JPH065726B2 - 光電変換素子アレ− - Google Patents
光電変換素子アレ−Info
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- JPH065726B2 JPH065726B2 JP61175043A JP17504386A JPH065726B2 JP H065726 B2 JPH065726 B2 JP H065726B2 JP 61175043 A JP61175043 A JP 61175043A JP 17504386 A JP17504386 A JP 17504386A JP H065726 B2 JPH065726 B2 JP H065726B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、図形文字等を光学的に検知し電気信号に変換
するイメージセンサを構成する光電変換素子アレーに関
する。
するイメージセンサを構成する光電変換素子アレーに関
する。
従来画像，文字等を光学的に検知し電気信号に変換する
手段としてＭＯＳ型やＣＣＤを用いたＩＣセンサが知ら
れている。
手段としてＭＯＳ型やＣＣＤを用いたＩＣセンサが知ら
れている。
しかしながらＩＣセンサを用いたイメージセンサは縮小
レンズ系とともに用いられるため、所要の光路長を確保
する必要があり装置の小型化が困難であった。一方原稿
と同じ幅の感光部を有する密着型イメージセンサは縮小
レンズ系を用いないため装置の大幅な小型化が達成され
る。
レンズ系とともに用いられるため、所要の光路長を確保
する必要があり装置の小型化が困難であった。一方原稿
と同じ幅の感光部を有する密着型イメージセンサは縮小
レンズ系を用いないため装置の大幅な小型化が達成され
る。
この密着型イメージセンサの感光部には可視光の光感度
が高く大面積にわたり均一に形成する事ができる非晶質
シリコンが用いられる。この非晶質シリコンをイメージ
センサの感光部へ応用する場合には、光応答性を良くす
るために電極からのキャリアの注入を阻止したブロッキ
ングダイオードが用いられている。この非晶質シリコン
を用いたイメージセンサの従来例を第５図（ａ），
（ｂ）に示す。（例えば、第１５回固体素子と材料コン
ファレンス，１９８３年，アブストラクト第３６頁，画
像電子学会，昭和６０年度全国大会Ｎｏ２２）。この素
子構造において、光電変換素子は第１の電極２および透
明電極６と金属電極７を含む第２の電極にはさまれた非
晶質シリコン層３を含むホトダイオードである。このホ
トダイオードには、透明電極６を通して光が照射され
る。照射光としては、緑色ＬＥＤ，黄緑色ＬＥＤ又は赤
色ＬＥＤが用いられる。ところが特に赤色ＬＥＤを照射
光として用いた場合、非晶質Ｓｉ層３中に発生する電
子，正孔のうち正孔の走行性が良くないために生ずる残
像が５〜１０％生じ、画像の再生に問題があった。この
残像を小さくするためには非晶質シリコン中へホウ素を
ドーピングし、正孔の走行性を改善することが試みられ
ている。（例えばプロシーディングス・オブ・エスピー
アイイー（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ）
第６１７巻、第１２７頁、１９８６年）。しかしながら
ホウ素をドーピングする事により発生する非晶質Ｓｉ層
内の内部欠陥のために、電極と非晶質シリコンとのショ
ットキ接触の不良のための暗電流増加が起りやすくな
る。
が高く大面積にわたり均一に形成する事ができる非晶質
シリコンが用いられる。この非晶質シリコンをイメージ
センサの感光部へ応用する場合には、光応答性を良くす
るために電極からのキャリアの注入を阻止したブロッキ
ングダイオードが用いられている。この非晶質シリコン
を用いたイメージセンサの従来例を第５図（ａ），
（ｂ）に示す。（例えば、第１５回固体素子と材料コン
ファレンス，１９８３年，アブストラクト第３６頁，画
像電子学会，昭和６０年度全国大会Ｎｏ２２）。この素
子構造において、光電変換素子は第１の電極２および透
明電極６と金属電極７を含む第２の電極にはさまれた非
晶質シリコン層３を含むホトダイオードである。このホ
トダイオードには、透明電極６を通して光が照射され
る。照射光としては、緑色ＬＥＤ，黄緑色ＬＥＤ又は赤
色ＬＥＤが用いられる。ところが特に赤色ＬＥＤを照射
光として用いた場合、非晶質Ｓｉ層３中に発生する電
子，正孔のうち正孔の走行性が良くないために生ずる残
像が５〜１０％生じ、画像の再生に問題があった。この
残像を小さくするためには非晶質シリコン中へホウ素を
ドーピングし、正孔の走行性を改善することが試みられ
ている。（例えばプロシーディングス・オブ・エスピー
アイイー（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ）
第６１７巻、第１２７頁、１９８６年）。しかしながら
ホウ素をドーピングする事により発生する非晶質Ｓｉ層
内の内部欠陥のために、電極と非晶質シリコンとのショ
ットキ接触の不良のための暗電流増加が起りやすくな
る。
上述した従来の光電変換素子アレーは、ホウ素をドーピ
ングした非晶質Ｓｉと電極とのショットキ接触が良くな
いため暗電流が大きくなるという欠点がある。
ングした非晶質Ｓｉと電極とのショットキ接触が良くな
いため暗電流が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は、残像及び暗電流の少ない光電変換素子
アレーを提供することにある。
アレーを提供することにある。
この出願の第１の発明の光電変換素子アレーは、絶縁性
基板上のビット毎に分割された複数の第１の金属電極、
非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数の分割された
第１の金属電極に対向して配置された透明導電層を含む
第２の電極から成る積層構造を有する光電変換素子アレ
ーにおいて、該感光層は第１の金属電極に接して設けら
れたアンドープの非晶質Ｓｉ層と、０．５ｐｐｍ以上，
１０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質Ｓｉ層の２層構造
から成るものである。
基板上のビット毎に分割された複数の第１の金属電極、
非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数の分割された
第１の金属電極に対向して配置された透明導電層を含む
第２の電極から成る積層構造を有する光電変換素子アレ
ーにおいて、該感光層は第１の金属電極に接して設けら
れたアンドープの非晶質Ｓｉ層と、０．５ｐｐｍ以上，
１０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質Ｓｉ層の２層構造
から成るものである。
この出願の第２の発明の光電変換素子アレーは、絶縁性
基板上のビット毎に分割された複数の第１の金属電極、
非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数の分割された
第１の金属電極に対向して配置された透明導電層を含む
第２の電極から成る積層構造を有する光電変換素子アレ
ーにおいて、該感光層は第１の金属電極に接して設けら
れたアンドープ非晶質Ｓｉ層、０．５ｐｐｍ以上，１０
ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質Ｓｉからなる第１のド
ーピング層及び５０ｐｐｍ以上，１０４ｐｐｍ未満のホ
ウ素を含む非晶質Ｓｉ又は非晶質ＳｉＣｘ（０＜ｘ＜
１）からなる第２のドーピング層の３層構造から成るも
のである。
基板上のビット毎に分割された複数の第１の金属電極、
非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び該複数の分割された
第１の金属電極に対向して配置された透明導電層を含む
第２の電極から成る積層構造を有する光電変換素子アレ
ーにおいて、該感光層は第１の金属電極に接して設けら
れたアンドープ非晶質Ｓｉ層、０．５ｐｐｍ以上，１０
ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質Ｓｉからなる第１のド
ーピング層及び５０ｐｐｍ以上，１０４ｐｐｍ未満のホ
ウ素を含む非晶質Ｓｉ又は非晶質ＳｉＣｘ（０＜ｘ＜
１）からなる第２のドーピング層の３層構造から成るも
のである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）はこの出願の第１の発明の一実施例の主要
部を示すセンサチップの平面図、第１図（ｂ）は第１図
（ａ）のＸ−Ｘ′線断面図である。
部を示すセンサチップの平面図、第１図（ｂ）は第１図
（ａ）のＸ−Ｘ′線断面図である。
１はガラス又はセラミック等の絶縁性基板であり、クロ
ミウムを厚さ１０００Å蒸着し、ホトリソグラフィー技
術により複数個の島状にエッチングし、第１の電極２を
形成する。この島のピッチは８素子／ｍｍの光電変換素
子アレーでは１２５μｍである。また、この実施例では
電極が左右両側に引き出されているが、片側だけに引き
出されていてもよい。続いて厚さ２０００Åのアンドー
プの非晶質Ｓｉ層３、厚さ１μｍで高抵抗の、ホウ素を
２ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ層４を形成する。この非
晶質Ｓｉ層の形成には、プラズマＣＶＤ装置内にＳｉＨ
４ガスおよびホウ素をドーピングする時にはＢ２Ｈ６ガ
スとＳｉＨ４の混合ガスを導入し１３．５６ＭＨｚの高
周波発振機を用いて基板温度２００℃〜３００℃に設定
しグロー放電分解させた。その後さらにＩＴＯ（酸化イ
ンジウム錫）透明導電層６をスパッタ法で島状に形成し
光電変換素子アレイの形成を完了する。なお、ホウ素を
ドープした非晶質Ｓｉ層のホウ素の濃度は１〜５ｐｐｍ
の時にイメージセンサとしての残像の低減に効果が最も
良くあらわれたが、０．５〜１０ｐｐｍの濃度において
も効果がある事が確認できた。また、アンドープの非晶
質Ｓｉ層３の厚さは、１００Å以上あれば暗電流低減の
効果がある事がわかったが、非常に厚くすると、正孔の
走行性の悪い層が増加し、残像低減の効果が小さくなる
ので、層厚は１００Å以上２０００Å以下が好ましい。
ミウムを厚さ１０００Å蒸着し、ホトリソグラフィー技
術により複数個の島状にエッチングし、第１の電極２を
形成する。この島のピッチは８素子／ｍｍの光電変換素
子アレーでは１２５μｍである。また、この実施例では
電極が左右両側に引き出されているが、片側だけに引き
出されていてもよい。続いて厚さ２０００Åのアンドー
プの非晶質Ｓｉ層３、厚さ１μｍで高抵抗の、ホウ素を
２ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ層４を形成する。この非
晶質Ｓｉ層の形成には、プラズマＣＶＤ装置内にＳｉＨ
４ガスおよびホウ素をドーピングする時にはＢ２Ｈ６ガ
スとＳｉＨ４の混合ガスを導入し１３．５６ＭＨｚの高
周波発振機を用いて基板温度２００℃〜３００℃に設定
しグロー放電分解させた。その後さらにＩＴＯ（酸化イ
ンジウム錫）透明導電層６をスパッタ法で島状に形成し
光電変換素子アレイの形成を完了する。なお、ホウ素を
ドープした非晶質Ｓｉ層のホウ素の濃度は１〜５ｐｐｍ
の時にイメージセンサとしての残像の低減に効果が最も
良くあらわれたが、０．５〜１０ｐｐｍの濃度において
も効果がある事が確認できた。また、アンドープの非晶
質Ｓｉ層３の厚さは、１００Å以上あれば暗電流低減の
効果がある事がわかったが、非常に厚くすると、正孔の
走行性の悪い層が増加し、残像低減の効果が小さくなる
ので、層厚は１００Å以上２０００Å以下が好ましい。
第２図はこの出願の第２の発明の一実施例の主要部を示
すセンサチップの断面図である。絶縁性基板１上に第１
の島状の電極２を形成する。その後厚さ５００Åのアン
ドープの非晶質Ｓｉ層３、厚さ２μｍで高抵抗の、ホウ
素を１ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ層４からなる第１の
ドーピング層、続いて厚さ３００Åの、ホウ素を５００
ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ又は非晶質ＳｉＣｘ層から
なる第２のドーピング層５を形成する。この非晶質Ｓｉ
Ｃｘ層はＳｉＨ４，ＣＨ４，Ｂ２Ｈ６混合ガスのグロー
放電分解により形成した。その後さらにＩＴＯによる透
明導電層６をスパッタ法により形成し、遮光膜を兼ねた
金属電極としてクロミウムを１０００Å蒸着した後開口
部をエッチング除去して第２の電極７を形成し、光電変
換素子アレーを形成する。なお、ホウ素をドープしたＰ
型非晶質ＳｉＣｘの光学的バンドギャップは１．７ｅＶ
〜２．５ｅＶが適当であるが、残像特性等を考慮すると
１．９〜２．１ｅＶの非晶質ＳｉＣｘが好適である。ま
たＰ型非晶質Ｓｉ層又はＳｉＣｘ層のホウ素の濃度は５
０ｐｐｍ以上，１０４ｐｐｍ未満で有効であるが、好ま
しくは５００ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下である。ま
た、ホウ素を高濃度にドーピングする場合には透明電極
６と第２の電極７下以外の露出しているＰ型非晶質Ｓｉ
層又はＳｉＣｘ層を除去する方が暗電流低減に効果があ
る。この場合においても本発明は有効に適用しうる。な
お、ホウ素の濃度が１０４ｐｐｍ以上になるとｐｉ接合
の逆バイアス特性が著しく劣化する。
すセンサチップの断面図である。絶縁性基板１上に第１
の島状の電極２を形成する。その後厚さ５００Åのアン
ドープの非晶質Ｓｉ層３、厚さ２μｍで高抵抗の、ホウ
素を１ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ層４からなる第１の
ドーピング層、続いて厚さ３００Åの、ホウ素を５００
ｐｐｍドープした非晶質Ｓｉ又は非晶質ＳｉＣｘ層から
なる第２のドーピング層５を形成する。この非晶質Ｓｉ
Ｃｘ層はＳｉＨ４，ＣＨ４，Ｂ２Ｈ６混合ガスのグロー
放電分解により形成した。その後さらにＩＴＯによる透
明導電層６をスパッタ法により形成し、遮光膜を兼ねた
金属電極としてクロミウムを１０００Å蒸着した後開口
部をエッチング除去して第２の電極７を形成し、光電変
換素子アレーを形成する。なお、ホウ素をドープしたＰ
型非晶質ＳｉＣｘの光学的バンドギャップは１．７ｅＶ
〜２．５ｅＶが適当であるが、残像特性等を考慮すると
１．９〜２．１ｅＶの非晶質ＳｉＣｘが好適である。ま
たＰ型非晶質Ｓｉ層又はＳｉＣｘ層のホウ素の濃度は５
０ｐｐｍ以上，１０４ｐｐｍ未満で有効であるが、好ま
しくは５００ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下である。ま
た、ホウ素を高濃度にドーピングする場合には透明電極
６と第２の電極７下以外の露出しているＰ型非晶質Ｓｉ
層又はＳｉＣｘ層を除去する方が暗電流低減に効果があ
る。この場合においても本発明は有効に適用しうる。な
お、ホウ素の濃度が１０４ｐｐｍ以上になるとｐｉ接合
の逆バイアス特性が著しく劣化する。
第３図に実施例の光電流および暗電流の電圧依存性を従
来例と比較して示す。第３図において（ａ）は本願第１
の発明の一実施例、（ｂ）は本願第２の発明の一実施
例、（ｃ）は従来例の暗電流および光電流の電圧依存性
を示す。従来例としては第５図で示される様に感光層と
してアンドープの非晶質Ｓｉ層３を用いた光電変換素子
を測定した。本願第１の発明の実施例においては、アン
ドープの非晶質Ｓｉを用いた従来例に比べて若干大きく
なってはいるが、ほぼ同程度の暗電流が得られ、光電流
との比は４×１０２以上と実用上十分の値が得られてお
り、非晶質Ｓｉにホウ素をドーピングした時に起りがち
な暗電流の大幅な増加は起っておらず、本発明が有効で
あることを示している。また、本願第２の発明の実施例
においてはさらに暗電流が低下しており、表面に接合を
形成した事が有効に作用している事を示している。ま
た、光電流をみると光電流が飽和する開始電圧が従来
例，本願第１の発明の実施例，本願第２の発明の実施例
の順に小さくなっており、これにより本発明は低電圧駆
動の効果もある事がわかった。
来例と比較して示す。第３図において（ａ）は本願第１
の発明の一実施例、（ｂ）は本願第２の発明の一実施
例、（ｃ）は従来例の暗電流および光電流の電圧依存性
を示す。従来例としては第５図で示される様に感光層と
してアンドープの非晶質Ｓｉ層３を用いた光電変換素子
を測定した。本願第１の発明の実施例においては、アン
ドープの非晶質Ｓｉを用いた従来例に比べて若干大きく
なってはいるが、ほぼ同程度の暗電流が得られ、光電流
との比は４×１０２以上と実用上十分の値が得られてお
り、非晶質Ｓｉにホウ素をドーピングした時に起りがち
な暗電流の大幅な増加は起っておらず、本発明が有効で
あることを示している。また、本願第２の発明の実施例
においてはさらに暗電流が低下しており、表面に接合を
形成した事が有効に作用している事を示している。ま
た、光電流をみると光電流が飽和する開始電圧が従来
例，本願第１の発明の実施例，本願第２の発明の実施例
の順に小さくなっており、これにより本発明は低電圧駆
動の効果もある事がわかった。
一方イメージセンサの残像量については、第４図に示さ
れる様に従来例（ｃ）においては−４Ｖの印加電圧のも
とで６％の残像量であったものが、本願第１の発明の実
施例（ａ）においては４％，本願第２の発明の実施例
（ｂ）においては３．５％と大幅に小さくなっており、
本発明が有効に作用されている事が確認できた。
れる様に従来例（ｃ）においては−４Ｖの印加電圧のも
とで６％の残像量であったものが、本願第１の発明の実
施例（ａ）においては４％，本願第２の発明の実施例
（ｂ）においては３．５％と大幅に小さくなっており、
本発明が有効に作用されている事が確認できた。
以上説明したように本発明は、第１の金属電極２の上部
にアンドープの非晶質Ｓｉ層を設置してあるためホウ素
をドープした非晶質Ｓｉ層と金属電極との接触におこり
がちな正孔の注入はおさえられ低暗電流の光電変換素子
が得られる。また、発生した光電荷が電界によって走行
する非晶質Ｓｉ層の大部分にはホウ素が軽くドーピング
してあるので高抵抗でかつ正孔の走行性が良くなり低残
像のイメージセンサである光電変換素子アレーが得られ
る。また本願第２の発明においては、上部電極である透
明導電層６からの電子の注入がおさえられるようにホウ
素を５０ｐｐｍ以上ドープしたＰ型非晶質Ｓｉ層やＰ型
非晶質ＳｉＣｘ層を設置し接合を形成してあるためさら
に暗電流が小さくなる。
にアンドープの非晶質Ｓｉ層を設置してあるためホウ素
をドープした非晶質Ｓｉ層と金属電極との接触におこり
がちな正孔の注入はおさえられ低暗電流の光電変換素子
が得られる。また、発生した光電荷が電界によって走行
する非晶質Ｓｉ層の大部分にはホウ素が軽くドーピング
してあるので高抵抗でかつ正孔の走行性が良くなり低残
像のイメージセンサである光電変換素子アレーが得られ
る。また本願第２の発明においては、上部電極である透
明導電層６からの電子の注入がおさえられるようにホウ
素を５０ｐｐｍ以上ドープしたＰ型非晶質Ｓｉ層やＰ型
非晶質ＳｉＣｘ層を設置し接合を形成してあるためさら
に暗電流が小さくなる。
このように本発明は低残像で低暗電流の光電変換素子ア
レーが得られる効果がある。更に低電圧駆動が可能とな
る効果がもある。
レーが得られる効果がある。更に低電圧駆動が可能とな
る効果がもある。
第１図（ａ）は第１の発明の一実施例の主要部を示すセ
ンサチップの平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ
−Ｘ′線断面図、第２図は第２の発明の一実施例の主要
部を示すセンサチップの断面図、第３図は光電変換素子
アレーの電圧−電流特性図、第４図は光電変換素子アレ
ーの残像特性図、第５図（ａ）は従来例の主要部を示す
センサチップの平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）の
Ｘ−Ｘ′線断面図である。 １…絶縁性基板、２…第１の電極、３…アンドープの非
晶質Ｓｉ層、４…ホウ素をドープした非晶質Ｓｉ層、５
…第２のドーピング層、６…透明導電層、７…第２の電
極。
ンサチップの平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ
−Ｘ′線断面図、第２図は第２の発明の一実施例の主要
部を示すセンサチップの断面図、第３図は光電変換素子
アレーの電圧−電流特性図、第４図は光電変換素子アレ
ーの残像特性図、第５図（ａ）は従来例の主要部を示す
センサチップの平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）の
Ｘ−Ｘ′線断面図である。 １…絶縁性基板、２…第１の電極、３…アンドープの非
晶質Ｓｉ層、４…ホウ素をドープした非晶質Ｓｉ層、５
…第２のドーピング層、６…透明導電層、７…第２の電
極。
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性基板上のビット毎の分割された複数
の第１の金属電極、非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び
該複数の分割された第１の金属電極に対向して配置され
た透明導電層を含む第２の電極から成る積層構造を有す
る光電変換素子アレーにおいて、該感光層は第１の金属
電極に接して設けられたアンドープの非晶質Ｓｉ層と、
０．５ｐｐｍ以上，１０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶
質Ｓｉ層の２層構造から成る事を特徴とする光電変換素
子アレー。 - 【請求項２】絶縁性基板上のビット毎に分割された複数
の第１の金属電極、非晶質Ｓｉを基体とする感光層及び
該複数の分割された第１の金属電極に対向して配置され
た透明導電層を含む第２の電極から成る積層構造を有す
る光電変換素子アレーにおいて、該感光層は第１の金属
電極に接して設けられたアンドープの非晶質Ｓｉ層、
０．５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下のホウ素を含む非晶質
Ｓｉからなる第１のドーピング層及び５０ｐｐｍ以上１
０４ｐｐｍ未満のホウ素を含む非晶質Ｓｉ又は非晶質Ｓ
ｉＣｘ（０＜ｘ＜１）からなる第２のドーピング層の３
層構造から成る事を特徴とした光電変換素子アレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175043A JPH065726B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 光電変換素子アレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175043A JPH065726B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 光電変換素子アレ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331164A JPS6331164A (ja) | 1988-02-09 |
| JPH065726B2 true JPH065726B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=15989219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61175043A Expired - Lifetime JPH065726B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 光電変換素子アレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065726B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5879756A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-13 | Nec Corp | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ− |
| JPS59202663A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Toshiba Corp | 光電変換部材 |
| JPS6064465A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Nec Corp | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP61175043A patent/JPH065726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331164A (ja) | 1988-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |