JP3242513B2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換装置に係り、
特にファクシミリ、イメージリーダ、デジタル複写機等
に好適に用いられる画像読取用の光電変換装置に関す
る。
特にファクシミリ、イメージリーダ、デジタル複写機等
に好適に用いられる画像読取用の光電変換装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、画像読取用の光電変換装置として
は、例えば、特願平４−３５５３２７号に開示されたも
のがあり、光応答性が良好で、またＴＦＴと同一プロセ
スで作り込むことができ、スイッチング回路を内蔵した
光電変換装置がローコストで作成可能である。この構成
はＭＩＳ型フォトダイオードとスイッチ素子を同一基板
上に具備する光電変換装置であり、このフォトダイオー
ドとスイッチ素子とが同一材料からなる半導体層を用い
ることを特徴としている。このようにＭＩＳ型フォトダ
イオードはＴＦＴのような素子の作製工程と共通部分が
多く、性能的にも光応答性が良いという利点がある。
は、例えば、特願平４−３５５３２７号に開示されたも
のがあり、光応答性が良好で、またＴＦＴと同一プロセ
スで作り込むことができ、スイッチング回路を内蔵した
光電変換装置がローコストで作成可能である。この構成
はＭＩＳ型フォトダイオードとスイッチ素子を同一基板
上に具備する光電変換装置であり、このフォトダイオー
ドとスイッチ素子とが同一材料からなる半導体層を用い
ることを特徴としている。このようにＭＩＳ型フォトダ
イオードはＴＦＴのような素子の作製工程と共通部分が
多く、性能的にも光応答性が良いという利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記光電
変換装置においては、半導体層、絶縁体層の界面付近に
トラップされた電荷が、センサー駆動電圧印加直後に、
過渡的に増大してしまう課題があった。
変換装置においては、半導体層、絶縁体層の界面付近に
トラップされた電荷が、センサー駆動電圧印加直後に、
過渡的に増大してしまう課題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換装置
は、金属層、該金属層に接して設けられたキャリアブロ
ッキング用絶縁体層、該キャリアブロッキング用絶縁体
層に接して設けられた半導体層、該半導体層に接して設
けられたブロッキング半導体層、該ブロッキング半導体
層に接して設けられた電極を備えた光電変換装置であっ
て、前記半導体層及び前記ブロッキング半導体層が水素
化アモルファスシリコンからなり、前記半導体層に前記
ブロッキング半導体層と同じ導電型の不純物が導入され
て、前記半導体層がＯ，Ｎ，Ｐ，Ａｓのうちのひとつ、
あるいはこの中の２つ以上の組み合わせからなる不純物
が含有されたｎ型のとき、前記ブロッキング半導体層は
ｎ型であり、前記半導体層がＢ，Ａｌ，Ｇａのうちのひ
とつ、あるいはこの中の２つ以上の組み合わせからなる
不純物が含有されたｐ型のとき、前記ブロッキング半導
体層はｐ型であり、前記半導体層の活性化エネルギーが
０．７ｅＶ以下であることを特徴とする。
は、金属層、該金属層に接して設けられたキャリアブロ
ッキング用絶縁体層、該キャリアブロッキング用絶縁体
層に接して設けられた半導体層、該半導体層に接して設
けられたブロッキング半導体層、該ブロッキング半導体
層に接して設けられた電極を備えた光電変換装置であっ
て、前記半導体層及び前記ブロッキング半導体層が水素
化アモルファスシリコンからなり、前記半導体層に前記
ブロッキング半導体層と同じ導電型の不純物が導入され
て、前記半導体層がＯ，Ｎ，Ｐ，Ａｓのうちのひとつ、
あるいはこの中の２つ以上の組み合わせからなる不純物
が含有されたｎ型のとき、前記ブロッキング半導体層は
ｎ型であり、前記半導体層がＢ，Ａｌ，Ｇａのうちのひ
とつ、あるいはこの中の２つ以上の組み合わせからなる
不純物が含有されたｐ型のとき、前記ブロッキング半導
体層はｐ型であり、前記半導体層の活性化エネルギーが
０．７ｅＶ以下であることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明は、光電変換装置の光感応層である半導
体層にブロッキング半導体層と同じ導電型の不純物の導
入を行い、センサー駆動電圧印加時の過渡電流を小さく
するものである。
体層にブロッキング半導体層と同じ導電型の不純物の導
入を行い、センサー駆動電圧印加時の過渡電流を小さく
するものである。
【０００６】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【０００７】図１に本発明による光電変換装置の一実施
例の概略的構成を示す断面図を示す。図１において、１
は絶縁体基板（ガラス基板）、２は金属層、３はキャリ
アブロッキング用の絶縁体層、４は光感応用の半導体
層、５はホールキャリアブロッキング用のｎ+ 半導体
層、６は電荷取り出し用の金属電極である。
例の概略的構成を示す断面図を示す。図１において、１
は絶縁体基板（ガラス基板）、２は金属層、３はキャリ
アブロッキング用の絶縁体層、４は光感応用の半導体
層、５はホールキャリアブロッキング用のｎ+ 半導体
層、６は電荷取り出し用の金属電極である。
【０００８】光が本図上部より入射し、ｎ+ 半導体層５
を透過後、半導体層４で吸収されることにより、フォト
キャリアが発生する。電源７によって電極２，６間にバ
イアス電圧を印加しておくと、電流が光の強度に応じ変
化する。この現象により光電変換装置として利用するこ
とができる。
を透過後、半導体層４で吸収されることにより、フォト
キャリアが発生する。電源７によって電極２，６間にバ
イアス電圧を印加しておくと、電流が光の強度に応じ変
化する。この現象により光電変換装置として利用するこ
とができる。
【０００９】以下に上記光電変換装置の製造方法を示
す。図２〜図６は、本実施例の各製造工程を模式的に示
す部分断面図である。
す。図２〜図６は、本実施例の各製造工程を模式的に示
す部分断面図である。
【００１０】まず図２に示すように、絶縁体基板１上
に、スパッタリング法によりクロム膜２を１０００Å成
膜する。なお、金属層としてはクロムの他にニッケルも
好適に用いることができる。次に図３に示すように、ク
ロム膜２をフォトリソグラフィーにより、所望の形状に
パターニングする。
に、スパッタリング法によりクロム膜２を１０００Å成
膜する。なお、金属層としてはクロムの他にニッケルも
好適に用いることができる。次に図３に示すように、ク
ロム膜２をフォトリソグラフィーにより、所望の形状に
パターニングする。
【００１１】次に、１３．５６ＭＨｚのＲＦを用いた、
平行平板型の容量結合プラズマＣＶＤ装置により、絶縁
体層３としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ：Ｈ）を、半導体
層４として不純物ドープした水素化アモルファスシリコ
ン膜を、そしてブロッキング用半導体層５としてリンを
ドープした水素化シリコン膜を連続成膜する。この結
果、図４に示す形態となる。絶縁体層３，半導体層４，
ブロッキング用半導体層５の各層の成膜条件を以下に示
す。
平行平板型の容量結合プラズマＣＶＤ装置により、絶縁
体層３としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ：Ｈ）を、半導体
層４として不純物ドープした水素化アモルファスシリコ
ン膜を、そしてブロッキング用半導体層５としてリンを
ドープした水素化シリコン膜を連続成膜する。この結
果、図４に示す形態となる。絶縁体層３，半導体層４，
ブロッキング用半導体層５の各層の成膜条件を以下に示
す。
【００１２】絶縁体層３の成膜条件は、放電用ＲＦパワ
ー２０ｍＷ／ｃｍ2 、原料ガスであるアンモニア（ＮＨ
3 ），シラン（ＳｉＨ4 ）のガス流量比〔ＮＨ3 〕：
〔ＳｉＨ4 〕は１：１８、成膜時圧力０．２Ｔｏｒｒ、
成膜時基板温度３５０℃であり、膜厚は１００Åであ
る。
ー２０ｍＷ／ｃｍ2 、原料ガスであるアンモニア（ＮＨ
3 ），シラン（ＳｉＨ4 ）のガス流量比〔ＮＨ3 〕：
〔ＳｉＨ4 〕は１：１８、成膜時圧力０．２Ｔｏｒｒ、
成膜時基板温度３５０℃であり、膜厚は１００Åであ
る。
【００１３】半導体層４の成膜条件は、放電用ＲＦパワ
ー２０ｍＷ／ｃｍ2 である。原料ガスはシランガスを用
い、水素ガスで希釈する。希釈率をトータル流量に対す
るシランガスの割合｛〔ＳｉＨ4 〕／（〔ＳｉＨ4 〕＋
〔Ｈ2 〕）｝で定義したとき、シランガスの希釈率は１
０％、また成膜時の圧力は０．５Ｔｏｒｒ、成膜時基板
温度は２５０℃であり、膜厚は５０００Åである。
ー２０ｍＷ／ｃｍ2 である。原料ガスはシランガスを用
い、水素ガスで希釈する。希釈率をトータル流量に対す
るシランガスの割合｛〔ＳｉＨ4 〕／（〔ＳｉＨ4 〕＋
〔Ｈ2 〕）｝で定義したとき、シランガスの希釈率は１
０％、また成膜時の圧力は０．５Ｔｏｒｒ、成膜時基板
温度は２５０℃であり、膜厚は５０００Åである。
【００１４】またこのとき微量の酸素ガス（Ｏ2 ）を添
加することで、膜中の酸素濃度をコントロールすること
ができる。この様子を図７に示す。
加することで、膜中の酸素濃度をコントロールすること
ができる。この様子を図７に示す。
【００１５】またこのとき微量の窒素ガス（Ｎ2 ）を添
加することで、膜中の窒素濃度をコントロールすること
ができる。この様子を図８に示す。
加することで、膜中の窒素濃度をコントロールすること
ができる。この様子を図８に示す。
【００１６】またこのとき微量のフォスフィンガス（Ｐ
Ｈ3 ）を添加することで、膜中のリン濃度をコントロー
ルすることができる。この様子を図９に示す。
Ｈ3 ）を添加することで、膜中のリン濃度をコントロー
ルすることができる。この様子を図９に示す。
【００１７】また添加ガスとして、アルシン（ＡｓＨ
3 ）を用いることで膜中の砒素濃度をコントロールする
ことができる。
3 ）を用いることで膜中の砒素濃度をコントロールする
ことができる。
【００１８】また添加ガスとして、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を
もちいることで酸素濃度を、アンモニア（ＮＨ3 ）を用
いることで窒素濃度をコントロールすることができる。
もちいることで酸素濃度を、アンモニア（ＮＨ3 ）を用
いることで窒素濃度をコントロールすることができる。
【００１９】ブロッキング用半導体層５の成膜条件は、
シラン（ＳｉＨ4 ）流量３ｓｃｃｍ，水素（Ｈ2 ）流量
１８０ｓｃｃｍ，フォスフィン（ＰＨ3 ）流量のシラン
流量に対する割合、｛〔ＰＨ3 〕／（〔ＰＨ3 〕＋〔Ｓ
ｉＨ4 〕）｝が５０００ｐｐｍであり、放電用ＲＦパワ
ー８０ｍＷ／ｃｍ2 ，成膜圧力０．５Ｔｏｒｒ、成膜時
基板温度は２００℃である。膜厚は１０００Åである。
シラン（ＳｉＨ4 ）流量３ｓｃｃｍ，水素（Ｈ2 ）流量
１８０ｓｃｃｍ，フォスフィン（ＰＨ3 ）流量のシラン
流量に対する割合、｛〔ＰＨ3 〕／（〔ＰＨ3 〕＋〔Ｓ
ｉＨ4 〕）｝が５０００ｐｐｍであり、放電用ＲＦパワ
ー８０ｍＷ／ｃｍ2 ，成膜圧力０．５Ｔｏｒｒ、成膜時
基板温度は２００℃である。膜厚は１０００Åである。
【００２０】次に図５に示すように、フォトリソグラフ
ィーによりレジストパターンを加工し、ドライエッチン
グにより絶縁体層３，半導体層４，ブロッキング用半導
体層５各層をアイソレーションする。
ィーによりレジストパターンを加工し、ドライエッチン
グにより絶縁体層３，半導体層４，ブロッキング用半導
体層５各層をアイソレーションする。
【００２１】次に図６に示すように、スパッタリング法
によりアルミ膜を１００００Å程度成膜する。さらにフ
ォトリソグラフィーによりレジストパターンを加工し、
湿式エッチングによりアルミをパターニングして金属電
極６を作成する。
によりアルミ膜を１００００Å程度成膜する。さらにフ
ォトリソグラフィーによりレジストパターンを加工し、
湿式エッチングによりアルミをパターニングして金属電
極６を作成する。
【００２２】このようにして図１に示す、本実施例の光
電変換装置が完成する。
電変換装置が完成する。
【００２３】次に本装置の電気特性について示す。図１
０は本装置の、ダイオード静特性を示している。印加電
圧の符号は、図１の電源７の極性を正とした。図１０の
９は暗状態の特性、１０は２００ルクス照射時の特性を
示し、８は暗状態及び２００ルクス照射時共通の特性で
ある。また本装置の有効受光面積は０．０１２ｍｍ2で
ある。本装置の場合、印加電圧＋４〜＋１０Ｖ程度で使
用するのが、光電変換装置として適正である。
０は本装置の、ダイオード静特性を示している。印加電
圧の符号は、図１の電源７の極性を正とした。図１０の
９は暗状態の特性、１０は２００ルクス照射時の特性を
示し、８は暗状態及び２００ルクス照射時共通の特性で
ある。また本装置の有効受光面積は０．０１２ｍｍ2で
ある。本装置の場合、印加電圧＋４〜＋１０Ｖ程度で使
用するのが、光電変換装置として適正である。
【００２４】光電変換装置として実際に使用する場合、
初期状態から駆動状態に移行させることが、たびたび必
要となるが、このとき駆動電圧は、０Ｖから５Ｖ程度に
一気に変化することになる。このとき半導体層４になに
も不純物を添加しない場合、スパイク状の過渡電流が発
生することがわかった。この様子を図１１に示す。バイ
アス電圧を０Ｖから５Ｖに変化させた瞬間をＯｓｅｃと
して、電流を測定している。
初期状態から駆動状態に移行させることが、たびたび必
要となるが、このとき駆動電圧は、０Ｖから５Ｖ程度に
一気に変化することになる。このとき半導体層４になに
も不純物を添加しない場合、スパイク状の過渡電流が発
生することがわかった。この様子を図１１に示す。バイ
アス電圧を０Ｖから５Ｖに変化させた瞬間をＯｓｅｃと
して、電流を測定している。
【００２５】たとえばＧ３モードのファクシミリの場
合、約１０-2ｓｅｃおきに信号を読み取る必要がある。
そこで１０-2ｓｅｃ時の電流値を図１１より読み取る
と、約１０-10 Ａあり、これは２００ルクス照射時の約
１／１０にも相当する。このため信号読み取り開始時に
おいて、誤動作を起こし、実用上重大な欠点となる。
合、約１０-2ｓｅｃおきに信号を読み取る必要がある。
そこで１０-2ｓｅｃ時の電流値を図１１より読み取る
と、約１０-10 Ａあり、これは２００ルクス照射時の約
１／１０にも相当する。このため信号読み取り開始時に
おいて、誤動作を起こし、実用上重大な欠点となる。
【００２６】これに対し、半導体層４に不純物を添加し
た場合、過渡電流を顕著に減らすことができる。たとえ
ば、酸素または窒素の場合を図１２に示す。酸素、窒素
とも同等な効果を示し、膜中の濃度１×１０20ｃｍ-3以
上で、過渡電流は著しく減少する。またリンの場合図１
３に示すように、４×１０17ｃｍ-3なる濃度で過渡電流
が著しく減少する。この結果、電圧５Ｖ印加直後１０-2
ｓｅｃ後の光電流と暗電流との比は約２ケタとすること
ができ、たとえば１６階調程度の読み取りが可能とな
る。
た場合、過渡電流を顕著に減らすことができる。たとえ
ば、酸素または窒素の場合を図１２に示す。酸素、窒素
とも同等な効果を示し、膜中の濃度１×１０20ｃｍ-3以
上で、過渡電流は著しく減少する。またリンの場合図１
３に示すように、４×１０17ｃｍ-3なる濃度で過渡電流
が著しく減少する。この結果、電圧５Ｖ印加直後１０-2
ｓｅｃ後の光電流と暗電流との比は約２ケタとすること
ができ、たとえば１６階調程度の読み取りが可能とな
る。
【００２７】また上記結果を、半導体層４の活性化エネ
ルギー（Ｅａ）の観点で整理すると、図１４の様にな
る。図１４の１１は酸素または窒素の場合、図１４の１
２はリンの場合である。若干の効果の違いはあるが、い
ずれも半導体層の活性化エネルギー（Ｅａ）が０．７ｅ
Ｖ以下で、過渡電流が顕著に減少している。従って、半
導体層の活性化エネルギーは０．７ｅＶ以下、より望ま
しくは０．６５ｅＶ以下とすることが好ましい。この結
果、電圧５Ｖ印加直後１０-2ｓｅｃ後の光電流と暗電流
との比は約２ケタとすることができ、たとえば１６階調
程度の読み取りが可能となる。
ルギー（Ｅａ）の観点で整理すると、図１４の様にな
る。図１４の１１は酸素または窒素の場合、図１４の１
２はリンの場合である。若干の効果の違いはあるが、い
ずれも半導体層の活性化エネルギー（Ｅａ）が０．７ｅ
Ｖ以下で、過渡電流が顕著に減少している。従って、半
導体層の活性化エネルギーは０．７ｅＶ以下、より望ま
しくは０．６５ｅＶ以下とすることが好ましい。この結
果、電圧５Ｖ印加直後１０-2ｓｅｃ後の光電流と暗電流
との比は約２ケタとすることができ、たとえば１６階調
程度の読み取りが可能となる。
【００２８】なお、以上説明した実施例では半導体層に
ｎ型の不純物となるＯ，Ｎ，Ｐ，Ａｓの内の一つを導入
した場合を示したが、これらの不純物を組み合わせて導
入してもよい。
ｎ型の不純物となるＯ，Ｎ，Ｐ，Ａｓの内の一つを導入
した場合を示したが、これらの不純物を組み合わせて導
入してもよい。
【００２９】また本実施例では、半導体層４およびブロ
ッキング用半導体層５がｎ型の不純物を含む場合につい
て述べたが、半導体層４およびブロッキング用半導体層
５がｐ型の不純物を含む場合についても、効果は同様で
ある。すなわち、半導体層４がｐ型である場合の不純物
元素として、Ｂ，Ａｌ，Ｇａのうちのひとつ、あるいは
これらの不純物の組み合わせを用いてもよい。
ッキング用半導体層５がｎ型の不純物を含む場合につい
て述べたが、半導体層４およびブロッキング用半導体層
５がｐ型の不純物を含む場合についても、効果は同様で
ある。すなわち、半導体層４がｐ型である場合の不純物
元素として、Ｂ，Ａｌ，Ｇａのうちのひとつ、あるいは
これらの不純物の組み合わせを用いてもよい。
【００３０】例えば、ｐ型の不純物元素としてホウ素
（Ｂ）を用いた場合には、半導体層４の成膜条件を前述
した実施例と同様とし、微量のジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）を
添加することで、膜中のホウ素濃度をコントロールする
ことができる。この様子を図１５に示す。半導体層４に
ホウ素を添加した場合、図１６に示すように膜中の濃度
２．５×１０18ｃｍ-3以上で、過渡電流は著しく減少す
る。この時、前述した実施例と同様に半導体層の活性化
エネルギーは０．７ｅＶ以下、より望ましくは０．６５
ｅＶ以下とすることが好ましい。
（Ｂ）を用いた場合には、半導体層４の成膜条件を前述
した実施例と同様とし、微量のジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）を
添加することで、膜中のホウ素濃度をコントロールする
ことができる。この様子を図１５に示す。半導体層４に
ホウ素を添加した場合、図１６に示すように膜中の濃度
２．５×１０18ｃｍ-3以上で、過渡電流は著しく減少す
る。この時、前述した実施例と同様に半導体層の活性化
エネルギーは０．７ｅＶ以下、より望ましくは０．６５
ｅＶ以下とすることが好ましい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光電変換
装置によれば、多諧調、高速の光電変換装置の実用化が
可能となる。
装置によれば、多諧調、高速の光電変換装置の実用化が
可能となる。
【図１】本発明の光電変換装置の一実施例の構成を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】本発明の光電変換装置の作成工程を示す概略断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の光電変換装置の作成工程を示す概略断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の光電変換装置の作成工程を示す概略断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の光電変換装置の作成工程を示す概略断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の光電変換装置の作成工程を示す概略断
面図である。
面図である。
【図７】半導体層４の作製時に添加する酸素ガス濃度と
膜中酸素濃度との関係を示す特性図である。
膜中酸素濃度との関係を示す特性図である。
【図８】半導体層４の作製時に添加する窒素ガス濃度と
膜中窒素濃度との関係を示す特性図である。
膜中窒素濃度との関係を示す特性図である。
【図９】半導体層４の作製時に添加するフォスフィンガ
ス濃度と膜中リン濃度との関係を示す特性図である。
ス濃度と膜中リン濃度との関係を示す特性図である。
【図１０】本発明のダイオード静特性を示す特性図であ
る。
る。
【図１１】従来例の過渡電流を示す特性図である。
【図１２】酸素、窒素濃度と過渡電流との関係を示す特
性図である。
性図である。
【図１３】リン濃度と過渡電流との関係を示す特性図で
ある。
ある。
【図１４】半導体層４の活性化エネルギーと過渡電流と
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図１５】半導体層４の作製時に添加するジボランガス
濃度と膜中ホウ素濃度との関係を示す特性図である。
濃度と膜中ホウ素濃度との関係を示す特性図である。
【図１６】ホウ素濃度と過渡電流との関係を示す特性図
である。
である。
１ 絶縁体基板（ガラス基板） ２ 金属層 ３ キャリアブロッキング用絶縁体層 ４ 光感応用の半導体層 ５ ホールキャリアブロッキング用ｎ+ 半導体層 ６ 電荷取り出し用金属電極 ７ 電源
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−202663（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−244773（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−289175（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−246170（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】 金属層、該金属層に接して設けられたキ
ャリアブロッキング用絶縁体層、該キャリアブロッキン
グ用絶縁体層に接して設けられた半導体層、該半導体層
に接して設けられたブロッキング半導体層、該ブロッキ
ング半導体層に接して設けられた電極を備えた光電変換
装置であって、 前記半導体層及び前記ブロッキング半導体層が水素化ア
モルファスシリコンからなり、前記半導体層に前記ブロ
ッキング半導体層と同じ導電型の不純物が導入されて、
前記半導体層がＯ，Ｎ，Ｐ，Ａｓのうちのひとつ、ある
いはこの中の２つ以上の組み合わせからなる不純物が含
有されたｎ型のとき、前記ブロッキング半導体層はｎ型
であり、前記半導体層がＢ，Ａｌ，Ｇａのうちのひと
つ、あるいはこの中の２つ以上の組み合わせからなる不
純物が含有されたｐ型のとき、前記ブロッキング半導体
層はｐ型であり、前記半導体層の活性化エネルギーが
０．７ｅＶ以下であることを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光電変換装置において、
前記キャリアブロッキング用絶縁体層が水素化シリコン
窒化膜（ＳｉＮ：Ｈ）であることを特徴とする光電変換
装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光電変換装置において、
前記不純物元素が酸素（Ｏ）である場合に、酸素濃度が
１０20ｃｍ-3以上であることを特徴とする光電変換装
置。 - 【請求項４】 請求項１記載の光電変換装置において、
前記不純物元素が窒素（Ｎ）である場合に、窒素濃度が
１０20ｃｍ-3以上であることを特徴とする光電変換装
置。 - 【請求項５】 請求項１記載の光電変換装置において、
前記不純物元素がリン（Ｐ）である場合に、リン濃度が
４×１０17ｃｍ-3以上であることを特徴とする光電変換
装置。 - 【請求項６】 請求項１記載の光電変換装置において、
前記不純物元素がホウ素（Ｂ）である場合に、ホウ素濃
度が２．５×１０18ｃｍ-3以上であることを特徴とする
光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32029293A JP3242513B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32029293A JP3242513B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176778A JPH07176778A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3242513B2 true JP3242513B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=18119881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP32029293A Expired - Fee Related JP3242513B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3242513B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP32029293A patent/JP3242513B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07176778A (ja) | 1995-07-14 |
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