JPS6331164A - 光電変換素子アレ− - Google Patents
光電変換素子アレ−Info
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- JPS6331164A JPS6331164A JP61175043A JP17504386A JPS6331164A JP S6331164 A JPS6331164 A JP S6331164A JP 61175043 A JP61175043 A JP 61175043A JP 17504386 A JP17504386 A JP 17504386A JP S6331164 A JPS6331164 A JP S6331164A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、図形文字等を光学的に検知し電気信号に変換
するイメージセンサを構成する光電変換素子アレーに関
する。
するイメージセンサを構成する光電変換素子アレーに関
する。
従来画像１文字等を光学的に検知し電気信号に変換する
手段としてＭＯＳ型やＣＣＤを用いたＩＣセンサが知ら
れている。
手段としてＭＯＳ型やＣＣＤを用いたＩＣセンサが知ら
れている。
しかしながらＩＣセンサを用いたイメージセンサは縮小
レンズ系とともに用いられるため、所要の光路長を確保
する必要があり装置の小型化が困難であった。一方原稿
と同じ幅の感光部を有する密着型イメージセンサは縮小
レンズ系を用いないため装置の大幅な小型化が達成され
る。
レンズ系とともに用いられるため、所要の光路長を確保
する必要があり装置の小型化が困難であった。一方原稿
と同じ幅の感光部を有する密着型イメージセンサは縮小
レンズ系を用いないため装置の大幅な小型化が達成され
る。
この密着型イメージセンサの感光部には可視光の光感度
が高く大面積にわたり均一に形成する事ができる非晶質
シリコンが用いられる。この非晶質シリコンをイメージ
センサの感光部へ応用する場合には、光応答性を良くす
るために電極からのキャリアの注入を阻止したブロッキ
ングダイオードが用いられている。この非晶質シリコン
を用いたイメージセンサの従来例を第５図（ａ＞、（ｂ
）に示す。（例えば、第１５凹面体素子と材料コンファ
レンス、１９８３年、アブストラクト第３６頁１画像電
子学会、昭和６０年度全国大会Ｎｏ２２）。この素子構
造において、光電変換素子は第１の電極２および透明電
極６と金属電極７を含む第２の電極にはさまれた非晶質
シリコン層３を含むホトダイオードである。このホトダ
イオードには、透明電極６を通して光が照射される。照
射光としては、緑色ＬＥＤ、黄緑色ＬＥＤ又は赤色ＬＥ
Ｄが用いられる。ところが特に赤色ＬＥＤを照射光とし
て用いた場合、非晶質Ｓｉ層層中中発生する電子、正孔
のうち正孔の走行性が良くないために生ずる残像が５〜
１０％生じ、画像の再生に問題があった。この残像を小
さくするためには非晶質シリコン中へホウ素をドーピン
グし、正孔の走行性を改善することが試みられている。
が高く大面積にわたり均一に形成する事ができる非晶質
シリコンが用いられる。この非晶質シリコンをイメージ
センサの感光部へ応用する場合には、光応答性を良くす
るために電極からのキャリアの注入を阻止したブロッキ
ングダイオードが用いられている。この非晶質シリコン
を用いたイメージセンサの従来例を第５図（ａ＞、（ｂ
）に示す。（例えば、第１５凹面体素子と材料コンファ
レンス、１９８３年、アブストラクト第３６頁１画像電
子学会、昭和６０年度全国大会Ｎｏ２２）。この素子構
造において、光電変換素子は第１の電極２および透明電
極６と金属電極７を含む第２の電極にはさまれた非晶質
シリコン層３を含むホトダイオードである。このホトダ
イオードには、透明電極６を通して光が照射される。照
射光としては、緑色ＬＥＤ、黄緑色ＬＥＤ又は赤色ＬＥ
Ｄが用いられる。ところが特に赤色ＬＥＤを照射光とし
て用いた場合、非晶質Ｓｉ層層中中発生する電子、正孔
のうち正孔の走行性が良くないために生ずる残像が５〜
１０％生じ、画像の再生に問題があった。この残像を小
さくするためには非晶質シリコン中へホウ素をドーピン
グし、正孔の走行性を改善することが試みられている。
（例えばブロシーデインダス・オブ・エスピーアイイー
（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ５ＰＪＥ）第６
１７巻、第１２７頁、１９８６年）。しかしながらホウ
素をドーピングする事により発生する非晶質Ｓｉ層内の
内部欠陥のために、電極と非晶質シリコンとのショット
キ接触の不良のための暗電流増加が起りやすくなる。
（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ５ＰＪＥ）第６
１７巻、第１２７頁、１９８６年）。しかしながらホウ
素をドーピングする事により発生する非晶質Ｓｉ層内の
内部欠陥のために、電極と非晶質シリコンとのショット
キ接触の不良のための暗電流増加が起りやすくなる。
上述した従来の光電変換素子アレーは、ホウ素をドーピ
ングした非晶質Ｓｉと電極とのショットキ接触が良くな
いため暗電流が大きくなるという欠点がある。
ングした非晶質Ｓｉと電極とのショットキ接触が良くな
いため暗電流が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は、残像及び暗電流の少ない光電変換素子
アレーを提供することにある。
アレーを提供することにある。
この出願の第１の発明の光電変換素子アレーは、絶縁性
基板上のビット毎に分割された複数の第１の金属電極、
非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数の分割された
第１の金属電極に対向して配置された透明導電層を含む
第２の電極から成る積層構造を有する光電変換素子アレ
ーにおいて、該感光層は第１の金属電極に接して設けら
れたアンドープの非晶質Ｓｉ層と、０．５ｐｐｍ以上、
１０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質Ｓｔ層の２層構造
から成るものである。
基板上のビット毎に分割された複数の第１の金属電極、
非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数の分割された
第１の金属電極に対向して配置された透明導電層を含む
第２の電極から成る積層構造を有する光電変換素子アレ
ーにおいて、該感光層は第１の金属電極に接して設けら
れたアンドープの非晶質Ｓｉ層と、０．５ｐｐｍ以上、
１０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質Ｓｔ層の２層構造
から成るものである。
この出願の第、２の発明の光電変換素子アレーは、絶縁
性基板上のビット毎に分割された複数の第１の金属電極
、非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数の分割され
た第１の金属電極に対向して配置された透明導電層を含
む第２の電極から成る積層構造を有する光電変換素子ア
レーにおいて、該感光層は第１の金属電極に接して設け
られたアンドープ非晶質Ｓｉ層、０．５ｐｐｍ以上、１
０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質層Ｓｉ及び５０Ｐｐ
ｍ以上、１０’ｐｐｍ未満のホウ素を含む非晶質Ｓｉ又
は非晶質Ｓ ｉ Ｃｘ （０＜ｘ＜ １ ）の３層構
造から成るものである。
性基板上のビット毎に分割された複数の第１の金属電極
、非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数の分割され
た第１の金属電極に対向して配置された透明導電層を含
む第２の電極から成る積層構造を有する光電変換素子ア
レーにおいて、該感光層は第１の金属電極に接して設け
られたアンドープ非晶質Ｓｉ層、０．５ｐｐｍ以上、１
０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質層Ｓｉ及び５０Ｐｐ
ｍ以上、１０’ｐｐｍ未満のホウ素を含む非晶質Ｓｉ又
は非晶質Ｓ ｉ Ｃｘ （０＜ｘ＜ １ ）の３層構
造から成るものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ＞はこの出願の第１の発明の一実施例の主要
部を示すセンサチップの平面図、第１図（ｂ）は第１図
（ａ）のｘ−ｘ’線断面図である。
部を示すセンサチップの平面図、第１図（ｂ）は第１図
（ａ）のｘ−ｘ’線断面図である。
１はガラス又はセラミック等の絶縁性基板であり、クロ
ミウムを厚さ１０００人蒸着０、ホトリソグラフィー技
術により複数個の島状にエツチングし、第１の電極２を
形成する。この島のピッチは８素子／ ｍ ｍの光電変
換素子アレーでは１２５μｍである。また、この実施例
では電極が左右両側に引き出されているが、片側だけに
引き出されていてもよい、続いて厚さ２０００人のアン
ド−プの非晶質Ｓｉ層３、厚さ１μｍで高抵抗の、ホウ
素を２ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ層４を形成する。こ
の非晶質Ｓｉ層の形成には、プラズマＣＶＤ装置内にＳ
ｉ Ｈ４ガスおよびホウ素をドーピングする時にはＢ
２Ｈ６ガスとＳｉＨ４の混合ガスを導入し１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波発振機を用いて基板温度２００℃〜３００
℃に設定しグロー放電分解させた。その後さらにＩＴＯ
（酸化インジウム錫）透明導電層６をスパッタ法で島状
に形成し光電変換素子アレイの形成を完了する。なお、
ホウ素をドープした非晶質Ｓｉ層のホウ素の濃度は１〜
５ｐｐｍの時にイメージセンサとしての残像の低減に効
果が最も良くあられれたが、０．５〜１０ｐｐｍの濃度
においても効果がある事が確認できた。また、アンドー
プの非晶質Ｓｉ層３の厚さは、１００Å以上あれば暗電
流低減の効果がある事がわかったが、非常に厚くすると
、正孔の走行性の悪い層が増加し、残像低減の効果が小
さくなるので、層厚は１００Å以上２０００Å以下が好
ましい。
ミウムを厚さ１０００人蒸着０、ホトリソグラフィー技
術により複数個の島状にエツチングし、第１の電極２を
形成する。この島のピッチは８素子／ ｍ ｍの光電変
換素子アレーでは１２５μｍである。また、この実施例
では電極が左右両側に引き出されているが、片側だけに
引き出されていてもよい、続いて厚さ２０００人のアン
ド−プの非晶質Ｓｉ層３、厚さ１μｍで高抵抗の、ホウ
素を２ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ層４を形成する。こ
の非晶質Ｓｉ層の形成には、プラズマＣＶＤ装置内にＳ
ｉ Ｈ４ガスおよびホウ素をドーピングする時にはＢ
２Ｈ６ガスとＳｉＨ４の混合ガスを導入し１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波発振機を用いて基板温度２００℃〜３００
℃に設定しグロー放電分解させた。その後さらにＩＴＯ
（酸化インジウム錫）透明導電層６をスパッタ法で島状
に形成し光電変換素子アレイの形成を完了する。なお、
ホウ素をドープした非晶質Ｓｉ層のホウ素の濃度は１〜
５ｐｐｍの時にイメージセンサとしての残像の低減に効
果が最も良くあられれたが、０．５〜１０ｐｐｍの濃度
においても効果がある事が確認できた。また、アンドー
プの非晶質Ｓｉ層３の厚さは、１００Å以上あれば暗電
流低減の効果がある事がわかったが、非常に厚くすると
、正孔の走行性の悪い層が増加し、残像低減の効果が小
さくなるので、層厚は１００Å以上２０００Å以下が好
ましい。
第２図はこの出願の第２の発明の一実施例の主要部を示
すセンサチップの断面図である。絶縁性基板１上に第１
の島状の電極２を形成する。その後厚さ５００人のアン
ドープの非晶質Ｓｉ層３、厚さ２μｍで高抵抗の、ホウ
素をｌｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ層４からなる第１の
ドーピング層、続いて厚さ３００人の、ホウ素を５００
ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ又は非晶質５ｉＣｘ層から
なる第２のドーピング層５を形成する。この非晶質５ｉ
Ｃｘ層はＳｉＨ４、ＣＨ４、Ｂ２ Ｈ６混合ガスのグロ
ー放電分解により形成した。その後さらにＩＴＯによる
透明導電層６をスパッタ法により形成し、遮光膜を兼ね
た金属電極としてクロミウムを１０００人蒸着０た後開
口部をエツチング除去して第２の電極７を形成し、光電
変換素子アレーを形成する。なお、ホウ素をドープした
Ｐ型非晶質５ｉＣｘの光学的バンドギャップは１．７ｅ
Ｖ〜２．５ｅＶが適当であるが、残像特性等を考慮する
と１．９〜２．１ｅＶの非晶質Ｓ ｉ Ｃｘが好適であ
る。またＰ型非晶質Ｓｉ層又は５ｉＣｘ層のホウ素の濃
度は５０ｐｐｍ以上、１０’ｐｐｍ未満で有効であるが
、好ましくは５００ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下であ
る。また、ホウ素を高濃度にドーピングする場合には透
明電極６と第２の電極７下以外の露出しているＰ型非晶
質Ｓｉ層又は５ｉＣｘ層を除去する方が暗電流低減に効
果がある。この場合においても本発明は有効に適用しう
る。なお、ホウ素の濃度が１０’ｐｐｍ以上になるとｐ
ｉ接合の逆バイアス特性が著しく劣化する。
すセンサチップの断面図である。絶縁性基板１上に第１
の島状の電極２を形成する。その後厚さ５００人のアン
ドープの非晶質Ｓｉ層３、厚さ２μｍで高抵抗の、ホウ
素をｌｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ層４からなる第１の
ドーピング層、続いて厚さ３００人の、ホウ素を５００
ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ又は非晶質５ｉＣｘ層から
なる第２のドーピング層５を形成する。この非晶質５ｉ
Ｃｘ層はＳｉＨ４、ＣＨ４、Ｂ２ Ｈ６混合ガスのグロ
ー放電分解により形成した。その後さらにＩＴＯによる
透明導電層６をスパッタ法により形成し、遮光膜を兼ね
た金属電極としてクロミウムを１０００人蒸着０た後開
口部をエツチング除去して第２の電極７を形成し、光電
変換素子アレーを形成する。なお、ホウ素をドープした
Ｐ型非晶質５ｉＣｘの光学的バンドギャップは１．７ｅ
Ｖ〜２．５ｅＶが適当であるが、残像特性等を考慮する
と１．９〜２．１ｅＶの非晶質Ｓ ｉ Ｃｘが好適であ
る。またＰ型非晶質Ｓｉ層又は５ｉＣｘ層のホウ素の濃
度は５０ｐｐｍ以上、１０’ｐｐｍ未満で有効であるが
、好ましくは５００ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下であ
る。また、ホウ素を高濃度にドーピングする場合には透
明電極６と第２の電極７下以外の露出しているＰ型非晶
質Ｓｉ層又は５ｉＣｘ層を除去する方が暗電流低減に効
果がある。この場合においても本発明は有効に適用しう
る。なお、ホウ素の濃度が１０’ｐｐｍ以上になるとｐ
ｉ接合の逆バイアス特性が著しく劣化する。
第３図に実施例の光電流および暗電流の電圧依存性を従
来例と比較して示す。第３図において（ａ）は本願第１
の発明の一実施例、（ｂ）は本願第２の発明の一実施例
、（Ｃ）は従来例の暗電流および光電流の電圧依存性を
示す。従来例としては第５図で示される様に感光層とし
てアンドープの非晶質Ｓｉ層３を用いた光電変換素子を
測定した。本願第１の発明の実施例においては、アンド
ープの非晶質Ｓｉを用いた従来例に比べて若干大きくな
ってはいるが、はぼ同程度の暗電流が得られ、光電流と
の比は４×１０２以上と実用上十分の値が得られており
、非晶質Ｓｉにホウ素をドーピングした時に起りがちな
暗電流の大幅な増加は起っておらず、本発明が有効であ
ることを示している。また、本願第２の発明の実施例に
おいてはさらに暗電流が低下しており、表面に接合を形
成した事が有効に作用している事を示している。また、
光電流をみると光電流が飽和する開始電圧が従来例１本
願第１の発明の実施例１本願第２の発明の実施例の順に
小さくなっており、これにより本発明は低電圧駆動の効
果もある事がわがっな。
来例と比較して示す。第３図において（ａ）は本願第１
の発明の一実施例、（ｂ）は本願第２の発明の一実施例
、（Ｃ）は従来例の暗電流および光電流の電圧依存性を
示す。従来例としては第５図で示される様に感光層とし
てアンドープの非晶質Ｓｉ層３を用いた光電変換素子を
測定した。本願第１の発明の実施例においては、アンド
ープの非晶質Ｓｉを用いた従来例に比べて若干大きくな
ってはいるが、はぼ同程度の暗電流が得られ、光電流と
の比は４×１０２以上と実用上十分の値が得られており
、非晶質Ｓｉにホウ素をドーピングした時に起りがちな
暗電流の大幅な増加は起っておらず、本発明が有効であ
ることを示している。また、本願第２の発明の実施例に
おいてはさらに暗電流が低下しており、表面に接合を形
成した事が有効に作用している事を示している。また、
光電流をみると光電流が飽和する開始電圧が従来例１本
願第１の発明の実施例１本願第２の発明の実施例の順に
小さくなっており、これにより本発明は低電圧駆動の効
果もある事がわがっな。
一方イメージセンサの残像量については、第４図に示さ
れる様に従来例（Ｃ）においては−４Ｖの印加電圧のも
とて６％の残像量であったものが、本願第１の発明の実
施例（ａ＞においては４％。
れる様に従来例（Ｃ）においては−４Ｖの印加電圧のも
とて６％の残像量であったものが、本願第１の発明の実
施例（ａ＞においては４％。
本願第２の発明の実施例（ｂ）においては３．５％と大
幅に小さくなっており、本発明が有効に作用されている
事が確認できた。
幅に小さくなっており、本発明が有効に作用されている
事が確認できた。
以上説明したように本発明は、第１の金属電極２の」二
部にアンドープの非晶質Ｓｉ層を設置しであるためホウ
素をドープした非晶質Ｓｉ層と金属電極との接触におこ
りがちな正孔の注入はおさえられ低暗電流の光電変換素
子が得られる。また、発生した光電荷が電界によって走
行する非晶質Ｓｉ層の大部分にはホウ素が軽くドーピン
グし、であるので高抵抗でかつ正孔の走行性が良くなり
低残像のイメージセンサである光電変換素子アレーが得
られる。また本願筒２の発明においては、上部電極であ
る透明導電層６からの電子の注入がおさえられるように
ホウ素を５０ｐｐｍ以上ドープしたＰ型アモルファスＳ
ｉ層やＰ型非晶質５ｉＣｘ層を設置し接合を形成しであ
るためさらに暗電流が小さくなる。
部にアンドープの非晶質Ｓｉ層を設置しであるためホウ
素をドープした非晶質Ｓｉ層と金属電極との接触におこ
りがちな正孔の注入はおさえられ低暗電流の光電変換素
子が得られる。また、発生した光電荷が電界によって走
行する非晶質Ｓｉ層の大部分にはホウ素が軽くドーピン
グし、であるので高抵抗でかつ正孔の走行性が良くなり
低残像のイメージセンサである光電変換素子アレーが得
られる。また本願筒２の発明においては、上部電極であ
る透明導電層６からの電子の注入がおさえられるように
ホウ素を５０ｐｐｍ以上ドープしたＰ型アモルファスＳ
ｉ層やＰ型非晶質５ｉＣｘ層を設置し接合を形成しであ
るためさらに暗電流が小さくなる。
このように本発明は低残像で低暗電流の光電変換素子ア
レーが得られる効果がある。更に低電圧駆動が可能とな
る効果がもある。
レーが得られる効果がある。更に低電圧駆動が可能とな
る効果がもある。
第１図（ａ＞は第１の発明の一実施例の主要部を示すセ
ンサチップの平面図、第１図（ｂ＞は第１図（ａ＞のｘ
−ｘ′線断面図、第２図は第２の発明の一実施例の主要
部を示すセンサチップの断面図、第３図は光電変換素子
アレーの電圧−電流特性図、第４図は光電変換素子アレ
ーの残像特性図、第５図（ａ）は従来例の主要部を示す
センサチップの平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）の
ｘ−ｘ′線断面図である。 １・・・絶縁性基板、２・・・第１の電極、３・・・ア
ンドープの非晶質Ｓｉ層、４・・・ホウ素をドープした
非晶質Ｓｉ層、５・・・、第２のドーピング層、６・・
・透明導電層・７゛°第２の電極・
、１・・３．４ 第 ｌ ン 第３ 図 ０ −７ −２ −ｊ −４電／Ｅ
Ｅ（Ｖン 第４ ｖ Ｏ−／ −２−Ｊ −ダ ミ圧 牛５７
ンサチップの平面図、第１図（ｂ＞は第１図（ａ＞のｘ
−ｘ′線断面図、第２図は第２の発明の一実施例の主要
部を示すセンサチップの断面図、第３図は光電変換素子
アレーの電圧−電流特性図、第４図は光電変換素子アレ
ーの残像特性図、第５図（ａ）は従来例の主要部を示す
センサチップの平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）の
ｘ−ｘ′線断面図である。 １・・・絶縁性基板、２・・・第１の電極、３・・・ア
ンドープの非晶質Ｓｉ層、４・・・ホウ素をドープした
非晶質Ｓｉ層、５・・・、第２のドーピング層、６・・
・透明導電層・７゛°第２の電極・
、１・・３．４ 第 ｌ ン 第３ 図 ０ −７ −２ −ｊ −４電／Ｅ
Ｅ（Ｖン 第４ ｖ Ｏ−／ −２−Ｊ −ダ ミ圧 牛５７
Claims (2)
- （１）絶縁性基板上のビット毎の分割された複数の第１
の金属電極、非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数
の分割された第１の金属電極に対向して配置された透明
導電層を含む第２の電極から成る積層構造を有する光電
変換素子アレーにおいて、該感光層は第１の金属電極に
接して設けられたアンドープの非晶質Ｓｉ層と、０．５
ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質Ｓｉ
層の２層構造から成る事を特徴とする光電変換素子アレ
ー。 - （２）絶縁性基板上のビット毎に分割された複数の第１
の金属電極、非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数
の分割された第１の金属電極に対向して配置された透明
導電層を含む第２の電極から成る積層構造を有する光電
変換素子アレーにおいて、該感光層は第１の金属電極に
接して設けられたアンドープの非晶質Ｓｉ層、０．５ｐ
ｐｍ以上１０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質Ｓｉから
なる第１のドーピング層及び５０ｐｐｍ以上１０＾４ｐ
ｐｍ未満のホウ素を含む非晶質Ｓｉ又は非晶質ＳｉＣ＿
ｘ（０＜ｘ＜１）からなる第２のドーピング層の３層構
造から成る事を特徴とした光電変換素子アレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175043A JPH065726B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 光電変換素子アレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175043A JPH065726B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 光電変換素子アレ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331164A true JPS6331164A (ja) | 1988-02-09 |
| JPH065726B2 JPH065726B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=15989219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61175043A Expired - Lifetime JPH065726B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 光電変換素子アレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065726B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5879756A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-13 | Nec Corp | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ− |
| JPS59202663A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Toshiba Corp | 光電変換部材 |
| JPS6064465A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Nec Corp | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP61175043A patent/JPH065726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5879756A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-13 | Nec Corp | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ− |
| JPS59202663A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Toshiba Corp | 光電変換部材 |
| JPS6064465A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Nec Corp | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065726B2 (ja) | 1994-01-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |