JP2014131023A5 - 酸化物半導体膜及び半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 非晶質膜上に形成された酸化物半導体膜であって、
   前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム及び亜鉛からなる結晶構造を有する単結晶領域を有し、
   前記酸化物半導体膜は、結晶粒界を有さず、
   前記結晶構造は、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、前記非晶質膜に垂直なｃ軸を有することを特徴とする酸化物半導体膜。
2. 絶縁層と、
   前記絶縁層上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上のソース電極層及びドレイン電極層と、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に位置し、前記第２の酸化物半導体膜と接する領域を有する第３の酸化物半導体膜と、を有し、
   前記絶縁層は、非晶質膜であり、
   前記第１乃至前記第３の酸化物半導体膜の少なくとも一は、インジウム、ガリウム及び亜鉛からなる結晶構造を有する単結晶領域を有し、且つ、結晶粒界を有さず、
   前記結晶構造は、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、前記非晶質膜に垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記絶縁層は、シリコンを有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。