JP2011091375A5 - 酸化物半導体膜 - Google Patents

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  1. 少なくとも一表面側に該表面と垂直な方向にｃ軸配向し、該表面に平行なａ−ｂ面を有する針状結晶を含む第１の領域と、
    １ｎｍ以上２０ｎｍ以下の粒子サイズを有する結晶を含む第２の領域と、を有し、
    前記針状結晶は、ａ軸方向またはｂ軸方向の長さに対してｃ軸方向の長さが５倍以上あることを特徴とする酸化物半導体膜。
  2. 少なくとも一表面側に該表面と垂直な方向にｃ軸配向し、該表面に平行なａ−ｂ面を有する針状結晶を含む第１の領域と、
    １ｎｍ以上２０ｎｍ以下の粒子サイズを有する結晶、及び非晶質を含む第２の領域と、を有し、
    前記針状結晶は、ａ軸方向またはｂ軸方向の長さに対してｃ軸方向の長さが５倍以上あることを特徴とする酸化物半導体膜。
  3. 少なくとも一表面側に該表面と垂直な方向にｃ軸配向し、該表面に平行なａ−ｂ面を有する針状結晶を含む第１の領域と、
    非晶質を含む第２の領域と、を有し、
    前記針状結晶は、ａ軸方向またはｂ軸方向の長さに対してｃ軸方向の長さが５倍以上あることを特徴とする酸化物半導体膜。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
    前記針状結晶のａ軸方向またはｂ軸方向の長さは、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
    前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、またはＣｏのいずれか一を表す）と、を含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
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