JPS6138472B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6138472B2 JPS6138472B2 JP53136445A JP13644578A JPS6138472B2 JP S6138472 B2 JPS6138472 B2 JP S6138472B2 JP 53136445 A JP53136445 A JP 53136445A JP 13644578 A JP13644578 A JP 13644578A JP S6138472 B2 JPS6138472 B2 JP S6138472B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- semiconductor substrate
- switching transistor
- crystal display
- insulating film
- Prior art date
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体基板を用いた液晶表示パネルに
関するものである。
関するものである。
最近、従来のCRTに代る表示装置として薄型
の表示装置の開発が盛んに進められている。薄型
表示装置の中でも液晶表示装置は電力、駆動電
圧、寿命の点で他を凌駕しており今後の表示装置
としての期待は大きい。一般に液晶表示装置はダ
イナミツク駆動方式とスタテイツク駆動方式があ
り、後者の方が電力、駆動電圧の点ですぐれてい
る。スタテイツク駆動方式の液晶表示装置は、一
般に上側ガラス基板と、下側半導体集積回路基板
より構成されており、前記半導体集積回路上にマ
トリツクス状に配置された液晶駆動用素子を外部
選択回路にて選択し、液晶に電圧を印加すること
により、任意の文字、グラフあるいは画像の表示
を行なう。その一般的な回路図を第1図に示す。
の表示装置の開発が盛んに進められている。薄型
表示装置の中でも液晶表示装置は電力、駆動電
圧、寿命の点で他を凌駕しており今後の表示装置
としての期待は大きい。一般に液晶表示装置はダ
イナミツク駆動方式とスタテイツク駆動方式があ
り、後者の方が電力、駆動電圧の点ですぐれてい
る。スタテイツク駆動方式の液晶表示装置は、一
般に上側ガラス基板と、下側半導体集積回路基板
より構成されており、前記半導体集積回路上にマ
トリツクス状に配置された液晶駆動用素子を外部
選択回路にて選択し、液晶に電圧を印加すること
により、任意の文字、グラフあるいは画像の表示
を行なう。その一般的な回路図を第1図に示す。
第1図aはスタテイツク駆動方式の液晶表示パ
ネルに用いる半導体集積回路基板上の液晶駆動素
子のマトリツクス状配置図である。図中の1で囲
まれた領域が表示領域であり、その中に、液晶駆
動用素子2がマトリツクス状に配置されている。
3は液晶駆動用素子へのビデオ信号ライン、又4
は液晶駆動用素子へのタイミング信号ラインであ
る。液晶駆動用素子の回路図を第1図bに示す。
第1図b中の5はスイツチングトランジスタであ
り、通常MOSタイプのトランジスタが用いられ
る。6はコンデンサーであり、データ信号の保持
用として用いられる。7は液晶表示パネルであ
り、7−1は半導体集積回路上の各液晶駆動素子
に対応して形成された液晶駆動電極であり、7−
2は上側ガラスパネルである。一般に画像表示用
(テレビ用)として本液晶表示パネルを用いる場
合は線順次走査により、各走査線毎にタイミング
をかけ、各画素に対応したコンデンサーに信号電
圧をホールドさせる訳である。このように液晶表
示パネルをテレビとして用いた場合には、液晶の
応答もよく比較的良好な画素が得られる。
ネルに用いる半導体集積回路基板上の液晶駆動素
子のマトリツクス状配置図である。図中の1で囲
まれた領域が表示領域であり、その中に、液晶駆
動用素子2がマトリツクス状に配置されている。
3は液晶駆動用素子へのビデオ信号ライン、又4
は液晶駆動用素子へのタイミング信号ラインであ
る。液晶駆動用素子の回路図を第1図bに示す。
第1図b中の5はスイツチングトランジスタであ
り、通常MOSタイプのトランジスタが用いられ
る。6はコンデンサーであり、データ信号の保持
用として用いられる。7は液晶表示パネルであ
り、7−1は半導体集積回路上の各液晶駆動素子
に対応して形成された液晶駆動電極であり、7−
2は上側ガラスパネルである。一般に画像表示用
(テレビ用)として本液晶表示パネルを用いる場
合は線順次走査により、各走査線毎にタイミング
をかけ、各画素に対応したコンデンサーに信号電
圧をホールドさせる訳である。このように液晶表
示パネルをテレビとして用いた場合には、液晶の
応答もよく比較的良好な画素が得られる。
ここで第2図は、第1図の液晶駆動電極7−1
の詳細な断面構造を示している。ここで、半導体
基板8内には、スイツチングトランジスタのソー
ス,ドレイン拡散層9、高濃度拡散層10が形成
されている。又、半導体基板8上には、SiO2等
の酸化膜層11、ゲート電極12があり、酸化膜
層11上に反射電極12が形成されている。
の詳細な断面構造を示している。ここで、半導体
基板8内には、スイツチングトランジスタのソー
ス,ドレイン拡散層9、高濃度拡散層10が形成
されている。又、半導体基板8上には、SiO2等
の酸化膜層11、ゲート電極12があり、酸化膜
層11上に反射電極12が形成されている。
このような構造において、複数の反射電極14
は、マトリクス状に配列されている為、この反射
電極の間隙13を通して、A方向から入射した光
は、半導体基板10と反射電極14との間で反射
をくり返して横方向に進む。従つて、この横方向
の光は、スイツチングトランジスタの拡散領域に
到達し、ここでの空間電荷層で電子−正孔対を発
生させる、故に、このような電子−正孔対による
リーク電流により、トランジスタは誤動作を生じ
る危険がある。
は、マトリクス状に配列されている為、この反射
電極の間隙13を通して、A方向から入射した光
は、半導体基板10と反射電極14との間で反射
をくり返して横方向に進む。従つて、この横方向
の光は、スイツチングトランジスタの拡散領域に
到達し、ここでの空間電荷層で電子−正孔対を発
生させる、故に、このような電子−正孔対による
リーク電流により、トランジスタは誤動作を生じ
る危険がある。
即ち、このような従来技術の構造にあつては、
半導体基板表面に直接外部光が照射されるためP
−N接合部における光起電力効果によりP−N接
合による素子分離が不完全となり(リークが生ず
る)、各種信号の波形の変化、電圧の変化をまね
き、正常な画像表示が不可能となる欠点があつ
た。
半導体基板表面に直接外部光が照射されるためP
−N接合部における光起電力効果によりP−N接
合による素子分離が不完全となり(リークが生ず
る)、各種信号の波形の変化、電圧の変化をまね
き、正常な画像表示が不可能となる欠点があつ
た。
本発明は、上記問題点を克服したものであり、
反射電極と半導体基板との間に設けられた酸化膜
に凹部を設けて横方向の進む光を遮断することに
より入射光によるトランジスタの誤動作を生じる
ことのない液晶表示パネルを提供する事を目的と
する。
反射電極と半導体基板との間に設けられた酸化膜
に凹部を設けて横方向の進む光を遮断することに
より入射光によるトランジスタの誤動作を生じる
ことのない液晶表示パネルを提供する事を目的と
する。
第3図aと第3図bは、それぞれ本発明の一絵
素についての半導体集積回路基板の平面図と同図
をX−X′で切断した切断図である。説明を簡単
にするためにPチヤンネルトランジスタについて
説明するが、当然のことながらNチヤンネルトラ
ンジスタを用いても原理的には同じである。
素についての半導体集積回路基板の平面図と同図
をX−X′で切断した切断図である。説明を簡単
にするためにPチヤンネルトランジスタについて
説明するが、当然のことながらNチヤンネルトラ
ンジスタを用いても原理的には同じである。
第2図aと第2図bとにおいて8はN型半導体
基板、15はソースのP+拡散層、17はドレイ
ンのP+拡散層、27はソースのコンタクト電
極、18はドレインのコンタクト部、21は反射
電極、16はゲート電極、19は薄膜絶縁膜とし
てのSiO2膜、20はビデオ信号ライン、26は
タイミング信号ラインである。
基板、15はソースのP+拡散層、17はドレイ
ンのP+拡散層、27はソースのコンタクト電
極、18はドレインのコンタクト部、21は反射
電極、16はゲート電極、19は薄膜絶縁膜とし
てのSiO2膜、20はビデオ信号ライン、26は
タイミング信号ラインである。
さらに、液晶層22上には、上側透明電極23
が載置された上側ガラス基板24があり、上側ガ
ラス基板24の裏面には偏光板25が形成されて
いる。
が載置された上側ガラス基板24があり、上側ガ
ラス基板24の裏面には偏光板25が形成されて
いる。
本発明でとくに重要な部分はドレイン電極兼光
遮蔽膜の凹部28である。この凹部を形成するこ
とによつてトランジスタ部への光の進入を阻止し
ている。即ち、この凹部28により、ビデオ信号
ラインと反射電極21との間に侵入し、SiO2膜
内で反射した光の侵入を防いでいる。この凹部2
8は反射電極21の周辺部近傍域29下のSiO2
膜にスイツチングトランジスタを包囲して形成す
る。
遮蔽膜の凹部28である。この凹部を形成するこ
とによつてトランジスタ部への光の進入を阻止し
ている。即ち、この凹部28により、ビデオ信号
ラインと反射電極21との間に侵入し、SiO2膜
内で反射した光の侵入を防いでいる。この凹部2
8は反射電極21の周辺部近傍域29下のSiO2
膜にスイツチングトランジスタを包囲して形成す
る。
第4図は、第3図bの簡略化した断面図を示し
ている。即ち、反射電極32間に侵入した入射光
Aは半導体基板30上のSiO2膜31内で反射を
くり返すが凹部33でブロツクされる。従つて、
これ以上SiO2膜31を侵入することがないので
第3図に示す如く半導体基板30とSiO2膜31
との領域にトランジスタがあつたとしても誤動作
を生ずることはない。
ている。即ち、反射電極32間に侵入した入射光
Aは半導体基板30上のSiO2膜31内で反射を
くり返すが凹部33でブロツクされる。従つて、
これ以上SiO2膜31を侵入することがないので
第3図に示す如く半導体基板30とSiO2膜31
との領域にトランジスタがあつたとしても誤動作
を生ずることはない。
実施例ではトランジスタ部の周囲にドレイン電
極兼光遮蔽膜の凹部28又は33を設けることに
より光の進入を阻止することができ、トランジス
タの光によるリーク電流を約1/3に減らすことが
できた。
極兼光遮蔽膜の凹部28又は33を設けることに
より光の進入を阻止することができ、トランジス
タの光によるリーク電流を約1/3に減らすことが
できた。
反射電極に凹部を作ることは通常のIC技術を
用いればSiO2のホストエツチと酸化工程によつ
て容易に作り得る。実験によれば凹部のSiO2の
膜厚は300Å程度までうすく作ることが可能であ
つた。このとき他の部分においてはSiO2の膜厚
は3000〜10000Åの範囲で容易に作りうる。実施
例はSi基板について述べたが、他の半導体基板を
用いる場合も同じである。
用いればSiO2のホストエツチと酸化工程によつ
て容易に作り得る。実験によれば凹部のSiO2の
膜厚は300Å程度までうすく作ることが可能であ
つた。このとき他の部分においてはSiO2の膜厚
は3000〜10000Åの範囲で容易に作りうる。実施
例はSi基板について述べたが、他の半導体基板を
用いる場合も同じである。
上述の如く本発明は、半導体基板と透明基板間
に液晶が封入され、該半導体基板内にはスイツチ
ングトランジスタ用ソース、ドレイン拡散領域、
該半導体基板上には薄膜絶縁膜及び該スイツチン
グトランジスタのゲート電極が形成され、該薄膜
絶縁膜上には該スイツチングトランジスタを被覆
した反射電極が形成されてなり、該反射電極の複
数個がマトリクス状に該薄膜絶縁膜上に配置され
てなる液晶表示パネルにおいて、該反射電極の周
辺部近傍領域下の薄膜絶縁膜には該スイツチング
トランジスタを包囲した凹部が形成されたから、
上記反射電極間に入射光が侵入し、該半導体基板
と反射電極との間の薄膜絶縁膜内で反射しても、
上記凹部にて入射光がブロツクされるので、スイ
ツチングトランジスタの誤動作を防ぐ事ができる
効果を有する。
に液晶が封入され、該半導体基板内にはスイツチ
ングトランジスタ用ソース、ドレイン拡散領域、
該半導体基板上には薄膜絶縁膜及び該スイツチン
グトランジスタのゲート電極が形成され、該薄膜
絶縁膜上には該スイツチングトランジスタを被覆
した反射電極が形成されてなり、該反射電極の複
数個がマトリクス状に該薄膜絶縁膜上に配置され
てなる液晶表示パネルにおいて、該反射電極の周
辺部近傍領域下の薄膜絶縁膜には該スイツチング
トランジスタを包囲した凹部が形成されたから、
上記反射電極間に入射光が侵入し、該半導体基板
と反射電極との間の薄膜絶縁膜内で反射しても、
上記凹部にて入射光がブロツクされるので、スイ
ツチングトランジスタの誤動作を防ぐ事ができる
効果を有する。
第1図a,bはスイツチングトランジスタを用
いた液晶パネルの概念図、第2図は、従来の液晶
表示パネルの一部の断面図、第3図a,bは、本
発明の液晶表示パネルの実施例を示す電極構造の
正面図及び断面図、第4図は、本発明の液晶表示
パネルの他の実施例を示す一部の断面図、 5……スイツチングトランジスタ、11,19
……SiO2膜、8……半導体基板、28,33…
…凹部、21,32……反射電極、22……液晶
層。
いた液晶パネルの概念図、第2図は、従来の液晶
表示パネルの一部の断面図、第3図a,bは、本
発明の液晶表示パネルの実施例を示す電極構造の
正面図及び断面図、第4図は、本発明の液晶表示
パネルの他の実施例を示す一部の断面図、 5……スイツチングトランジスタ、11,19
……SiO2膜、8……半導体基板、28,33…
…凹部、21,32……反射電極、22……液晶
層。
Claims (1)
- 1 半導体基板と透明基板間に液晶が封入され、
該半導体基板内にはスイツチングトランジスタ用
ソース、ドレイン拡散領域、該半導体基板上には
薄膜絶縁膜及び該スイツチングトランジスタのゲ
ート電極が形成され、該薄膜絶縁膜上には該スイ
ツチングトランジスタを被覆した反射電極が形成
されてなり、該反射電極の複数個がマトリクス状
に該薄膜絶縁膜上に配置されてなる液晶表示パネ
ルにおいて、該反射電極の周辺部近傍領域下の薄
膜絶縁膜には該スイツチングトランジスタを包囲
した凹部が形成されてなる事を特徴とする液晶表
示パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13644578A JPS5562479A (en) | 1978-11-06 | 1978-11-06 | Liquid crystal display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13644578A JPS5562479A (en) | 1978-11-06 | 1978-11-06 | Liquid crystal display panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5562479A JPS5562479A (en) | 1980-05-10 |
JPS6138472B2 true JPS6138472B2 (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=15175273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13644578A Granted JPS5562479A (en) | 1978-11-06 | 1978-11-06 | Liquid crystal display panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5562479A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582871A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-08 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
JPS5921064A (ja) * | 1982-04-30 | 1984-02-02 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPS5922029A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス表示パネルの製造方法 |
JPS63299372A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Matsushita Electronics Corp | 電界効果トランジスタ |
-
1978
- 1978-11-06 JP JP13644578A patent/JPS5562479A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5562479A (en) | 1980-05-10 |
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