JPS5812353A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS5812353A JPS5812353A JP56111496A JP11149681A JPS5812353A JP S5812353 A JPS5812353 A JP S5812353A JP 56111496 A JP56111496 A JP 56111496A JP 11149681 A JP11149681 A JP 11149681A JP S5812353 A JPS5812353 A JP S5812353A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、とりわけ画像表示用半導体装置に
関するものであり、光伝導効果による半導体素子のリー
ク電流を抑えて良好な画質を得ることを目的とする。
関するものであり、光伝導効果による半導体素子のリー
ク電流を抑えて良好な画質を得ることを目的とする。
液晶と半導体集積回路とを組み合わせて画像表示装置を
得ることは既に公知である。その等価回路は第１図に示
す通りで、単位絵素を構成するのはＭＯＳ）ランジスタ
１０１やダイオードあるいはバリスタ１０６などのスイ
・ノチ素子と、液晶セル１０３であり、液晶の動作モー
ドによっては蓄積用コンデンサ１０２ も必要である。
得ることは既に公知である。その等価回路は第１図に示
す通りで、単位絵素を構成するのはＭＯＳ）ランジスタ
１０１やダイオードあるいはバリスタ１０６などのスイ
・ノチ素子と、液晶セル１０３であり、液晶の動作モー
ドによっては蓄積用コンデンサ１０２ も必要である。
さらに単位絵素を相互に接続してマトリクスを構成する
ための走査電極１０４ と信号電極１０６が必要である
。
ための走査電極１０４ と信号電極１０６が必要である
。
これらの画像表示装置には第２図に示されるような遮光
性の単結晶シリコン基板２０１ を用いた反射型と第３
図に示されるような透光性のサファイア基板３０１とを
用いた透過型があり、文献などでも公開されている通り
である。スイッチ用半導体素子はｐｎ接合を必らず含ん
でおり、スイッチ用半導体素子ｏｆｆ、すなわちｐｎ接
合が逆Ｉくイアス時には光照射によってリーク電流が増
大する性質がある。リーク電流が増大すると液晶セルの
書き込み状態が次の書き込み時まで保持できないので画
像は全白または全黒となって画像表示用装置としての機
能が失なわれてしまう。
性の単結晶シリコン基板２０１ を用いた反射型と第３
図に示されるような透光性のサファイア基板３０１とを
用いた透過型があり、文献などでも公開されている通り
である。スイッチ用半導体素子はｐｎ接合を必らず含ん
でおり、スイッチ用半導体素子ｏｆｆ、すなわちｐｎ接
合が逆Ｉくイアス時には光照射によってリーク電流が増
大する性質がある。リーク電流が増大すると液晶セルの
書き込み状態が次の書き込み時まで保持できないので画
像は全白または全黒となって画像表示用装置としての機
能が失なわれてしまう。
そこで半導体素子を光速へいする手段が必要となる。例
えば第２図ａではＭＯＳ）ランラスタ２０２上に絶縁膜
２０３を介して金属反射電極２０４を被着形成させてい
る。また第２図すでは金属反射電極２０４の平坦度を上
げるためと、光速へい度を上げるために中間電極２０５
と段差吸収用の絶縁膜２０６を導入している。これらの
光速へいにより屋外においてもほぼ実用に支障ない程度
にまでリーク電流の増大を抑制している。
えば第２図ａではＭＯＳ）ランラスタ２０２上に絶縁膜
２０３を介して金属反射電極２０４を被着形成させてい
る。また第２図すでは金属反射電極２０４の平坦度を上
げるためと、光速へい度を上げるために中間電極２０５
と段差吸収用の絶縁膜２０６を導入している。これらの
光速へいにより屋外においてもほぼ実用に支障ない程度
にまでリーク電流の増大を抑制している。
第３図に示した透過型の場合には金属電極３０４による
光速へいだけでは不十分でＭＯＳトランジスタ３０２を
裏側からも光速へいする遮光性薄膜３０６ も必要であ
る。なぜならば透過型の場合には観測者側からの各種迷
光や散乱光３０７のみならず反対側からの光源光３０８
″１でかＭＯＳ）ランジスタ３０２を照射するからであ
る。
光速へいだけでは不十分でＭＯＳトランジスタ３０２を
裏側からも光速へいする遮光性薄膜３０６ も必要であ
る。なぜならば透過型の場合には観測者側からの各種迷
光や散乱光３０７のみならず反対側からの光源光３０８
″１でかＭＯＳ）ランジスタ３０２を照射するからであ
る。
Ｓ ＯＳ （Ｓ １ｌｉｃｏｎ Ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒ
ｅ ） ｆ用いて試作された第３図すの透過型置ｆ象表
示装置も実用には支障なく動作したが、非晶質シリコン
を用いた場合には光速へいが十分とは言えなかった。そ
の原因はＳＯ８がその構造上弱い光伝導を示すのに対し
て非晶質シリコンは極めて強い光伝導を示すために、光
源光３０８のうちの斜入射成分がＭＯＳトランジスタや
ダイオードなどのスイッチ素子３０２ に入射するこ
とによってもたらされるからである。斜入射光の影響を
小さくするには透光性絶縁性基板３０１を薄くするか遮
光性薄膜３０６を大きくすればよいのであるが、前者は
機械的強度の低下をもたらしまた後者は開口率の低下を
もたらすので自ずと制約を受ける。
ｅ ） ｆ用いて試作された第３図すの透過型置ｆ象表
示装置も実用には支障なく動作したが、非晶質シリコン
を用いた場合には光速へいが十分とは言えなかった。そ
の原因はＳＯ８がその構造上弱い光伝導を示すのに対し
て非晶質シリコンは極めて強い光伝導を示すために、光
源光３０８のうちの斜入射成分がＭＯＳトランジスタや
ダイオードなどのスイッチ素子３０２ に入射するこ
とによってもたらされるからである。斜入射光の影響を
小さくするには透光性絶縁性基板３０１を薄くするか遮
光性薄膜３０６を大きくすればよいのであるが、前者は
機械的強度の低下をもたらしまた後者は開口率の低下を
もたらすので自ずと制約を受ける。
本発明は上記した問題点に鑑みなされたもので非晶質シ
リコンのように強い光伝導を示す半導体材料にも有効な
光速へいを与えることを目的とし、その要点は半導体ス
イッチを閉空間に配置させることにあり、第４図以下の
図面とともに本発明の実施例について説明する。
リコンのように強い光伝導を示す半導体材料にも有効な
光速へいを与えることを目的とし、その要点は半導体ス
イッチを閉空間に配置させることにあり、第４図以下の
図面とともに本発明の実施例について説明する。
第４図ａは本発明の基本となる半導体装置であり、透光
性絶縁性基板、しｕえばガラス板１上に島状の第１の遮
光性薄膜２が選択的に被着形成される。遮光性薄膜２が
導電性を示す場合、例えばＡＩ！７ 。
性絶縁性基板、しｕえばガラス板１上に島状の第１の遮
光性薄膜２が選択的に被着形成される。遮光性薄膜２が
導電性を示す場合、例えばＡＩ！７ 。
やＭＯなどの金属が使われたときにはひきつづき全面に
第１の透光性絶縁膜、例えば酸化シリコン膜や窒化シリ
コン膜３が被着される。遮光性薄膜２が導電性を示さな
い場合や、あるいはその表面を絶縁物化することができ
る場合には第１の透光性絶縁膜３は不要である。そして
非単結晶、すなわち非晶質あるいは多結晶シリコン層４
が第１の遮光性薄膜２上に第１の遮光性薄膜２よシも小
さく島状に選択的に被着形成される。周知のごとく非晶
質あるいは多結晶シリコンはその薄膜形成時に下地基板
としての制約が緩く、堆積時の温度にさえ堪えればよい
からである。非晶質シリコン層４は拡散、酸化、蒸着な
どの工程を経てダイオードやＭＯ８）ランジスタとなる
わけであるが、ここでは電極配線も含めてそのプロセス
と構造は省略し、前記４をＭＯ８）ランジスタあるいは
ダイオードとみなす。その後、第２の透光性絶縁膜６を
ＭＯ８）ランジスタあるいはダイオード４上に被着し、
さらに非晶質シリコン層４よりも大きな島状の第２の遮
光性薄膜６が選択的に被着形成される。−第２の遮光性
薄膜６が導電性を示さない場合、例えばＡ２２ｏ３ 膜
のときには第２の透光性絶縁膜６は不要であり、また第
２の透光性絶縁膜５は図示しないが液晶セルを構成する
透明電極や外部への接続端子上には当然被着されない。
第１の透光性絶縁膜、例えば酸化シリコン膜や窒化シリ
コン膜３が被着される。遮光性薄膜２が導電性を示さな
い場合や、あるいはその表面を絶縁物化することができ
る場合には第１の透光性絶縁膜３は不要である。そして
非単結晶、すなわち非晶質あるいは多結晶シリコン層４
が第１の遮光性薄膜２上に第１の遮光性薄膜２よシも小
さく島状に選択的に被着形成される。周知のごとく非晶
質あるいは多結晶シリコンはその薄膜形成時に下地基板
としての制約が緩く、堆積時の温度にさえ堪えればよい
からである。非晶質シリコン層４は拡散、酸化、蒸着な
どの工程を経てダイオードやＭＯ８）ランジスタとなる
わけであるが、ここでは電極配線も含めてそのプロセス
と構造は省略し、前記４をＭＯ８）ランジスタあるいは
ダイオードとみなす。その後、第２の透光性絶縁膜６を
ＭＯ８）ランジスタあるいはダイオード４上に被着し、
さらに非晶質シリコン層４よりも大きな島状の第２の遮
光性薄膜６が選択的に被着形成される。−第２の遮光性
薄膜６が導電性を示さない場合、例えばＡ２２ｏ３ 膜
のときには第２の透光性絶縁膜６は不要であり、また第
２の透光性絶縁膜５は図示しないが液晶セルを構成する
透明電極や外部への接続端子上には当然被着されない。
第４図すはさらに非晶質シリコン層４の周囲を第３の遮
光性薄膜７で囲った第２の実施例である。
光性薄膜７で囲った第２の実施例である。
以上の説明からも分るように本発明においては厚さ高々
１μｍの腸性シリコン層をそれよりも大きな２つの遮光
性薄膜ではさんでいるために光の回り込みは極めて小さ
い。第２の実施例では上下に加えて周囲までも遮光性薄
膜の壁で光遮へいしているために直射日光のように強力
な光源下においても光遮へいは完全で半導体素子のリー
ク電流の増大は皆無であった。
１μｍの腸性シリコン層をそれよりも大きな２つの遮光
性薄膜ではさんでいるために光の回り込みは極めて小さ
い。第２の実施例では上下に加えて周囲までも遮光性薄
膜の壁で光遮へいしているために直射日光のように強力
な光源下においても光遮へいは完全で半導体素子のリー
ク電流の増大は皆無であった。
一主面上に透明電極を被着形成されたガラス板と本発明
による半導体装置との間に液晶を充填することによって
構成される透過型の画像表示装置は光路に対して対称な
ので、第１または第２の遮光性薄膜は反射率の低い、換
言すれば吸収率の高い黒色系の材料を用いると更に好都
合である。観測者側からの各種迷光や散乱光が遮光性薄
膜で反射されると画像のコントラスト比が下るので観測
者側の遮光性薄膜はＭＯやＭｏ Ｓ １２あるいはカー
ボンなどが最適である。
による半導体装置との間に液晶を充填することによって
構成される透過型の画像表示装置は光路に対して対称な
ので、第１または第２の遮光性薄膜は反射率の低い、換
言すれば吸収率の高い黒色系の材料を用いると更に好都
合である。観測者側からの各種迷光や散乱光が遮光性薄
膜で反射されると画像のコントラスト比が下るので観測
者側の遮光性薄膜はＭＯやＭｏ Ｓ １２あるいはカー
ボンなどが最適である。
本発明の基本構成は透光性絶縁性基板上に非単結晶シリ
コンよりなる半導体素子と、第１および第２、場合によ
っては第３の遮光性薄膜を形成することにある。遮光性
薄膜の被着形成は当然工程の増加をもたらすので、遮光
性薄膜に導電性を与えることにより工程数の増加を抑制
せしめたものが以下に述べる他の実施例である。
コンよりなる半導体素子と、第１および第２、場合によ
っては第３の遮光性薄膜を形成することにある。遮光性
薄膜の被着形成は当然工程の増加をもたらすので、遮光
性薄膜に導電性を与えることにより工程数の増加を抑制
せしめたものが以下に述べる他の実施例である。
第５図においては第１の遮光性薄膜２を例えばＡＱで形
成してゲートとし、第１の透光性絶縁膜３を例えば酸化
シリコンで形成してゲート絶縁膜とすることによりＭＯ
８）ランジスタを得た実施例である。非晶質シリコン層
４とオーミック接触を形成する例えばＡＱよりなる配線
路８．９がソース、ドレイン配線となり、前記９と一部
重ねあうように被着形成された透明電極１ｏが絵素電極
１゜ を構成する。この実施例においてはゲート２が走査電極
１０４を構成するように孤立した島状ではなく、走査方
向に連なって、配置されることは言うまでもない。
成してゲートとし、第１の透光性絶縁膜３を例えば酸化
シリコンで形成してゲート絶縁膜とすることによりＭＯ
８）ランジスタを得た実施例である。非晶質シリコン層
４とオーミック接触を形成する例えばＡＱよりなる配線
路８．９がソース、ドレイン配線となり、前記９と一部
重ねあうように被着形成された透明電極１ｏが絵素電極
１゜ を構成する。この実施例においてはゲート２が走査電極
１０４を構成するように孤立した島状ではなく、走査方
向に連なって、配置されることは言うまでもない。
第６図においては第２の遮光性薄膜６を例えばＡｎで形
成してゲート電極とし、第２の透光性絶縁膜５を例えば
酸化シリコンで形成してゲート絶縁膜とすることにより
ＭＯ８）ランジスタを得たものである。このためにはソ
ース、ドレイン配線８．９はその表面に絶縁膜である窒
化シリコン膜１１を被着された大量の不純物を含む非晶
質シリコン層で形成されている。絶縁膜１１を酸化シリ
コンで形成することも可能である。−この実施例におい
てもゲート６が走査電極１０４を構成するよう連なった
島状に被着形成される。
成してゲート電極とし、第２の透光性絶縁膜５を例えば
酸化シリコンで形成してゲート絶縁膜とすることにより
ＭＯ８）ランジスタを得たものである。このためにはソ
ース、ドレイン配線８．９はその表面に絶縁膜である窒
化シリコン膜１１を被着された大量の不純物を含む非晶
質シリコン層で形成されている。絶縁膜１１を酸化シリ
コンで形成することも可能である。−この実施例におい
てもゲート６が走査電極１０４を構成するよう連なった
島状に被着形成される。
第７図においては第３の遮光性薄膜７がゲート７１と同
時に形成されており、第３の遮光性薄膜はＡＱよりなり
、第２の透光性絶縁膜５は酸化シリコンで形成される。
時に形成されており、第３の遮光性薄膜はＡＱよりなり
、第２の透光性絶縁膜５は酸化シリコンで形成される。
ここでもやはりソース、ドレイン配線８．９はその表面
に窒化シリコン膜１１１１ を被着された大量の不純物を含む非晶質シリコン層で形
成されている。ゲート７′が走査電極を構成するために
はゲート７′を囲む壁状の第３の遮光性薄膜７は当然ゲ
ート７′と電気的に接続される必要があり、７と７′は
部分的に重なって被着形成される。
に窒化シリコン膜１１１１ を被着された大量の不純物を含む非晶質シリコン層で形
成されている。ゲート７′が走査電極を構成するために
はゲート７′を囲む壁状の第３の遮光性薄膜７は当然ゲ
ート７′と電気的に接続される必要があり、７と７′は
部分的に重なって被着形成される。
以上の説明からも明らかなようにガラス板上に第１と第
２の遮光性薄膜を設け、それらの間に半導体スイッチ素
子を配置しているために従来のようにガラス板の厚みに
帰因する光の回シ込みは皆無で遮へい度の高い光速へい
が可能である。このため遮光性薄膜を小さくでき、開口
率の大きい透過型置ｆ象表示装置が得られることが分る
。もちろん偏光板と反射板を併用して反射型の画像表示
装置を構成した場合にもコントラスト比の高く明るい画
ｆ象が得られるのは言うまでもない。
２の遮光性薄膜を設け、それらの間に半導体スイッチ素
子を配置しているために従来のようにガラス板の厚みに
帰因する光の回シ込みは皆無で遮へい度の高い光速へい
が可能である。このため遮光性薄膜を小さくでき、開口
率の大きい透過型置ｆ象表示装置が得られることが分る
。もちろん偏光板と反射板を併用して反射型の画像表示
装置を構成した場合にもコントラスト比の高く明るい画
ｆ象が得られるのは言うまでもない。
第１図は半導体集積回路と液晶を組み合せることによっ
て構成される画像表示装置の等価回路を、第２図、第３
図は反射型と透過型における光速へいを示す従来例の断
面図を表わし、第４図、第５図、第６図、胃７図は本発
明の実施例における半導体装置の断面図を表わす。 １・・・・・・透光性絶縁性基板、２・・・・・・第１
の遮光性薄膜、３・・・・・・第１の透光性絶縁膜、４
・・・・・・非単結晶シリコン（半導体スイッチ素子）
、６・・・−・・第２の透光性絶縁膜、６・・・・・・
第２の遮光性薄膜、７・・・・・・第３の遮光性薄膜、
８ 、９−０゜・・ソース、ドレイン配線、１０・・・
・・・透明電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （（１） 第ｉｍｌ （ｂ） 第２図 第 （ａ） ｌ （ｂン ５１１ ／４） 第４図 （６１） ／ （ｂ） 第５図 第６図 １ ＪｆＥ７ｊｌ ’
て構成される画像表示装置の等価回路を、第２図、第３
図は反射型と透過型における光速へいを示す従来例の断
面図を表わし、第４図、第５図、第６図、胃７図は本発
明の実施例における半導体装置の断面図を表わす。 １・・・・・・透光性絶縁性基板、２・・・・・・第１
の遮光性薄膜、３・・・・・・第１の透光性絶縁膜、４
・・・・・・非単結晶シリコン（半導体スイッチ素子）
、６・・・−・・第２の透光性絶縁膜、６・・・・・・
第２の遮光性薄膜、７・・・・・・第３の遮光性薄膜、
８ 、９−０゜・・ソース、ドレイン配線、１０・・・
・・・透明電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （（１） 第ｉｍｌ （ｂ） 第２図 第 （ａ） ｌ （ｂン ５１１ ／４） 第４図 （６１） ／ （ｂ） 第５図 第６図 １ ＪｆＥ７ｊｌ ’
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）透光性絶縁性基板上に被着形成された島状の第１
の遮光性薄膜上に第１の透光性絶縁膜を介して第１の遮
光性薄膜よりも小さな島状の非単結晶シリコン層が被着
形成され、非単結晶シリコン層上に第２の透光性絶縁膜
を介して非単結晶シリコン層よりも大きな島状の第２の
遮光性薄膜が被着形成されていることを特徴とする半導
体装置。 （２）透光性絶縁性基板上に被着形成された島状の第１
の遮光性薄膜上に第１の透光性絶縁膜を介して第１の遮
光性薄膜よりも小さな島状の非単結晶シリコン層と非単
結晶シリコン層を囲む壁状の第３の遮光性薄膜が被着形
成され、非単結晶シリコン層および第３の遮光性薄膜上
に第２の透光性絶縁膜を介して第１の遮光性薄膜よりも
大きな島状の第２の遮光性薄膜が被着形成されているこ
とを特徴とする半導体装置。 （′４ 非単結晶シリコン層がオーミック接合、ヘテロ
接合、ショットキ接合、ｐｎ接合のうち少なくとも１つ
を形成していることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。 （４第１の遮光性薄膜が導電性を有するとともにゲート
となり、第１の遮光性絶縁膜をゲート絶縁膜とすること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 （＠ 第２の遮光性薄膜が導電性を有するとともにゲー
トとなり、第２の透光性絶縁膜をゲート絶縁膜とするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。 （＠ 第３の遮光性薄膜が導電性を有し、第２の透光性
絶縁膜をゲート絶縁膜とし、第１の遮光性薄膜上に第３
の遮光性薄膜が被着形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 （（７）非単結晶シリコン層がオーミック接合、ヘテロ
接合・ショットキ接合、ｐｎ接合のうち少なくとも１つ
を形成していることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の半導体装置。 （日 第１の遮光性薄膜が導電性を有するとともにゲー
トとなり、第１の透光性絶縁膜をゲート絶縁膜とするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装置
。 （９）第２の遮光性薄膜が導電性を有するとともにゲー
トとなり、第２の透光性絶縁膜をゲート絶縁膜とするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装置
。 （１ｏ）第３の遮光性薄膜が導電性を有し、第２の透光
性絶縁膜をゲート絶縁膜とし、第１の遮光性薄膜上に第
３の遮光性薄膜が被着形成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111496A JPS5812353A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111496A JPS5812353A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812353A true JPS5812353A (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=14562750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111496A Pending JPS5812353A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812353A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6501097B1 (en) | 1994-04-29 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| WO2003103041A3 (en) * | 2002-06-04 | 2004-02-12 | Philips Intellectual Property | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2017147462A (ja) * | 2007-12-03 | 2017-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-07-15 JP JP56111496A patent/JPS5812353A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6501097B1 (en) | 1994-04-29 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US6800873B2 (en) | 1994-04-29 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US7102164B2 (en) | 1994-04-29 | 2006-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a conductive layer with a light shielding part |
| US7423291B2 (en) | 1994-04-29 | 2008-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US8319715B2 (en) | 1994-04-29 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type liquid crystal display device |
| WO2003103041A3 (en) * | 2002-06-04 | 2004-02-12 | Philips Intellectual Property | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2017147462A (ja) * | 2007-12-03 | 2017-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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