JP2015025196A5 - - Google Patents
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Description
<下地層2>
本発明において、図1に示す薄膜コンデンサ10は、好ましくは、絶縁処理を施した支持基板1表面に、下地層2を有している。下地層2は、支持基板1と下部電極3の密着性向上を目的として挿入される。一例として、下部電極3にCuを使用する場合には下地層2はCrを、下部電極3にPtを使用する場合にはTiを下地層2として挿入することが一般的である。密着性向上を目的としていることから、前記材料に限定されるものではなく、また支持基板1と下部電極3の密着性を保つことが出来れば、下地層2は省略しても良い。
本発明において、図1に示す薄膜コンデンサ10は、好ましくは、絶縁処理を施した支持基板1表面に、下地層2を有している。下地層2は、支持基板1と下部電極3の密着性向上を目的として挿入される。一例として、下部電極3にCuを使用する場合には下地層2はCrを、下部電極3にPtを使用する場合にはTiを下地層2として挿入することが一般的である。密着性向上を目的としていることから、前記材料に限定されるものではなく、また支持基板1と下部電極3の密着性を保つことが出来れば、下地層2は省略しても良い。
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