JPS582871A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS582871A JPS582871A JP56100924A JP10092481A JPS582871A JP S582871 A JPS582871 A JP S582871A JP 56100924 A JP56100924 A JP 56100924A JP 10092481 A JP10092481 A JP 10092481A JP S582871 A JPS582871 A JP S582871A
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- substrate
- crystal display
- display
- display device
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スイ、ｆキャノダシタアレイを用い九マトリ
クス形の液晶表示装置に関する。
クス形の液晶表示装置に関する。
液晶表示装置は近年、ツィステッド・ネマチ、り形液晶
を用いたものを中心として、電卓や時計、各種計測器等
に多く利用されている。特に最近、新しいタイプのもの
として、半導体集積回路技術を利用してスイ、チ／キャ
ノ中シタアレイからなる駆動回路を一体化したマトリク
ス形液晶表示装瞳が注目されている。第１図はそのスイ
ッチ膚ヤノ臂シタアレイ部の等価回路で、液晶に印加す
る駆動電圧を蓄積するＭＯＢキヤ・ザシタ１、およびこ
のキヤ／′ｌシタ１への駆動電圧の供給を制御するスイ
ッチ素子としてのＭＯ８ＦＥＴ２がシリコン勢の単結昌
半導体基板１Ｋｋ）！ｊクス状ＫＩｓ積形成されている
。Ｘ １ｅ Ｘ ｍ・・・は（２）Ｓ ＦＩＴ Ｊのｒ
−トを制御するアドレスライン、ｙ鳳 ＊ｙ！・・・は
キャノ臂シタＩＫ例えに並列画倫信号等の駆動電圧を供
給する。ためのデータラインであり、これらも半導体基
板に形成されている。このように素子および配線が形成
された半導体基板上には、絶縁体層を介して各画素毎に
分離され九表示電極３が形成され、キヤｉｅシタ１に蓄
積畜れ九駆動電圧がとの′皺示電極ＩＫ印加されるよう
Ｋ ｌｋ Ｏている。そしてこのスイッチ層ヤΔシタア
レイと表示電極が形成され九半導体基ＩＮ（以下これを
表示電極基板という）と、透−基板上に全画素に共通の
透明電極を形成し九対向電極基榎との間に液晶層を挾持
してマトリタス形液晶表示装置が構成されることＫなる
。
を用いたものを中心として、電卓や時計、各種計測器等
に多く利用されている。特に最近、新しいタイプのもの
として、半導体集積回路技術を利用してスイ、チ／キャ
ノ中シタアレイからなる駆動回路を一体化したマトリク
ス形液晶表示装瞳が注目されている。第１図はそのスイ
ッチ膚ヤノ臂シタアレイ部の等価回路で、液晶に印加す
る駆動電圧を蓄積するＭＯＢキヤ・ザシタ１、およびこ
のキヤ／′ｌシタ１への駆動電圧の供給を制御するスイ
ッチ素子としてのＭＯ８ＦＥＴ２がシリコン勢の単結昌
半導体基板１Ｋｋ）！ｊクス状ＫＩｓ積形成されている
。Ｘ １ｅ Ｘ ｍ・・・は（２）Ｓ ＦＩＴ Ｊのｒ
−トを制御するアドレスライン、ｙ鳳 ＊ｙ！・・・は
キャノ臂シタＩＫ例えに並列画倫信号等の駆動電圧を供
給する。ためのデータラインであり、これらも半導体基
板に形成されている。このように素子および配線が形成
された半導体基板上には、絶縁体層を介して各画素毎に
分離され九表示電極３が形成され、キヤｉｅシタ１に蓄
積畜れ九駆動電圧がとの′皺示電極ＩＫ印加されるよう
Ｋ ｌｋ Ｏている。そしてこのスイッチ層ヤΔシタア
レイと表示電極が形成され九半導体基ＩＮ（以下これを
表示電極基板という）と、透−基板上に全画素に共通の
透明電極を形成し九対向電極基榎との間に液晶層を挾持
してマトリタス形液晶表示装置が構成されることＫなる
。
ＩＩ雪■眩ζＯ箪晶褒示鋏装の概略ＩＩ？ｗＷＡて、Ｉ
Ｊは表示電極基板であり、スイッ灼ヤΔシタアレイが集
積形成１れえ半導体基板１１上に絶縁体層１ｊを介して
表示電極１が形成されてか）、１＃は対向電極基板でｔ
９ス轡０透明基Ｍ１４に＊―電＠ｘｉが形成されている
。１ｒは液晶層、１ａ紘ス（−すである。
Ｊは表示電極基板であり、スイッ灼ヤΔシタアレイが集
積形成１れえ半導体基板１１上に絶縁体層１ｊを介して
表示電極１が形成されてか）、１＃は対向電極基板でｔ
９ス轡０透明基Ｍ１４に＊―電＠ｘｉが形成されている
。１ｒは液晶層、１ａ紘ス（−すである。
ところで、このよう愈液晶表示装置において、強い光が
入射しえ場合、その光が表示電極１０間−から絶縁体層
１１を透過してスイッ炒ヤ／昔シタアレイＫＩＬｇ／ｓ
響を与える。例えば、この入射光によ）半導体基板のス
イッチ素子として０Ｍ０ＩＦｆｆｉ近１１に電子・正孔
対が生成され、Ｍｏ８ ＦＩＴ Ｏ逆方向電流が増加し
て画像情報を保持すゐことができなくなる。このような
稠象は、スイッチ素子およびキャパシタが九とえ表示電
極の真下にある場合でも、絶縁体層１１中に入射し先光
の多重反射がある丸めに少なからず現われる。
入射しえ場合、その光が表示電極１０間−から絶縁体層
１１を透過してスイッ炒ヤ／昔シタアレイＫＩＬｇ／ｓ
響を与える。例えば、この入射光によ）半導体基板のス
イッチ素子として０Ｍ０ＩＦｆｆｉ近１１に電子・正孔
対が生成され、Ｍｏ８ ＦＩＴ Ｏ逆方向電流が増加し
て画像情報を保持すゐことができなくなる。このような
稠象は、スイッチ素子およびキャパシタが九とえ表示電
極の真下にある場合でも、絶縁体層１１中に入射し先光
の多重反射がある丸めに少なからず現われる。
本発明は上記の如き問題を解決して償幀性向上を図った
液晶表示装置を提供するものである。。
液晶表示装置を提供するものである。。
即ち本発明は、スイ、 ｆ／＊ ｑΔシタアレイが構成
され九表示電極基板０絶縁体層中の少くとも表示電極の
間隙部に光の透過防止膜を棚設することによｐ１強い光
が入射し丸場合の画像情報の消失を防止するようｋし九
ことを特徴としていゐ。
され九表示電極基板０絶縁体層中の少くとも表示電極の
間隙部に光の透過防止膜を棚設することによｐ１強い光
が入射し丸場合の画像情報の消失を防止するようｋし九
ことを特徴としていゐ。
本発明の一実施例の要部断面構造を第３図に示す。第３
図は、第２図の構造を基本としてこれを詳細に示したも
のであるが、第１１Ｈ＋−よび第３図と相対応する部分
にはこれらと同−符奇を付しである３、即ち半導体基１
１１１に？ｉＭＤＩＩＦＥ’ｌ” ｊとＭｏ８キヤー奢
シタ１からなるスイ、ヵ侍ャΔシタアレイが集積形成さ
れ、この上に例えば−リイ々ド樹脂等の絶縁体層１２を
設けて表示電極基Ｉ［１１とし、この上に各画素に対応
して表示電極１が形威畜れている。表示電極１はそれヤ
れ絶縁体層１１に設けられえスルーホールを介して対応
す為（２）１キヤΔシタ１の電極と接続されてい為。仁
のような表示電極基板上に液晶層１ｒを介して対向電極
基板１＃を設けることは嬉３■と同じである。＊来のも
のと異なるＯａ、−＊示電極基＠３１０絶縁体層１２中
に光Ｏ透過防止膜１＃を置設しである点である。
図は、第２図の構造を基本としてこれを詳細に示したも
のであるが、第１１Ｈ＋−よび第３図と相対応する部分
にはこれらと同−符奇を付しである３、即ち半導体基１
１１１に？ｉＭＤＩＩＦＥ’ｌ” ｊとＭｏ８キヤー奢
シタ１からなるスイ、ヵ侍ャΔシタアレイが集積形成さ
れ、この上に例えば−リイ々ド樹脂等の絶縁体層１２を
設けて表示電極基Ｉ［１１とし、この上に各画素に対応
して表示電極１が形威畜れている。表示電極１はそれヤ
れ絶縁体層１１に設けられえスルーホールを介して対応
す為（２）１キヤΔシタ１の電極と接続されてい為。仁
のような表示電極基板上に液晶層１ｒを介して対向電極
基板１＃を設けることは嬉３■と同じである。＊来のも
のと異なるＯａ、−＊示電極基＠３１０絶縁体層１２中
に光Ｏ透過防止膜１＃を置設しである点である。
ζＯ逓通過防止膜１＃例えば！ｉ膜等であ〕、少くとも
表示電極１０間−１＃の下に存在するように設けられる
。
表示電極１０間−１＃の下に存在するように設けられる
。
このような構造とすれば、強い光が入射した場合でも半
導体基＠１１１にで到達することがなく、＊＊儒のよう
なスイッ惣ヤΔシタアレイの誤動作による画像情報の消
失という事態は確１！ＫＩＦ止され為。ｌｌｉりで例え
ば太陽光の下でも使用で自る信頼＠１０高いマド亨タス
＊表示装置−卜 が得られる。
導体基＠１１１にで到達することがなく、＊＊儒のよう
なスイッ惣ヤΔシタアレイの誤動作による画像情報の消
失という事態は確１！ＫＩＦ止され為。ｌｌｉりで例え
ば太陽光の下でも使用で自る信頼＠１０高いマド亨タス
＊表示装置−卜 が得られる。
なお本発明は上記実施例に限られるものではない。例え
ば光の透過防止膜１＃とじてＴＩ膜に代ル弛の金属膜を
用いてもよいし、光を透過しない物質であれば金属でな
くてもよい。を九絶縁体層１２は／９イ々ド等の有機物
質に隈らず、１１１Ｇ、のような無機絶縁体であっても
よい。さらに半導体基板状多結晶シリコンでもかまわな
い。
ば光の透過防止膜１＃とじてＴＩ膜に代ル弛の金属膜を
用いてもよいし、光を透過しない物質であれば金属でな
くてもよい。を九絶縁体層１２は／９イ々ド等の有機物
質に隈らず、１１１Ｇ、のような無機絶縁体であっても
よい。さらに半導体基板状多結晶シリコンでもかまわな
い。
その他事発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々蛮形実
施すゐことが可能である。
施すゐことが可能である。
４、閣■の簡単攻説例
第１ＩＩはスイ、ナヤΔシタアレイを用いえ！トリオス
形液晶表示装置のアレイ郁０＠価回路図、第２図はその
液晶表示装置の概略ＭＷＢｍ。
形液晶表示装置のアレイ郁０＠価回路図、第２図はその
液晶表示装置の概略ＭＷＢｍ。
ＩＩｓ図は本発明の一実施例の液晶表示装置の断面図で
ある。
ある。
１−Ｍｏ８キヤ／臂シタ、ｊ−ＭＯｌｅ Ｆｌ’ｒ 、
Ｊ −・・表示電極、１１・・・半導体基板、１２・
・・絶縁体層、Ｊ Ｊ−−・表示電極基板、１４・−・
透明基板、ＩＪ・・・透明電極、ＩＣ・・・対向電極基
板、ＪＦ・・・液晶層、６一 ２０・・・光の透過防止膜。
Ｊ −・・表示電極、１１・・・半導体基板、１２・
・・絶縁体層、Ｊ Ｊ−−・表示電極基板、１４・−・
透明基板、ＩＪ・・・透明電極、ＩＣ・・・対向電極基
板、ＪＦ・・・液晶層、６一 ２０・・・光の透過防止膜。
−７−
第１図
第２図
６
（−−きｌ−一一ノ
リ
Claims (1)
- 液晶の駆動電圧を蓄積するキャパシタおよびこのキヤ・
臂シタへの駆動電圧の供給を制御するスイッチ素子がｉ
トリクス状に集積形成された所定の基板上に絶縁体層を
介して前記キャノｌシタの駆動電圧が印加される各画素
毎に設けられた表示電極を有する表示電極基板と、この
表示電極基板に対向して設けられ麺、透明基板に全 飯
画素に共通の透明電極が形成された対向電極基板と、こ
の対向電極基板と前記表示電極基板との間に挟持され九
液晶層とを備え九液晶表示装ｆｌにおいて、前記絶縁体
層中の少くとも前記各表示電極の間隙部に光の造過防正
膜を埋設したことをＩＩＩＩ徽とす□る液晶表示装置、
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56100924A JPS582871A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56100924A JPS582871A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582871A true JPS582871A (ja) | 1983-01-08 |
Family
ID=14286891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56100924A Pending JPS582871A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582871A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001109402A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2001125510A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置 |
| US6787887B2 (en) | 1995-12-14 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
| JP2007220558A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 端子金具および位置決め治具 |
| JP2018205775A (ja) * | 1999-04-06 | 2018-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5377495A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-08 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal display panel |
| JPS5562479A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-10 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display panel |
| JPS5570878A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-28 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display panel |
| JPS5627114A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Liquid crystal display cell |
| JPS5720778A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image display unit |
| JPS5731159A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56100924A patent/JPS582871A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5377495A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-08 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal display panel |
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| JPS5731159A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001109402A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2001125510A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置 |
| US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
| US6867434B2 (en) | 1995-11-17 | 2005-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display with an organic leveling layer |
| US6787887B2 (en) | 1995-12-14 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7034381B2 (en) | 1995-12-14 | 2006-04-25 | Semiconductor Energey Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7202551B2 (en) | 1995-12-14 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having underlying insulating film and insulating films |
| JP2018205775A (ja) * | 1999-04-06 | 2018-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2007220558A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 端子金具および位置決め治具 |
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