JP2012134475A5 - 酸化物半導体膜 - Google Patents
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
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- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 4
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 claims 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 2
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Claims (11)
- 結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
前記結晶性を有する領域は、c軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。 - 結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
電子スピン共鳴法により測定されるg=1.93近傍のシグナルのスピン密度が1.3×10 18 spins/cm 3 より小さく、
前記結晶性を有する領域は、c軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。 - 結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
水素の濃度が、5×10 19 atoms/cm 3 以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、c軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。 - 結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
リチウムの濃度が、5×10 15 atoms/cm 3 以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、c軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。 - 結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
ナトリウムの濃度が、5×10 16 atoms/cm 3 以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、c軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。 - 結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
カリウムの濃度が、5×10 15 atoms/cm 3 以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、c軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。 - 結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
水素の濃度が5×10 19 atoms/cm 3 以下であり、リチウムの濃度が5×10 16 atoms/cm 3 以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、c軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。 - 結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
水素の濃度が5×10 19 atoms/cm 3 以下であり、ナトリウムの濃度が5×10 16 atoms/cm 3 以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、c軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。 - 結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
水素の濃度が5×10 19 atoms/cm 3 以下であり、カリウムの濃度が5×10 16 atoms/cm 3 以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、c軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記結晶性を有する領域は、1nm以上1000nm以下の大きさを有することを特徴とする酸化物半導体膜。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
電子スピン共鳴法により測定されるg=1.93近傍のシグナルのスピン密度が5×10 17 spins/cm 3 より小さいことを特徴とする酸化物半導体膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011260854A JP2012134475A (ja) | 2010-12-03 | 2011-11-29 | 酸化物半導体膜および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010270557 | 2010-12-03 | ||
JP2010270557 | 2010-12-03 | ||
JP2011260854A JP2012134475A (ja) | 2010-12-03 | 2011-11-29 | 酸化物半導体膜および半導体装置 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012279118A Division JP2013102171A (ja) | 2010-12-03 | 2012-12-21 | 半導体装置 |
JP2013042839A Division JP5689490B2 (ja) | 2010-12-03 | 2013-03-05 | 酸化物半導体膜 |
JP2013042847A Division JP5897485B2 (ja) | 2010-12-03 | 2013-03-05 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012134475A JP2012134475A (ja) | 2012-07-12 |
JP2012134475A5 true JP2012134475A5 (ja) | 2013-02-14 |
Family
ID=46161371
Family Applications (13)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011260854A Withdrawn JP2012134475A (ja) | 2010-12-03 | 2011-11-29 | 酸化物半導体膜および半導体装置 |
JP2012279118A Withdrawn JP2013102171A (ja) | 2010-12-03 | 2012-12-21 | 半導体装置 |
JP2013042847A Active JP5897485B2 (ja) | 2010-12-03 | 2013-03-05 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
JP2013042839A Active JP5689490B2 (ja) | 2010-12-03 | 2013-03-05 | 酸化物半導体膜 |
JP2015014005A Active JP6031537B2 (ja) | 2010-12-03 | 2015-01-28 | 酸化物半導体膜 |
JP2016207185A Withdrawn JP2017050553A (ja) | 2010-12-03 | 2016-10-21 | 半導体装置 |
JP2018111334A Withdrawn JP2018170515A (ja) | 2010-12-03 | 2018-06-11 | トランジスタ |
JP2018114242A Withdrawn JP2018139333A (ja) | 2010-12-03 | 2018-06-15 | トランジスタ |
JP2018148182A Active JP6568631B2 (ja) | 2010-12-03 | 2018-08-07 | 半導体装置 |
JP2019218718A Withdrawn JP2020043363A (ja) | 2010-12-03 | 2019-12-03 | トランジスタ |
JP2022083513A Withdrawn JP2022103433A (ja) | 2010-12-03 | 2022-05-23 | 半導体装置 |
JP2023188558A Pending JP2023181500A (ja) | 2010-12-03 | 2023-11-02 | 半導体装置 |
JP2024018534A Pending JP2024045486A (ja) | 2010-12-03 | 2024-02-09 | 酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜の作製方法 |
Family Applications After (12)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012279118A Withdrawn JP2013102171A (ja) | 2010-12-03 | 2012-12-21 | 半導体装置 |
JP2013042847A Active JP5897485B2 (ja) | 2010-12-03 | 2013-03-05 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
JP2013042839A Active JP5689490B2 (ja) | 2010-12-03 | 2013-03-05 | 酸化物半導体膜 |
JP2015014005A Active JP6031537B2 (ja) | 2010-12-03 | 2015-01-28 | 酸化物半導体膜 |
JP2016207185A Withdrawn JP2017050553A (ja) | 2010-12-03 | 2016-10-21 | 半導体装置 |
JP2018111334A Withdrawn JP2018170515A (ja) | 2010-12-03 | 2018-06-11 | トランジスタ |
JP2018114242A Withdrawn JP2018139333A (ja) | 2010-12-03 | 2018-06-15 | トランジスタ |
JP2018148182A Active JP6568631B2 (ja) | 2010-12-03 | 2018-08-07 | 半導体装置 |
JP2019218718A Withdrawn JP2020043363A (ja) | 2010-12-03 | 2019-12-03 | トランジスタ |
JP2022083513A Withdrawn JP2022103433A (ja) | 2010-12-03 | 2022-05-23 | 半導体装置 |
JP2023188558A Pending JP2023181500A (ja) | 2010-12-03 | 2023-11-02 | 半導体装置 |
JP2024018534A Pending JP2024045486A (ja) | 2010-12-03 | 2024-02-09 | 酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜の作製方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US8669556B2 (ja) |
JP (13) | JP2012134475A (ja) |
KR (9) | KR101995082B1 (ja) |
CN (3) | CN105336791B (ja) |
DE (1) | DE112011104002B4 (ja) |
TW (9) | TWI692109B (ja) |
WO (1) | WO2012073844A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7392024B2 (ja) | 2013-06-28 | 2023-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (359)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2013047629A1 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20130040706A (ko) | 2011-10-14 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
SG10201601757UA (en) | 2011-10-14 | 2016-04-28 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
CN103946742B (zh) | 2011-11-18 | 2016-08-31 | 夏普株式会社 | 半导体装置、显示装置和半导体装置的制造方法 |
JP2013149953A (ja) | 2011-12-20 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US9035302B2 (en) | 2011-12-28 | 2015-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix including stressed capacitor insulation |
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CN104040416B (zh) | 2012-01-11 | 2017-05-17 | 夏普株式会社 | 半导体装置、显示装置和半导体装置的制造方法 |
US9419146B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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US9735280B2 (en) | 2012-03-02 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film |
CN104220926B (zh) | 2012-03-27 | 2016-10-05 | 夏普株式会社 | 半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置 |
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US9341904B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid-crystal display apparatus with large viewing angle and high optical transmittance |
WO2013151002A1 (ja) | 2012-04-06 | 2013-10-10 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8901556B2 (en) | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
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-
2011
- 2011-11-21 KR KR1020137015848A patent/KR101995082B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-21 CN CN201510496344.0A patent/CN105336791B/zh active Active
- 2011-11-21 KR KR1020237006773A patent/KR102637010B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-21 KR KR1020207013143A patent/KR20200052993A/ko active Application Filing
- 2011-11-21 KR KR1020197018131A patent/KR102110496B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-21 KR KR1020247004791A patent/KR20240025046A/ko active Application Filing
- 2011-11-21 CN CN201310376877.6A patent/CN103500712B/zh active Active
- 2011-11-21 KR KR1020137018239A patent/KR101457833B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-21 KR KR1020147019793A patent/KR101749387B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-21 KR KR1020227025885A patent/KR102505248B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-21 CN CN201180066610.6A patent/CN103339715B/zh active Active
- 2011-11-21 WO PCT/JP2011/077292 patent/WO2012073844A1/en active Application Filing
- 2011-11-21 KR KR1020157022686A patent/KR101763052B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-21 DE DE112011104002.4T patent/DE112011104002B4/de active Active
- 2011-11-29 JP JP2011260854A patent/JP2012134475A/ja not_active Withdrawn
- 2011-11-30 US US13/307,398 patent/US8669556B2/en active Active
- 2011-12-01 TW TW107128489A patent/TWI692109B/zh active
- 2011-12-01 TW TW109139369A patent/TWI764367B/zh active
- 2011-12-01 TW TW106130006A patent/TWI668871B/zh active
- 2011-12-01 TW TW102131055A patent/TWI514581B/zh active
- 2011-12-01 TW TW104127326A patent/TWI553873B/zh active
- 2011-12-01 TW TW105122429A patent/TWI606591B/zh active
- 2011-12-01 TW TW108122956A patent/TWI713225B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-12-01 TW TW105107574A patent/TWI577025B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-12-01 TW TW100144209A patent/TWI562365B/zh active
-
2012
- 2012-12-21 JP JP2012279118A patent/JP2013102171A/ja not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-03-05 JP JP2013042847A patent/JP5897485B2/ja active Active
- 2013-03-05 JP JP2013042839A patent/JP5689490B2/ja active Active
- 2013-03-15 US US13/832,479 patent/US8680522B2/en active Active
-
2014
- 2014-03-06 US US14/199,257 patent/US8994021B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-28 JP JP2015014005A patent/JP6031537B2/ja active Active
- 2015-03-02 US US14/635,199 patent/US9331208B2/en active Active
-
2016
- 2016-04-25 US US15/137,613 patent/US9711655B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-10-21 JP JP2016207185A patent/JP2017050553A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-07-13 US US15/648,943 patent/US10103277B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-11 JP JP2018111334A patent/JP2018170515A/ja not_active Withdrawn
- 2018-06-15 JP JP2018114242A patent/JP2018139333A/ja not_active Withdrawn
- 2018-06-28 US US16/021,490 patent/US10916663B2/en active Active
- 2018-08-07 JP JP2018148182A patent/JP6568631B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-03 JP JP2019218718A patent/JP2020043363A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-02-04 US US17/167,163 patent/US20210159345A1/en active Pending
-
2022
- 2022-05-23 JP JP2022083513A patent/JP2022103433A/ja not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-11-02 JP JP2023188558A patent/JP2023181500A/ja active Pending
-
2024
- 2024-02-09 JP JP2024018534A patent/JP2024045486A/ja active Pending
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