WO2015133469A1

WO2015133469A1 - 液晶表示装置

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Publication number: WO2015133469A1
Application number: PCT/JP2015/056203
Authority: WO
Inventors: 岡崎　敢; 博司土屋; 裕一喜夛; 一人松本; 雄祐西原; 久保木　剣
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2014-03-05
Filing date: 2015-03-03
Publication date: 2015-09-11

Abstract

　液晶表示装置（１００）は、第１基板（１０）、第２基板（２０）および液晶層（３０）を備え、複数の画素（Ｐｘ）を有する。第１基板は、液晶層に横電界を生成し得る第１電極（１１）および第２電極（１２）と、電圧無印加時における液晶分子（ＬＣ）の配向軸方位（Ｄ１）を規定する配向膜（１８）とを有する。第１電極は、互いに略平行に延びる複数の細長電極部分（１１ａ）および／または少なくとも１つのスリット（１１ｂ）を有する。各画素は、細長電極部分またはスリットの延びる方向と配向軸方位とが第１の角度（θ１）をなす第１領域（Ｒ１）と、細長電極部分またはスリットの延びる方向と配向軸方位とが第１の角度よりも小さい第２の角度（θ２）をなす第２領域（Ｒ２）とを有する。

Description

液晶表示装置

　本発明は、液晶表示装置に関し、特に、横電界モードの液晶表示装置に関する。

　ＴＦＴ型液晶表示装置は、ＴＦＴを介して各画素の液晶層（電気的には「液晶容量」と呼ばれる。）に印加する電圧を制御することによって、各画素を透過する光の量を調節し、表示を行う。各画素の液晶層に印加される電圧は、ある期間毎に極性が反転される。このような液晶表示装置の駆動方法は、交流駆動法と呼ばれ、液晶層に長時間にわたって直流電圧が印加されないようにしている。液晶層に長時間にわたって直流電圧が印加されると、液晶材料中に存在するイオンの偏在（界面分極）や液晶材料の劣化が起こり、表示品位が低下するからである。

　本明細書において、各画素の液晶層（液晶容量）に印加される電圧を画素電圧と呼ぶことにする。画素電圧は、画素の画素電極と対向電極との間に印加される電圧であり、対向電極の電位に対する画素電極の電位で表される。対向電極の電位よりも画素電極の電位が高いときの画素電圧の極性を正とし、対向電極の電位よりも画素電極の電位が低いときの画素電圧の極性を負とする。

　ＴＦＴ型液晶表示装置においては、画素電極はＴＦＴのドレイン電極に接続されており、ＴＦＴのソースに接続されているソースバスラインから供給される表示信号電圧が供給される。画素電極に供給される表示信号電圧と、対向電極に供給される対向電圧との差が、画素電圧に相当することになる。

　ＴＦＴ型液晶表示装置において、画素電圧の極性は、典型的にはフレーム期間毎に反転する。ここで、ＴＦＴ型液晶表示装置におけるフレーム期間とは、全ての画素に画素電圧を供給するために必要な期間であって、あるゲートバスライン（走査配線）が選択され、次にそのゲートバスラインが選択されるまでの期間を意味し、垂直走査期間と言われることもある。画素は、行および列を有するマトリクス状に配列されており、典型的には、ゲートバスラインは画素の行に対応し、ソースバスラインは画素の列に対応し、ゲートバスラインに供給される走査信号（ゲート信号）によって、行ごとに順次、画素電圧が供給される。

　従来の一般的なＴＦＴ型液晶表示装置のフレーム期間は１／６０秒（フレーム周波数は６０Ｈｚ）である。入力映像信号が例えばＮＴＳＣ信号の場合、ＮＴＳＣ信号は、インターレース駆動用の信号であり、１フレーム（フレーム周波数は３０Ｈｚ）が、奇数フィールドおよび偶数フィールドの２つのフィールド（フィールド周波数は６０Ｈｚ）で構成されているが、ＴＦＴ型液晶表示装置では、ＮＴＳＣ信号の各フィールドに対応して、全ての画素に画素電圧を供給するので、ＴＦＴ型液晶表示装置のフレーム期間は１／６０秒（フレーム周波数は６０Ｈｚ）となる。なお、最近は、動画表示特性の向上や３Ｄ表示を行うために、フレーム周波数を１２０Ｈｚにした倍速駆動や、２４０Ｈｚの４倍速駆動のＴＦＴ型液晶表示装置が市販されている。このように、ＴＦＴ型液晶表示装置は、入力される映像信号に応じてフレーム期間（フレーム周波数）を決定し、各フレーム期間に全ての画素に画素電圧を供給するように構成された駆動回路を備えている。

　近年、In Plane Switching（ＩＰＳ）モードやFringe Field Switching（ＦＦＳ）モードに代表される横電界モードの液晶表示装置の利用が広がっている。横電界モードの液晶表示装置は、Vertical Alignment（ＶＡ）モードなどの縦電界モードの液晶表示装置に比べ、画素電圧の極性反転に伴うフリッカが見えやすいという問題がある。これは、液晶層の液晶分子の配向が、ベンド変形やスプレイ変形を伴う変化をすると、液晶分子の配向の非対称に起因した配向分極（「フレクソ分極」と呼ばれる。）が生じるためと考えられている。

　特許文献１は、液晶材料のフレクソ係数ｅ11、ｅ33や弾性定数Ｋ11、Ｋ33を所定の範囲内とすることにより、フレクソ分極に起因したフリッカの発生が抑制された液晶表示装置を開示している。

　また、最近、本願出願人は、酸化物半導体層（例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体層）を備えたＴＦＴを用いた低消費電力の液晶表示装置を製造販売している。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（ａ－ＳｉＴＦＴに比べ２０倍超）および低いリーク電流（ａ－ＳｉＴＦＴに比べ１００分の１未満）を有している。画素ＴＦＴとして、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴを用いると、リーク電流が小さいので、休止駆動（低周波駆動とよばれることもある）を適用することによって、消費電力を低減することができる。

　休止駆動法は、例えば、特許文献２に記載されている。参考のために、特許文献２の開示内容の全てを本明細書に援用する。休止駆動は、通常の６０Ｈｚ駆動（１フレーム期間＝１／６０秒間）において、１フレーム期間（１／６０秒間）で画像を書き込んだ後、続く５９フレーム期間（５９／６０秒間）では画像を書き込まないというサイクルを繰り返す。この休止駆動は、１秒間に１回だけ画像を書き込むので、１Ｈｚ駆動と呼ばれることもある。ここでは、休止駆動は、画像を書き込む期間よりも長い休止期間を有する駆動方法、または、フレーム周波数が６０Ｈｚ未満の低周波駆動を指すことにする。

　フリッカの視認されやすさは、周波数に依存する。例えば、６０Ｈｚでは気にならない輝度の変化も、周波数が６０Ｈｚより小さくなると、特に３０Ｈｚ以下になるとフリッカとして視認されやすくなる。特に、１０Ｈｚ付近の周波数で輝度が変化すると、フリッカが非常に気になることが知られている。

特開２０１０－２８２０３７号公報国際公開第２０１３／００８６６８号

　本願発明者が、横電界モードの液晶表示装置に上記の休止駆動を適用したところ、特許文献１に開示されている技術では対策されていないフリッカが発生することを見出した。

　本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、６０Ｈｚ未満の周波数で駆動してもフリッカが視認され難い、横電界モードの液晶表示装置を提供することにある。

　本発明の実施形態による液晶表示装置は、互いに対向するように設けられた第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた液晶層と、を備え、マトリクス状に配列された複数の画素を有する液晶表示装置であって、前記第１基板は、前記液晶層に横電界を生成し得る第１電極および第２電極と、前記液晶層に接するように設けられ、電圧無印加時における液晶分子の配向軸方位を規定する配向膜とを有し、前記第１電極は、互いに略平行に延びる複数の細長電極部分および／または少なくとも１つのスリットを有し、前記複数の画素のそれぞれは、前記細長電極部分または前記スリットの延びる方向と前記配向膜によって規定される前記配向軸方位とが第１の角度をなす第１領域と、前記細長電極部分または前記スリットの延びる方向と前記配向膜によって規定される前記配向軸方位とが前記第１の角度よりも小さい第２の角度をなす第２領域とを有する。

　ある実施形態において、前記第１領域の面積と前記第２領域の面積とは互いに異なる。

　ある実施形態において、前記液晶層は、誘電異方性が正のネマチック液晶材料を含み、前記第２領域の面積は、前記第１領域の面積よりも大きい。

　ある実施形態において、前記複数の画素のそれぞれにおける前記第２領域の面積比は０．７以上である。

　ある実施形態において、前記複数の画素のそれぞれにおける前記第２領域の面積比は０．９以上である。

　ある実施形態において、前記第１の角度は４°以上１５°以下であり、前記第２の角度は３°以上１４°以下である。

　ある実施形態において、前記液晶層は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含み、前記第１領域の面積は、前記第２領域の面積よりも大きい。

　ある実施形態において、前記複数の画素のそれぞれにおける前記第１領域の面積比は０．７以上である。

　ある実施形態において、前記複数の画素のそれぞれにおける前記第１領域の面積比は０．９以上である。

　ある実施形態において、前記第１の角度は７６°以上８７°以下であり、前記第２の角度は７５°以上８６°以下である。

　ある実施形態において、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されたとき、前記第１領域の液晶分子と前記第２領域の液晶分子とは同じ方向に回転する。

　ある実施形態において、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されたとき、前記複数の画素のうちの任意の第１画素において前記第１領域および前記第２領域の液晶分子が回転する方向と、前記第１画素に行方向または列方向に沿って隣接する第２画素において前記第１領域および前記第２領域の液晶分子が回転する方向とは互いに反対である。

　ある実施形態において、前記第１画素において前記第１電極の前記細長電極部分または前記スリットの延びる方向と、前記第２画素において前記第１電極の前記細長電極部分または前記スリットの延びる方向とは異なる。

　ある実施形態において、前記第１画素の前記第１電極と、前記第２画素の前記第１電極とは、前記第１画素および前記第２画素の境界を軸として互いに実質的に線対称となるような形状を有する。

　ある実施形態において、前記第１電極は、誘電体層を介して前記第２電極上に設けられており、前記第１基板は、前記配向膜、前記第１電極、前記誘電体層および前記第２電極を前記液晶層側からこの順に有する。

　ある実施形態において、本発明による液晶表示装置は、前記複数の画素のそれぞれに表示信号電圧が供給される信号供給期間と、前記複数の画素のそれぞれに表示信号電圧が供給されない休止期間とが１フレーム中に設けられる休止駆動を行い得る。

　ある実施形態において、前記第１基板は、前記複数の画素のそれぞれに設けられた薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは、酸化物半導体を含む半導体層を有する。

　ある実施形態において、前記酸化物半導体は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を含む。

　ある実施形態において、前記Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体は、結晶質部分を含む。

　本発明の実施形態によると、６０Ｈｚ未満の周波数で駆動してもフリッカが視認され難い、横電界モードの液晶表示装置が提供される。

（ａ）は、本発明の実施形態による液晶表示装置１００を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の１Ｂ－１Ｂ’線に沿った断面図である。液晶表示装置１００において電圧印加時に液晶分子が回転する方向を示す図である。横電界モードの液晶表示装置で休止駆動を行ったときの規格化輝度の時間変化を示すグラフである。１０Ｈｚの休止駆動を行ったときの相対透過率と時間との関係を示すグラフである。（ａ）は、正極性の画素電圧が印加されているとき（１００ｍｓｅｃ時点）の電気力線と液晶分子の配向状態とを示す断面図であり、（ｂ）は、そのときの輝度プロファイルを示すグラフである。（ａ）は、画素電圧の極性が反転した直後（１０６ｍｓｅｃ時点）の電気力線と液晶分子の配向状態とを示す断面図であり、（ｂ）は、そのときの輝度プロファイルを示すグラフである。（ａ）は、負極性の画素電圧が印加されているとき（２００ｍｓｅｃ時点）の電気力線と液晶分子の配向状態とを示す断面図であり、（ｂ）は、そのときの輝度プロファイルを示すグラフである。（ａ）および（ｂ）は、正極性の画素電圧が印加されているとき（１００ｍｓｅｃ時点）の液晶分子の方位角プロファイルおよび極角プロファイルをそれぞれ示すグラフであり、（ｃ）は、図５（ｂ）に示した輝度プロファイルを方位角成分と極角成分とに分離した結果を示すグラフである。（ａ）および（ｂ）は、画素電圧の極性が反転した直後（１０６ｍｓｅｃ時点）の液晶分子の方位角プロファイルおよび極角プロファイルをそれぞれ示すグラフであり、（ｃ）は、図６（ｂ）に示した輝度プロファイルを方位角成分と極角成分とに分離した結果を示すグラフである。（ａ）および（ｂ）は、負極性の画素電圧が印加されているとき（２００ｍｓｅｃ時点）の液晶分子の方位角プロファイルおよび極角プロファイルをそれぞれ示すグラフであり、（ｃ）は、図７（ｂ）に示した輝度プロファイルを方位角成分と極角成分とに分離した結果を示すグラフである。フレクソ分極が発生しないとした場合において、正極性の画素電圧が印加されているとき（１００ｍｓｅｃ時点）、画素電圧の極性が反転した直後（１０６ｍｓｅｃ時点）および負極性の画素電圧が印加されているとき（２００ｍｓｅｃ時点）の輝度プロファイルを示すグラフである。（ａ）および（ｂ）は、フレクソ分極が発生しないとした場合において、正極性の画素電圧が印加されているとき（１００ｍｓｅｃ時点）、画素電圧の極性が反転した直後（１０６ｍｓｅｃ時点）および負極性の画素電圧が印加されているとき（２００ｍｓｅｃ時点）の液晶分子の方位角プロファイルおよび極角プロファイルをそれぞれ示すグラフであり、（ｃ）は、図１１に示した輝度プロファイルを方位角成分と極角成分とに分離した結果を示すグラフである。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ実施例１、２、３および４の液晶表示装置１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃおよび１００Ｄを模式的に示す平面図である。（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、比較例１、２および３の液晶表示装置９００Ａ、９００Ｂおよび９００Ｃを模式的に示す平面図であり、（ｄ）は、液晶表示装置９００Ａ、９００Ｂおよび９００Ｃにおいて電圧印加時に液晶分子が回転する方向を示す図である。細長電極部分の延びる方向と配向軸方位とのなす角度が３°、７°、１１°および１５°である場合について、規格化ＶＴ特性（画素電圧と規格化輝度との関係）を示すグラフである。実施例２および比較例１について、１０Ｈｚ駆動の休止駆動を行った場合の規格化輝度の時間変化をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフであり、画素電圧の波形も併せて示している。実施例１、２および比較例１について、１０Ｈｚ駆動の休止駆動を行った場合の規格化輝度の時間変化をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。実施例１～４および比較例１～３について、２０Ｈｚ、１０Ｈｚおよび１Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。実施例５～８および比較例１～３について、２０Ｈｚ、１０Ｈｚおよび１Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。細長電極部分の延びる方向と配向軸方位とのなす角度が３°、７°、１１°、１５°および１９°である場合について、規格化ＶＴ特性（画素電圧と規格化輝度との関係）を示すグラフである。実施例２の液晶表示装置１００Ｂの複数の画素のうち、行方向に沿って互いに隣接する任意の２つの画素（第１画素および第２画素）Ｐｘ１およびＰｘ２に対応した領域を模式的に示す平面図である。実施例９の液晶表示装置１００Ｅの複数の画素のうち、行方向に沿って互いに隣接する任意の２つの画素（第１画素および第２画素）Ｐｘ１およびＰｘ２に対応した領域を模式的に示す平面図である。（ａ）は、実施例２の液晶表示装置１００Ｂについて、正面方向（極角０°、方位角０°）および斜め方向（極角７５°、方位角４５°）におけるＶ－Ｔ特性を示すグラフであり、（ｂ）は、実施例９の液晶表示装置１００Ｅについて、正面方向（極角０°、方位角０°）および斜め方向（極角７５°、方位角４５°）におけるＶ－Ｔ特性を示すグラフである。実施例１０の液晶表示装置１００Ｆの複数の画素のうち、列方向に沿って互いに隣接する任意の２つの画素（第１画素および第２画素）Ｐｘ１およびＰｘ２に対応した領域を模式的に示す平面図である。配向膜１８および２８に対する光配向処理を説明するための図である。（ａ）および（ｂ）は、配向膜１８および２８に対するラビング処理を説明するための図である。（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態による液晶表示装置１００の他の構成を模式的に示す断面図である。（ａ）および（ｂ）は、ポジ型液晶材料の液晶分子と双極子モーメントとの関係を示す図であり、（ｃ）は、ポジ型液晶材料から構成されている液晶層に正極性の画素電圧が印加されているときの電気力線と液晶分子の配向状態との関係を示す図である。（ａ）は、ネガ型液晶材料の液晶分子と双極子モーメントとの関係を示す図であり、（ｂ）は、ネガ型液晶材料から構成されている液晶層に正極性の画素電圧が印加されているときの電気力線と液晶分子の配向状態との関係を示す図である。（ａ）は、ネガ型液晶材料の液晶分子と双極子モーメントとの関係を示す図であり、（ｂ）は、ネガ型液晶材料から構成されている液晶層に正極性の画素電圧が印加されているときの電気力線と液晶分子の配向状態との関係を示す図である。フレクソ分極に起因したフリッカが発生する（双極子モーメントが液晶分子の長軸に対して傾斜するネガ型液晶材料を含む）液晶パネルにおける、正極性の直流電圧印加時および負極性の直流電圧印加時のＶ－Ｔ特性の例を示すグラフである。（ａ）は、本発明の実施形態による他の液晶表示装置２００を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の３２Ｂ－３２Ｂ’線に沿った断面図である。液晶表示装置２００において電圧印加時に液晶分子が回転する方向を示す図である。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ実施例１１、１２、１３および１４の液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃおよび２００Ｄを模式的に示す平面図である。（ａ）は、比較例４の液晶表示装置９００Ｄを模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置９００Ｄにおいて電圧印加時に液晶分子が回転する方向を示す図である。細長電極部分の延びる方向と配向軸方位とのなす角度が８７°、８３°、７９°および７５°である場合について、規格化ＶＴ特性（画素電圧と規格化輝度との関係）を示すグラフである。実施例１１および比較例４について、６．７Ｈｚ駆動の休止駆動を行った場合の規格化輝度の時間変化をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。実施例１１および比較例４について、２Ｈｚ駆動の休止駆動を行った場合の規格化輝度の時間変化をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。実施例１１および比較例４について、６．７Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。実施例１１および比較例４について、２Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。実施例１１～１４および比較例４について、２Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。実施例１１、１５～１９および比較例４について、２Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。実施例１１～１９および比較例４について、６．７Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。実施例１１～１９および比較例４について、２Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示すグラフである。（ａ）は、「配向軸方位」、「配向方位」および「配向方向」を説明するための斜視図であり、（ｂ）は、配向膜主面に対して規定される極角θおよび方位角φを説明するための斜視図である。

　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。以下の説明においては、液晶分子の配向方向を正確に記述する必要があるので、「配向方向」を表現するための用語を定義する。一般に「方向」は、３次元空間内のベクトルで表されるが、表示面内（２次元面内）における方向や、正方向と負方向と（互いに１８０°異なる２つの方向）を区別する必要がない場合があるからである。

　まず、図４５（ａ）および（ｂ）を参照しながら、本明細書における「配向軸方位」、「配向方位」および「配向方向」という用語について説明する。図４５（ａ）に示すように、液晶分子ＬＣは、典型的には、配向膜主面（ＸＹ面）に対して所定のプレチルト角βを有するように配向する。このとき、液晶分子ＬＣのうちのＸＹ面から近い方の端部から遠い方の端部（図４５（ａ）において白丸で示す端部）に向かうベクトルを考える。このベクトルの、ＸＹ面内での成分（ＸＹ面内への投射影）が示す向きを「配向方位」と呼ぶ。「配向方位」は、図４５（ｂ）に示す方位角φを用いて、０°～３６０°の範囲で表わすことができる。また、この「配向方位」と、当該配向方位に対して１８０°異なる配向方位（逆向き）とで規定される直線の方向を「配向軸方位」と呼ぶ。「配向軸方位が同じである」という場合、配向方位が同じである関係を意味していてもよく、また、配向方位が１８０°異なる関係を意味していても良い。なお、「配向方向」は、３次元的な方向（液晶分子の長軸方向であり、図４５（ｂ）に示す極角θも加味した方向）を意味するものとする。

　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、以下ではＦＦＳモードの液晶表示装置を例示するが、本発明の実施形態は、ＦＦＳモードの液晶表示装置に限定されず、ＩＰＳモードの液晶表示装置にも適用することができる。

　図１（ａ）および（ｂ）に、本発明の実施形態による液晶表示装置１００を示す。図１（ａ）および（ｂ）は、それぞれ液晶表示装置１００を模式的に示す平面図および断面図である。図１（ａ）は、液晶表示装置１００の１つの画素Ｐｘに対応した領域を示しており、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の１Ｂ－１Ｂ’線に沿った断面を示している。

　液晶表示装置１００は、互いに対向するように設けられたアクティブマトリクス基板（第１基板）１０および対向基板（第２基板）２０と、アクティブマトリクス基板１０および対向基板２０の間に設けられた液晶層３０とを備える。また、液晶表示装置１００は、マトリクス状に配列された複数の画素Ｐｘを有する。

　さらに、ここでは図示していないが、液晶表示装置１００は、一対の偏光板を備える。一対の偏光板は、少なくとも液晶層３０を介して互いに対向するように（典型的にはアクティブマトリクス基板１０および対向基板２０のそれぞれの液晶層３０とは反対側に）設けられており、クロスニコルに配置される。図１（ａ）に示すように、一対の偏光板の一方の吸収軸ａ１は、表示面の水平方向に平行であり、他方の吸収軸ａ２は、表示面の垂直方向に平行である。

　アクティブマトリクス基板１０は、液晶層３０に横電界を生成し得る第１電極１１および第２電極１２と、液晶層３０に接するように設けられた配向膜１８とを有する。第１電極１１および第２電極１２は、その一方が画素電極であり、他方が共通電極である。ここでは、第１電極１１が画素電極であり、第２電極１２が共通電極である構成を例示する。

　第１電極１１は、画素Ｐｘごとに設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のドレイン電極に電気的に接続されており、ＴＦＴを介して表示信号電圧を供給される。第１電極１１は、透明な導電材料（例えばＩＴＯ）から形成されている。

　第１電極１１は、互いに略平行に延びる複数の細長電極部分（枝部）１１ａを有する。複数（図１に示す例では３つ）の細長電極部分１１ａは、第１電極１１を構成する導電膜に、少なくとも１つ（図１に示す例では２つ）のスリット１１ｂを設けることによって形成され得る。複数の細長電極部分１１ａは、図１（ａ）に例示している構成では、接続部（幹部）１１ｃによって相互に電気的に接続されている。なお、以降の図面では、接続部１１ｃを省略していることがある。細長電極部分１１ａの数（およびスリット１１ｂの数）は、例示したものに限定されない。また、各細長電極部分１１ａの幅や、細長電極部分１１ａの間隔（つまりスリット１１ｂの幅）にも特に制限はない。

　第１電極１１は、誘電体層１３を介して第２電極１２上に設けられている。つまり、アクティブマトリクス基板１０は、配向膜１８、第１電極１１、誘電体層１３および第２電極１２を液晶層３０側からこの順に有する。誘電体層１３は、例えば無機絶縁材料から形成されている。

　第２電極１２は、共通電圧を供給される。第２電極１２は、典型的には、べた電極（スリットなどが設けられていない電極）である。第２電極１２は、透明な導電材料（例えばＩＴＯ）から形成されている。

　配向膜１８は、電圧無印加時における液晶分子ＬＣの配向軸方位Ｄ１を規定する。図１（ａ）に示す例では、配向軸方位Ｄ１は、表示面の垂直方向に平行である。本実施形態では、配向膜１８は、光配向膜であり、主として液晶分子ＬＣの配向方位を規定する水平配向膜として機能する。配向膜１８によって規定される液晶分子ＬＣのプレチルト角は、典型的には１°以下に設定されている。なお、液晶分子ＬＣのプレチルト角は、０．１°以上１．０°以下であることが好ましい。

　本明細書において、「光配向膜」とは、光（例えば偏光紫外線）の照射によって配向規制力が付与される配向膜を意味する。国際公開第２００９／１５７２０７号には、光配向膜を備える液晶表示装置が記載されており、例えば、ポリイミドの主鎖と、光反応性官能基としてのシンナメート基を含む側鎖とを有する高分子からなる配向膜に光を照射することによって、光配向膜を形成する技術が記載されている。参考のため、上記国際公開第２００９／１５７２０７号の開示内容の全てを本明細書に援用する。

　アクティブマトリクス基板１０の構成要素は、絶縁性を有する透明な基板（例えばガラス基板）１０ａに支持されている。基板１０ａ上には、ゲートメタル層が設けられている。ゲートメタル層は、ＴＦＴのゲート電極、および、ゲート電極に電気的に接続された走査配線（ゲートバスライン）を含む（いずれも不図示）。走査配線は、ＴＦＴに走査信号電圧を供給する。

　ゲートメタル層を覆うように、ゲート絶縁層１４が設けられている。ゲート絶縁層１４上に、ＴＦＴの活性層として酸化物半導体層（不図示）が設けられている。酸化物半導体から形成された半導体層を用いることにより、低周波駆動を実現するために適切な素子特性（オフ特性）が得られる。

　酸化物半導体層は、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体（以下、「Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体」と略する。）を含んでいる。ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。本実施形態では、酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で含むＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層であってもよい。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（ａ－ＳｉＴＦＴに比べ２０倍超）および低いリーク電流（ａ－ＳｉＴＦＴに比べ１００分の１未満）を有しているので、駆動ＴＦＴおよび画素ＴＦＴとして好適に用いられる。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴを用いれば、液晶表示装置１００の消費電力を大幅に削減することが可能になる。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質部分を含み、結晶性を有していてもよい。結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体が好ましい。このようなＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体の結晶構造は、例えば、特開２０１２－１３４４７５号公報に開示されている。参考のために、特開２０１２－１３４４７５号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。

　酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体の代わりに、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。例えばＺｎ－Ｏ系半導体（ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（ＩＺＯ（登録商標））、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系半導体（ＺＴＯ）、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドミウム）、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ―Ｓｎ―Ｚｎ―Ｏ系半導体（例えばＩｎ₂Ｏ₃－ＳｎＯ₂－ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。

　酸化物半導体層上に、ソースメタル層が設けられている。ソースメタル層は、ＴＦＴのソース電極、ドレイン電極（いずれも不図示）、および、ソース電極に電気的に接続された信号配線（ソースバスライン）１５を含む。信号配線１５は、ＴＦＴに表示信号電圧を供給する。

　ソースメタル層を覆うように、保護層１６が設けられている。保護層１６は、例えば無機絶縁材料から形成されている。保護層１６上に、有機層間絶縁層１７が設けられている。有機層間絶縁層１７は、例えば、感光性を有する樹脂材料から形成されている。

　有機層間絶縁層１７上に、第２電極１２、誘電体層１３、第１電極１１および配向膜１８がこの順で積層されている。

　対向基板２０は、遮光層２１およびカラーフィルタ層２２と、液晶層３０に接するように設けられた配向膜２８とを有する。

　遮光層（「ブラックマトリクス」とも呼ばれる。）２１は、例えば、感光性を有する黒色樹脂材料から形成される。

　カラーフィルタ層２２は、赤カラーフィルタ２２Ｒ、緑カラーフィルタ２２Ｇおよび青カラーフィルタ２２Ｂを含む。赤カラーフィルタ２２Ｒ、緑カラーフィルタ２２Ｇおよび青カラーフィルタ２２Ｂは、例えば、感光性を有する着色樹脂材料から形成される。

　配向膜２８によって規定される液晶分子ＬＣの配向方位は、配向膜１８によって規定される液晶分子ＬＣの配向方位と平行または反平行である。本実施形態では、配向膜２８は、光配向膜であり、主として液晶分子ＬＣの配向方位を規定する水平配向膜として機能する。配向膜２８によって規定される液晶分子ＬＣのプレチルト角も、典型的には１°以下に設定されている。また、配向膜２８によって規定される液晶分子ＬＣのプレチルト角も、０．１°以上１．０°以下であることが好ましい。

　本実施形態では、遮光層２１およびカラーフィルタ層２２を覆うように有機平坦化層２３が設けられており、この有機平坦化層２３上に配向膜２８が設けられている。有機平坦化層２３は、例えば、感光性を有する樹脂材料から形成されている。

　対向基板２０の構成要素は、絶縁性を有する透明な基板（例えばガラス基板）２０ａに支持されている。基板２０ａの液晶層３０とは反対側の表面には、帯電を防止するための透明導電層２６が設けられている。透明導電層２６には、例えば０Ｖの電位が与えられる。

　液晶層３０は、誘電異方性が正のネマチック液晶材料を含み、液晶層３０中の液晶分子ＬＣは、配向膜１８および２８の配向規制力によって略水平に配向している。

　本実施形態の液晶表示装置１００では、複数の画素Ｐｘのそれぞれは、図１（ａ）に示すように、第１領域Ｒ１と、第２領域Ｒ２とを有する。

　第１領域Ｒ１では、細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向と配向膜１８によって規定される配向軸方位Ｄ１とは、第１の角度θ１をなす。図１（ａ）に示す例では、細長電極部分１１ａの延びる方向は、配向軸方位Ｄ１に対して反時計回りに第１の角度θ１傾斜している。

　これに対し、第２領域Ｒ２では、細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向と配向膜１８によって規定される配向軸方位Ｄ１とは、第１の角度θ１よりも小さい第２の角度θ２をなす。図１（ａ）に示す例では、細長電極部分１１ａの延びる方向は、配向軸方位Ｄ１に対して反時計回りに第２の角度θ２傾斜している。

　このように、各画素Ｐｘは、第１電極１１の細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向が互いに異なる２種類の領域（第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２）を有する。第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されたとき、図２に示すように、第１領域Ｒ１の液晶分子ＬＣと第２領域Ｒ２の液晶分子ＬＣとは同じ方向（ここでは時計回り）に回転する。

　第２の角度θ２は、第１の角度θ１よりも小さければよく（つまり、第１の角度θ１は、第２の角度θ２よりも大きければよく）、第１の角度θ１および第２の角度θ２の大きさに制限はない。ただし、後述する理由から、第１の角度θ１は４°以上１５°以下で、第２の角度θ２は３°以上１４°以下であることが好ましい。

　図１（ａ）に例示している構成では、第１領域Ｒ１の面積と第２領域Ｒ２の面積とが互いに異なっている。より具体的には、第２領域Ｒ２の面積は、第１領域Ｒ１の面積よりも大きい。

　液晶表示装置１００は、休止駆動を行うことができる。静止画表示時などに、休止駆動（例えば１～数Ｈｚの頻度で画像データを書き換える）を行うことにより、消費電力を大幅に削減することが可能である。

　一般的な６０Ｈｚ駆動の液晶表示装置では、１垂直走査期間（約１／６０秒間）ごとに画素に表示信号電圧が供給される。すなわち、６０Ｈｚ駆動では、１秒間に６０回、画素に表示信号が印加される。

　これに対し、休止駆動では、所定の垂直走査期間において画素に表示信号電圧を供給し、その後の単数または複数の垂直走査期間においては表示信号電圧を供給しない。つまり、休止駆動では、各画素に表示信号電圧が供給される信号供給期間と、各画素に表示信号電圧が供給されない休止期間とが１フレーム中に設けられる。

　例えば、駆動周波数が１Ｈｚの休止駆動は、１垂直走査期間（６０Ｈｚ駆動の１垂直走査期間：１／６０秒）において表示信号電圧を画素に供給した後、その垂直走査期間に続く５９垂直走査期間（５９／６０秒）において表示信号を画素に供給することなく休止することで実行されてよい。なお、休止駆動において、所望の表示信号電圧を画素に印加するために、複数の垂直走査期間にわたって電圧を供給してもよい。例えば、最初の３垂直走査期間において表示信号電圧を画素に供給し、その後の５７垂直走査期間を休止期間としてもよい。

　以上の説明からもわかるように、本願明細書では、ある表示信号を画素に供給するために割り当てられた期間を１フレームと呼んでいる。１Ｈｚの休止駆動では、１フレームは、６０の垂直走査期間を含み、このうちに信号供給期間と休止期間とが適宜設定される。なお、上記の６０Ｈｚ駆動の場合には、１フレームが１垂直走査期間に対応する。また、上記説明から理解されるように、本明細書において「駆動周波数」の語は、１フレーム期間（秒）の逆数に対応する。例えば、休止駆動によって駆動周波数が１０Ｈｚに設定されている場合、１フレーム期間は０．１秒である。

　上述したように、本実施形態の液晶表示装置１００の各画素Ｐｘは、細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向と配向膜１８によって規定される配向軸方位Ｄ１とのなす角度が互いに異なる第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有する。このことにより、６０Ｈｚ未満の周波数で駆動したとしても、フレクソ分極に起因するフリッカを視認され難くすることができる。以下、この理由を説明するが、それに先立ち、フレクソ分極およびそれに起因するフリッカを説明する。

　ネマチック液晶では、個々の液晶分子は永久双極子モーメントを持ち分極しているものの、分子配列の対称性から、平衡状態では巨視的な分極は発生しない。しかし、電界分布の急激な変化によって液晶分子がその配向方向を揃えようと並ぶときに局所的なスプレイ配向あるいはベンド配向となり（つまり分子配列の対称性が崩れ）、巨視的な分極が発生する。この分極（フレクソエレクトリック効果による分極）が、フレクソ分極である。

　特許文献１には、ＦＦＳモードの液晶表示装置において、フレクソ分極により、液晶層に正極性の電圧が印加されているときと負極性の電圧が印加されているときとで透過率の差異が生じることが記載されている。特許文献１によれば、このフレクソ分極は、液晶層に生成される電界（アーチ状の電気力線で表わされる）による配向規制力と、アクティブマトリクス基板側の配向膜による配向規制力との競合によって生じる局所的な（アクティブマトリクス基板側の配向膜と液晶層との界面近傍における）スプレイ配向に起因するとされている。フレクソ分極の向きは、液晶層に印加されている極性の反転とともに反転するので、画素内の暗線（フレクソ分極によって発生する）がそれに伴って移動し、フリッカが視認される。特許文献１には、液晶材料のフレクソ係数ｅ11、ｅ33や弾性係数Ｋ11、Ｋ33を所定の範囲内とすることにより、上記のフリッカを抑制し得ることが記載されている。

　しかしながら、本願発明者が横電界モードの液晶表示装置に上記の休止駆動を適用したところ、特許文献１に開示されている技術では対策されていないフリッカが発生することがわかった。図３に、横電界モードの液晶表示装置で休止駆動を行ったときの規格化輝度の時間変化を示す。なお、図３には、表示信号電圧の波形も併せて示している。また、図３に示す例では、休止駆動によって駆動周波数は２Ｈｚ（つまり１フレーム期間は５００ｍｓｅｃ）となっており、５００ｍｓｅｃごとに表示信号電圧の極性が反転している。

　図３から、極性反転時に輝度の低下が発生することがわかる。この輝度低下が、フリッカとして視認される。なお、極性反転時に輝度が下向きの角（つの）のように低下することから、以下では、この現象を「下角応答」とも呼ぶ。

　本願発明者がシミュレーションを行ったところ、液晶材料のフレクソ係数ｅ11、ｅ33や弾性係数Ｋ11、Ｋ33を特許文献１に開示されている範囲内に設定しても、上記のフリッカ（下角応答）を改善することはできなかった。

　以下、下角応答が発生する理由を説明する。なお、以下の説明では、各画素の液晶層（液晶容量）に印加される電圧を画素電圧と呼ぶ。画素電圧は、各画素の画素電極と共通電極との間に印加される電圧であり、共通電極の電位に対する画素電極の電位で表わされる。画素電極の電位が対向電極の電位よりも高いときの画素電圧の極性を「正」とし、画素電極の電位が対向電極の電位よりも低いときの画素電圧の極性を「負」とする。

　フレクソ分極は電位差を伴うため、電界印加時の液晶分子の回転量は、印加電界による回転量に、フレクソ分極による電位差相当分の回転量が重畳したものとなる。このため、画素内で液晶分子の回転量に大小差が発生し、明暗差となる。

　図４に、１０Ｈｚの休止駆動（１フレーム期間は１００ｍｓｅｃ）を行ったときの透過率（相対透過率）と時間との関係を示す。この例では、第１フレーム（０～１００ｍｓｅｃ）に正極性の画素電圧が印加され、第２フレーム（１００ｍｓｅｃ～２００ｍｓｅｃ）に負極性の画素電圧が印加される。図４からわかるように、この例においても、極性反転時に輝度の低下が発生している。以下、この場合を例として、さらに図５～図１０を参照しながら、より具体的な説明を行う。

　図５（ａ）は、正極性の画素電圧が印加されているとき（１００ｍｓｅｃ時点）の電気力線ＥＦと液晶分子ＬＣの配向状態とを示す断面図であり、図５（ｂ）は、そのときの輝度プロファイル（相対透過率と横方向（図５（ａ）の左右方向）の距離との関係）を示すグラフである。また、図６（ａ）は、画素電圧の極性が反転した直後（１０６ｍｓｅｃ時点）の電気力線ＥＦと液晶分子ＬＣの配向状態とを示す断面図であり、図６（ｂ）は、そのときの輝度プロファイルを示すグラフである。図７（ａ）は、負極性の画素電圧が印加されているとき（２００ｍｓｅｃ時点）の電気力線ＥＦと液晶分子ＬＣの配向状態とを示す断面図であり、図７（ｂ）は、そのときの輝度プロファイルを示すグラフである。

　図５（ａ）、図６（ａ）および図７（ａ）中に示す矢印ＦＰは、フレクソ分極の方向を表している。また、図５（ｂ）、図６（ｂ）および図７（ｂ）に示す輝度プロファイルは、シミュレーションにより得られたものである。

　シミュレーションソフトとしては、シンテック株式会社製LCD MASTERを用いた。セル厚（液晶層の厚さ）は３．０μｍとし、誘電体層の厚さは０．３μｍとした。また、第１電極（画素電極）の細長電極部分の幅および間隔は、それぞれ５．０μｍおよび３．０μｍとした。液晶層を構成するポジ型液晶材料の物性値は、表１に示す通りとした。

　図５（ａ）および図７（ａ）に示すように、画素電極９１１と共通電極９１２との間に所定の電圧が印加されたとき、つまり、正極性の画素電圧印加時および負極性の画素電圧印加時のいずれにおいても、アクティブマトリクス基板９１０近傍において液晶分子ＬＣがスプレイ配向をとり、それによってフレクソ分極が発生する。このフレクソ分極は、液晶層に生成される電界（電気力線ＥＦで表わされる）による配向規制力と、アクティブマトリクス基板９１０側の配向膜による配向規制力との競合によって生じる。ただし、図５（ａ）と図７（ａ）との比較からわかるように、画素電圧の極性が正であるときと負であるときとで、フレクソ分極の方向ＦＰが異なる。つまり、画素電圧の極性の反転に伴って、フレクソ分極の方向ＦＰも反転する。また、図６（ａ）に示すように、画素電圧の極性が反転した直後には、フレクソ分極が緩和（消失）する。

　図５（ｂ）に示すように、画素電圧の極性が正であるときには、画素電極９１１のスリット９１１ｂ上（図５（ｂ）中の領域Ｓ）が明るく、細長電極部分９１１ａ上（図５（ｂ）中の領域Ｅ）が暗くなる。また、図７（ｂ）に示すように、画素電圧の極性が負であるときには、画素電極９１１の細長電極部分９１１ａ上が明るく、スリット９１１ｂ上が暗くなる。さらに、図６（ｂ）に示すように、画素電圧の極性の反転直後には、画素電極９１１の細長電極部分９１１ａとスリット９１１ｂとの境界上が明るくなる。このように、正極性の画素電圧印加時と、負極性の画素電圧印加時とで、画素内における明暗の位置が異なる。

　図８（ａ）および（ｂ）は、正極性の画素電圧が印加されているとき（１００ｍｓｅｃ時点）の液晶分子ＬＣの方位角プロファイルおよび極角プロファイルをそれぞれ示すグラフであり、図８（ｃ）は、図５（ｂ）に示した輝度プロファイルを方位角成分と極角成分とに分離した結果を示すグラフである。また、図９（ａ）および（ｂ）は、画素電圧の極性が反転した直後（１０６ｍｓｅｃ時点）の液晶分子ＬＣの方位角プロファイルおよび極角プロファイルをそれぞれ示すグラフであり、図９（ｃ）は、図６（ｂ）に示した輝度プロファイルを方位角成分と極角成分とに分離した結果を示すグラフである。図１０（ａ）および（ｂ）は、負極性の画素電圧が印加されているとき（２００ｍｓｅｃ時点）の液晶分子ＬＣの方位角プロファイルおよび極角プロファイルをそれぞれ示すグラフであり、図１０（ｃ）は、図７（ｂ）に示した輝度プロファイルを方位角成分と極角成分とに分離した結果を示すグラフである。

　図８（ａ）に示すように、画素電圧の極性が正であるときには、スリット９１１ｂ上で方位角が大きく、細長電極部分９１１ａ上で方位角が小さい。これに対し、図１０（ａ）に示すように、画素電圧の極性が負であるときには、細長電極部分９１１ａ上で方位角が大きく、スリット９１１ｂ上で方位角が小さい。このように、画素電圧の極性が正であるときと負であるときとで、方位角プロファイルが異なっている。なお、図９（ａ）に示すように、画素電圧の極性の反転直後の方位角プロファイルは、画素電圧の極性が正であるときの方位角プロファイルと、画素電圧の極性が負であるときの方位角プロファイルとの中間的なものである。

　また、図８（ｂ）に示すように、画素電圧の極性が正であるときには、細長電極部分９１１ａの右端とスリット９１１ｂの左端との境界上において極角が大きく、スリット９１１ｂの右端と細長電極部分９１１ａの左端との境界上において極角が小さい。これに対し、図１０（ｂ）に示すように、画素電圧の極性が負であるときには、スリット９１１ｂの右端と細長電極部分９１１ａの左端との境界上において極角が大きく、細長電極部分９１１ａの右端とスリット９１１ｂの左端との境界上において極角が小さい。このように、画素電圧の極性が正であるときと負であるときとで、極角プロファイルも異なっている。なお、図９（ｂ）に示すように、画素電圧の極性の反転直後の極角プロファイルは、画素電圧の極性が正であるときの極角プロファイルと、画素電圧の極性が負であるときの極角プロファイルとの中間的なものである。

　また、図８（ｃ）に示すように、画素電圧の極性が正であるときには、スリット９１１ｂ上で方位角成分の割合が高い。これに対し、図１０（ｃ）に示すように、画素電圧の極性が負であるときには、細長電極部分９１１ａ上で方位角成分の割合が高い。なお、図９（ｃ）に示すように、画素電圧の極性の反転直後では、画素電極９１１の細長電極部分９１１ａとスリット９１１ｂとの境界上で方位角成分の割合が高い。

　上述したことから、正極性の画素電圧が印加されたときには、もっぱらスリット９１１ｂ上の液晶分子ＬＣの方位角方向の回転量に対して、フレクソ分極による回転量が重畳されていることがわかる。また、負極性の画素電圧が印加されたときには、もっぱら細長電極部分９１１ａ上の液晶分子の方位角方向の回転量に対して、フレクソ分極による回転量が重畳されていることがわかる。これらの理由により、正極性の画素電圧印加時には、スリット９１１ｂ上が明るく、細長電極部分９１１ａ上が暗くなり、負極性の画素電圧印加時には、細長電極部分９１１ａ上が明るく、スリット９１１ｂ上が暗くなる。

　また、画素電圧の極性反転時には、フレクソ分極が緩和し、その後反転するが、液晶分子ＬＣの配向変化に数ｍｓｅｃ（ここで挙げた例では６ｍｓｅｃ）要し、そのことが輝度低下の原因となり、フリッカが視認され得る。そして、休止駆動を行うと、このようなフリッカが顕在化する。

　ここで、比較のため、フレクソ分極が発生しないと仮定したときのシミュレーション結果を図１１および図１２を参照しながら説明する。

　図１１、図１２（ａ）および（ｂ）は、フレクソ分極が発生しないとした場合において、正極性の画素電圧が印加されているとき（１００ｍｓｅｃ時点）、画素電圧の極性が反転した直後（１０６ｍｓｅｃ時点）および負極性の画素電圧が印加されているとき（２００ｍｓｅｃ時点）の輝度プロファイル、方位角プロファイルおよび極角プロファイルをそれぞれ示すグラフである。また、図１２（ｃ）は、図１１に示した輝度プロファイルを方位角成分と極角成分とに分離した結果を示すグラフである。

　図１１および図１２（ａ）～（ｃ）からわかるように、フレクソ分極を考慮しない場合には、画素電圧の極性が反転しても輝度プロファイル、方位角プロファイルおよび極角プロファイルは変化しない。つまり、フレクソ分極が発生しないと仮定した場合には、下角応答は発生しない。

　上述した理由により、フレクソ分極に起因した下角応答（フリッカ）が発生する。本実施形態の液晶表示装置１００では、各画素Ｐｘが第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有することにより、６０Ｈｚ未満の周波数で駆動したとしても、フレクソ分極に起因するフリッカを視認され難くすることができる。以下、このことをシミュレーションにより検証した結果を説明する。

　シミュレーションは、図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）にそれぞれ示す実施例１、２、３および４の液晶表示装置１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃおよび１００Ｄについて行った。

　表２に、実施例１、２、３および４の液晶表示装置１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃおよび１００Ｄについて、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２のそれぞれにおいて細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とのなす角度（つまり第１の角度θ１および第２の角度θ２）と、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の面積比を示す。

　図１３（ａ）～（ｄ）および表２からわかるように、実施例１、２、３および４のいずれにおいても、第１の角度θ１は７°であり、第２の角度θ２は３°である。また、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の面積比は、実施例１では１：９、実施例２では３：７、実施例３では５：５、実施例４では７：３である。つまり、実施例１および２では、第２領域Ｒ２の面積が第１領域Ｒ１の面積よりも大きい。また、実施例３では、第１領域Ｒ１の面積と第２領域Ｒ２の面積とが同じであり、実施例４では、第１領域Ｒ１の面積が第２領域Ｒ２の面積よりも大きい。

　また、シミュレーションは、図１４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す比較例１、２および３の液晶表示装置９００Ａ、９００Ｂおよび９００Ｃについても行った。比較例１、２および３の液晶表示装置９００Ａ、９００Ｂおよび９００Ｃの各画素Ｐｘには、複数の細長電極部分９１１ａを有する第１電極（画素電極）９１１と、誘電体層（不図示）を介して第１電極９１１の下に形成された第２電極（共通電極）９１２とが設けられている。

　また、各画素Ｐｘは、上側領域ＲＵおよび下側領域ＲＬの２つの領域を有する。上側領域ＲＵと下側領域ＲＬとでは、細長電極部分９１１ａの延びる方向が異なる。ただし、上側領域ＲＵにおいて細長電極部分９１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とがなす角度と、下側領域ＲＬにおいて細長電極部分９１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とがなす角度とは、同じ角度θである。

　細長電極部分９１１ａの延びる方向は、上側領域ＲＵでは、配向軸方位Ｄ１に対して時計回りに角度θ傾斜しており、下側領域ＲＬでは、配向軸方位Ｄ１に対して反時計回りに角度θ傾斜している。第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されたとき、図１４（ｄ）に示すように、上側領域ＲＵの液晶分子ＬＣと下側領域ＲＬの液晶分子ＬＣとは反対方向に回転する。具体的には、上側領域ＲＵの液晶分子ＬＣは、反時計回りに回転するのに対し、下側領域ＲＬの液晶分子ＬＣは、時計回りに回転する。

　表３に、比較例１、２および３の液晶表示装置９００Ａ、９００Ｂおよび９００Ｃについて、上側領域ＲＵおよび下側領域ＲＬのそれぞれにおいて細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とのなす角度θと、上側領域ＲＵおよび下側領域ＲＬの面積比を示す。

　図１４（ａ）～（ｃ）および表３からわかるように、比較例１、２および３では、角度θ（上側領域ＲＵおよび下側領域ＲＬで共通の角度である）はそれぞれ７°、１１°および１５°である。また、上側領域ＲＵおよび下側領域ＲＬの面積比は、比較例１、２および３のいずれにおいても５：５である。つまり、比較例１、２および３では、上側領域ＲＵの面積と下側領域ＲＬの面積とが同じである。

　シミュレーションの条件としては、既に説明した条件（輝度プロファイルの計算に用いた条件）を用いた。また、フレクソ分極に起因したフリッカは、低階調（例えば２５６階調表示の液晶表示装置における６４階調：規格化透過率５％に対応）表示を行う場合に視認されやすいので、シミュレーションの際の画素電圧は、６４階調表示に対応する電圧とした。図１５に、細長電極部分の延びる方向と配向軸方位とのなす角度が３°、７°、１１°および１５°である場合について、規格化ＶＴ特性（画素電圧と規格化輝度との関係）を示す。また、表４に、細長電極部分の延びる方向と配向軸方位とのなす角度が３°、７°、１１°および１５°である場合について、６４階調表示に対応する電圧を示す。

　図１６に、実施例２および比較例１について、１０Ｈｚ駆動の休止駆動を行った場合の規格化輝度の時間変化をシミュレーションにより計算した結果を示す。また、図１７に、実施例２および比較例１に加えて実施例１についても、１０Ｈｚ駆動の休止駆動を行った場合の規格化輝度の時間変化をシミュレーションにより計算した結果を示す。なお、図１６には、画素電圧の波形も併せて示している。

　図１６および図１７からわかるように、実施例１および２では、画素電圧の極性反転時の輝度の低下が比較例１よりも抑制されている。

　図１８および表５に、実施例１～４および比較例１～３について、２０Ｈｚ、１０Ｈｚおよび１Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示す。なお、フリッカ率は、透過率（規格化透過率）の最大値Ｔｍａｘと最小値Ｔｍｉｎとの差ΔＴ（＝Ｔｍａｘ－Ｔｍｉｎ）を、累積平均透過率Ｔａｖｅで除算したものである。

　図１８および表５からわかるように、実施例１～４では、比較例１～３よりもフリッカ率が低い。また、実施例１、２、３および４の順に、フリッカ率が低い。

　同様のシミュレーションを、実施例５～８の液晶表示装置について行った。表６に、実施例５～８について、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２のそれぞれにおいて細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とのなす角度（つまり第１の角度θ１および第２の角度θ２）と、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の面積比を示す。

　表６からわかるように、実施例５～８のいずれにおいても、第１の角度θ１は１１°であり、第２の角度θ２は３°である。また、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の面積比は、実施例５では１：９、実施例６では３：７、実施例７では５：５、実施例８では７：３である。つまり、実施例５および６では、第２領域Ｒ２の面積が第１領域Ｒ１の面積よりも大きい。また、実施例７では、第１領域Ｒ１の面積と第２領域Ｒ２の面積とが同じであり、実施例８では、第１領域Ｒ１の面積が第２領域Ｒ２の面積よりも大きい。

　図１９および表７に、実施例５～８および比較例１～３について、２０Ｈｚ、１０Ｈｚおよび１Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示す。

　図１９および表７からわかるように、実施例５～８では、比較例１～３よりもフリッカ率が低い。また、実施例５、６、７および８の順に、フリッカ率が低い。

　上述した結果からわかるように、各画素Ｐｘが、細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向と配向軸方位Ｄ１とのなす角度が互いに異なる第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有することにより、６０Ｈｚ未満の周波数で駆動したとしても、フレクソ分極に起因するフリッカを視認され難くすることができる。

　第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とが混在することによりフリッカ率が低減されるメカニズムは明らかではないが、細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とのなす角度が相対的に小さい第２領域Ｒ２において、フレクソ分極の緩和時に液晶分子ＬＣの戻り回転角度が大きくなることによって液晶分子ＬＣの弾性力が大きくなり、その結果、戻り時間が短縮して輝度低下（下角応答）を抑制できると考えられる。

　また、上述した結果から、第２領域Ｒ２の面積が大きいほど、フリッカ率を低減する効果が高いこともわかる。フリッカ率をいっそう低減する観点からは、第２領域Ｒ２の面積が第１領域Ｒ１の面積よりも大きいことが好ましく（つまり各画素Ｐｘにおける第２領域Ｒ２の面積比が０．５を超えることが好ましく）、各画素Ｐｘにおける第２領域Ｒ２の面積比が０．７以上であることがより好ましく、各画素Ｐｘにおける第２領域Ｒ２の面積比が０．９以上であることがさらに好ましい。言い換えると、第１領域Ｒ１の面積に対する第２領域Ｒ２の面積の比が１を超えることが好ましく、７／３以上であることがより好ましく、９以上であることがさらに好ましい。

　また、既に説明したように、第１の角度θ１は４°以上１５°以下であることが好ましく、第２の角度θ２は３°以上１４°以下であることが好ましい。以下、この理由を説明する。

　まず、偏光板の軸精度や製造プロセス精度として±１°程度が想定されることから、第１の角度θ１および第２の角度θ２の下限値は３°～４°程度であることが好ましいといえる。

　図２０に、細長電極部分の延びる方向と配向軸方位とのなす角度が３°、７°、１１°、１５°および１９°である場合について、規格化ＶＴ特性（画素電圧と規格化輝度との関係）を示す。図２０からわかるように、角度が小さいほど、最大透過率が高く、また、より低電圧で最大透過率をとることがわかる。例えば１９°の場合、３°の場合に比べて、最大透過率が約８％低くなり、最大透過率をとる電圧が約０．６Ｖ高くなってしまう。そのため、低消費電力化の観点から、第１の角度θ１および第２の角度θ２の上限値は、１４°～１５°程度であることが好ましいといえる。１５°の場合、３°の場合と比較したときの最大透過率の低下は約８％、最大透過率をとる電圧の上昇は約０．３Ｖであり、低消費電力性への悪影響は比較的軽微である。

　上述した理由から、第１の角度θ１は４°以上１５°以下で、第２の角度θ２は３°以上１４°以下であることが好ましい。

　続いて、図２１および図２２を参照しながら、本発明の実施形態による液晶表示装置の好ましい構成を説明する。

　図２１は、実施例２の液晶表示装置１００Ｂの複数の画素のうち、行方向に沿って互いに隣接する任意の２つの画素（第１画素および第２画素）Ｐｘ１およびＰｘ２に対応した領域を模式的に示す平面図である。

　実施例２の液晶表示装置１００Ｂでは、図２１に示すように、第１画素Ｐｘ１において第１電極１１の細長電極部分１１ａの延びる方向と、第２画素Ｐｘ２において第１電極１１の細長電極部分１１ａの延びる方向とが同じである。そのため、第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されたとき、第１画素Ｐｘ１において第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の液晶分子ＬＣが回転する方向と、第２画素Ｐｘ２において第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の液晶分子ＬＣが回転する方向とが同じである。

　図２２は、上述した実施例１～８とは異なる実施例９の液晶表示装置１００Ｅを模式的に示す平面図であり、液晶表示装置１００Ｅの複数の画素のうち、行方向に沿って互いに隣接する任意の２つの画素（第１画素および第２画素）Ｐｘ１およびＰｘ２に対応した領域を示している。

　実施例９の液晶表示装置１００Ｅでは、図２２に示すように、第１画素Ｐｘ１の第１電極１１と、第２画素Ｐｘ２の第１電極１１とは、第１画素Ｐｘ１および第２画素Ｐｘ２の境界を軸として互いに実質的に線対称となるような形状を有する。

　従って、第１画素Ｐｘ１において第１電極１１の細長電極部分１１ａの延びる方向（スリットの延びる方向でもある）と、第２画素Ｐｘ２において第１電極１１の細長電極部分１１ａの延びる方向（スリットの延びる方向でもある）とが異なる。具体的には、第１画素Ｐｘ１の第１領域Ｒ１では、細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とは、反時計回りに第１の角度θ１（＝７°）をなし、第１画素Ｐｘの第２領域Ｒ２では、細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とは、反時計回りに第２の角度θ２（＝３°）をなす。これに対し、第２画素Ｐｘ１の第１領域Ｒ１では、細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とは、時計回りに第１の角度θ１（＝７°）をなし、第２画素Ｐｘの第２領域Ｒ２では、細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とは、時計回りに第２の角度θ２（＝３°）をなす。

　上述したような電極構造が採用されているので、実施例９の液晶表示装置１００Ｅでは、第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されたとき、第１画素Ｐｘ１において第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の液晶分子ＬＣが回転する方向と、第２画素Ｐｘ２において第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の液晶分子ＬＣが回転する方向とが互いに反対である。具体的には、第１画素Ｐｘ１においては液晶分子ＬＣが時計回りに回転するのに対し、第２画素Ｐｘ２においては液晶分子ＬＣが反時計回りに回転する。

　実施例２の液晶表示装置１００Ｂでは、中間調表示を斜め方向から観察したときに色付きが発生することがある。これに対し、実施例９の液晶表示装置１００Ｅでは、そのような色付きの発生が抑制され、いっそう高い視野角特性が得られる。以下、図２３（ａ）および（ｂ）を参照しながら、このことをシミュレーションにより検証した結果を説明する。

　図２３（ａ）は、実施例２の液晶表示装置１００Ｂについて、正面方向（極角０°、方位角０°）および斜め方向（極角７５°、方位角４５°）におけるＶ－Ｔ特性（電圧と相対透過率との関係）を示すグラフである。図２３（ａ）からわかるように、実施例２の液晶表示装置１００Ｂでは、斜め方向のＶ－Ｔ特性において階調反転（輝度低下）が発生している。

　図２３（ｂ）は、実施例９の液晶表示装置１００Ｅについて、正面方向（極角０°、方位角０°）および斜め方向（極角７５°、方位角４５°）におけるＶ－Ｔ特性（電圧と相対透過率との関係）を示すグラフである。図２３（ｂ）からわかるように、実施例９の液晶表示装置１００Ｅでは、斜め方向のＶ－Ｔ特性において階調反転（輝度低下）が発生していない。

　上述した検証結果からわかるように、実施例９の液晶表示装置１００Ｅのように、第１画素Ｐｘ１の第１電極１１と、第２画素Ｐｘ２の第１電極１１とが、第１画素Ｐｘ１および第２画素Ｐｘ２の境界を軸として互いに実質的に線対称となるような形状を有することにより、視野角特性をいっそう向上させることができる。

　なお、図２４に示す実施例１０の液晶表示装置１００Ｆのような構成を採用することによっても、視野角特性のいっそうの向上を図ることができる。図２４は、液晶表示装置１００Ｆの複数の画素のうち、列方向に沿って互いに隣接する任意の２つの画素（第１画素および第２画素）Ｐｘ１およびＰｘ２に対応した領域を示している。

　実施例１０の液晶表示装置１００Ｆでは、図２４に示すように、第１画素Ｐｘ１の第１電極１１と、第２画素Ｐｘ２の第１電極１１とは、第１画素Ｐｘ１および第２画素Ｐｘ２の境界を軸として互いに実質的に線対称となるような形状を有する。

　従って、第１画素Ｐｘ１において第１電極１１の細長電極部分１１ａの延びる方向（スリットの延びる方向でもある）と、第２画素Ｐｘ２において第１電極１１の細長電極部分１１ａの延びる方向（スリットの延びる方向でもある）とが異なる。具体的には、第１画素Ｐｘ１の第１領域Ｒ１では、細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とは、反時計回りに第１の角度θ１（＝７°）をなし、第１画素Ｐｘ１の第２領域Ｒ２では、細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とは、反時計回りに第２の角度θ２（＝３°）をなす。これに対し、第２画素Ｐｘ２の第１領域Ｒ１では、細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とは、時計回りに第１の角度θ１（＝７°）をなし、第２画素Ｐｘ２の第２領域Ｒ２では、細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とは、時計回りに第２の角度θ２（＝３°）をなす。

　上述したような電極構造が採用されているので、実施例１０の液晶表示装置１００Ｆでは、第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されたとき、第１画素Ｐｘ１において第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の液晶分子ＬＣが回転する方向と、第２画素Ｐｘ２において第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の液晶分子ＬＣが回転する方向とが互いに反対である。具体的には、第１画素Ｐｘ１においては液晶分子ＬＣが時計回りに回転するのに対し、第２画素Ｐｘ２においては液晶分子ＬＣが反時計回りに回転する。

　上述した構成を有する実施例１０の液晶表示装置１００Ｆにおいても、中間調表示を斜め方向から観察したときの色付きや階調反転の発生が抑制され、いっそう高い視野角特性が得られる。

　次に、本発明の実施形態による液晶表示装置１００の製造方法を説明する。

　アクティブマトリクス基板１０は、公知の種々の方法で作製することができる。ゲートメタル層（ＴＦＴのゲート電極および走査配線を含む）およびソースメタル層（ＴＦＴのソース電極、ドレイン電極および信号配線を含む）は、それぞれ、例えば厚さ０．４μｍのＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ積層膜から形成される。ゲート絶縁層１４および誘電体層１３は、それぞれ、例えば厚さ０．２μｍ～０．５μｍのＳｉＮｘ膜から形成される。保護層１６は、例えば厚さ０．４μｍのＳｉＮｘ膜から形成される。有機層間絶縁層１７は、例えば厚さ２．５μｍのアクリル系樹脂材料から形成される。第１電極（画素電極）１１および対向電極（共通電極）１２は、例えば厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜から形成される。

　第１電極１１の細長電極部分１１ａの幅は、例えば、２．５μｍである。また、細長電極部分１１ａの間隔（スリット１１ｂの幅）は、例えば４．０μｍである。第１電極１１となるＩＴＯ膜をパターニングする工程において、適切な形状のレジストマスクを用いることにより、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とで細長電極部分１１ａと配向軸方位Ｄ１とのなす角度が異なる第１電極１１を形成することができる。

　対向基板２０も、公知の種々の方法で作製することができる。遮光層２１は、例えば黒色樹脂材料から形成され、その厚さは、例えば１．６μｍである。赤カラーフィルタ２２Ｒ、緑カラーフィルタ２２Ｇおよび青カラーフィルタ２２Ｂは、それぞれ、例えば着色樹脂材料から形成され、その厚さは、例えば１．５μｍである。有機平坦化層２３は、例えばアクリル系樹脂材料から形成されており、その厚さは、例えば２．０μｍである。透明導電層２６は、例えば厚さ２０ｎｍのＩＴＯ膜から形成される。透明導電層２６は、例えば、液晶注入工程後にスパッタ法によって形成される。

　光配向膜である配向膜１８および２８は、例えば、以下のようにして形成することができる。まず、光配向膜材料をスピンコート法などによってアクティブマトリクス基板１０／対向基板２０の表面に塗布し、焼成することで、例えば厚さ０．０６μｍ～０．０８μｍの配向膜１８／２８を形成する。

　より具体的には、ＰＶＣｉ（ポリビニルシンナメート）系の光配向膜材料を、γブチロラクトン中に固形分濃度がおよそ３．０ｗｔ％となるように混ぜ、得られた溶液を、スピンコータに設置されたアクティブマトリクス基板１０／対向基板２０上に、厚さが６０ｎｍ～８０ｎｍになるようにスピンコータの回転数を調節して（例えば、１５００ｒｐｍ～２５００ｒｐｍ）塗布する。続いて、ホットプレート上で基板をプリベーク（例えば８０℃で１分間）およびポストベーク（例えば１８０℃で１時間）する焼成処理を行う。

　その後、図２５に示すように、配向膜１８／２８に対し、所定の方向に延びる複数のスリット４８Ｓを有するマスク（ワイヤーグリッドスリットマスク）４８を介して、偏光方向Ｌ１の直線偏光紫外線（偏光ＵＶ）を照射することによって、光配向膜１８／２８が得られる。例えば、ＵＶ光源ＬＳと配向膜１８／２８との間に、幅約７μｍのスリット４８ｓを有するマスク４８を配置し、照射エネルギーを１．５Ｊ／ｃｍ²に設定して偏光ＵＶを照射する。このとき、例えば、３５μｍ／ｓｅｃの速度で基板を所定の方向Ｄ２に沿ってスキャンすることで、光配向処理を樹脂膜全体に対して行うことができる。なお、ここでは、偏光ＵＶの偏光方向Ｌ１に対して垂直な方向の配向規制力（配向軸方位Ｄ１で表わされる）を発現する光配向膜材料を用いている。

　このようにして、光配向膜である配向膜１８および２８を形成することができる。なお、配向膜１８および２８は、光配向膜でなくてもよい。例えば、配向膜１８および２８は、配向処理としてラビング処理が施されてもよい。ラビング処理が施された配向膜１８および２８は、例えば、以下のようにして形成することができる。

　まず、ポリアミック酸系の配向膜材料を、γブチロラクトン中に固形分濃度がおよそ３．０ｗｔ％となるように混ぜ、得られた溶液を、スピンコータに設置されたアクティブマトリクス基板１０／対向基板２０上に、厚さが６０ｎｍ～８０ｎｍになるようにスピンコータの回転数を調節して（例えば、１５００ｒｐｍ～２５００ｒｐｍ）塗布する。続いて、ホットプレート上で基板をプリベーク（例えば８０℃で１分間）およびポストベーク（例えば１８０℃で１時間）する焼成処理を行う。

　その後、図２６（ａ）に示すように、配向膜１８／２８に対し、ラビング布４２が巻き付けられたラビングローラ４３を用いてラビング処理を行う。例えば、ラビング布４２として吉川化工製ＹＡ１８Ｒ（材質はレーヨン）を用い、ラビングローラ４３の回転数が３００ｒｐｍ、ステージの移動速度が２５ｍｍ／ｍｉｎ、毛当たり量が０．６μｍの条件でラビング処理を行う。ラビングローラ４３の回転方向Ｄ３、ラビング方向Ｄ４およびステージの移動方向Ｄ５の関係は、図２６（ａ）中に示す通りである。図２６（ｂ）に示すように、ラビング布４２の毛４２ａは傾斜しており、図２６（ａ）に示す例では、いわゆる順目ラビングが行われる。なお、横電界モードの場合、配向膜１８および２８のアンカリング特性が比較的強いことが好ましい。例えばステージの移動速度を遅くすることにより、ラビング密度を高くしてアンカリング特性を強くすることができる。

　上述したようにしてアクティブマトリクス基板１０および対向基板２０を作製した後、液晶材料をこれら基板間に封止することによって、液晶層３０を含む液晶パネルが得られる。この工程も、公知の種々の方法で行うことができる。以下、具体例を説明する。まず、対向基板２０において１つのパネルに対応する領域の周辺部に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する。シール材としては、例えば熱硬化性樹脂を用いることができる。

　次に、プリベーク工程（例えば８０℃で５分間）を行う。また、アクティブマトリクス基板１０上に所望径（例えば３．３μｍ）の球状スペーサを乾式散布する。その後、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、真空プレス工程または剛体プレス工程を行った後にポストベーク工程（例えば１８０℃で６０分間）を行う。

　なお、一般的には、大型のマザーガラスを用いて複数の液晶パネルが同時に形成されるため、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後、各液晶パネルに分断する工程が行われる。

　各液晶パネルでは、スペーサによって間隔が維持される空隙が基板間に形成されており、空セルの状態となっている。この空セルに対して液晶材料を注入する。液晶注入工程は、液晶材料を注入皿に適量入れ、真空チャンバ内に空セルと一緒にセッティングし、真空引き（例えば６０分間）の後、ディップ注入（例えば６０分間）することで行われる。液晶材料が注入されたセルを真空チャンバから取り出した後、注入口に付着した液晶材料を清掃する。また、注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射によりこれを硬化することで注入口を封止し、液晶パネルが完成する。

　以上、本発明の実施形態を説明したが、その他の種々の改変が可能なことは言うまでもない。例えば、図２７（ａ）に示すように、第２電極（共通電極）１２を、ソースメタル層（信号配線１５およびＴＦＴのソース電極、ドレイン電極を含む）と同層に設けてもよい。この構成においては、保護層１６が、補助容量の（つまり画素電極１１および共通電極１２の間に位置する）誘電体層として機能する。

　あるいは、図２７（ｂ）に示すように、第２電極（共通電極）１２を、ゲートメタル層（走査配線およびＴＦＴのゲート電極を含む）と同層に設けてもよい。この構成においては、ゲート絶縁層１４および保護層１６が、補助容量の（つまり画素電極１１および共通電極１２の間に位置する）誘電体層として機能する。

　なお、一対の偏光板のそれぞれの透過軸および吸収軸は、互いに置換されてもよい。本明細書において、「偏光軸」は、吸収軸または透過軸のいずれを指していてもよく、配向軸方位Ｄ１は、好適には、裏側（または表側）の偏光板の偏光軸（すなわち、吸収軸または透過軸のいずれか）に対して略平行に配置されている。

　また、上記の説明ではＦＦＳモードの液晶表示装置を例示したが、本発明の実施形態の液晶表示装置は、ＩＰＳモードの液晶表示装置であってもよい。

　なお、上記の説明では、液晶層３０がポジ型液晶材料（誘電異方性が正のネマチック液晶材料）から構成されている場合を例示したが、液晶層３０がネガ型液晶材料（誘電異方性が負のネマチック液晶材料）から構成されていてもよい。本願発明者の検討によれば、ネガ型液晶材料を用いた場合でも、ポジ型液晶材料を用いた場合と同様に、フレクソ分極に起因したフリッカが発生し得ることがわかった。具体的には、ネガ型液晶材料に含まれる液晶分子の双極子モーメントが液晶分子の長軸に対して傾斜している場合に、極性反転時に輝度の低下（下角応答）が発生することがわかった。以下、図２８、図２９および図３０を参照しながら、ネガ型液晶材料を用いた場合においてフレクソ分極が発生するメカニズムを説明する。

　図２８（ａ）および（ｂ）は、ポジ型液晶材料に含まれる液晶分子ＬＣとその双極子モーメントＤＭとの関係を示す図である。また、図２８（ｃ）は、ポジ型液晶材料から構成されている液晶層に正極性の画素電圧が印加されているときの電気力線ＥＦと液晶分子ＬＣの配向状態との関係を示す図である。

　ポジ型液晶材料の液晶分子ＬＣの双極子モーメントＤＭは、図２８（ａ）に示すように液晶分子ＬＣの長軸に平行であるか、または、図２８（ｂ）に示すように液晶分子ＬＣの長軸に対して傾斜している。いずれの場合についても、図２８（ｃ）に示すように、画素電圧の印加時に電界の傾斜に沿って液晶分子ＬＣが並ぶので、スプレイ変形が発生する。

　図２９（ａ）および図３０（ａ）は、ネガ型液晶材料に含まれる液晶分子ＬＣ’とその双極子モーメントＤＭとの関係を示す図である。また、図２９（ｂ）および図３０（ｂ）は、ネガ型液晶材料から構成されている液晶層に正極性の画素電圧が印加されているときの電気力線ＥＦと液晶分子ＬＣ’の配向状態との関係を示す図である。

　ネガ型液晶材料の液晶分子ＬＣ’の双極子モーメントＤＭが、図２９（ａ）に示すように液晶分子ＬＣ’の長軸に直交している場合、図２９（ｂ）に示すように、画素電圧の印加時に電界の傾斜の影響なく液晶分子ＬＣ’が並ぶので、スプレイ変形は発生しない。

　これに対し、ネガ型液晶材料の組成によっては、液晶分子ＬＣ’の双極子モーメントＤＭが、図３０（ａ）に示すように液晶分子ＬＣ’の長軸に対して傾斜している。例えば、ネガ型液晶材料の液晶分子ＬＣ’がくの字に屈曲するような中間基を有していると、双極子モーメントＤＭが傾斜する傾向がある。この場合、図３０（ｂ）に示すように、画素電圧の印加時に電界の傾斜に沿って液晶分子ＬＣ’が並ぶので、スプレイ変形が発生する。そのため、フレクソ分極に起因したフリッカが発生し、極性反転時に輝度の低下が発生する。

　図３１に、フレクソ分極に起因したフリッカが発生する（つまり双極子モーメントＤＭが液晶分子ＬＣ’の長軸に対して傾斜するネガ型液晶材料を含む）液晶パネルにおける、正極性の直流電圧印加時および負極性の直流電圧印加時のＶ－Ｔ特性の例を示す。図３１に示すように、正極性の直流電圧印加時のＶ－Ｔ特性と、負極性の直流電圧印加時のＶ－Ｔ特性とが異なっている。これは、双極子モーメントＤＭが液晶分子ＬＣ’の長軸に対して傾斜していると、Ｖ－Ｔ特性が、見掛け上、フレクソ係数が大きくなる（フレクソ分極が大きくなる）ことと同様の傾向を示すからである。従って、正極性の直流電圧印加時および負極性の直流電圧印加時のＶ－Ｔ特性を測定することにより、フレクソ分極に起因したフリッカが発生し得る液晶パネル（液晶材料）かどうかを判別することができるといえる。

　図３２（ａ）および（ｂ）に、本発明の実施形態による他の液晶表示装置２００を示す。図３２（ａ）および（ｂ）は、それぞれ液晶表示装置２００を模式的に示す平面図および断面図である。図３２（ａ）は、液晶表示装置２００の１つの画素Ｐｘに対応した領域を示しており、図３２（ｂ）は、図３２（ａ）中の３２Ｂ－３２Ｂ’線に沿った断面を示している。

　液晶表示装置２００は、液晶層３０がネガ型の液晶材料から構成されている（つまり誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含む）点において、図１に示した液晶表示装置１００と異なっている。また、液晶表示装置２００は、アクティブマトリクス基板１０側の配向膜１８によって規定される液晶分子ＬＣ’の配向軸方位Ｄ１が表示面の水平方向に平行である点においても、図１に示した液晶表示装置１００と異なっている。なお、対向基板２８側の配向膜２８によって規定される液晶分子ＬＣ’の配向方位は、配向膜１８によって規定される液晶分子ＬＣの配向方位と平行または反平行である。

　液晶表示装置２００においても、複数の画素Ｐｘのそれぞれは、図３２（ａ）に示すように、第１領域Ｒ１と、第２領域Ｒ２とを有する。

　第１領域Ｒ１では、細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向と配向膜１８によって規定される配向軸方位Ｄ１とは、第１の角度θ１をなす。図３２（ａ）に示す例では、細長電極部分１１ａの延びる方向は、配向軸方位Ｄ１に対して時計回りに第１の角度θ１傾斜している。

　これに対し、第２領域Ｒ２では、細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向と配向膜１８によって規定される配向軸方位Ｄ１とは、第１の角度θ１よりも小さい第２の角度θ２をなす。図３２（ａ）に示す例では、細長電極部分１１ａの延びる方向は、配向軸方位Ｄ１に対して時計回りに第２の角度θ２傾斜している。

　このように、各画素Ｐｘは、第１電極１１の細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向が互いに異なる２種類の領域（第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２）を有する。第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されたとき、図３３に示すように、第１領域Ｒ１の液晶分子ＬＣ’と第２領域Ｒ２の液晶分子ＬＣ’とは同じ方向（ここでは時計回り）に回転する。

　第２の角度θ２は、第１の角度θ１よりも小さければよく（つまり、第１の角度θ１は、第２の角度θ２よりも大きければよく）、第１の角度θ１および第２の角度θ２の大きさに制限はない。ただし、後述する理由から、第１の角度θ１は７６°以上８７°以下で、第２の角度θ２は７５°以上８６°以下であることが好ましい。

　図３２（ａ）に例示している構成では、第１領域Ｒ１の面積と第２領域Ｒ２の面積とが互いに異なっている。より具体的には、第１領域Ｒ１の面積は、第２領域Ｒ２の面積よりも大きい。

　上述したように、液晶表示装置２００の各画素Ｐｘは、細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向と配向膜１８によって規定される配向軸方位Ｄ１とのなす角度が互いに異なる第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有する。これにより、６０Ｈｚ未満の周波数で駆動したとしても、フレクソ分極に起因するフリッカを視認され難くすることができる。以下、このことをシミュレーションにより検証した結果を説明する。

　シミュレーションは、図３４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）にそれぞれ示す実施例１１、１２、１３および１４の液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃおよび２００Ｄについて行った。

　表８に、実施例１１、１２、１３および１４の液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃおよび２００Ｄについて、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２のそれぞれにおいて細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とのなす角度（つまり第１の角度θ１および第２の角度θ２）と、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の面積比を示す。

　図３４（ａ）～（ｄ）および表８からわかるように、実施例１１、１２、１３および１４のいずれにおいても、第１の角度θ１は８７°であり、第２の角度θ２は８３°である。また、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の面積比は、実施例１１では９：１、実施例１２では７：３、実施例１３では５：５、実施例１４では３：７である。つまり、実施例１１および１２では、第１領域Ｒ１の面積が第２領域Ｒ２の面積よりも大きい。また、実施例１３では、第１領域Ｒ１の面積と第２領域Ｒ２の面積とが同じであり、実施例１４では、第２領域Ｒ２の面積が第１領域Ｒ１の面積よりも大きい。

　また、シミュレーションを、図３５（ａ）に示す比較例４の液晶表示装置９００Ｄについても行った。比較例４の液晶表示装置９００Ｄの各画素Ｐｘには、複数の細長電極部分９１１ａを有する第１電極（画素電極）９１１と、誘電体層（不図示）を介して第１電極９１１の下に形成された第２電極（共通電極）９１２とが設けられている。

　細長電極部分９１１ａの延びる方向は、上側領域ＲＵでは、配向軸方位Ｄ１に対して反時計回りに角度θ傾斜しており、下側領域ＲＬでは、配向軸方位Ｄ１に対して時計回りに角度θ傾斜している。第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されたとき、図１４（ｂ）に示すように、上側領域ＲＵの液晶分子ＬＣ’と下側領域ＲＬの液晶分子ＬＣ’とは反対方向に回転する。具体的には、上側領域ＲＵの液晶分子ＬＣ’は、反時計回りに回転するのに対し、下側領域ＲＬの液晶分子ＬＣ’は、時計回りに回転する。

　表９に、比較例４の液晶表示装置９００Ｄについて、上側領域ＲＵおよび下側領域ＲＬのそれぞれにおいて細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とのなす角度θと、上側領域ＲＵおよび下側領域ＲＬの面積比を示す。

　図３５（ａ）および表９からわかるように、比較例４では、角度θ（上側領域ＲＵおよび下側領域ＲＬで共通の角度である）はそれぞれ１５°である。また、上側領域ＲＵおよび下側領域ＲＬの面積比は、５：５である。つまり、比較例４では、上側領域ＲＵの面積と下側領域ＲＬの面積とが同じである。

　シミュレーションソフトとしては、シンテック株式会社製LCD MASTERを用いた。セル厚（液晶層の厚さ）は３．０μｍとし、誘電体層の厚さは０．３μｍとした。また、第１電極（画素電極）の細長電極部分の幅および間隔は、それぞれ５．０μｍおよび３．０μｍとした。液晶層を構成するネガ型液晶材料の物性値は、表１０に示す通りとした。

　また、フレクソ分極に起因したフリッカは、低階調（例えば２５６階調表示の液晶表示装置における６４階調：規格化透過率５％に対応）表示を行う場合に視認されやすいので、シミュレーションの際の画素電圧は、６４階調表示に対応する電圧とした。図３６に、細長電極部分の延びる方向と配向軸方位とのなす角度が８７°、８３°、７９°および７５°である場合について、規格化ＶＴ特性（画素電圧と規格化輝度との関係）を示す。また、表１１に、細長電極部分の延びる方向と配向軸方位とのなす角度が８７°、８３°、７９°および７５°である場合について、６４階調表示に対応する電圧を示す。

　図３７に、実施例１１および比較例４について、６．７Ｈｚ駆動の休止駆動を行った場合の規格化輝度の時間変化をシミュレーションにより計算した結果を示す。また、図３８に、実施例１１および比較例４について、２Ｈｚ駆動の休止駆動を行った場合の規格化輝度の時間変化をシミュレーションにより計算した結果を示す。なお、図３７および図３８には、画素電圧の波形も併せて示している。

　図３７および図３８からわかるように、実施例１１では、画素電圧の極性反転時の輝度の低下が比較例４よりも抑制されている。

　図３９に、実施例１１および比較例４について、６．７Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示す。また、図４０に、実施例１１および比較例４について、２Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率をシミュレーションにより計算した結果を示す。図３９および図４０のそれぞれには、画素電圧の極性が正から負に反転するとき、および、負から正に反転するときの両方のフリッカ率が示されている。

　図３９および図４０からわかるように、実施例１１では、６．７Ｈｚ駆動および２Ｈｚ駆動のいずれの場合についても、比較例４よりもフリッカ率が低い。

　図４１に、実施例１１～１４および比較例４について、２Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率を示す。図４１からわかるように、実施例１１～１４のいずれについても、比較例１４よりもフリッカ率が低い。また、実施例１１、１２、１３および１４の順に、フリッカ率が低い。つまり、第１領域Ｒ１の面積が大きいほど、フリッカ率を低減する効果が高い。フリッカ率をいっそう低減する観点からは、第１領域Ｒ１の面積が第２領域Ｒ２の面積よりも大きいことが好ましく（つまり各画素Ｐｘにおける第１領域Ｒ１の面積比が０．５を超えることが好ましく）、各画素Ｐｘにおける第１領域Ｒ１の面積比が０．７以上であることがより好ましく、各画素Ｐｘにおける第１領域Ｒ１の面積比が０．９以上であることがさらに好ましい。言い換えると、第２領域Ｒ２の面積に対する第１領域Ｒ１の面積の比が１を超えることが好ましく、７／３以上であることがより好ましく、９以上であることがさらに好ましい。

　同様のシミュレーションを、実施例１５～１９の液晶表示装置について行った。表１２に、実施例１５～１９について、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２のそれぞれにおいて細長電極部分１１ａの延びる方向と配向軸方位Ｄ１とのなす角度（つまり第１の角度θ１および第２の角度θ２）と、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の面積比を示す。

　表１２からわかるように、第１の角度θ１は、実施例１５および１６では８７°、実施例１７および１８では８３°、実施例１９では７９°である。また、第２の角度θ２は、実施例１５および１７では７９°、実施例１６、１８および１９では７５°である。また、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２の面積比は、実施例１５～１９のいずれについても９：１である。

　図４２に、実施例１１、１５～１９および比較例４について、２Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率を示す。図４２からわかるように、実施例１１および１５～１９のいずれについても、比較例１４よりもフリッカ率が低い。また、実施例１１、１５、１６、１７、１８および１９の順に、フリッカ率が低い。つまり、第１の角度θ１および第２の角度θ２が大きいほど、フリッカ率を低減する効果が高い。既に説明したように、第１の角度θ１は７６°以上８７°以下で、第２の角度θ２は７５°以上８６°以下であることが好ましい。これらの角度範囲が好ましい理由は、液晶層３０がポジ型液晶材料から形成されている場合に、第１の角度θ１が４°以上１５°以下であることが好ましく、第２の角度θ２が３°以上１４°以下であることが好ましいのと同様の理由からである（つまり偏光板の軸精度や製造プロセス精度を考慮すると上限値は８６°～８７°程度であることが好ましく、透過率を高くして低消費電力化を図る観点から下限値は、７５°～７６°程度であることが好ましい）。

　図４３および表１３に、実施例１１～１９および比較例４について、６．７Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率を示す。表１３には、画素電圧の極性が正から負に反転するとき、および、負から正に反転するときのフリッカ率に加え、平均のフリッカ率および比較例４のフリッカ率に対する改善率も示されている。

　図４３および表１３からも、第１領域Ｒ１の面積が大きいほど、フリッカ率を低減する効果が高く、第１の角度θ１および第２の角度θ２が大きいほど、フリッカ率を低減する効果が高いという傾向がわかる。

　図４４および表１４に、実施例１１～１９および比較例４について、２Ｈｚの休止駆動を行った場合のフリッカ率を示す。表１４には、画素電圧の極性が正から負に反転するとき、および、負から正に反転するときのフリッカ率に加え、平均のフリッカ率および比較例４のフリッカ率に対する改善率も示されている。

　図４４および表１４からも、第１領域Ｒ１の面積が大きいほど、フリッカ率を低減する効果が高く、第１の角度θ１および第２の角度θ２が大きいほど、フリッカ率を低減する効果が高いという傾向がわかる。

　上述したように、ネガ型液晶材料から構成された液晶層３０を備えた液晶表示装置についても、各画素Ｐｘが、細長電極部分１１ａ（またはスリット１１ｂ）の延びる方向と配向膜１８によって規定される配向軸方位Ｄ１とのなす角度が互いに異なる第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有することにより、６０Ｈｚ未満の周波数で駆動したとしても、フレクソ分極に起因するフリッカを視認され難くすることができる。

　本発明の実施形態は、横電界モードの液晶表示装置に広く適用される。

　１０　　第１基板（アクティブマトリクス基板）
　１１　　第１電極（画素電極）
　１１ａ　　細長電極部分
　１１ｂ　　スリット
　１１ｃ　　接続部
　１２　　第２電極（共通電極）
　１３　　誘電体層
　１４　　ゲート絶縁層
　１５　　信号配線（ソースバスライン）
　１６　　保護層
　１７　　有機層間絶縁層
　１８　　配向膜
　２０　　第２基板（対向基板）
　２１　　遮光層（ブラックマトリクス）
　２２　　カラーフィルタ層
　２２Ｒ　　赤カラーフィルタ
　２２Ｇ　　緑カラーフィルタ
　２２Ｂ　　青カラーフィルタ
　２３　　有機平坦化層
　２６　　透明導電層
　２８　　配向膜
　３０　　液晶層
　１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ　　液晶表示装置
　１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ　　液晶表示装置
　２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ　　液晶表示装置
　Ｄ１　　配向軸方位
　ＬＣ、ＬＣ’　　液晶分子
　Ｐｘ　　画素
　Ｐｘ１　　第１画素
　Ｐｘ２　　第２画素
　Ｒ１　　第１領域
　Ｒ２　　第２領域
　θ１　　第１の角度
　θ２　　第２の角度

Claims

　互いに対向するように設けられた第１基板および第２基板と、
　前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた液晶層と、を備え、
　マトリクス状に配列された複数の画素を有する液晶表示装置であって、
　前記第１基板は、前記液晶層に横電界を生成し得る第１電極および第２電極と、前記液晶層に接するように設けられ、電圧無印加時における液晶分子の配向軸方位を規定する配向膜とを有し、
　前記第１電極は、互いに略平行に延びる複数の細長電極部分および／または少なくとも１つのスリットを有し、
　前記複数の画素のそれぞれは、前記細長電極部分または前記スリットの延びる方向と前記配向膜によって規定される前記配向軸方位とが第１の角度をなす第１領域と、前記細長電極部分または前記スリットの延びる方向と前記配向膜によって規定される前記配向軸方位とが前記第１の角度よりも小さい第２の角度をなす第２領域とを有する液晶表示装置。
　前記第１領域の面積と前記第２領域の面積とが互いに異なる請求項１に記載の液晶表示装置。
　前記液晶層は、誘電異方性が正のネマチック液晶材料を含み、
　前記第２領域の面積は、前記第１領域の面積よりも大きい請求項２に記載の液晶表示装置。
　前記複数の画素のそれぞれにおける前記第２領域の面積比は０．７以上である請求項３に記載の液晶表示装置。
　前記複数の画素のそれぞれにおける前記第２領域の面積比は０．９以上である請求項３に記載の液晶表示装置。
　前記第１の角度は４°以上１５°以下であり、前記第２の角度は３°以上１４°以下である請求項３から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記液晶層は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含み、
　前記第１領域の面積は、前記第２領域の面積よりも大きい請求項２に記載の液晶表示装置。
　前記複数の画素のそれぞれにおける前記第１領域の面積比は０．７以上である請求項７に記載の液晶表示装置。
　前記複数の画素のそれぞれにおける前記第１領域の面積比は０．９以上である請求項７に記載の液晶表示装置。
　前記第１の角度は７６°以上８７°以下であり、前記第２の角度は７５°以上８６°以下である請求項７から９のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されたとき、前記第１領域の液晶分子と前記第２領域の液晶分子とが同じ方向に回転する請求項１から１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加されたとき、前記複数の画素のうちの任意の第１画素において前記第１領域および前記第２領域の液晶分子が回転する方向と、
前記第１画素に行方向または列方向に沿って隣接する第２画素において前記第１領域および前記第２領域の液晶分子が回転する方向とが互いに反対である請求項１１に記載の液晶表示装置。
　前記第１画素において前記第１電極の前記細長電極部分または前記スリットの延びる方向と、前記第２画素において前記第１電極の前記細長電極部分または前記スリットの延びる方向とが異なる請求項１１または１２に記載の液晶表示装置。
　前記第１画素の前記第１電極と、前記第２画素の前記第１電極とは、前記第１画素および前記第２画素の境界を軸として互いに実質的に線対称となるような形状を有する請求項１１から１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１電極は、誘電体層を介して前記第２電極上に設けられており、
　前記第１基板は、前記配向膜、前記第１電極、前記誘電体層および前記第２電極を前記液晶層側からこの順に有する請求項１から１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記複数の画素のそれぞれに表示信号電圧が供給される信号供給期間と、前記複数の画素のそれぞれに表示信号電圧が供給されない休止期間とが１フレーム中に設けられる休止駆動を行い得る請求項１から１５のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１基板は、前記複数の画素のそれぞれに設けられた薄膜トランジスタを有し、
　前記薄膜トランジスタは、酸化物半導体を含む半導体層を有する請求項１から１６のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記酸化物半導体は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を含む請求項１７に記載の液晶表示装置。
　前記Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体は、結晶質部分を含む請求項１８に記載の液晶表示装置。