亜鉛酸化物膜はＣＡＡＣ化され易く、且つ、よりＣＡＡＣ化されたインジウム亜鉛酸化物膜である程、導電率の向上と可視光に対する光透過率の向上との両立が図り易いことが示唆される。
（実施の形態２）
本実施の形態では、成膜時のアルゴンガスの比率が７０％以下、という条件下で、導電性酸化物膜を作製した場合について、図２乃至図５、図１１、表２乃至表７を用いて説明する。
本実施の形態では、一例として、インジウム亜鉛酸化物膜を成膜した例について、説明する。
インジウム亜鉛酸化物膜の成膜方法、成膜条件について説明する。インジウム亜鉛酸化物膜は、スパッタリング法により成膜した。条件を以下に示す。
ターゲットは、ターゲット組成Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１（モル比Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１）を用いた。成膜時の酸素ガスの比率が１００％の場合と、アルゴンガス添加量：酸素ガス添加量＝７：３の場合との２条件で成膜した。基板温度は、２５℃（室温）の場合と、２００℃の場合との２条件で成膜した。反応圧力０．４Ｐａ、ＤＣパワー０．５ｋＷ、とした。
なお、図２乃至図５、図１１、表２乃至表７の測定に用いられているインジウム亜鉛酸化物膜は、上記条件のいずれか一つの条件を用いて成膜されている。
なお、成膜後、上記条件のいずれか一つの条件を用いて成膜されたインジウム亜鉛酸化物膜に対して、窒素アニール処理を施した場合の測定結果も示す。
図２に、断面ＴＥＭ写真、図３に、Ｘ線回折データの測定結果を示す。
図２及び図３に示すインジウム亜鉛酸化物膜の成膜条件は、ターゲット組成Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１、成膜時の酸素ガスの比率が１００％、基板温度２００℃、反応圧力０．４Ｐａ、ＤＣパワー０．５ｋＷ、である。
なお、成膜後の窒素アニール処理は、施していない。
図２（Ａ）は、基板上に下地膜として酸化窒化珪素膜を成膜し、下地膜である酸化窒化珪素膜上にインジウム亜鉛酸化物膜を成膜した場合の、インジウム亜鉛酸化物膜の断面ＴＥＭ写真である。図２（Ｂ）は、基板上に下地膜として酸化珪素膜を成膜し、下地膜である酸化珪素膜上にインジウム亜鉛酸化物膜を成膜した場合の、インジウム亜鉛酸化物膜の断面ＴＥＭ写真である。
図２から明らかなように、成膜後のインジウム亜鉛酸化物膜は、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する事がわかる。垂直方向に綺麗に結晶部が配列している事がわかる。従って、上記成膜条件で得られたインジウム亜鉛酸化物膜は、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜であることがわかる。
図３は、図２に示すＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のＸ線回折データを示している。図３中の（１）は、図２（Ａ）に対応し、図３中の（２）は、図２（Ｂ）に対応する。測定装置、測定方法は、実施の形態１を参酌できる。
図３（１）は、基板上に下地膜として酸化窒化珪素膜を成膜し、下地膜である酸化窒化珪素膜上にインジウム亜鉛酸化物膜を成膜した場合の、インジウム亜鉛酸化物膜のＸ線回折データを示している。図３（２）は、基板上に下地膜として酸化珪素膜を成膜し、下地膜である酸化珪素膜上にインジウム亜鉛酸化物膜を成膜した場合の、インジウム亜鉛酸化物膜のＸ線回折データを示している。
図３より、Ｘ線回折測定により得られる回折ピークが３１°付近にある事がわかる。
図２及び図３における、断面ＴＥＭ写真の測定結果、及びＸ線回折データの測定結果から、基板温度が２００℃以上の条件下で、スパッタリング法を用いて成膜すると、インジウム亜鉛酸化物膜は、ＣＡＡＣ化される事がわかる。
また、図１と図３とを比較すると、成膜時の酸素ガス添加量が多い程、インジウム亜鉛酸化物膜はよりＣＡＡＣ化され易い事がわかる。
次に図４に、Ｘ線回折データの測定結果を示す。
図４に示すインジウム亜鉛酸化物膜の成膜条件は、ターゲット組成Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１、アルゴンガス添加量：酸素ガス添加量＝７：３、基板温度２５℃（室温）、反応圧力０．４Ｐａ、ＤＣパワー０．５ｋＷ、である。
なお、成膜後の窒素アニール処理は、施していない。
図４（１）は、基板上に下地膜として酸化窒化珪素膜を成膜し、下地膜である酸化窒化珪素膜上にインジウム亜鉛酸化物膜を成膜した場合の、インジウム亜鉛酸化物膜のＸ線回折データを示している。図４（２）は、基板上に下地膜として酸化珪素膜を成膜し、下地膜である酸化珪素膜上にインジウム亜鉛酸化物膜を成膜した場合の、インジウム亜鉛酸化物膜のＸ線回折データを示している。
図４から明らかなように、成膜後のインジウム亜鉛酸化物膜において、Ｘ線回折測定により得られる回折ピークが３１°付近には、ほとんど存在しない事がわかる。図３と比べると、３１°付近の回折ピークの違いは明確である。従って、上記成膜条件で得られたインジウム亜鉛酸化物膜は、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜であることがわかる。
図３及び図４における、Ｘ線回折データの測定結果を比較すると、成膜時の酸素ガス添加量が少なく、且つ基板温度が低い（室温程度）場合、インジウム亜鉛酸化物膜は、ＣＡＡＣ化されず、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜となる事がわかる。
図１及び図３における、Ｘ線回折データの測定結果を比較すると、成膜時の酸素ガス添加量が少ない場合、インジウム亜鉛酸化物膜は、ＣＡＡＣ化され難い事がわかる。
次に、図５、図１１に基板温度が２００℃以上の条件下で、アルゴンガスを含む雰囲気中で、スパッタリング法を用いて成膜され、成膜後、窒素アニール処理を施されたインジウム亜鉛酸化物膜のＸ線回折データの測定結果を示す。
図５に示すインジウム亜鉛酸化物膜の成膜条件は、ターゲット組成Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１、アルゴンガス添加量：酸素ガス添加量＝７：３、基板温度２００℃、反応圧力０．４Ｐａ、ＤＣパワー０．５ｋＷ、である。
図５（Ａ）は、窒素アニール処理時の温度が、３５０℃、窒素アニールの処理時間が、１時間の条件下で行った場合の、Ｘ線回折データの測定結果である。図５（Ｂ）は、窒素アニール処理時の温度が、４５０℃、窒素アニールの処理時間が、１時間の条件下で行った場合の、Ｘ線回折データの測定結果である。
図１１に示すインジウム亜鉛酸化物膜の成膜条件は、ターゲット組成Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１、成膜時の酸素ガスの比率が１００％、基板温度２００℃、反応圧力０．４Ｐａ、ＤＣパワー０．５ｋＷ、である。図１１は、窒素アニール処理時の温度が３５０℃、窒素アニールの処理時間が１時間の条件下で行った場合のＸ線回折データの測定結果である。
測定装置、測定方法は、実施の形態１を参酌できる。
図５（Ａ）、図５（Ｂ）、及び図１１中の（１）は、下地膜である酸化窒化珪素膜上に、インジウム亜鉛酸化物膜を成膜した場合の、インジウム亜鉛酸化物膜のＸ線回折データを示している。
図５（Ａ）、図５（Ｂ）、及び図１１中の（２）は、下地膜である酸化珪素膜上に、インジウム亜鉛酸化物膜を成膜した場合の、インジウム亜鉛酸化物膜のＸ線回折データを示している。
図５より、Ｘ線回折測定により得られる回折ピークが３１°付近にある事がわかる。
従って、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜を成膜し、成膜後、該インジウム亜鉛酸化物膜に対して、窒素アニール処理を行っても、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造が維持される事がわかる。
次に、表２及び表３に、図５で用いたインジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗の測定結果を示す。成膜後のインジウム亜鉛酸化物膜に対して、窒素アニールの処理時間１時間、窒素アニールの処理温度３５０℃で、窒素アニール処理を行った場合のシート抵抗と、成膜後のインジウム亜鉛酸化物膜に対して、窒素アニールの処理時間１時間、窒素アニールの処理温度４５０℃で、窒素アニール処理を行った場合のシート抵抗と、を比較する。
測定装置、測定方法は、実施の形態１を参酌できる。
表２に示すインジウム亜鉛酸化物膜は、図５（Ａ）中の（２）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。
表３に示すインジウム亜鉛酸化物膜は、図５（Ｂ）中の（２）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。
窒素アニールの処理温度が３５０℃におけるシート抵抗は、２８３０Ω／□程度であるのに対して、処理温度が４５０℃におけるシート抵抗は、２３００Ω／□程度であった。窒素アニール処理時の温度が、高い程、低いシート抵抗が得られることがわかる。
従って、窒素アニール処理時の温度が、高い程、高い導電率を有するインジウム亜鉛酸化物膜が得られることがわかる。
次に、表４及び表５に、図４及び図１１で用いたインジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗の測定結果を示す。
表４に示す非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、図４（２）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。表４に示すＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、図１１（２）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。
表５に示す非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、図４（１）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。表５に示すＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、図１１（１）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。
表４及び表５に示す測定結果より、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗は、１０００Ω／□程度であるのに対して、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗は、５ＭΩ／□以上であった。即ち、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗は、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のシート抵抗と比べて３桁以上小さくなった。
従って、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜と比べて、導電率に優れることがわかる。
次に、表６及び表７に、図３、図４、及び図１１で用いたインジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップの測定結果を示す。
表６に示す非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、図４（２）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。表７に示す非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、図４（１）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。
図４（２）に対応する下地膜である酸化珪素膜上に、成膜された非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、２．５２ｅＶとなっている。
図４（１）に対応する下地膜である酸化窒化珪素膜上に、成膜された非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、２．４５ｅＶとなっている。
表６に示すＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、図３（２）及び図１１の（２）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。表７に示すＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は図３（１）及び図１１の（１）のＸ線回折データを有するインジウム亜鉛酸化物膜に対応している。
図３（２）に対応する下地膜である酸化珪素膜上に、成膜されたＣＡＡＣ−インジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、２．５６ｅＶとなっている。図１１中の（２）に対応する下地膜である酸化珪素膜上に、成膜されたＣＡＡＣ−インジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、２．６１ｅＶとなっている。
Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜と比べて、約０．０５ｅＶ程度大きいことがわかる。
図３（１）に対応する下地膜である酸化窒化珪素膜上に、成膜されたＣＡＡＣ−インジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、２．５３ｅＶとなっている。図１１中の（１）に対応する下地膜である酸化窒化珪素膜上に、成膜されたＣＡＡＣ−インジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、２．６２ｅＶとなっている。
Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜と比べて、約０．１ｅＶ程度大きいことがわかる。
表６及び表７に示す測定結果より、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップと比べて、大きくなることがわかる。
また、表６及び表７に示す測定結果より、成膜後の窒素アニール処理を３５０℃で行ったＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップは、成膜後の窒素アニール処理を行わなかったＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜のバンドギャップと比べて、大きくなることがわかる。
従って、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜は、非晶質構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜と比べて、光透過率に優れることがわかる。
また、窒素アニール処理を行ったインジウム亜鉛酸化物膜は、窒素アニール処理を行わなかったインジウム亜鉛酸化物膜と比べて、光透過率に優れることがわかる。従って、窒素アニール処理は、インジウム亜鉛酸化物膜の導電率を向上させるだけでなく、光透過率を高めるためにも有効な処理である事が示唆される。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る導電性酸化物膜を、タッチパネルを有する有機ＥＬ表示装置に適用する場合について、図６及び図７を用いて説明する。
図６では、一例としてアナログ抵抗膜方式のタッチパネルについて説明する。
図６（Ａ）は、タッチパネル２０を有する有機ＥＬ表示装置１００の断面図であり、図６（Ｂ）は、タッチパネル２０における導電性酸化物膜の配置を示す図である。
有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ表示パネル１０と、タッチパネル２０とを有する。なお、図６（Ａ）では、有機ＥＬ表示パネル１０と、タッチパネル２０とが、接着層３００を介して直接貼り合わせられた構成となっているが該構成に限定されない。有機ＥＬ表示パネル１０と、タッチパネル２０とは、接着層により一部のみが貼り合わせられた構成となっていても良い。
図６（Ａ）に示すように、タッチパネル２０は、第１の基板２００と、第２の基板２１０と、第１の導電性酸化物膜２０１と、第２の導電性酸化物膜２０２と、ドットスペーサー２０３と、シール材２０４と、エアギャップ２０５と、を有する。
また、図６（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０は、第１の基板１１０と、第１の基板１１０上に形成された下地層１０１と、下地層１０１上に形成されたトランジスタ１０２と、絶縁層１０３と、絶縁層１０３上に形成された第１の層間膜１０４と、トランジスタ１０２と電気的に接続する配線１０５と、配線１０５及び第１の層間膜１０４上に形成された第２の層間膜１０６と、配線１０５と電気的に接続する発光素子１０７と、発光素子１０７を隔離する第１の隔壁１１４及び第２の隔壁１５５と、を有する。更に、第１の基板１１０の対向基板として、第２の基板１６０を有する。第２の基板１６０には、下地層１６２、ブラックマトリクス１６３、赤色カラーフィルター１６４、緑色カラーフィルター１６５、及び青色カラーフィルター１６６と、が形成されている。発光素子１０７は、反射電極１０８と、第１のマイクロキャビティ層１０９と、第２のマイクロキャビティ層１１１と、発光層１１２と、陰極１１３と、を有する。
第１の導電性酸化物膜２０１及び第２の導電性酸化物膜２０２の材料としては、インジウム亜鉛酸化物を用いる事が特に好ましい。
なお、実施の形態１及び実施の形態２で示したＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を、第１の導電性酸化物膜２０１、第２の導電性酸化物膜２０２、陰極１１３、第１のマイクロキャビティ層１０９、及び第２のマイクロキャビティ層１１１に適用することができる。該導電性酸化物膜は、高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有する。
ドットスペーサー２０３に用いられる材料としては、透光性を有する材料であり且つ弾力性を有する材料であることが好ましい。エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の絶縁性合成樹脂を用いることが好ましい。なお、ドットスペーサー２０３は、有機物、Ｓｉ、Ｃ、Ｍｇ、等の微粒子を含んでいても良い。
ドットスペーサー２０３は、入力手段１１５が、タッチパネル２０をタッチする際の、第１の基板２００と、第２の基板２１０との間の衝撃を緩和させることができる。また、ドットスペーサー２０３は、入力手段１１５が、タッチパネル２０をタッチした直後、第１の基板２００を元の位置へと戻し易くさせることができる。
なお、ドットスペーサー２０３は、第２の基板２１０側に形成されても良いし、第１の基板２００側に形成されても良い。また、第１の基板２００及び第２の基板２１０の両側に形成されても良い。
第１の基板２００、第２の基板２１０に用いられる材料としては、プラスチックフィルム、ガラス、薄板ガラス、強化ガラス等が挙げられる。プラスチックフィルムとしては、特に限定されないが、透光性を有し、且つ耐熱温度が２００℃以上であるプラスチックフィルムを用いることが好ましい。プラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（耐熱温度２００℃程度）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）（耐熱温度２００℃程度）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）（耐熱温度２００℃程度）、環状オレフィン高分子（ＣＯＣ）（耐熱温度２００℃程度）、ＴＡＣ（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）（耐熱温度２００℃程度）、ポリイミド（ＰＩ）（耐熱温度２００℃程度）、ポリエステル（耐熱温度２４０℃程度）、シリコーン樹脂（耐熱温度５００℃程度）等を用いることが好ましい。
なお、耐熱温度が２００℃以下であるプラスチックフィルムを用いることもできる。耐熱温度が２００℃以下であるプラスチックフィルムとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（耐熱温度４０℃〜６０℃程度）、ポリスチレン（ＰＳ）（耐熱温度７０℃〜９０℃程度）、二軸延伸ポリスチレン（ＯＰＳ）（耐熱温度８０℃程度）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）（耐熱温度６０℃〜８０℃程度）、ポリカーボネート（ＰＣ）（耐熱温度１２０℃〜１３０℃程度）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）（耐熱温度７０℃〜９０℃程度）、等を用いることが好ましい。
耐熱温度が２００℃以下であるプラスチックフィルムを用いた場合、導電性酸化物膜と、基板との間に下地膜を形成することが好ましい。下地膜としては、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、酸化アルミニウム膜などを用いることができる。導電性酸化物膜と、基板との間に、下地膜を形成することで、プラスチックフィルムから発生するガスの影響等を低減することができる。また、導電性酸化物膜の結晶中の欠陥を低減することができる。
シール材２０４に用いられる材料は特に限定されないが、両面接着テープ（ＤＡＴ）等を用いることが好ましい。
シール材２０４は、第１の基板２００の一面の縁部と、第２の基板２１０の一面の縁部とに設けられ、第１の基板２００及び第２の基板２１０の縁部を互いに接着させる。また、シール材２０４は、入力手段１１５が、タッチパネル２０をタッチしていない間、第１の導電性酸化物膜２０１と、第２の導電性酸化物膜２０２とを隔離させる。
また、図６（Ｂ）に示すように、第１の導電性酸化物膜２０１は、第１の基板２００表面に一様に形成されている。第２の導電性酸化物膜２０２は、第２の基板２１０表面に一様に形成されている。
タッチパネル２０におけるタッチ位置の検出方法について説明する。アナログ抵抗膜方式の場合、第１の導電性酸化物膜２０１及び第２の導電性酸化物膜２０２の一方には、電圧が印加され、他方からは、電位が検出される。第１の導電性酸化物膜２０１と第２の導電性酸化物膜２０２とが、エアギャップ２０５及びドットスペーサー２０３を介して隔離されている状態で、入力手段１１５が第１の基板２００の一方の面をタッチすると、第１の導電性酸化物膜２０１は第２の導電性酸化物膜２０２の方向に撓み、第１の導電性酸化物膜２０１と第２の導電性酸化物膜２０２とが、接触する。この際、第１の導電性酸化物膜２０１と第２の導電性酸化物膜２０２が導通する。導通箇所の電位を検出することにより、タッチ位置を検出することができる。なお、該導電性酸化物膜は、高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有するため、タッチパネル２０におけるタッチ位置の検出精度をより高めることができる。
例えば、タッチパネル２０が、４線式の場合、第１の導電性酸化物膜２０１の上下、第２の導電性酸化物膜２０２の左右の４箇所に電極（透明でなくても良い。）を設け、一方の導電性酸化物膜のみに電圧を印加し、他方の導電性酸化物膜から、タッチ位置の電位を検出し、タッチ位置を検出することができる。タッチパネル２０は、４線式に限定されず、５線式、７線式、８線式、であっても良い。
なお、タッチパネル２０は、図７に示すような表面型静電容量方式のタッチパネル４０でも良い。
有機ＥＬ表示装置にタッチパネル４０を適用する場合について、図７を用いて説明する。
図７（Ａ）は、タッチパネル４０を有する有機ＥＬ表示装置４４０の断面図であり、図７（Ｂ）は、タッチパネル４０における導電性酸化物膜の配置を示す図である。
図７（Ａ）に示すように、タッチパネル４０は、第１の基板４００と、導電性酸化物膜４０１と、第２の基板４０２と、を有する。
導電性酸化物膜４０１の材料としては、インジウム亜鉛酸化物を用いる事が特に好ましい。
実施の形態１及び実施の形態２で示したＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を、導電性酸化物膜４０１に適用することができる。該導電性酸化物膜は、高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有する。従って、タッチパネル４０におけるタッチ位置の検出精度をより高めることができる。
第１の基板４００及び第２の基板４０２としては、タッチパネル２０と同様の材料を用いることができる。
なお、図７（Ａ）に示す有機ＥＬ表示装置４４０において、有機ＥＬ表示パネル１０と、タッチパネル４０とは、接着層４０３により一部のみが貼り合わせられた構成となっている。貼り合わせられていない部分に間隙が形成されても、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を、適用することで、光透過率の低減を抑制することが可能になる。
また、図７（Ｂ）に示すように、導電性酸化物膜４０１は、第２の基板４０２表面に一様に形成されている。
タッチパネル４０におけるタッチ位置の検出方法について説明する。導電性酸化物膜４０１の四隅には電極（透明でなくても良い。）が設けられている。これら四つの電極に電圧が印加されると、導電性酸化物膜４０１は、第２の基板４０２表面に一様に形成されているため、タッチパネル４０には、均一な電界が形成される。この際、導電性酸化物膜４０１には、電流がほとんど流れていない。
入力手段２１５が第１の基板４００の一方の面をタッチすると、導電性酸化物膜４０１を流れる電流が変化（微弱電流が流れる）する。この際、入力手段２１５と導電性酸化物膜４０１との間に静電容量が生じるため、タッチパネル４０の容量（合成容量）が増加し、導電性酸化物膜４０１の四隅に形成された電極に流れる電流が変化する。導電性酸化物膜４０１、第１の基板４００、入力手段２１５、ＧＮＤ、との間で閉回路が形成されているため、四隅の電極に流れる電流を検出し、タッチ位置と四隅の電極との距離の比率から、タッチ位置を正確に検出することができる。
なお、静電容量方式のタッチパネル４０においては、入力手段２１５が、第１の基板４００を直接タッチせず、入力手段２１５が、第１の基板４００に近づくだけでも、タッチ位置を検出することが可能である。
本実施の形態では、タッチパネル２０としてアナログ抵抗膜方式のタッチパネルを、タッチパネル４０として表面型静電容量方式のタッチパネルを適用した場合について説明したが、タッチパネル２０及びタッチパネル４０の構成は、該構成に限定されない。いずれの場合であっても、タッチパネルに用いられる導電性酸化物膜として、実施の形態１及び実施の形態２で示したＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を適用することができる。
また、本実施の形態では、タッチパネル２０及びタッチパネル４０が有機ＥＬ表示パネル１０に外付けされている外付け型の有機ＥＬ表示装置の構成について説明したが、該構成に限定されない。タッチパネル２０及びタッチパネル４０と同様のタッチパネル機能を有するインセル型有機ＥＬ表示装置又はオンセル型の有機ＥＬ表示装置であっても良い。
タッチパネル２０及びタッチパネル４０と同様のタッチパネル機能を有機ＥＬ表示装置に内蔵する場合、導電性酸化物膜は、タッチ電極（センサ電極）として機能する事になる。同一基板上に、陽極（又は陰極）と、導電性酸化物膜とを形成する事で、有機ＥＬ表示装置に画像を表示させるための発光層の制御と、表示パネル面上に接触した入力手段のタッチ位置の検出とを同一基板上で行うことが可能になる。また、タッチ電極としての機能と、発光層を制御する電極としての機能とを、兼用することも可能である。このように、タッチパネル機能を有機ＥＬ表示装置に内蔵することで、別途タッチパネルを、有機ＥＬ表示パネル上に設ける必要が無いため、有機ＥＬ表示装置全体の厚さを薄くすることが可能になり、更に有機ＥＬ表示装置全体の重量を軽くすることが可能になる。
高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有するＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を、タッチパネル及び有機ＥＬ表示パネルに適用することで、有機ＥＬ表示装置の性能を向上させることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、マルチタッチ入力が可能なタッチパネルを有する電子機器について図８乃至図１０を用いて説明する。電子機器としては、可搬型のテレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機（パチンコ機、スロットマシン等）、ゲーム筐体等、が挙げられる。これらの電子機器に、実施の形態１及び実施の形態２で示したＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を、適用することができる。
また、これらの電子機器に搭載される表示パネルは、液晶表示パネルであっても良いし、有機ＥＬ表示パネルであっても良い。
図８に電子機器９６００の具体例を示す。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、２つ折り可能なタブレット型端末である。該タブレット型端末には、バッテリーによって電源電圧が供給されるＣＰＵ等が内蔵されている。
図８（Ａ）は、開いた状態であり、図８（Ｂ）は、閉じた状態である。
図８（Ａ）に示すように、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９６３８を有する。
表示部９６３１ａは、一部又は全部を、タッチパネルの領域９６３２ａとすることができる。タッチパネルの領域９６３２ａは、マルチタッチ入力が可能である。表示部９６３１ａに表示されている操作キー９６４０に、使用者の指等で触れてデータ入力をする際、複数の操作キー９６４０を同時に触れても複数のタッチ位置を正確に検出することができる。
表示部９６３１ａには、図９（Ａ）に示すタッチパネル９８００ａが搭載されている。
また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一部又は全部を、タッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。表示部９６３１ｂに表示されているキーボード表示切り替えボタン９６３９の位置に指やスタイラスペン等で触れることで表示部９６３１ｂにキーボードボタンを表示することができる。更に、タッチパネルの領域９６３２ｂは、マルチタッチ入力が可能である。従って、表示部９６３１ｂに表示されている操作キー９６３７に指やスタイラスペン等で触れて操作を行う際、複数の操作キー９６３７を同時に触れても複数のタッチ位置を正確に検出することができる。
表示部９６３１ｂには、図１０（Ａ）に示すタッチパネル９８００ｂが搭載されている。
また、タッチパネルの領域９６３２ａとタッチパネルの領域９６３２ｂに対して同時にタッチ入力することもできる。
なお、図８では、表示部９６３１ａにおいて、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが、該構成に限定されない。表示部９６３１ａの全面にキーボードボタンを表示させてタッチパネルの領域とし、表示部９６３１ｂを表示画面として用いることもできる。
また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示または横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロセンサ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。なお、省電力モードの際、タブレット型端末に内蔵されているＣＰＵへの電源電圧の供給を遮断しても良い。
また、図８（Ａ）では表示部９６３１ｂと表示部９６３１ａの表示面積が同じ例を示しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルとしてもよい。
図９（Ａ）に、タッチパネル９８００ａの断面図を示す。図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）に、導電性酸化物膜の配置を示す。図９（Ａ）では、一例として投影型静電容量方式（相互容量型）のタッチパネルをタッチパネル９８００ａに適用した場合について説明する。図９（Ａ）における鎖線Ａ−Ａ’と、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）における鎖線Ａ−Ａ’とは対応している。なお、タッチパネル９８００ａに、実施の形態１及び実施の形態２で示したＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を適用することで、タッチパネル９８００ａの検出精度を向上させることができる。
図９（Ａ）に示すように、タッチパネル９８００ａは、第１の基板５００と、第２の基板５１０と、第１の導電性酸化物膜５０１と、第２の導電性酸化物膜５０２と、絶縁層５０３と、を有する。
第１の導電性酸化物膜５０１及び第２の導電性酸化物膜５０２の材料としては、インジウム亜鉛酸化物を用いる事が特に好ましい。
なお、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する第１の導電性酸化物膜５０１及び第２の導電性酸化物膜５０２は、高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有する。
図９（Ｃ）に示すように、第１の導電性酸化物膜５０１は、縦軸方向に菱型を順番に連ねた形状で複数配列して、第１の基板５００上に形成されている。図９（Ｂ）に示すように、第２の導電性酸化物膜５０２は、横軸方向に菱型を順番に連ねた形状で複数配列して、第２の基板５１０上に形成されている。なお、第１の導電性酸化物膜５０１が横軸方向に複数配列して形成されていても良いし、第２の導電性酸化物膜５０２が縦軸方向に複数配列して形成されていても良い。
また、第１の導電性酸化物膜５０１が斜め方向に複数配列して形成されていても良いし、第２の導電性酸化物膜５０２が第１の導電性酸化物膜５０１とは異なる斜め方向に複数配列して形成されていても良い。いずれの場合においても、第１の導電性酸化物膜５０１と第２の導電性酸化物膜５０２とが重なる部分が存在するように形成されていれば良い。
また、第１の導電性酸化物膜５０１及び第２の導電性酸化物膜５０２の形状は、図９に示す形状に限定されない。ストライプ状または四角状でも良いし、六角形を順番に連ねた形状でも良いし、三角形又は菱形を順番に連ねた形状でも良い。
タッチパネル９８００ａにおけるタッチ位置の検出方法について説明する。第１の導電性酸化物膜５０１と第２の導電性酸化物膜５０２とが重なる部分では、第１の導電性酸化物膜５０１と第２の導電性酸化物膜５０２との間に相互容量が生じている。相互容量型のタッチパネル９８００ａでは、タッチ位置の検出に相互容量を利用する。入力手段５１５がタッチパネル９８００ａをタッチする事で変化する相互容量を検出することにより、タッチ位置を検出する。
なお、自己容量型のタッチパネルでは、タッチ位置の検出に自己容量（入力手段５１５と第１の導電性酸化物膜５０１との間に生じる容量、及び入力手段５１５と第２の導電性酸化物膜５０２との間に生じる容量）を利用する。入力手段がタッチパネルをタッチする事で変化する自己容量を検出することにより、タッチ位置を検出する。本実施の形態では、タッチパネル９８００ａに相互容量型の投影型静電容量方式のタッチパネルを適用した例について説明するが、本明細書に記載されているタッチパネルの中でマルチタッチ検出を必要としないタッチパネルのいずれか一つに自己容量型の投影型静電容量方式のタッチパネルを適用しても良い。自己容量型のタッチパネルは、相互容量型のタッチパネルと比べて消費電力を低減し易い。
相互容量型のタッチパネル９８００ａにおいて、第１の導電性酸化物膜５０１及び第２の導電性酸化物膜５０２の一方を、駆動電極として機能させ、他方を、受信電極として機能させる。例えば、第１の導電性酸化物膜５０１を駆動電極とした場合、複数の電極（第１の導電性酸化物膜５０１）には、順番に駆動電圧が印加される。入力手段５１５がタッチパネル９８００ａをタッチすると、第１の導電性酸化物膜５０１と第２の導電性酸化物膜５０２との間に生じる相互容量が変化する。相互容量の変化に伴って、タッチ位置に対応する電極の電位が変化する。相互容量型のタッチパネル９８００ａでは、受信電極である複数の電極（第２の導電性酸化物膜５０２）の電位を順次検出し、電位変化（相互容量変化）が生じた位置を、選択的に検出し、タッチ位置を検出することができる。自己容量型のタッチパネルのように、複数の電極（例えば縦軸方向に複数配列して形成されている導電性酸化物膜、又は、横軸方向に複数配列して形成されている導電性酸化物膜）全体で、電位変化（自己容量変化）を検出するのではなく、選択的に順次タッチ位置を検出することができるため、マルチタッチが可能になる。従って、入力手段５１５が第１の基板５００の一方の面を同時に複数点タッチしても、それぞれのタッチ位置を正確に検出することができる。
図１０（Ａ）に、タッチパネル９８００ｂの断面図を示す。図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）に、導電性酸化物膜の配置を示す。図１０（Ａ）では、一例としてデジタル抵抗膜方式のタッチパネルをタッチパネル９８００ｂに適用した場合について説明する。図１０（Ａ）における鎖線Ｂ−Ｂ’と、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）における鎖線Ｂ−Ｂ’とは対応している。なお、タッチパネル９８００ｂに実施の形態１及び実施の形態２で示したＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を適用することで、タッチパネル９８００ｂの検出精度を向上させることができる。なお、抵抗膜方式のタッチパネルは、ペン入力が容易である。
図１０（Ａ）に示すように、タッチパネル９８００ｂは、第１の基板６００と、第２の基板６１０と、第１の導電性酸化物膜６０１と、第２の導電性酸化物膜６０２と、ドットスペーサー６０３と、シール材６０４と、エアギャップ６０５と、を有する。構成の詳細な説明は、実施の形態３を参酌できる。
第１の導電性酸化物膜６０１及び第２の導電性酸化物膜６０２の材料としては、インジウム亜鉛酸化物を用いる事が特に好ましい。
なお、Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する第１の導電性酸化物膜６０１及び第２の導電性酸化物膜６０２は、高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有する。
図１０（Ｃ）に示すように、第１の導電性酸化物膜６０１は、縦軸方向にストライプ状または四角状で複数配列して、第１の基板６００上に形成されている。図１０（Ｂ）に示すように、第２の導電性酸化物膜６０２は、横軸方向にストライプ状または四角状で複数配列して、第２の基板６１０上に形成されている。なお、第１の導電性酸化物膜６０１が横軸方向に複数配列して形成されていても良いし、第２の導電性酸化物膜６０２が縦軸方向に複数配列して形成されていても良い。
また、第１の導電性酸化物膜６０１及び第２の導電性酸化物膜６０２の形状は、図１０に示す形状に限定されない。六角形を順番に連ねた形状でも良いし、三角形又は菱形を順番に連ねた形状でも良い。デジタル抵抗膜方式のタッチパネルは、アナログ抵抗膜方式のタッチパネルのように第１の導電性酸化物膜６０１及び第２の導電性酸化物膜６０２が、基板表面に一様に形成されず、互いに隔離して形成されている。電極がそれぞれ独立して形成されているため、マルチタッチが可能になる。
タッチパネル９８００ｂにおけるタッチ位置の検出方法について説明する。第１の導電性酸化物膜６０１と第２の導電性酸化物膜６０２とが、エアギャップ６０５及びドットスペーサー６０３を介して隔離されている状態で、入力手段６１５が第１の基板６００の一方の面をタッチすると、第１の導電性酸化物膜６０１は第２の導電性酸化物膜６０２の方向に撓み、第１の導電性酸化物膜６０１と第２の導電性酸化物膜６０２とが、接触し導通する。この際、第１の導電性酸化物膜６０１及び第２の導電性酸化物膜６０２は、独立した複数の電極を有しているため、それぞれのタッチ位置における電位を検出することにより、複数のタッチ位置を正確に検出することができる。
例えば、タッチパネル９８００ｂの場合、複数の上部電極（第１の導電性酸化物膜６０１）に駆動電圧を印加し、上部電極を順番に駆動させ、駆動期間中に、下部電極（第２の導電性酸化物膜６０２）から、タッチ位置の電位を検出し、タッチ位置を検出することができる。また、複数の下部電極に駆動電圧を印加し、下部電極を順番に駆動させ、駆動期間中に、上部電極から、タッチ位置の電位を検出し、タッチ位置を検出することもできる。また、駆動電圧を複数の上部電極に順次印加し、その後駆動電圧を複数の下部電極に順次印加し（駆動電圧を上部電極及び下部電極に交互に印加する）、駆動電圧が印加されていない方の電極で、タッチ位置の電位を検出し、タッチ位置を検出することもできる。検出方法を工夫する事で、複数のタッチ位置をより正確に検出することが可能になる。デジタル抵抗膜方式のタッチパネル９８００ｂにおけるタッチ位置の検出のための駆動方法は、特に限定されない。
なお、第１の導電性酸化物膜６０１及び第２の導電性酸化物膜６０２は、高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有するため、タッチパネル９８００ｂにおけるタッチ位置の検出精度をより高めることができる。
上述のタッチパネル９８００（タッチパネル９８００ａ及びタッチパネル９８００ｂ）は、表示パネルの外部に外付けされ、図８（Ａ）に示す（外付け型の）電子機器９６００を構成することができる。
なお、タッチパネル９８００は、表示部９６３１内の表示パネルに自由に組み込む事が可能である。タッチパネル９８００と同様のタッチパネル機能を有するインセル型の電子機器９６００を構成しても良い。また、タッチパネル９８００と同様のタッチパネル機能を有するオンセル型の電子機器９６００を構成しても良い。
例えば、タッチパネル９８００と同様のタッチパネル機能を、液晶表示装置の画素内に内蔵しても良い。この場合、第１の導電性酸化物膜と第２の導電性酸化物膜は、タッチ電極としての機能を有し、第１の導電性酸化物膜と第２の導電性酸化物膜との間には、液晶層が挟持されている。第１の導電性酸化物膜（第２の導電性酸化物膜）は、画素電極、共通電極と別に設けられ、タッチ電極としての機能のみを有していても良い。また、第１の導電性酸化物膜（第２の導電性酸化物膜）は、画素電極と別に設けられ、タッチ電極としての機能と、共通電極としての機能とを兼用して有していても良い。また、第１の導電性酸化物膜（第２の導電性酸化物膜）は、共通電極と別に設けられ、タッチ電極としての機能と、画素電極としての機能とを兼用して有していても良い。
例えば、タッチパネル９８００と同様のタッチパネル機能を、有機ＥＬ表示装置の画素内に内蔵しても良い。この場合、第１の導電性酸化物膜と第２の導電性酸化物膜は、タッチ電極としての機能を有し、第１の導電性酸化物膜と第２の導電性酸化物膜との間には、発光層が挟持されている。第１の導電性酸化物膜（第２の導電性酸化物膜）は、陰極、陽極と別に設けられ、タッチ電極としての機能のみを有していても良い。また、第１の導電性酸化物膜（第２の導電性酸化物膜）は、陰極と別に設けられ、タッチ電極としての機能と、陽極としての機能とを兼用して有していても良い。また、第１の導電性酸化物膜（第２の導電性酸化物膜）は、陽極と別に設けられ、タッチ電極としての機能と、陰極としての機能とを兼用して有していても良い。
例えば、液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置において、カラーフィルターが形成されている基板面と反対側の基板面上に、第１の導電性酸化物膜を形成し、偏光板と接する基板面と反対側の基板面上に、第２の導電性酸化物膜を形成する事で、タッチパネル９８００と同様のタッチパネル機能を、液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置に内蔵しても良い。
次に、閉じた状態のタブレット型端末について説明する。
図８（Ｂ）に示すように、タブレット型端末は、筐体９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する。なお、図８（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示している。
なお、太陽電池９６３３には、実施の形態１及び実施の形態２で示したＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を適用することができる。該導電性酸化物膜は、高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有するため、太陽電池９６３３の性能を向上させることができる。
なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、使用しない時に筐体９６３０を閉じた状態にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
また、この他にも図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付または時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作または編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル９８００、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、筐体９６３０の片面又は両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率的に行う構成とすることができる。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
また、図８（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、および動作について図８（Ｃ）にブロック図を示し説明する。図８（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６４７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６４７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図８（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４に対応する箇所となる。
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤＣコンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９６４７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部９６３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
高い導電率及び可視光に対する高い光透過率を有するＣ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有する導電性酸化物膜を、タッチパネル、太陽電池、等に適用することで、電子機器の性能を向上させることができる。
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
１０ 有機ＥＬ表示パネル
２０ タッチパネル
４０ タッチパネル
１００ 有機ＥＬ表示装置
１０１ 下地層
１０２ トランジスタ
１０３ 絶縁層
１０４ 層間膜
１０５ 配線
１０６ 層間膜
１０７ 発光素子
１０８ 反射電極
１０９ マイクロキャビティ層
１１０ 基板
１１１ マイクロキャビティ層
１１２ 発光層
１１３ 陰極
１１４ 第１の隔壁
１１５ 入力手段
１５５ 第２の隔壁
１６０ 基板
１６２ 下地層
１６３ ブラックマトリクス
１６４ 赤色カラーフィルター
１６５ 緑色カラーフィルター
１６６ 青色カラーフィルター
２００ 基板
２０１ 導電性酸化物膜
２０２ 導電性酸化物膜
２０３ ドットスペーサー
２０４ シール材
２０５ エアギャップ
２１０ 基板
２１５ 入力手段
３００ 接着層
４００ 基板
４０１ 導電性酸化物膜
４０２ 基板
４０３ 接着層
４４０ 有機ＥＬ表示装置
５００ 基板
５０１ 導電性酸化物膜
５０２ 導電性酸化物膜
５０３ 絶縁層
５１０ 基板
５１５ 入力手段
６００ 基板
６０１ 導電性酸化物膜
６０２ 導電性酸化物膜
６０３ ドットスペーサー
６０４ シール材
６０５ エアギャップ
６１０ 基板
６１５ 入力手段
９０３３ 留め具
９０３４ スイッチ
９０３５ 電源スイッチ
９０３６ スイッチ
９６００ 電子機器
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３１ａ 表示部
９６３１ｂ 表示部
９６３２ａ タッチパネルの領域
９６３２ｂ タッチパネルの領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ 操作キー
９６３８ 操作スイッチ
９６３９ ボタン
９６４０ 操作キー
９６４７ コンバータ
９８００ タッチパネル
９８００ａ タッチパネル
９８００ｂ タッチパネル

Claims (17)

  1. Ｃ軸が膜表面に対して垂直方向に配向する結晶構造を有することを特徴とする導電性酸化物膜。
  2. Ｘ線回折測定により得られる回折ピークが３１°である結晶構造を有することを特徴とする導電性酸化物膜。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    シート抵抗が４０Ω／□以下であることを特徴とする導電性酸化物膜。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    バンドギャップが２．５ｅＶ以上であることを特徴とする導電性酸化物膜。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする導電性酸化物膜。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    インジウム亜鉛酸化物膜であることを特徴とする導電性酸化物膜。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の導電性酸化物膜を含むタッチパネルを有することを特徴とする表示装置。
  8. 請求項７において、前記導電性酸化物膜に流れる電流の変化によりタッチ位置を検出することを特徴とする表示装置。
  9. 第１の基板上に形成された第１の導電性酸化物膜と、
    第２の基板上に形成された第２の導電性酸化物膜と、を有し、
    前記第１の導電性酸化物膜及び前記第２の導電性酸化物膜は、それぞれ請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の導電性酸化物膜であり、
    前記第１の導電性酸化物膜と、前記第２の導電性酸化物膜との接触によりタッチ位置を検出することを特徴とする表示装置。
  10. 第１の基板上に形成された第１の導電性酸化物膜と、
    第２の基板上に形成された第２の導電性酸化物膜と、を有し、
    前記第１の導電性酸化物膜及び前記第２の導電性酸化物膜は、それぞれ請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の導電性酸化物膜であり、
    前記第１の導電性酸化物膜と、前記第２の導電性酸化物膜との間に生じる容量変化によりタッチ位置を検出することを特徴とする表示装置。
  11. 請求項９又は請求項１０において、
    前記第１の導電性酸化物膜と前記第２の導電性酸化物膜との間には、液晶層が挟持されていることを特徴とする表示装置。
  12. 請求項９又は請求項１０において、
    前記第１の導電性酸化物膜と前記第２の導電性酸化物膜との間には、発光層が挟持されていることを特徴とする表示装置。
  13. 基板温度が２００℃以上の条件下で、スパッタリング法を用いて前記基板上に導電性酸化物膜を成膜し、
    成膜後、前記導電性酸化物膜に対して窒素アニール処理を行うことを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法。
  14. 基板温度が２００℃以上の条件下で、スパッタリング法を用いてアルゴンガスを含む雰囲気中で、前記基板上に導電性酸化物膜を成膜し、
    成膜後、前記導電性酸化物膜に対して窒素アニール処理を行うことを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法。
  15. 請求項１３又は請求項１４において、
    前記アルゴンガスの比率は７０％以上であることを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法。
  16. 請求項１３乃至請求項１５のいずれか一において、
    前記窒素アニール処理時の温度は、３５０℃以上であることを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法。
  17. 請求項１３乃至請求項１５のいずれか一において、
    前記窒素アニール処理時の温度は、４５０℃以上であることを特徴とする導電性酸化物膜の作製方法。
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