JP3302321B2 - マトリクス基板及び該マトリクス基板を用いた液晶表示装置 - Google Patents
マトリクス基板及び該マトリクス基板を用いた液晶表示装置Info
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- JP3302321B2 JP3302321B2 JP6528998A JP6528998A JP3302321B2 JP 3302321 B2 JP3302321 B2 JP 3302321B2 JP 6528998 A JP6528998 A JP 6528998A JP 6528998 A JP6528998 A JP 6528998A JP 3302321 B2 JP3302321 B2 JP 3302321B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング素子
によって各画素電極のスイッチをおこなうアクティブマ
トリクス基板及び該マトリクス基板を用いた液晶表示装
置に関する。
によって各画素電極のスイッチをおこなうアクティブマ
トリクス基板及び該マトリクス基板を用いた液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、スイッチング素子を各画素に
設けた液晶表示装置は、ＴＮ液晶をもちいる場合に広く
応用され、フラットパネルディスプレイとして、あるい
はプロジェクションテレビとして商品化されてきた。薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ダイオード素子、メタル・
インシュレータ・メタル（ＭＩＭ）素子などに代表され
る上記のスイッチング素子は、そのスイッチング特性に
より、比較的応答の遅い上記ＴＮ液晶における実質ライ
ン選択周期より長い間電圧印加状態を保持することによ
り液晶の光学スイッチ応答を助け、また、上記ＴＮ液晶
などのようにメモリ性（自己保持性）がない液晶に対し
て、上記電圧印加状態保持により１フレーム間の実質的
メモリ状態をもたらすものである。あるいは、各ライン
間、画素間に対して原理的にはクローストークを与え
ず、良好な表示特性を与える特徴がある。
設けた液晶表示装置は、ＴＮ液晶をもちいる場合に広く
応用され、フラットパネルディスプレイとして、あるい
はプロジェクションテレビとして商品化されてきた。薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ダイオード素子、メタル・
インシュレータ・メタル（ＭＩＭ）素子などに代表され
る上記のスイッチング素子は、そのスイッチング特性に
より、比較的応答の遅い上記ＴＮ液晶における実質ライ
ン選択周期より長い間電圧印加状態を保持することによ
り液晶の光学スイッチ応答を助け、また、上記ＴＮ液晶
などのようにメモリ性（自己保持性）がない液晶に対し
て、上記電圧印加状態保持により１フレーム間の実質的
メモリ状態をもたらすものである。あるいは、各ライン
間、画素間に対して原理的にはクローストークを与え
ず、良好な表示特性を与える特徴がある。
【０００３】近年では、上記ＴＮ液晶に対して、応答速
度の大きい強誘電性液晶（ＦＬＣ）もその開発が進み、
これを用いた表示パネルやライトバルブなども発表され
ている。ここで、ＦＬＣを前記スイッチング素子を組み
合わせることにより、さらに良好な表示特性を得る可能
性がある。ＦＬＣと前記ＴＦＴを組み合わせた例として
は、ＵＳＰ４，８４０，４６２やＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ，ｖｏｌ．３０，１９８９〔Ｆ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｌｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ−Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｖｉｄｅｏ Ｄｉｓｐｌａｙ〕などに示されてい
る。
度の大きい強誘電性液晶（ＦＬＣ）もその開発が進み、
これを用いた表示パネルやライトバルブなども発表され
ている。ここで、ＦＬＣを前記スイッチング素子を組み
合わせることにより、さらに良好な表示特性を得る可能
性がある。ＦＬＣと前記ＴＦＴを組み合わせた例として
は、ＵＳＰ４，８４０，４６２やＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ，ｖｏｌ．３０，１９８９〔Ｆ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｌｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ−Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｖｉｄｅｏ Ｄｉｓｐｌａｙ〕などに示されてい
る。
【０００４】以下、スイッチング素子として薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を用いた場合を例にとって説明する。
図４は、このような複数の画素電極に対応して複数のス
イッチング素子を設けた液晶表示装置の構造を表す。図
中、１はガラス基板であり、ガラス基板１上には周辺回
路８’、画素電極に対応したＴＦＴ２が設けられてい
る。ガラス基板とマトリクス基板１３との間にシール部
７によって囲まれた領域があり、その領域に液晶１１が
挟持されている。ここで、カラーフィルターは、マトリ
クス基板１側に設けることもできるし、対向基板３側に
設けることもできる。８は周辺回路部、９は画像表示部
である。対向基板３には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）などで構成した共通透明電極４が、マ
トリクス基板１に対向している表面のほぼ全面にわたり
形成されている。一方、マトリクス基板１側には、信号
転送のための配線はされているが、対向基板３のような
全面に形成された電極は基本的に存在しない。
ジスタ（ＴＦＴ）を用いた場合を例にとって説明する。
図４は、このような複数の画素電極に対応して複数のス
イッチング素子を設けた液晶表示装置の構造を表す。図
中、１はガラス基板であり、ガラス基板１上には周辺回
路８’、画素電極に対応したＴＦＴ２が設けられてい
る。ガラス基板とマトリクス基板１３との間にシール部
７によって囲まれた領域があり、その領域に液晶１１が
挟持されている。ここで、カラーフィルターは、マトリ
クス基板１側に設けることもできるし、対向基板３側に
設けることもできる。８は周辺回路部、９は画像表示部
である。対向基板３には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）などで構成した共通透明電極４が、マ
トリクス基板１に対向している表面のほぼ全面にわたり
形成されている。一方、マトリクス基板１側には、信号
転送のための配線はされているが、対向基板３のような
全面に形成された電極は基本的に存在しない。
【０００５】また、本出願人が出願している特開平７−
１８２９９６号は、Ｓｉ基板を使ったアクティブマトリ
ックス液晶表示装置を開示している。図５は、その液晶
表示装置の一例を示す断面図である。図中、２１はマト
リクス基板を構成するＳｉ基板、２２はフィールド酸化
膜、２３，２９はＮＳＧ（Ｎｏｎ ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌ
ｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、３はカラーフィルタを設け
た対向基板、７は封止剤、１１は液晶、２７は透明絶縁
膜である。Ｓｉ基板２１の下部を、くり抜き画像表示部
９を透明にしている。画素電極に接続されたＴＦＴ２な
どはフィールド酸化膜２２、ＮＳＧ２３で固定されてい
る。
１８２９９６号は、Ｓｉ基板を使ったアクティブマトリ
ックス液晶表示装置を開示している。図５は、その液晶
表示装置の一例を示す断面図である。図中、２１はマト
リクス基板を構成するＳｉ基板、２２はフィールド酸化
膜、２３，２９はＮＳＧ（Ｎｏｎ ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌ
ｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、３はカラーフィルタを設け
た対向基板、７は封止剤、１１は液晶、２７は透明絶縁
膜である。Ｓｉ基板２１の下部を、くり抜き画像表示部
９を透明にしている。画素電極に接続されたＴＦＴ２な
どはフィールド酸化膜２２、ＮＳＧ２３で固定されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、従来のこ
のような構成において、実際の液晶表示素子の取り扱い
上の問題点があるかどうかを検討したところ、以下のよ
うな点が明らかになった。
のような構成において、実際の液晶表示素子の取り扱い
上の問題点があるかどうかを検討したところ、以下のよ
うな点が明らかになった。
【０００７】上述したように、液晶表示素子を構成して
いる基板は、ガラスなどの絶縁基板であり、静電チャー
ジの影響を受けやすいことが考えられる。静電チャージ
は、人体、あるいは、異種物質との接触などによって容
易に発生する。本発明者は、上述の構成の液晶表示素子
において、対向基板側、及び、マトリクス基板側、それ
ぞれから、静電プローブにより強制的にチャージを与え
る実験を試みた。
いる基板は、ガラスなどの絶縁基板であり、静電チャー
ジの影響を受けやすいことが考えられる。静電チャージ
は、人体、あるいは、異種物質との接触などによって容
易に発生する。本発明者は、上述の構成の液晶表示素子
において、対向基板側、及び、マトリクス基板側、それ
ぞれから、静電プローブにより強制的にチャージを与え
る実験を試みた。
【０００８】そうしたところ共通基板側からチャージを
与えた場合、静電プローブのチャージ量を±１０〔ｋ
Ｖ〕にしても、表示特性にほとんど影響がなかった。こ
の±１０〔ｋＶ〕の帯電量は、通常ＩＣの端子間への試
験にも用いられている人体による静電チャージ量（５ｋ
Ｖ）の２倍に相当するチャージ量である。
与えた場合、静電プローブのチャージ量を±１０〔ｋ
Ｖ〕にしても、表示特性にほとんど影響がなかった。こ
の±１０〔ｋＶ〕の帯電量は、通常ＩＣの端子間への試
験にも用いられている人体による静電チャージ量（５ｋ
Ｖ）の２倍に相当するチャージ量である。
【０００９】マトリクス基板側からチャージを与えた場
合、静電プローブの帯電量を−５〔ｋＶ〕以上にする
と、表示欠陥が生じる場合があることがわかった。この
表示欠陥は、例えば、黒表示時に輝点となるものや、逆
に、白表示時に黒点となるもの、あるいは、これらの欠
陥が複数発生するもの、様々である。この原因として
は、通常マトリクス基板の画素電極が形成された面とは
逆の面が異種物質との接触の機会が多く、まずマトリク
ス基板の裏面に静電チャージが発生し、これに対応して
マトリクス基板表面（ＴＦＴが形成されている面）に電
荷が誘起され、その影響でＴＦＴ特性が劣化、あるい
は、誤動作しているためであると考えられる。
合、静電プローブの帯電量を−５〔ｋＶ〕以上にする
と、表示欠陥が生じる場合があることがわかった。この
表示欠陥は、例えば、黒表示時に輝点となるものや、逆
に、白表示時に黒点となるもの、あるいは、これらの欠
陥が複数発生するもの、様々である。この原因として
は、通常マトリクス基板の画素電極が形成された面とは
逆の面が異種物質との接触の機会が多く、まずマトリク
ス基板の裏面に静電チャージが発生し、これに対応して
マトリクス基板表面（ＴＦＴが形成されている面）に電
荷が誘起され、その影響でＴＦＴ特性が劣化、あるい
は、誤動作しているためであると考えられる。
【００１０】対向基板側からの静電チャージが、ＴＦＴ
特性に影響を与えない理由は、対向基板に形成されたＩ
ＴＯ共通電極によるシールド効果によるものと発明者は
考えた。以上のような検討事実をもとに、本発明者は、
本発明を想起するに至ったのである。
特性に影響を与えない理由は、対向基板に形成されたＩ
ＴＯ共通電極によるシールド効果によるものと発明者は
考えた。以上のような検討事実をもとに、本発明者は、
本発明を想起するに至ったのである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、以上の
問題の解決し、静電気や外部のノイズによる表示欠陥の
発生を防止でき、ひいては安定した画像表示のおこなえ
る液晶表示装置を提供することである。
問題の解決し、静電気や外部のノイズによる表示欠陥の
発生を防止でき、ひいては安定した画像表示のおこなえ
る液晶表示装置を提供することである。
【００１２】本発明の目的の一つは、マトリクス状に設
けられた複数の電極に対応して、スイッチング素子を複
数個設けたマトリクス基板であって、前記基板のスイッ
チング素子が設けられた面とは反対の面に導電層を設け
ており、更に、前記スイッチング素子が設けられた面に
取り出しパッドを設けており、前記導電層は該取り出し
パッドに電気的に接続されていることを特徴とするマト
リクス基板を提供することである。
けられた複数の電極に対応して、スイッチング素子を複
数個設けたマトリクス基板であって、前記基板のスイッ
チング素子が設けられた面とは反対の面に導電層を設け
ており、更に、前記スイッチング素子が設けられた面に
取り出しパッドを設けており、前記導電層は該取り出し
パッドに電気的に接続されていることを特徴とするマト
リクス基板を提供することである。
【００１３】本発明の更なる目的は 、 マトリクス状に設
けられた複数の電極に対応して、スイッチング素子を複
数個設けたマトリクス基板と、前記複数の電極に対向す
る基板と、の間に液晶材料を配して構成される液晶表示
装置であって、前記マトリクス基板のスイッチング素子
が設けられた面とは反対の面に導電層を設けており、更
に、前記スイッチング素子が設けられた面に取り出しパ
ッドを設けており、前記導電層は該取り出しパッドに電
気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置を
提供することである。
けられた複数の電極に対応して、スイッチング素子を複
数個設けたマトリクス基板と、前記複数の電極に対向す
る基板と、の間に液晶材料を配して構成される液晶表示
装置であって、前記マトリクス基板のスイッチング素子
が設けられた面とは反対の面に導電層を設けており、更
に、前記スイッチング素子が設けられた面に取り出しパ
ッドを設けており、前記導電層は該取り出しパッドに電
気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置を
提供することである。
【００１４】本発明によれば、静電気や外部のノイズに
よる表示欠陥の発生を防止でき、ひいては安定した画像
表示のおこなえる液晶表示装置を提供することができ
る。
よる表示欠陥の発生を防止でき、ひいては安定した画像
表示のおこなえる液晶表示装置を提供することができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】（参考形態１） 図１（ａ）は、本発明の参考形態１により構成されたア
クティブマトリックス液晶表示装置の断面図である。図
中、１はガラス基板であり、ガラス基板１上には、複数
の画素電極に対応してＴＦＴ２が設けられている。３
は、ＩＴＯ膜で構成した共通電極が設けられた対向基板
であり、対向基板３には不図示のカラーフィルターが設
けられている。さらに、本参考形態では、ＴＦＴを形成
したガラス基板１の、ＴＦＴを形成していない面に光学
的にほぼ透明なＩＴＯ膜５をスパッタ法により１４００
Åの厚みで形成した。
クティブマトリックス液晶表示装置の断面図である。図
中、１はガラス基板であり、ガラス基板１上には、複数
の画素電極に対応してＴＦＴ２が設けられている。３
は、ＩＴＯ膜で構成した共通電極が設けられた対向基板
であり、対向基板３には不図示のカラーフィルターが設
けられている。さらに、本参考形態では、ＴＦＴを形成
したガラス基板１の、ＴＦＴを形成していない面に光学
的にほぼ透明なＩＴＯ膜５をスパッタ法により１４００
Åの厚みで形成した。
【００１６】本参考形態によるアクティブマトリックス
液晶表示装置において、マトリクス基板１の外部から＋
１０〔ｋＶ〕、あるいは、−１０〔ｋＶ〕の静電チャー
ジを与えた場合でも、表示上何ら欠陥は生じなかった。
すなわち、本参考形態によるアクティブマトリックス液
晶表示装置は、通常の使用環境下において発生するであ
ろう静電気に対して十分な耐性があることがわかった。
液晶表示装置において、マトリクス基板１の外部から＋
１０〔ｋＶ〕、あるいは、−１０〔ｋＶ〕の静電チャー
ジを与えた場合でも、表示上何ら欠陥は生じなかった。
すなわち、本参考形態によるアクティブマトリックス液
晶表示装置は、通常の使用環境下において発生するであ
ろう静電気に対して十分な耐性があることがわかった。
【００１７】本例では、導電層としてＩＴＯをマトリク
ス基板の裏面全面に形成した。導電層が設けられる面積
は、大きい方が望ましいが、必らずしも基板の全面に形
成される必要はない。導電層が形成される面積は、基板
の裏側面積の１０％〜１００％の範囲、より好ましくは
２０％〜１００％とするのが良い。また、図３（Ａ）に
示すように基板１上にメッシュ状の導電層５を設けるこ
ともできるし、図３（Ｂ）に示すようにくし歯状の導電
層５を設けることもできる。
ス基板の裏面全面に形成した。導電層が設けられる面積
は、大きい方が望ましいが、必らずしも基板の全面に形
成される必要はない。導電層が形成される面積は、基板
の裏側面積の１０％〜１００％の範囲、より好ましくは
２０％〜１００％とするのが良い。また、図３（Ａ）に
示すように基板１上にメッシュ状の導電層５を設けるこ
ともできるし、図３（Ｂ）に示すようにくし歯状の導電
層５を設けることもできる。
【００１８】形成される導電層の厚みは、本発明の効果
が得られる範囲で選択できるが、一般的には１００Å〜
１μｍの範囲、好ましくは、５００Å〜５０００Å、よ
り好ましくは、１０００Å〜２０００Åの範囲とするの
が良い。
が得られる範囲で選択できるが、一般的には１００Å〜
１μｍの範囲、好ましくは、５００Å〜５０００Å、よ
り好ましくは、１０００Å〜２０００Åの範囲とするの
が良い。
【００１９】（実施形態１） 図１（ｂ）は、本発明の実施形態１により構成されたア
クティブマトリックス液晶表示装置の断面図である。図
１（ａ）と同じ符号は同じ部位を表す。本実施形態で
は、ＴＦＴを形成したガラス基板１の、ＴＦＴを形成し
ていない面にＩＴＯ膜５を形成した。さらに、ＩＴＯ膜
５の電位を固定するために、銀ペースト６を用いてＴＦ
Ｔが形成されている面に形成されている外部電極取り出
しパッド１２と電気的に接続させた。
クティブマトリックス液晶表示装置の断面図である。図
１（ａ）と同じ符号は同じ部位を表す。本実施形態で
は、ＴＦＴを形成したガラス基板１の、ＴＦＴを形成し
ていない面にＩＴＯ膜５を形成した。さらに、ＩＴＯ膜
５の電位を固定するために、銀ペースト６を用いてＴＦ
Ｔが形成されている面に形成されている外部電極取り出
しパッド１２と電気的に接続させた。
【００２０】本実施形態によるアクティブマトリックス
液晶表示装置において、マトリクス基板側に外部から＋
１０〔ｋＶ〕、あるいは、−１０〔ｋＶ〕の静電チャー
ジを与えた場合でも、表示上何ら欠陥は生じなかった。
液晶表示装置において、マトリクス基板側に外部から＋
１０〔ｋＶ〕、あるいは、−１０〔ｋＶ〕の静電チャー
ジを与えた場合でも、表示上何ら欠陥は生じなかった。
【００２１】すなわち、本実施形態によるアクティブマ
トリックス液晶表示装置は、通常の使用環境下において
発生するであろう静電気に対して十分な耐性があること
がわかった。さらに、本実施形態においては、ＩＴＯ膜
５は外部から電位を固定するようにしているため、単に
静電チャージに対してシールド効果があるだけでなく、
周囲環境の電気的ノイズに対してもシールド効果があっ
た。
トリックス液晶表示装置は、通常の使用環境下において
発生するであろう静電気に対して十分な耐性があること
がわかった。さらに、本実施形態においては、ＩＴＯ膜
５は外部から電位を固定するようにしているため、単に
静電チャージに対してシールド効果があるだけでなく、
周囲環境の電気的ノイズに対してもシールド効果があっ
た。
【００２２】（参考形態２） 図２（ａ）は、本発明の参考形態２により構成されたア
クティブマトリックス液晶表示装置の断面図である。参
考形態２では、Ｓｉ基板で作製した液晶表示装置で、く
りぬき面の保護ガラス１３にＩＴＯ膜５をあらかじめ堆
積しておいてから、半導体基板２１のくりぬき面に接着
させた。ＩＴＯ膜は、故意に電位はとっていない。ＩＴ
Ｏ膜は、保護ガラスのどちらの面でも構わないが、傷が
つきにくいことから、図のように、くりぬき面側につけ
た方が良い。
クティブマトリックス液晶表示装置の断面図である。参
考形態２では、Ｓｉ基板で作製した液晶表示装置で、く
りぬき面の保護ガラス１３にＩＴＯ膜５をあらかじめ堆
積しておいてから、半導体基板２１のくりぬき面に接着
させた。ＩＴＯ膜は、故意に電位はとっていない。ＩＴ
Ｏ膜は、保護ガラスのどちらの面でも構わないが、傷が
つきにくいことから、図のように、くりぬき面側につけ
た方が良い。
【００２３】（参考形態３） 図２（ｂ）は、本発明の参考形態３により構成されたア
クティブマトリックス液晶表示装置の断面図である。参
考形態３では、参考形態２に加えて、ＩＴＯ膜５の電位
を固定する手段を付加した。電位の固定は、ＩＴＯ膜５
つき保護ガラスを接着する際、導電ペーストのような導
電性接着剤６を用いる。ＩＴＯ膜が接着される部分は、
周辺回路が形成されたＢｕｌｋ−Ｓｉ部分であり、そこ
は回路を駆動するための電源電圧につられている。した
がって、実施形態１のようにシールド膜としてのＩＴＯ
膜５の電位をとるための新たな電極を設ける必要はな
い。
クティブマトリックス液晶表示装置の断面図である。参
考形態３では、参考形態２に加えて、ＩＴＯ膜５の電位
を固定する手段を付加した。電位の固定は、ＩＴＯ膜５
つき保護ガラスを接着する際、導電ペーストのような導
電性接着剤６を用いる。ＩＴＯ膜が接着される部分は、
周辺回路が形成されたＢｕｌｋ−Ｓｉ部分であり、そこ
は回路を駆動するための電源電圧につられている。した
がって、実施形態１のようにシールド膜としてのＩＴＯ
膜５の電位をとるための新たな電極を設ける必要はな
い。
【００２４】（実施形態２） 以上の実施形態１及び参考形態１〜３では、スイッチン
グ素子としてＴＦＴを用いた場合について述べたが、先
述したようなダイオード素子、ＭＩＭ素子についても同
様の効果があることは言うまでもない。また、透過型の
液晶表示装置についてのみ述べたが、本発明をするに至
った問題点は、何も透過型に限定されるものではない。
反射型の液晶表示素子にも本発明の構成は適用できる。
その場合、ＩＴＯ膜のような透明導電膜を用いる必要は
なく、他の不透明な金属（例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｔａ，
Ｔｉ，Ｃｕなど）を用いることができる。この場合で
も、本発明の実施形態１ 、 並びに 、 参考形態１乃至参考形
態３に示した形態を採用できるのはもち論のこと、これ
ら形態を適宜アレンジして用いることができる。
グ素子としてＴＦＴを用いた場合について述べたが、先
述したようなダイオード素子、ＭＩＭ素子についても同
様の効果があることは言うまでもない。また、透過型の
液晶表示装置についてのみ述べたが、本発明をするに至
った問題点は、何も透過型に限定されるものではない。
反射型の液晶表示素子にも本発明の構成は適用できる。
その場合、ＩＴＯ膜のような透明導電膜を用いる必要は
なく、他の不透明な金属（例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｔａ，
Ｔｉ，Ｃｕなど）を用いることができる。この場合で
も、本発明の実施形態１ 、 並びに 、 参考形態１乃至参考形
態３に示した形態を採用できるのはもち論のこと、これ
ら形態を適宜アレンジして用いることができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、静電気や外部のノイズ
による表示欠陥の発生を防止でき、ひいては安定した画
像表示のおこなえる液晶表示装置を提供することができ
る。
による表示欠陥の発生を防止でき、ひいては安定した画
像表示のおこなえる液晶表示装置を提供することができ
る。
【図１】参考形態１と実施形態１の液晶表示装置を示す
模式的断面図。
模式的断面図。
【図２】参考形態２と３の液晶表示装置を示す模式的断
面図。
面図。
【図３】本発明に適用可能な導電層の配置例を示す摸式
図。
図。
【図４】従来の液晶表示装置を示す摸式図。
【図５】従来の液晶表示装置を示す摸式図。
１ ガラス基板 ２ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ３ 対向基板 ４ 対向電極 ５ 導電膜 ６ 銀ペースト ８ 周辺回路部 ８’ 周辺回路 ９ 画像表示部 １２ 取り出し電極 ２１ 半導体基板 ２２ フィルター酸化膜 ２３，２９ ＮＳＧ ２６ 液晶 ２７ 透明絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1345 G02F 1/1365 H01L 29/786
Claims (13)
- 【請求項１】 マトリクス状に設けられた複数の電極に
対応して、スイッチング素子を複数個設けたマトリクス
基板であって、前記基板のスイッチング素子が設けられ
た面とは反対の面に導電層を設けており、更に、前記ス
イッチング素子が設けられた面に取り出しパッドを設け
ており、前記導電層は該取り出しパッドに電気的に接続
されていることを特徴とするマトリクス基板。 - 【請求項２】 前記導電層は、前記マトリクス基板の前
記導電層が設けられる面の１０〜１００パーセントの範
囲の面積で設けられる請求項１に記載のマトリクス基
板。 - 【請求項３】 前記面積は、２０〜１００パーセントの
範囲にある請求項２に記載のマトリクス基板。 - 【請求項４】 前記導電層は、全面に設けられる請求項
１に記載のマトリクス基板。 - 【請求項５】 前記導電層は、メッシュ状に設けられる
請求項１に記載のマトリクス基板。 - 【請求項６】 前記導電層は、くし歯状に設けられる請
求項１に記載のマトリクス基板。 - 【請求項７】 前記導電層の層厚は、１００オングスト
ローム〜１ミクロンの範囲にある請求項１に記載のマト
リクス基板。 - 【請求項８】 前記導電層の層厚は、５００オングスト
ローム〜５０００オングストロームの範囲にある請求項
７に記載のマトリクス基板。 - 【請求項９】 前記導電層の層厚は、１０００オングス
トローム〜２０００オングストロームの範囲にある請求
項８に記載のマトリクス基板。 - 【請求項１０】 前記導電層は、光学的にほぼ透明な膜
から選択される請求項１に記載のマトリクス基板。 - 【請求項１１】 前記透明な膜は、ITO(Indium Tin Oxi
de)である請求項１０に記載のマトリクス基板。 - 【請求項１２】 前記導電層は、Al,Cr,Ta,Ti,Cuの中か
ら選択される請求項１に記載のマトリクス基板。 - 【請求項１３】 マトリクス状に設けられた複数の電極
に対応して、スイッチング素子を複数個設けたマトリク
ス基板と、前記複数の電極に対向する基板と、の間に液
晶材料を配して構成される液晶表示装置であって、前記
マトリクス基板のスイッチング素子が設けられた面とは
反対の面に導電層を設けており、更に、前記スイッチン
グ素子が設けられた面に取り出しパッドを設けており、
前記導電層は該取り出しパッドに電気的に接続されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6528998A JP3302321B2 (ja) | 1997-03-21 | 1998-03-16 | マトリクス基板及び該マトリクス基板を用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-68158 | 1997-03-21 | ||
| JP6815897 | 1997-03-21 | ||
| JP6528998A JP3302321B2 (ja) | 1997-03-21 | 1998-03-16 | マトリクス基板及び該マトリクス基板を用いた液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10325966A JPH10325966A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3302321B2 true JP3302321B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=26406430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6528998A Expired - Fee Related JP3302321B2 (ja) | 1997-03-21 | 1998-03-16 | マトリクス基板及び該マトリクス基板を用いた液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3302321B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030011986A (ko) * | 2001-07-30 | 2003-02-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| JP6431278B2 (ja) * | 2014-04-18 | 2018-11-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置用基板 |
-
1998
- 1998-03-16 JP JP6528998A patent/JP3302321B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10325966A (ja) | 1998-12-08 |
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