JP2016219824A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016219824A5 JP2016219824A5 JP2016145128A JP2016145128A JP2016219824A5 JP 2016219824 A5 JP2016219824 A5 JP 2016219824A5 JP 2016145128 A JP2016145128 A JP 2016145128A JP 2016145128 A JP2016145128 A JP 2016145128A JP 2016219824 A5 JP2016219824 A5 JP 2016219824A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- semiconductor layer
- oxide semiconductor
- crystal
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 23
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N hexane Substances CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008079 hexane Substances 0.000 claims 1
- -1 hexane compound Chemical class 0.000 claims 1
Claims (4)
- ガラス基板上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、Inと、Gaと、Znとを有し、
前記酸化物半導体層は、単結晶でなく、
前記酸化物半導体層は、第1の領域と、第2の領域とを有し、
前記第1の領域は、前記ゲート電極の上面と重なる領域であり、
前記第2の領域は、前記酸化物半導体層が、前記ゲート電極の側面に沿うように傾斜した領域であり、
前記第1の領域は、第1の結晶を有し、
前記第2の領域は、第2の結晶を有し、
前記第1の結晶は、前記第1の領域の膜厚方向にc軸配向性を有し、
前記第2の結晶は、前記第2の領域の膜厚方向にc軸配向性を有することを特徴とする表示装置。 - ガラス基板上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、Inと、Gaと、Znとを有し、
前記酸化物半導体層は、単結晶でなく、
前記酸化物半導体層は、TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)測定において、300℃付近に現れる水のピークが検出されず、
前記酸化物半導体層は、第1の領域と、第2の領域とを有し、
前記第1の領域は、前記ゲート電極の上面と重なる領域であり、
前記第2の領域は、前記酸化物半導体層が、前記ゲート電極の側面に沿うように傾斜した領域であり、
前記第1の領域は、第1の結晶を有し、
前記第2の領域は、第2の結晶を有し、
前記第1の結晶は、前記第1の領域の膜厚方向にc軸配向性を有し、
前記第2の結晶は、前記第2の領域の膜厚方向にc軸配向性を有することを特徴とする表示装置。 - ガラス基板上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、Inと、Gaと、Znとを有し、
前記酸化物半導体層は、単結晶でなく、
前記酸化物半導体層は、TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)測定において、水の二つのピークのうち一つが検出され、
前記酸化物半導体層は、第1の領域と、第2の領域とを有し、
前記第1の領域は、前記ゲート電極の上面と重なる領域であり、
前記第2の領域は、前記酸化物半導体層が、前記ゲート電極の側面に沿うように傾斜した領域であり、
前記第1の領域は、第1の結晶を有し、
前記第2の領域は、第2の結晶を有し、
前記第1の結晶は、前記第1の領域の膜厚方向にc軸配向性を有し、
前記第2の結晶は、前記第2の領域の膜厚方向にc軸配向性を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1の結晶と、前記第2の結晶とはそれぞれ、a−b面を有し、
前記第1の結晶のa−b面は、前記第2の結晶のa−b面と一致しないことを特徴とする表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009276918 | 2009-12-04 | ||
JP2009276918 | 2009-12-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015084032A Division JP5978342B2 (ja) | 2009-12-04 | 2015-04-16 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017174803A Division JP6370979B2 (ja) | 2009-12-04 | 2017-09-12 | 表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016219824A JP2016219824A (ja) | 2016-12-22 |
JP2016219824A5 true JP2016219824A5 (ja) | 2017-04-27 |
JP6211149B2 JP6211149B2 (ja) | 2017-10-11 |
Family
ID=44114873
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010269522A Active JP5778919B2 (ja) | 2009-12-04 | 2010-12-02 | 表示装置 |
JP2014207209A Active JP5735692B2 (ja) | 2009-12-04 | 2014-10-08 | 表示装置 |
JP2015084032A Active JP5978342B2 (ja) | 2009-12-04 | 2015-04-16 | 表示装置 |
JP2016145128A Active JP6211149B2 (ja) | 2009-12-04 | 2016-07-25 | 表示装置 |
JP2017174803A Active JP6370979B2 (ja) | 2009-12-04 | 2017-09-12 | 表示装置 |
JP2018131177A Active JP6553258B2 (ja) | 2009-12-04 | 2018-07-11 | 表示装置 |
JP2019124128A Active JP6840193B2 (ja) | 2009-12-04 | 2019-07-03 | トランジスタ |
JP2021022365A Active JP7039742B2 (ja) | 2009-12-04 | 2021-02-16 | トランジスタ |
JP2022036123A Active JP7362811B2 (ja) | 2009-12-04 | 2022-03-09 | 表示装置 |
JP2023172795A Pending JP2024012304A (ja) | 2009-12-04 | 2023-10-04 | 表示装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010269522A Active JP5778919B2 (ja) | 2009-12-04 | 2010-12-02 | 表示装置 |
JP2014207209A Active JP5735692B2 (ja) | 2009-12-04 | 2014-10-08 | 表示装置 |
JP2015084032A Active JP5978342B2 (ja) | 2009-12-04 | 2015-04-16 | 表示装置 |
Family Applications After (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017174803A Active JP6370979B2 (ja) | 2009-12-04 | 2017-09-12 | 表示装置 |
JP2018131177A Active JP6553258B2 (ja) | 2009-12-04 | 2018-07-11 | 表示装置 |
JP2019124128A Active JP6840193B2 (ja) | 2009-12-04 | 2019-07-03 | トランジスタ |
JP2021022365A Active JP7039742B2 (ja) | 2009-12-04 | 2021-02-16 | トランジスタ |
JP2022036123A Active JP7362811B2 (ja) | 2009-12-04 | 2022-03-09 | 表示装置 |
JP2023172795A Pending JP2024012304A (ja) | 2009-12-04 | 2023-10-04 | 表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US8247813B2 (ja) |
JP (10) | JP5778919B2 (ja) |
KR (6) | KR102462239B1 (ja) |
TW (3) | TWI654688B (ja) |
WO (1) | WO2011068017A1 (ja) |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102576737B (zh) | 2009-10-09 | 2015-10-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
EP2497115A4 (en) | 2009-11-06 | 2015-09-02 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
WO2011065210A1 (en) * | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
KR102068463B1 (ko) | 2009-11-28 | 2020-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
CN105609509A (zh) | 2009-12-04 | 2016-05-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR102462239B1 (ko) | 2009-12-04 | 2022-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011070928A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011074407A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011081009A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011108346A1 (en) | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of oxide semiconductor film and manufacturing method of transistor |
US8629438B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5458443B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2014-04-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出機能付き表示装置、および電子機器 |
KR101900525B1 (ko) * | 2011-03-18 | 2018-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8878288B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8932913B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8916868B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8809854B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8946066B2 (en) | 2011-05-11 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US8847233B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film |
US9397222B2 (en) | 2011-05-13 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9954110B2 (en) | 2011-05-13 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
KR102492593B1 (ko) | 2011-06-08 | 2023-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟, 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 박막의 형성 방법 |
WO2013005380A1 (en) | 2011-07-01 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8952377B2 (en) * | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2013011844A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
KR101953724B1 (ko) * | 2011-08-26 | 2019-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 모듈, 발광 장치, 발광 모듈의 제작 방법, 발광 장치의 제작 방법 |
US9431545B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
SG11201505088UA (en) | 2011-09-29 | 2015-08-28 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
US8637864B2 (en) | 2011-10-13 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP5912394B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10002968B2 (en) | 2011-12-14 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
JP6053490B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2013154195A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6076612B2 (ja) * | 2012-04-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102119914B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2020-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US9202926B2 (en) * | 2012-06-06 | 2015-12-01 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor |
US9885108B2 (en) | 2012-08-07 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming sputtering target |
CN102856392B (zh) * | 2012-10-09 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管主动装置及其制作方法 |
US20140151095A1 (en) * | 2012-12-05 | 2014-06-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board and method for manufacturing the same |
TW201442249A (zh) * | 2013-02-13 | 2014-11-01 | Idemitsu Kosan Co | 薄膜電晶體 |
JP6141777B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10304859B2 (en) | 2013-04-12 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film |
KR102089326B1 (ko) * | 2013-10-01 | 2020-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP6537264B2 (ja) * | 2013-12-12 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015115469A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器、および薄膜トランジスタの製造方法 |
KR102127240B1 (ko) * | 2013-12-13 | 2020-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 신호라인, 그 제조방법 |
US9640556B2 (en) * | 2014-01-15 | 2017-05-02 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor |
FR3037438B1 (fr) * | 2015-06-09 | 2017-06-16 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un element semi-conducteur comprenant une couche de piegeage de charges |
US10302019B2 (en) * | 2016-03-03 | 2019-05-28 | General Electric Company | High pressure compressor augmented bleed with autonomously actuated valve |
DE112017001488T5 (de) * | 2016-03-22 | 2018-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Anzeigevorrichtung, die diese umfasst |
FR3058561B1 (fr) | 2016-11-04 | 2018-11-02 | Soitec | Procede de fabrication d'un element semi-conducteur comprenant un substrat hautement resistif |
US10866475B2 (en) | 2017-03-17 | 2020-12-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device |
WO2018181296A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | チャネルエッチ型薄膜トランジスタの製造方法 |
CN107544185B (zh) * | 2017-09-25 | 2020-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN107862998B (zh) * | 2017-11-09 | 2020-05-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性goa显示面板及其制作方法 |
CN107919365B (zh) * | 2017-11-21 | 2019-10-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型tft基板及其制作方法 |
JPWO2019111105A1 (ja) | 2017-12-06 | 2020-12-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
US20190280052A1 (en) * | 2018-03-12 | 2019-09-12 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing a touch-control panel and oled touch-control apparauts |
KR20210013151A (ko) | 2018-05-25 | 2021-02-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
TWI697192B (zh) * | 2019-01-24 | 2020-06-21 | 研能科技股份有限公司 | 微機電泵模組 |
TWI693785B (zh) * | 2019-01-24 | 2020-05-11 | 研能科技股份有限公司 | 微機電泵模組 |
TWI699086B (zh) * | 2019-01-24 | 2020-07-11 | 研能科技股份有限公司 | 微機電泵模組 |
CN113785346A (zh) | 2019-05-10 | 2021-12-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR20210009000A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
Family Cites Families (157)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
WO1997006554A2 (en) | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3881407B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2007-02-14 | Hoya株式会社 | 導電性酸化物薄膜、この薄膜を有する物品及びその製造方法 |
US5859630A (en) * | 1996-12-09 | 1999-01-12 | Thomson Multimedia S.A. | Bi-directional shift register |
JP3945887B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2007-07-18 | Hoya株式会社 | 導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000026119A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Hoya Corp | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
WO2002016679A1 (fr) | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Matiere semi-conductrice polycristalline |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
TWI306311B (en) | 2002-06-21 | 2009-02-11 | Sanyo Electric Co | Thin film transistor and method for producing thin film transistor |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
GB2397710A (en) | 2003-01-25 | 2004-07-28 | Sharp Kk | A shift register for an LCD driver, comprising reset-dominant RS flip-flops |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP2005150203A (ja) | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ及び相補型電界効果トランジスタ並びにこれらの製造方法 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
KR101078509B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7476572B2 (en) | 2004-03-25 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor |
JP4713192B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
JP4583797B2 (ja) * | 2004-04-14 | 2010-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
US7622338B2 (en) * | 2004-08-31 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
JP5110785B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US7470604B2 (en) | 2004-10-08 | 2008-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CN102938420B (zh) | 2004-11-10 | 2015-12-02 | 佳能株式会社 | 无定形氧化物和场效应晶体管 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101707212B (zh) | 2005-11-15 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
JP5089139B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2012-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
WO2007080813A1 (en) | 2006-01-07 | 2007-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device and electronic device having the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5015473B2 (ja) | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタアレイ及びその製法 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252233A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
JP5271504B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2013-08-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP2009528670A (ja) | 2006-06-02 | 2009-08-06 | 財団法人高知県産業振興センター | 半導体機器及びその製法 |
US20070287221A1 (en) | 2006-06-12 | 2007-12-13 | Xerox Corporation | Fabrication process for crystalline zinc oxide semiconductor layer |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP4932415B2 (ja) | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI514348B (zh) | 2006-09-29 | 2015-12-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置和電子裝置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7511343B2 (en) | 2006-10-12 | 2009-03-31 | Xerox Corporation | Thin film transistor |
JP2008116652A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | 配線基板およびその製造方法、並びに電子機器 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
US8143115B2 (en) | 2006-12-05 | 2012-03-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
TWI478347B (zh) | 2007-02-09 | 2015-03-21 | Idemitsu Kosan Co | A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
TWI487118B (zh) | 2007-03-23 | 2015-06-01 | Idemitsu Kosan Co | Semiconductor device |
JP5197058B2 (ja) | 2007-04-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 発光装置とその作製方法 |
WO2008126879A1 (en) | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and production method thereof |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
JP5043499B2 (ja) * | 2007-05-02 | 2012-10-10 | 財団法人高知県産業振興センター | 電子素子及び電子素子の製造方法 |
JPWO2008136505A1 (ja) | 2007-05-08 | 2010-07-29 | 出光興産株式会社 | 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法 |
JP5215589B2 (ja) | 2007-05-11 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置 |
JP5164427B2 (ja) * | 2007-05-11 | 2013-03-21 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 半導体装置およびその駆動方法、表示装置およびその駆動方法 |
JP4462289B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 半導体層の成長方法および半導体発光素子の製造方法 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8354674B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
JP5354999B2 (ja) | 2007-09-26 | 2013-11-27 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2009135448A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
US7768008B2 (en) | 2007-11-13 | 2010-08-03 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same and display using the same |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP5219529B2 (ja) | 2008-01-23 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及び、該電界効果型トランジスタを備えた表示装置 |
JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
JP2009231664A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
KR100941850B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP2009267399A (ja) | 2008-04-04 | 2009-11-12 | Fujifilm Corp | 半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置及び表示装置の製造方法 |
KR100963026B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100963027B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP5345456B2 (ja) | 2008-08-14 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5606682B2 (ja) | 2009-01-29 | 2014-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4415062B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4571221B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-10-27 | 富士フイルム株式会社 | Igzo系酸化物材料及びigzo系酸化物材料の製造方法 |
KR102462239B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2022-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2011138934A (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
JP2011187506A (ja) | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
JP2012160679A (ja) | 2011-02-03 | 2012-08-23 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
FR2982887B1 (fr) | 2011-11-18 | 2014-01-31 | Coatex Sas | Polymeres faiblement anioniques pour sauces de couchage destinees a des papiers pour impression de type jet d'encre |
-
2010
- 2010-11-04 KR KR1020217038353A patent/KR102462239B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-04 KR KR1020227037566A patent/KR20220149630A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-11-04 WO PCT/JP2010/070062 patent/WO2011068017A1/en active Application Filing
- 2010-11-04 KR KR1020127017051A patent/KR101833198B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-04 KR KR1020197023002A patent/KR102153034B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-04 KR KR1020207025239A patent/KR102333270B1/ko active Application Filing
- 2010-11-04 KR KR1020187004920A patent/KR102010752B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-30 TW TW106105944A patent/TWI654688B/zh active
- 2010-11-30 TW TW099141514A patent/TWI527123B/zh active
- 2010-11-30 TW TW104144469A patent/TWI584385B/zh active
- 2010-12-01 US US12/957,517 patent/US8247813B2/en active Active
- 2010-12-02 JP JP2010269522A patent/JP5778919B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-09 US US13/570,297 patent/US8866138B2/en active Active
-
2014
- 2014-10-06 US US14/507,204 patent/US9721971B2/en active Active
- 2014-10-08 JP JP2014207209A patent/JP5735692B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-16 JP JP2015084032A patent/JP5978342B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-25 JP JP2016145128A patent/JP6211149B2/ja active Active
- 2016-12-06 US US15/370,034 patent/US9991286B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-12 JP JP2017174803A patent/JP6370979B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-24 US US15/988,534 patent/US10840268B2/en active Active
- 2018-07-11 JP JP2018131177A patent/JP6553258B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-03 JP JP2019124128A patent/JP6840193B2/ja active Active
- 2019-10-15 US US16/653,007 patent/US20200052004A1/en not_active Abandoned
-
2021
- 2021-02-16 JP JP2021022365A patent/JP7039742B2/ja active Active
- 2021-12-01 US US17/539,249 patent/US11728349B2/en active Active
-
2022
- 2022-03-09 JP JP2022036123A patent/JP7362811B2/ja active Active
-
2023
- 2023-08-08 US US18/231,382 patent/US20240055436A1/en active Pending
- 2023-10-04 JP JP2023172795A patent/JP2024012304A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016219824A5 (ja) | ||
JP2017059856A5 (ja) | ||
JP2016195267A5 (ja) | ||
JP2014082388A5 (ja) | ||
JP2016006872A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015015457A5 (ja) | ||
JP2013179294A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015213165A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014157357A5 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2013149965A5 (ja) | ||
JP2014099429A5 (ja) | ||
JP2014241404A5 (ja) | ||
JP2013236068A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015188083A5 (ja) | 撮像装置及び電子機器 | |
JP2017103467A5 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP2015144273A5 (ja) | 表示装置 | |
JP2013211543A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016139800A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014030000A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011100997A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015043415A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011097103A5 (ja) | ||
JP2015111706A5 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP2013175716A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013211537A5 (ja) |