JP2017128492A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- インジウムを含有する酸化物を主成分として含む結晶性酸化物膜であって、コランダム構造を含み、キャリア密度が３．１×１０ １８ ｃｍ −３ 以下であり、移動度が１４３ｃｍ ２ ／Ｖｓ以上であることを特徴とする結晶性酸化物膜。
- 前記酸化物が、単結晶または多結晶である請求項１記載の結晶性酸化物膜。
- 前記酸化物が、酸化インジウムである請求項１または２に記載の結晶性酸化物膜。
- 前記酸化物が、コランダム構造を有する請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
- ドーパントを含む請求項１〜４のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
- 透明導電膜である、請求項１〜５のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
- 半導体層と電極とを少なくとも備える半導体装置であって、前記半導体層として、請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性酸化物膜が用いられていることを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体層として、請求項６記載の結晶性酸化物膜が用いられている請求項７記載の半導体装置。
- 太陽電池、ディスプレイ、照明、電子ペーパー、トランジスタ、プリンタブル回路、又は透明面状発熱体である請求項８記載の半導体装置。
- 半導体層と電極とを少なくとも備える半導体装置であって、前記半導体層が、インジウムを含有する酸化物を主成分として含むコランダム構造を有する結晶性酸化物膜で構成されており、電界効果移動度が１８７ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、実効移動度が２４０ｃｍ２／Ｖｓ以上であることを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体層が、α−（Ａｌｘ，Ｇａｘ−１）２Ｏ３膜（０＜ｘ＜１）上に積層されている請求項１０記載の半導体装置。
- トランジスタである請求項７〜１１のいずれかに記載の半導体装置。
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