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  1. 可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、
    前記第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、
    前記チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜と、
    前記第２の島状の補強膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
    前記層間絶縁膜上に、開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続するように設けられた第２の導電膜とを有し、
    前記チャネル形成領域の全域が前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜との間に設けられ、
    前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、或いは金属窒化物で形成されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、
    前記第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する複数の半導体膜と、
    前記複数の半導体膜の各々の具備するチャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜と、
    前記第２の島状の補強膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
    前記層間絶縁膜上に、開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続するように設けられた第２の導電膜とを有し、
    前記チャネル形成領域の全域が前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜との間に設けられ、
    前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、或いは金属窒化物で形成されていることを特徴とする半導体装置。
  3. 可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、
    前記第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と第１の不純物領域と第２の不純物領域とを具備する半導体膜と、
    前記チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜と、
    前記第２の島状の補強膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
    前記層間絶縁膜上に、開口部を介して前記第２の不純物領域と電気的に接続するように設けられた第２の導電膜とを有し、
    前記チャネル形成領域の全域が前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜との間に設けられ、
    前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、或いは金属窒化物で形成されていることを特徴とする半導体装置。
  4. 可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、
    前記第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、
    前記チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、
    前記第１の導電膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜と、
    前記第２の島状の補強膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
    前記層間絶縁膜上に開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続するように設けられた第２の導電膜とを有し、
    前記チャネル形成領域の全域が前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜との間に設けられ、
    前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜とが接し、
    前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、或いは金属窒化物で形成されていることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、前記半導体膜よりもヤング率の高い材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    前記第２の島状の補強膜は、前記第１の島状の補強膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記第１の島状の補強膜の膜厚は５０ｎｍ乃至２００ｎｍであり、かつ前記第２の島状の補強膜の膜厚は１００ｎｍ乃至４００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記第１の島状の補強膜の膜厚に比べて前記第２の島状の補強膜の膜厚が厚いことを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記第１の島状の補強膜の膜厚と前記第２の島状の補強膜の膜厚は同じであることを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
    前記第１の島状の補強膜の膜厚と前記第２の島状の補強膜の膜厚の比率（第１の島状の補強膜の膜厚／第２の島状の補強膜の膜厚）は１／２以下であることを特徴とする半導体装置。
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