JP2014131023A - 酸化物半導体膜、酸化物半導体膜の成膜方法、及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の結晶粒を有する多結晶酸化物を含むスパッタリング用ターゲットを用いて、スパッタリング法によって成膜された、単結晶領域を有する酸化物半導体膜を提供する。スパッタリング用ターゲットに含まれる複数の結晶粒は、結晶の結合が弱く劈開する面、または、結晶の結合が弱く劈開しやすい面を有するため、当該スパッタリング用ターゲットにイオンを衝突させることで、複数の結晶粒の劈開面が劈開して、平板状のスパッタリング粒子が得られる。得られた平板状のスパッタリング粒子が、被成膜面上に堆積することで酸化物半導体膜が成膜される。平板状のスパッタリング粒子は、結晶粒の一部を剥離することで形成されるため、高い結晶性を有する酸化物半導体膜とすることができる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る結晶性酸化物半導体膜及びその成膜方法について、図1乃至図5を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の酸化物半導体膜の成膜に適用可能なスパッタリング用ターゲットについて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で示した単結晶領域を含む酸化物半導体膜を適用したトランジスタの構成例について、図面を参照して説明する。なお、実施の形態1では、複数の結晶粒を有する多結晶酸化物を含むスパッタリング用ターゲットを用いて、スパッタリング法によって成膜された酸化物半導体膜について述べたが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、スパッタリング法を用いないで成膜された単結晶領域を含む酸化物半導体膜を適用することも可能である。または、場合によっては、複数の結晶粒を有する多結晶酸化物を含むスパッタリング用ターゲットを用いないで成膜された単結晶領域を含む酸化物半導体膜を適用することも可能である。
図7(A)に、トランジスタ300の断面概略図を示す。本構成例で例示するトランジスタ300はボトムゲート型のトランジスタである。
基板301の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を用いる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイヤ基板、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)基板等を、基板301として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能である。また、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板301として用いてもよい。
ゲート電極層302は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属、または上述した金属を成分とする合金か、上述した金属を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属を用いてもよい。また、ゲート電極層302は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数の金属を組み合わせた合金膜、もしくはこれらの窒化膜を用いてもよい。
絶縁層303は、ゲート絶縁膜として機能する。酸化物半導体膜304の下面と接する絶縁層303は、非晶質膜であることが好ましい。すなわち、トランジスタ300において、絶縁層303は、実施の形態1の下地膜108に相当する。
ソース電極層305a及びドレイン電極層305bは、導電材料として、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。
絶縁層306は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により一部の酸素が脱離する。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法(TDS:Thermal Desorption Spectroscopy)分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が1.0×1018atoms/cm3以上、好ましくは3.0×1020atoms/cm3以上である酸化物絶縁膜である。
続いて、図7に例示するトランジスタ300の作製方法の一例について説明する。
ゲート電極層302の形成方法を以下に示す。はじめに、スパッタリング法、CVD法、蒸着法等により導電膜を形成し、導電膜上に第1のフォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成する。次に、該レジストマスクを用いて導電膜の一部をエッチングして、ゲート電極層302を形成する。その後、レジストマスクを除去する。
ゲート絶縁層として機能する絶縁層303は、スパッタリング法、CVD法、蒸着法等で形成する。
次に、図8(B)に示すように、絶縁層303上に酸化物半導体膜304を形成する。
次に、図8(C)に示すように、ソース電極層305a及びドレイン電極層305bを形成する。
次に、図8(D)に示すように、酸化物半導体膜304、ソース電極層305a及びドレイン電極層305b上に、絶縁層306を形成し、続いて絶縁層306上に絶縁層307を形成する。
以下では、トランジスタ300と一部が異なるトランジスタの構成例について説明する。
図7(B)に、トランジスタ310の断面概略図を示す。トランジスタ310は、酸化物半導体膜の構成が異なる点で、トランジスタ300と相違している。
図7(C)に、トランジスタ320の断面概略図を示す。トランジスタ320は、酸化物半導体膜の構成が異なる点で、トランジスタ300及びトランジスタ310と相違している。
以下では、本発明の一態様の酸化物半導体膜を適用可能な、トップゲート型のトランジスタの構成例について説明する。
図9(A)に、トップゲート型のトランジスタ350の断面概略図を示す。
以下では、トランジスタ350と一部が異なるトランジスタの構成例について説明する。
図10(A)に、トランジスタ370の断面概略図を示す。トランジスタ370は、ソース電極層及びドレイン電極層の構成が異なる点で、トランジスタ360と相違している。より具体的には、トランジスタ370では、ソース電極層305a上にソース電極層306aが形成され、ドレイン電極層305b上にドレイン電極層306bが形成されている点が異なる。
本発明の一態様に係る半導体装置の一例として、論理回路であるNOR型回路の回路図の一例を図13(A)に示す。図13(B)はNAND型回路の回路図である。
本実施の形態では、実施の形態3に示すトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を、図面を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の酸化物半導体膜を用いた半導体装置および電子機器の構成について、図11および図12を参照しながら説明する。
102 スパッタリング粒子
104 酸化物半導体膜
106 プラズマ空間
108 下地膜
110 イオン
112 酸化物半導体膜
151 拡大部
200a 領域
200b 領域
250 メモリセル
251 メモリセルアレイ
251a メモリセルアレイ
251b メモリセルアレイ
253 周辺回路
254 容量素子
260 トランジスタ
262 トランジスタ
264 容量素子
300 トランジスタ
301 基板
302 ゲート電極層
303 絶縁層
304 酸化物半導体膜
305a ソース電極層
305b ドレイン電極層
306a ソース電極層
306b ドレイン電極層
306 絶縁層
307 絶縁層
310 トランジスタ
314 酸化物半導体膜
314a 酸化物半導体膜
314b 酸化物半導体膜
320 トランジスタ
324 酸化物半導体膜
324a 酸化物半導体膜
324b 酸化物半導体膜
324c 酸化物半導体膜
350 トランジスタ
351 絶縁層
352 絶縁層
360 トランジスタ
361 トランジスタ
364 酸化物半導体膜
364a 酸化物半導体膜
364b 酸化物半導体膜
364c 酸化物半導体膜
364d 側壁保護層
370 トランジスタ
380 領域
410 領域
801 トランジスタ
802 トランジスタ
803 トランジスタ
804 トランジスタ
811 トランジスタ
812 トランジスタ
813 トランジスタ
814 トランジスタ
901 RF回路
902 アナログベースバンド回路
903 デジタルベースバンド回路
904 バッテリー
905 電源回路
906 アプリケーションプロセッサ
907 CPU
908 DSP
910 フラッシュメモリ
911 ディスプレイコントローラ
912 メモリ回路
913 ディスプレイ
914 表示部
915 ソースドライバ
916 ゲートドライバ
917 音声回路
918 キーボード
919 タッチセンサ
1001 本体
1002 筐体
1003a 表示部
1003b 表示部
1004 キーボードボタン
1021 本体
1022 固定部
1023 表示部
1024 操作ボタン
1025 外部メモリスロット
1030 筐体
1031 筐体
1032 表示パネル
1033 スピーカー
1034 マイクロフォン
1035 操作キー
1036 ポインティングデバイス
1037 カメラ用レンズ
1038 外部接続端子
1040 太陽電池セル
1041 外部メモリスロット
1050 テレビジョン装置
1051 筐体
1052 記憶媒体再生録画部
1053 表示部
1054 外部接続端子
1055 スタンド
1056 外部メモリ
Claims (6)
- インジウム、ガリウム及び亜鉛からなる結晶構造を有する単結晶領域を含み、
前記単結晶領域に含まれる結晶構造は、a−b面において六角形の格子を有する結合を有し、被成膜面に垂直なc軸を有する酸化物半導体膜。 - 非晶質膜上に形成され、
インジウム、ガリウム及び亜鉛からなる結晶構造を有する単結晶領域を含み、且つ、膜中に結晶粒界を有さず、
前記単結晶領域に含まれる結晶構造は、a−b面において六角形の格子を有する結合を有し、被成膜面に垂直なc軸を有する酸化物半導体膜。 - 非晶質絶縁膜上に形成され、
インジウム、ガリウム及び亜鉛からなる結晶構造を有する単結晶領域を含み、且つ、膜中に結晶粒界を有さず、
前記単結晶領域に含まれる結晶構造は、a−b面において六角形の格子を有する結合を有し、被成膜面に垂直なc軸を有する酸化物半導体膜。 - インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む結晶性の第1の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜上に形成され、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む第2の酸化物半導体膜と、を有し、
少なくとも前記第2の酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム及び亜鉛からなる結晶構造を有する単結晶領域を含み、且つ、膜中に結晶粒界を有さず、
前記単結晶領域に含まれる結晶構造は、a−b面において六角形の格子を有する結合を有し、被成膜面に垂直なc軸を有し、
前記第1の酸化物半導体膜と、前記第2の酸化物半導体膜とは、異なる組成で表される膜である酸化物半導体膜。 - チャネルを形成する酸化物半導体膜と、
ゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極層との間に設けられたゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム及び亜鉛からなる結晶構造を有する単結晶領域を含み、且つ、膜中に結晶粒界を有さず、
前記単結晶領域に含まれる結晶構造は、a−b面において六角形の格子を有する結合を有し、被成膜面に垂直なc軸を有する半導体装置。 - 複数の結晶粒を有する多結晶酸化物を含むスパッタリング用ターゲットを用い、
前記スパッタリング用ターゲットの表面と被成膜面に接して、イオン化したガスを含むプラズマ空間を形成し、
前記スパッタリング用ターゲットの表面に、前記イオン化したガスを衝突させて、前記複数の結晶粒のa−b面でなる劈開面から六角形状の平面を有する平板状のスパッタリング粒子を剥離し、
前記六角形の辺に沿って正又は負に帯電させて、前記平板状のスパッタリング粒子を被成膜面に移動させ、
前記六角形の一辺と、隣接する他の六角形の一辺とが接するように前記平板状のスパッタリング粒子を複数配置することで、単結晶領域を有する酸化物半導体膜を成膜する酸化物半導体膜の成膜方法。
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