JPH022168A - ラインセンサ - Google Patents
ラインセンサInfo
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- JPH022168A JPH022168A JP63147098A JP14709888A JPH022168A JP H022168 A JPH022168 A JP H022168A JP 63147098 A JP63147098 A JP 63147098A JP 14709888 A JP14709888 A JP 14709888A JP H022168 A JPH022168 A JP H022168A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、密着型のラインセンサに関し、更に詳しくは
、例えばファクシミリ、イメージスキャナ、インテリノ
エント複写機等の画像人力部としである。
、例えばファクシミリ、イメージスキャナ、インテリノ
エント複写機等の画像人力部としである。
[発明の概要]
この発明は、ラインセンサにおいて、
フォトセンサ部のアモルファスシリコン半導体層表面と
SiO2絶縁膜上とに金又は白金電極を配設すると共に
、該電極とS i Oを絶縁膜との間に膜F21000
Å以下のアモルファスシリコン膜を介在させたことによ
り、 フォトセンサ部に高いショットキーバリアが形成出来、
ブロッキング膜としての効果を得ることが可能となり、
また、金又は白金の密着性を確保出来ると共に、発煙硝
酸(RA)洗浄を可能となし、バターニングを容易にす
るものである。
SiO2絶縁膜上とに金又は白金電極を配設すると共に
、該電極とS i Oを絶縁膜との間に膜F21000
Å以下のアモルファスシリコン膜を介在させたことによ
り、 フォトセンサ部に高いショットキーバリアが形成出来、
ブロッキング膜としての効果を得ることが可能となり、
また、金又は白金の密着性を確保出来ると共に、発煙硝
酸(RA)洗浄を可能となし、バターニングを容易にす
るものである。
[従来の技術]
従来、この種のラインセンサとしては、第3図に示すよ
うなものがある。即ち、この従来例の構造は、石英基板
lの上に、減圧CVD法で多結晶シリコン(poly−
9i)膜2による薄膜トランジスタ(TP’T)3が形
成され、続いてCVD法でSin、を堆積させた絶縁膜
4が形成されている。また、受光部窓電極としてITO
膜5が形成され、プラズマCVD法でp型a−5iC:
H。
うなものがある。即ち、この従来例の構造は、石英基板
lの上に、減圧CVD法で多結晶シリコン(poly−
9i)膜2による薄膜トランジスタ(TP’T)3が形
成され、続いてCVD法でSin、を堆積させた絶縁膜
4が形成されている。また、受光部窓電極としてITO
膜5が形成され、プラズマCVD法でp型a−5iC:
H。
i型a−Si:H,n型a−SiC:)Iが積層されて
フォトダイオード5が形成されている。さらに、フォト
ダイオード5上と絶縁膜4上に配線を兼ねてAQ膜6が
形成されている。なお、図中7は、保護膜を示している
。
フォトダイオード5が形成されている。さらに、フォト
ダイオード5上と絶縁膜4上に配線を兼ねてAQ膜6が
形成されている。なお、図中7は、保護膜を示している
。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、このような従来のラインセンサにおいて
は、上記したようにフォトダイオード5を形成するアモ
ルファスシリコン(上記例ではn型a−8iC:H)層
上にAQ膜6を直接形成するため、アモルファスシリコ
ンとAQとが反応し易く、フォトセンサとして必要なブ
ロッキングをこのようなショットキー接合で確保するこ
とが難しくなる(障壁の幅が薄くなる)問題点がある。
は、上記したようにフォトダイオード5を形成するアモ
ルファスシリコン(上記例ではn型a−8iC:H)層
上にAQ膜6を直接形成するため、アモルファスシリコ
ンとAQとが反応し易く、フォトセンサとして必要なブ
ロッキングをこのようなショットキー接合で確保するこ
とが難しくなる(障壁の幅が薄くなる)問題点がある。
また、このようにAQ膜6を電極として用いた場合、バ
ターニングに際して、通常用いられる発煙硝酸(RA)
洗浄が難しいという問題点がある。
ターニングに際して、通常用いられる発煙硝酸(RA)
洗浄が難しいという問題点がある。
さらに、上記した諸問題を回避するためAeに代えてA
uを用いた場合、AuはSiO2やリンガラス(PSG
)などの絶縁膜に対して、通常の厚さ2000人程度に
蒸着すると剥離し易いという問題点がある。
uを用いた場合、AuはSiO2やリンガラス(PSG
)などの絶縁膜に対して、通常の厚さ2000人程度に
蒸着すると剥離し易いという問題点がある。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案され
たものであって、フォトセンサのブロッキング膜として
Au又はPt電極の使用を可能となし、しかもAu又は
Ptの剥離しにくいラインセンサを得んとするものであ
る。
たものであって、フォトセンサのブロッキング膜として
Au又はPt電極の使用を可能となし、しかもAu又は
Ptの剥離しにくいラインセンサを得んとするものであ
る。
[課題を解決するための手段]
本発明は、絶縁基板上に、アモルファスシリコン半導体
層で主に形成されたフォトセンサ部と、多結晶シリコン
で主に形成されたスイッチング用薄膜トランジスタと、
CVD法により形成されたSiO2絶縁膜を備えて成る
ラインセンサにおいて、前記フォトセンサ部のアモルフ
ァスシリコン半導体層表面と前記5iOy絶縁膜上とに
亘り金又は白金電極を配設すると共に、当該金又は白金
電極と5iOt絶縁膜との間に膜厚1000Å以下のア
モルファスシリコン膜を介在させたことを、その解決手
段としている。
層で主に形成されたフォトセンサ部と、多結晶シリコン
で主に形成されたスイッチング用薄膜トランジスタと、
CVD法により形成されたSiO2絶縁膜を備えて成る
ラインセンサにおいて、前記フォトセンサ部のアモルフ
ァスシリコン半導体層表面と前記5iOy絶縁膜上とに
亘り金又は白金電極を配設すると共に、当該金又は白金
電極と5iOt絶縁膜との間に膜厚1000Å以下のア
モルファスシリコン膜を介在させたことを、その解決手
段としている。
[作用]
金又は白金電極がフォトセンサ部のブロッキング膜とし
て作用する。また、該電極とSiO2絶縁膜との間のア
モルファスシリコン膜は、該絶縁膜上で電極の剥がれが
防止する。さらに、アモルファスシリコン膜の厚さが1
000Å以下であるため、フォト電流の発生を極力小さ
くし、センサへの影響が小さい。
て作用する。また、該電極とSiO2絶縁膜との間のア
モルファスシリコン膜は、該絶縁膜上で電極の剥がれが
防止する。さらに、アモルファスシリコン膜の厚さが1
000Å以下であるため、フォト電流の発生を極力小さ
くし、センサへの影響が小さい。
[実施例]
以下、本発明に係るラインセンサの詳細を図面に示す実
施例に基づいて説明する。
施例に基づいて説明する。
第1図は本実施例に係るラインセンサの断面図であり、
第2図は同ラインセンサの素子構成図を示している。
第2図は同ラインセンサの素子構成図を示している。
図中Aはラインセンサであって、石英でなる絶縁基板l
の上に、ライン上に並ぶ多数のフォトセンサ部&と、走
査回路及び画素スイッチとしてのスイッチング用薄膜ト
ランジスタ(TPT)bが多数形成されて大略構成され
ている。
の上に、ライン上に並ぶ多数のフォトセンサ部&と、走
査回路及び画素スイッチとしてのスイッチング用薄膜ト
ランジスタ(TPT)bが多数形成されて大略構成され
ている。
前記絶縁基板lの表面には、多結晶シリコン(poly
−5i)膜2が、CVD法により例えば500人の厚さ
で形成され、この多結晶シリコン膜2上面の一端縁寄り
には、ゲート絶縁膜8を介してゲート9を形成し、且つ
アルミコンタクト10s、IOdを設けて成るスイッチ
ング用TFTbが配設されている。
−5i)膜2が、CVD法により例えば500人の厚さ
で形成され、この多結晶シリコン膜2上面の一端縁寄り
には、ゲート絶縁膜8を介してゲート9を形成し、且つ
アルミコンタクト10s、IOdを設けて成るスイッチ
ング用TFTbが配設されている。
また、前記多結晶シリコン膜2」二面の中間部には、水
素化非結質シリコン(以下a−5i:Hと称する)層1
1を形成してフォトセンサ部&が配設されている。
素化非結質シリコン(以下a−5i:Hと称する)層1
1を形成してフォトセンサ部&が配設されている。
さらに、絶縁基板lの他端縁寄りにはパッド部dが設け
られている。これらスイッチング用TFTb、フォトセ
ンサ耶λ、パッド部dの夫々の間にはCVD法により形
成された5iOz膜(SiO2絶縁膜)+2が介在され
ている。そして、この5iOy膜12の後記する金電極
14が被着する部分には、1000Å以下の厚さのアモ
ルファスシリコン膜(以下a−Si薄膜と称する)15
を形成し、金電極14の密着性を確保すると共に、フォ
ト電流の発生を極力小さくしてセンサへの影響を小さく
するように図っている。
られている。これらスイッチング用TFTb、フォトセ
ンサ耶λ、パッド部dの夫々の間にはCVD法により形
成された5iOz膜(SiO2絶縁膜)+2が介在され
ている。そして、この5iOy膜12の後記する金電極
14が被着する部分には、1000Å以下の厚さのアモ
ルファスシリコン膜(以下a−Si薄膜と称する)15
を形成し、金電極14の密着性を確保すると共に、フォ
ト電流の発生を極力小さくしてセンサへの影響を小さく
するように図っている。
前記a−3i:H層11の露出した表面より5iO7膜
12上のa−8i薄膜15を介してパッド部C上に亘っ
ては、金(Au)電極14を例え+;i’2000人の
厚さに蒸着して形成している。なお、図中13はパッド
部dに設けられた。1層である。
12上のa−8i薄膜15を介してパッド部C上に亘っ
ては、金(Au)電極14を例え+;i’2000人の
厚さに蒸着して形成している。なお、図中13はパッド
部dに設けられた。1層である。
第2図の素子構成図は、上記したラインセンサAに、マ
トリクス配線を介してシフトレジスタBを接続したもの
を示しており、&、〜aえは夫々画素となるフォトセン
サを、tl−1〜b、lはスイッチング用TPT、C,
〜Cxは蓄積容量を夫々示している。また、同図中のt
l、tz間には、Llが低くt、が高くなるように、逆
方向バイアスが印圧されている。
トリクス配線を介してシフトレジスタBを接続したもの
を示しており、&、〜aえは夫々画素となるフォトセン
サを、tl−1〜b、lはスイッチング用TPT、C,
〜Cxは蓄積容量を夫々示している。また、同図中のt
l、tz間には、Llが低くt、が高くなるように、逆
方向バイアスが印圧されている。
本実施例においては、受光は絶縁基板lの裏面側から行
われ(第1図に矢示する)るものであり、フォトセンサ
部aの上部はA u / a −S i : Hの高い
バリアハイドがブロッキング電極としての作用をイfす
る。そのため、フォトセンサ(フォトダイオード)t’
!Baのダイオードの逆方向バイアスのリークを抑える
ことが出来る。
われ(第1図に矢示する)るものであり、フォトセンサ
部aの上部はA u / a −S i : Hの高い
バリアハイドがブロッキング電極としての作用をイfす
る。そのため、フォトセンサ(フォトダイオード)t’
!Baのダイオードの逆方向バイアスのリークを抑える
ことが出来る。
なお、上記実施例において、絶縁基板1上に多結晶ソリ
コン膜2を形成したが、この多結晶シリコン膜2のa−
Si:H層の下方位置に当たる部分(第1図中2aに示
す部分)に炭素(C)又は他の不純物をドープすること
により光学バンドギャップが広がり主に短波長の感度向
上を図ることが可能である。即ち、スイッチング用TF
Tbとフォトセンサ部とをモノリシックさせた構造にお
、いては、上記実施例のように、スイッチング用TFT
bソース・ドレイン領域とフォトセンサ部1の下部電極
として多結晶シリコン膜2を一工程で形成することが、
工程の短縮化とa−9i:H層IIの膜質向上に有効で
あるが、多結晶シリコン膜2が薄い(例えば500人)
構造とはいえ主に短波長側での感度低下が危惧される。
コン膜2を形成したが、この多結晶シリコン膜2のa−
Si:H層の下方位置に当たる部分(第1図中2aに示
す部分)に炭素(C)又は他の不純物をドープすること
により光学バンドギャップが広がり主に短波長の感度向
上を図ることが可能である。即ち、スイッチング用TF
Tbとフォトセンサ部とをモノリシックさせた構造にお
、いては、上記実施例のように、スイッチング用TFT
bソース・ドレイン領域とフォトセンサ部1の下部電極
として多結晶シリコン膜2を一工程で形成することが、
工程の短縮化とa−9i:H層IIの膜質向上に有効で
あるが、多結晶シリコン膜2が薄い(例えば500人)
構造とはいえ主に短波長側での感度低下が危惧される。
そのため、ラインセンサのカラー化に及んだ場合におい
ては、青色系の信号が低下するという可能性がある。そ
こで前記する如く、多結晶シリコン膜2aに、炭素(C
)などの不純物を、例えばイオン注入によりドープする
ことにより、上記問題を解決するのみならず、絶対感度
の向上を期し、残像が少なく飽和(信号)電圧も低く出
来るものである。
ては、青色系の信号が低下するという可能性がある。そ
こで前記する如く、多結晶シリコン膜2aに、炭素(C
)などの不純物を、例えばイオン注入によりドープする
ことにより、上記問題を解決するのみならず、絶対感度
の向上を期し、残像が少なく飽和(信号)電圧も低く出
来るものである。
そのため、a−5i:Hをa−3i l−11CIL:
Hにする必要が無くなり、欠陥の発生も無くすことが
出来る。
Hにする必要が無くなり、欠陥の発生も無くすことが
出来る。
以上、実施例について説明したが、この他に各種の設計
変更が可能である。
変更が可能である。
例えば、上記実施例に係るラインセンサにあっては、絶
縁基板lを石英で形成したが他の絶縁性物質、例えばガ
ラスその他を用いても勿論よい。
縁基板lを石英で形成したが他の絶縁性物質、例えばガ
ラスその他を用いても勿論よい。
また、上記実施例においては、金電極を用いたが、白金
電極でもよい。
電極でもよい。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明に係るラインセ
ンサにあって、フォトセンサ部に高いショットキーバリ
アが形成出来、ブロッキング膜として用いることが可能
となり、安定性を有する効果がある。
ンサにあって、フォトセンサ部に高いショットキーバリ
アが形成出来、ブロッキング膜として用いることが可能
となり、安定性を有する効果がある。
また、SiO2絶縁膜上に金又は白金電極を形成出来る
ため、製造工程において、発煙硝酸(RA)洗浄を可能
にし、パターニングを容易にする効果がある。
ため、製造工程において、発煙硝酸(RA)洗浄を可能
にし、パターニングを容易にする効果がある。
第1図は本発明に係るラインセンサの実施例を示す断面
図、第2図は同素子構成図、第3図は従来例を示す断面
図である。 A・・・ラインセンサ、1・・・フォトセンサ部、b・
・・スイッチング用TPT% l・・・絶縁基板、2・
・・多結晶シリコン膜、11・・・a−5i:H層(ア
モルファスシリコン半導体層)、 ■ 2・・・S 0゜ 膜(SiOz絶縁膜)、 ■ ・・金電極、 ■ 5・・・a i薄膜。 3文1. 来4クリ(tUIIコC?])第3図
図、第2図は同素子構成図、第3図は従来例を示す断面
図である。 A・・・ラインセンサ、1・・・フォトセンサ部、b・
・・スイッチング用TPT% l・・・絶縁基板、2・
・・多結晶シリコン膜、11・・・a−5i:H層(ア
モルファスシリコン半導体層)、 ■ 2・・・S 0゜ 膜(SiOz絶縁膜)、 ■ ・・金電極、 ■ 5・・・a i薄膜。 3文1. 来4クリ(tUIIコC?])第3図
Claims (1)
- (1)絶縁基板上に、アモルファスシリコン半導体層で
主に形成されたフォトセンサ部と、多結晶シリコンで主
に形成されたスイッチング用薄膜トランジスタと、CV
D法により形成されたSiO_2絶縁膜を備えて成るラ
インセンサにおいて、前記フォトセンサ部のアモルファ
スシリコン半導体層表面と前記SiO_2絶縁膜上とに
亘り金又は白金電極を配設すると共に、当該金又は白金
電極とSiO_2絶縁膜との間に膜厚1000Å以下の
アモルファスシリコン膜を介在させたことを特徴とする
ラインセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63147098A JPH022168A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | ラインセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63147098A JPH022168A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | ラインセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH022168A true JPH022168A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15422447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63147098A Pending JPH022168A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | ラインセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH022168A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4950092A (en) * | 1987-11-10 | 1990-08-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Wire dot print head with a pair of guide nose halves |
JP2008171871A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Hitachi Displays Ltd | 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置 |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP63147098A patent/JPH022168A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4950092A (en) * | 1987-11-10 | 1990-08-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Wire dot print head with a pair of guide nose halves |
JP2008171871A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Hitachi Displays Ltd | 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置 |
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