JP2013219342A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 酸化物半導体膜の表面に垂直なｃ軸を有する第１の結晶部と、
   前記第１の結晶部において、前記第１の結晶部のｃ軸に垂直な面におけるインジウム及び酸素を含む第１の結晶配列部と、
   前記酸化物半導体膜の表面に垂直なｃ軸を有する第２の結晶部と、
   前記第２の結晶部において、前記第２の結晶部のｃ軸に垂直な面におけるインジウム及び酸素を含む第２の結晶配列部と、を有し、
   前記第１の結晶部と前記第２の結晶部間で、それぞれａ軸及びｂ軸の向きが異なり、
   前記第１の結晶配列部及び前記第２の結晶配列部の長さがそれぞれ１．５ｎｍより長いことを特徴とする酸化物半導体膜。
2. 酸化物半導体膜において、
   前記酸化物半導体膜表面近傍の第１の領域と、
   前記酸化物半導体膜被形成面近傍の第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域における、前記酸化物半導体膜の表面に垂直なｃ軸を有するすべての結晶部が占める割合は、前記第２の領域における、前記酸化物半導体膜の表面に垂直なｃ軸を有するすべての結晶部が占める割合より高く、
   前記結晶部において、前記結晶部のｃ軸に垂直な面におけるインジウム及び酸素を含む結晶配列部を有し、
   前記結晶配列部の長さが１．５ｎｍより長いことを特徴とする酸化物半導体膜。
3. 請求項１において、
   前記第１の結晶配列部及び前記第２の結晶配列部の長さがそれぞれ２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
4. 請求項２において、
   前記結晶配列部の長さが２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜はガリウムを含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項における酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたことを特徴とするトランジスタ。
7. 請求項６に記載のトランジスタを含む回路を有することを特徴とする半導体装置。