JP2013128105A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 酸化物膜と、
   前記酸化物膜上の、酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
   前記酸化物膜は、表面に結晶性を有し、
   前記酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の結晶化を阻害する元素を有さず、
   前記酸化物半導体膜は、前記酸化物半導体膜と前記酸化物膜との界面から結晶性を有し、
   前記酸化物半導体膜の結晶性は、前記酸化物半導体膜の膜厚方向に広がっていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記酸化物半導体膜を成膜した直後から、前記酸化物半導体膜は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記酸化物膜の表面は、平坦性を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記酸化物膜は、ＸＲＤ回折測定の結果、２θ＝３０°付近のピークを示すことを特徴とする半導体装置。