JPS61170724A - アクテイブマトリクス表示装置用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アクティブマトリクス液晶光示装置用基板に
おける薄膜トランジスタに関するものである。

〔発明の概要〕

透明絶縁基板上に電荷保持用容量を持つアクティブマト
リクス表示装置用基板において、電荷保持用容量部を前
段のゲート電極とゲート絶縁膜と半導体膜と透明電極か
らなる画素電極の一部から形成し、前記半導体膜はトラ
ンジスタ部とドレイン配線部と分離さｒｃ７を島状領域
に形成することによって、良好な画質を持つ几アクティ
ブマトリクス宍示装置用基板が提供できる。

〔従来の技術〕

従来のアクティブマトリクス液晶表示装置の単位画素の
例を第２図に示す。第２図に）は、単位画素構造例の平
面図を示し、第２図（６）は、第２図（ロ）のａ−ｏ　
’線に沿つ几断面図、第２図（６）は第２図（ロ）のＤ
−ＤＩ線に沿った断面図である。ガラス等の透明絶縁基
板１上には、Ｃデ、ム譬１０デ２Ｍ。、Ａｔ等のゲート
電極２が設けらｎ１行電極として延在している。前段の
ゲート電極２１も図示さｎている。ゲート電極２上には
、二酸化シリコン、チツ化シリコン等のゲート絶縁ｇ８
、アモルファスシリコン等の半導体膜５が設けらｎ、半
導体属５上には列電極としてのドレイン電極６、ソース
電極７が配され、ソース電極７と画素電極４が接続さｎ
ている。画像信号等を保持するための電荷保持用容量は
、前段のゲート電極２′とゲート絶ｔＩｋｖＡ８と半導
体膜５と画素電極４とで構成さｎている。なおトランジ
スタ部と電荷保持用容量部の半導体膜５は接続さｆ′し
た型で配さｎている。

さらに上部からの光？：遮閉する九めの遮光膜やパッシ
ベーション膜等が形成さｎることもあるが、本発明に直
接関係ないので省略する。第２図（ロ）。

φ）及び（−）の構造例では、電荷保持用容量に書き込
まｔｌ、た画像信号等がリークして良好な画質が得らｎ
ない欠点がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

第２図に）、Φ）及び（ｃ）に示すように、従来の構造
だと、電荷保持用容量に書き込まｒｔた画像信号が、半
導体膜５ｔ−介してドレイン電極６あるいはソース電極
７１にリークして、画像信号が保持さｎず、コントラス
トの良い画質が得らｎない。本発明は、上記問題点を解
決するもので工数を特に増加しないで、良好な画質を持
つ九アクティブマトリクス我示装置の几めの薄膜トラン
ジスタの単位画素構造を提供するものである。

〔問題点を解決する九めの手段〕

上記問題点全解決するために本発明は、電荷保持用容量
部とトランジスタ部に形成さｎる半導体膜を分離形成す
ることによって、画像信号等のリークを防止するもので
ある。

〔作用〕

上記のように構成すると、例えば電荷保持用容量に書き
込ｔｒｔ九画像信号は、半導体膜を伝わってリークする
ことなく保持さｎ、コントラストの良い画質が工数の増
加なく達成できる。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。第１図＠は、本発明の単位画素の構造例の平面図を示
す。第１図（６）は、第１図−）のＡ−Ｉム１線に沿っ
た断面図、第１図（６）は第１図６）のＢ−ＢＩ線に沿
った断面図である。ガラス等の透明絶縁基板１上には、
ム’ｅＣｒｅ”（１等のゲート電極２が設けらｎ１行電
極として延在している。

前段のゲート電極２１も図示している。ゲート電極２上
には、二酸化シリコン、チツ化シリコン等のゲー）　絶
ＲＷＩ−８、アモルファスシリコン等の半導体膜５が形
成さｎている。前段のゲート電極２１上には、前記ゲー
ト絶縁膜８、半導体膜５と同時に積層さｒｔた絶縁膜８
１、半導体Ｊ［５１が形成さ−Ｂ、　Ｘ　Ｔ　Ｏ等の透
明導電膜である画素電極４の一部とによって電荷保持用
容量が構成さｎている。

半導体膜５上には、列電極としてのドレイン電極６、ソ
ース電極７が配さｎ、ソース電極７と画素電極４が接続
さｎている。電荷保持用容量部の半導体ｍｓ’ｔ−ドレ
イン電極６、ソース電極７，７１を配する半導体膜５と
分離し比島状領域に形成することによって、例えば電荷
保持用容量に書き込ｔｒｖた画像信号は、半導体膜５曹
が島状に形成されているのでリークすることなく保持さ
ｎ１士数を増すことなくコントラストの良好な画像我子
を得ることが出来る。なお、電荷保持用容量の構成を半
導体膜５Ｉｔ−なくす方法も考えらｎるが、トランジス
タ部の半導体膜５のバターニング時、エッチャント等に
よる損傷を絶縁ＪＩＩ８’に与え、絶縁耐圧不良発生の
原因となるので、本発明に示すように半導体＄　５１を
島状に形成し次構造が良い。

〔発明の効果〕

本発明は以上説明したように、単位画素をマトリクス状
に配置するアクティブマトリクス我子装置用基板の製造
工数全増加することなく、電荷保持用容量の耐圧をそこ
なうことなく良好な画質を持つ几アクティブマド１７ク
ス液晶表示装置用基板における薄膜トランジスタを提供
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ロ）は本発明による薄膜トランジスタの単位画
素構造例の平面図であり、第１図の）は第１図に）のム
ーム１線に沿った断面図、第１図ψ）は第１図（ハ）の
Ｂ−Ｂｌ線に沿った断面図である。第２図（ロ）は従来
の単位画素構造例の１平面図であり、第２図の）は第２
図−）の６−６線に沿つ几断面図、第２図り）は第２図
に）のＤ−Ｄ　Ｉ線に箔つ九断面図でら１６．基板、２
　ｇ　２　’　＠　＠ゲート電極、８．。 ゲート絶縁膜、４００画素電極、５　＠　５　’　ｓ　
＊半導体膜、６０．ドレイン電極、７１．ソース電極以
上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　少なくとも電荷保持用容量部が、前段のゲート電極と
   ゲート絶縁膜と半導体膜と透明導電膜からなる画素電極
   の一部とによつて構成されたアクティブマトリクス表示
   装置用基板において、前記半導体膜は少なくともトラン
   ジスタ部とドレイン配線部と分離された島状領域に形成
   されていることを特徴とするアクティブマトリクス表示
   装置用基板。