JP2012253329A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (3)

1. 酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層に第１の熱処理を行って、前記酸化物半導体層中の水素、水又は水酸基を低減し、
   前記酸化物半導体層に酸素を注入し、
   前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上に、酸化アルミニウムを含む絶縁層を形成し、
   前記絶縁層を形成した後、第２の熱処理を行い、
   前記絶縁層は、前記酸化物半導体層からの酸素の放出を防ぐ機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記酸化物半導体層は、結晶を有し、
   前記酸素を注入することにより、前記結晶が壊されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１において、
   前記酸化物半導体層は、ＴＥＭ像により観察することができる結晶の格子を有し、
   前記酸素を注入することにより、前記結晶の格子が壊されることを特徴とする半導体装置の作製方法。