JP2007158307A5 - - Google Patents
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Claims (4)
- 活性層とゲート絶縁膜とを有する電界効果型トランジスタであって、
該活性層は、
非晶質領域と、
結晶領域と、
を含む非晶質酸化物層からなり、且つ
前記結晶領域は、前記非晶質酸化物層と該ゲート絶縁膜との界面である第１の界面近傍にあるか、または前記第１の界面に接して存在しており、
前記非晶質酸化物層の前記第１の界面と対向する第２の界面近傍には存在しないことを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 前記第１の界面近傍は、当該界面からの距離が活性層の層厚の１／２以内で、かつ、活性層とゲート絶縁膜との界面から３００ｎｍ以内の領域であることを特徴とする請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記非晶質酸化物は、ＩｎとＺｎとＧａとを含む酸化物である請求項１あるいは２記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記非晶質酸化物層の厚さが０．０５μｍ以上１μｍ以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタ。
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