JPS63136578A - 受光素子およびこの受光素子を用いる一次元イメ−ジセンサ - Google Patents
受光素子およびこの受光素子を用いる一次元イメ−ジセンサInfo
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- JPS63136578A JPS63136578A JP61281706A JP28170686A JPS63136578A JP S63136578 A JPS63136578 A JP S63136578A JP 61281706 A JP61281706 A JP 61281706A JP 28170686 A JP28170686 A JP 28170686A JP S63136578 A JPS63136578 A JP S63136578A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔左業上の利用分野〕
本発明はファクシミリなどの画像読取シ装置である一次
元イメージセンサとこれに用いられる水素化非晶質シリ
コンからなる光電変換素子（以下受光素子という）に係
シ、とくにクローストークの発生を防止しかつ特性劣化
を解消して信頼性の高い高性能を期待するのに好適な受
光素子およびこの受光素子を用いる一次元イメージセン
サに関する。
元イメージセンサとこれに用いられる水素化非晶質シリ
コンからなる光電変換素子（以下受光素子という）に係
シ、とくにクローストークの発生を防止しかつ特性劣化
を解消して信頼性の高い高性能を期待するのに好適な受
光素子およびこの受光素子を用いる一次元イメージセン
サに関する。
従来、−次元イメージセンサに用いる水素化非晶質シリ
コンからなる受光素子はたとえば日経エレクトロニクス
（ＮＩＫＫＥＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩ（，５）１９８２年
４月２８号第１４９頁乃至第１６１頁に記載されている
ように金属／水素化非晶質シリコン（以下ａ−３ｉ：Ｈ
という）／インジニウムテンオキシサイド（Ｉｎａｉｕ
ｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅバ以下ＩＴＯという）の構成を
したものが提案されている。
コンからなる受光素子はたとえば日経エレクトロニクス
（ＮＩＫＫＥＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩ（，５）１９８２年
４月２８号第１４９頁乃至第１６１頁に記載されている
ように金属／水素化非晶質シリコン（以下ａ−３ｉ：Ｈ
という）／インジニウムテンオキシサイド（Ｉｎａｉｕ
ｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅバ以下ＩＴＯという）の構成を
したものが提案されている。
すなわち、第４図に示すようにガラス基板１上にＡＩ！
またはＣｒからなる金属電極２、ａ−８ｉ：Ｈ膜３、Ｉ
ＴＯ電極４のＪ［に形成したものが提案されている。
またはＣｒからなる金属電極２、ａ−８ｉ：Ｈ膜３、Ｉ
ＴＯ電極４のＪ［に形成したものが提案されている。
前記の従来技術の実用化に当っては第３図に示す如く配
線を保護するため金属電極２上を５ｉｓＮ。
線を保護するため金属電極２上を５ｉｓＮ。
あるいは８１０２などで形成した保護膜５で覆ったもの
が用いられている。
が用いられている。
ところが、この保護膜５で覆うと大幅に特性か劣化する
問題がある。
問題がある。
すなわち、−次元イメージセンサが使用される上限の温
度である７０℃における保護膜５を形成する暗所での電
圧と逆方向電流（金属電極２から保護膜５の方向に流す
電流でこの種の受光素子においては従来よシ使用されて
いる）との特性を第６図に示す如く、保護膜５を形成す
る前の逆方向電流乙に対して保護膜５を形成したのちの
逆方向電流は約３桁増加している。通常−次元イメージ
センサにおける逆方向電流は７０℃でｌＸｌ０−７Ａ／
Ｃｍ２以下が望ましいとされているので、保護膜５を形
成したものの受ｆｔ、素子では特性が劣化することにな
る。
度である７０℃における保護膜５を形成する暗所での電
圧と逆方向電流（金属電極２から保護膜５の方向に流す
電流でこの種の受光素子においては従来よシ使用されて
いる）との特性を第６図に示す如く、保護膜５を形成す
る前の逆方向電流乙に対して保護膜５を形成したのちの
逆方向電流は約３桁増加している。通常−次元イメージ
センサにおける逆方向電流は７０℃でｌＸｌ０−７Ａ／
Ｃｍ２以下が望ましいとされているので、保護膜５を形
成したものの受ｆｔ、素子では特性が劣化することにな
る。
また従来技術においては、ａ−３ｉ：Ｈ５により各画素
が電気的に接続されたものが使用されている◇しかるに
ａ−Ｓｉ：Ｈ５により各画素が電気的に接続されている
場合には、光を受けていない画素に光を受けた画素から
光電荷が流れ込み、光を受けていない画素があたかも受
光したかのような現象すなわち、大きなりロストークを
発生することになって一次元イメージセンサの特性とく
に解像度が劣化する問題がある。
が電気的に接続されたものが使用されている◇しかるに
ａ−Ｓｉ：Ｈ５により各画素が電気的に接続されている
場合には、光を受けていない画素に光を受けた画素から
光電荷が流れ込み、光を受けていない画素があたかも受
光したかのような現象すなわち、大きなりロストークを
発生することになって一次元イメージセンサの特性とく
に解像度が劣化する問題がある。
本発明の目的は前記従来技術の問題点を解決し、信頼性
の高い、高性能を可能とする受光素子およびこの受光素
子を用いる一次元イメージセンサを提供することＫある
。
の高い、高性能を可能とする受光素子およびこの受光素
子を用いる一次元イメージセンサを提供することＫある
。
前記の目的は受光素子については絶縁基板上の導電体よ
りなる電極上にａ−Ｓｉ：Ｈをモノシランガスのみのグ
ロー放電分解によって形成した第１層と、モノシランガ
スおよびドーピングガスの混合ガスのグロー放電分解に
よって形成した第２層と、透明電極からなるＩＴＯと透
明保護膜とを順次積層し、かつ前記第１層および第２層
を島状に形成するとともに前記ＩＴＯに１側面のみ接続
することによって達成され、−次元イメージセンサにつ
いてはそれぞれ絶縁基板上の導電体よりなる電極上にａ
−Ｓｉ：Ｈをモノシランガスのみのグロー放電分解によ
って形成した第１層と、モノシランガスオヨびドーピン
グガスの混合ガスのグロー放電によって形成した第２層
と透明保護膜とを順次積層しかつ前記第１層および第２
層を島状に形成した複数の受光素子を間隔をおいて配置
し、前記第１鳩および第２層のＩＩＩ］面のみ共通の透
明電極であるＩ’Ｉ’Ｏと接続することによって達成さ
れる。
りなる電極上にａ−Ｓｉ：Ｈをモノシランガスのみのグ
ロー放電分解によって形成した第１層と、モノシランガ
スおよびドーピングガスの混合ガスのグロー放電分解に
よって形成した第２層と、透明電極からなるＩＴＯと透
明保護膜とを順次積層し、かつ前記第１層および第２層
を島状に形成するとともに前記ＩＴＯに１側面のみ接続
することによって達成され、−次元イメージセンサにつ
いてはそれぞれ絶縁基板上の導電体よりなる電極上にａ
−Ｓｉ：Ｈをモノシランガスのみのグロー放電分解によ
って形成した第１層と、モノシランガスオヨびドーピン
グガスの混合ガスのグロー放電によって形成した第２層
と透明保護膜とを順次積層しかつ前記第１層および第２
層を島状に形成した複数の受光素子を間隔をおいて配置
し、前記第１鳩および第２層のＩＩＩ］面のみ共通の透
明電極であるＩ’Ｉ’Ｏと接続することによって達成さ
れる。
前記従来の技術の問題点の１つである保護膜を形成する
ことによる逆方向電流の増加については、本願発明者の
実験結果によれば第４内に示すａ−Ｓｉ：Ｈ３を第７図
に示すようにモノシランガスであるＳｉＨ４ガスのみを
グロー放電分解して得られるａ−ＳｉＨの第１層（以下
１層という）３′と前記ＳｉＨ４ガスとドーピングガス
であるＢ２Ｈ６ガスとの混合ガスをグロー放電分解して
得られるＢ添加のａ−Ｓｉ：Ｈの第２層（以下Ｐ層とい
う）８とからなる２層構造にすることで解消できること
がわかったＯ すなわち前記第７図に示す構成の受光素子についての保
護膜５形成前後の暗所での電圧と逆方向、電流との特性
は第８図に示す如く、７０℃における保農膜５形成前の
逆方向電流９と保護膜５形成後の逆方向電流１０との差
がなく、保護膜５形成による特性劣化がない。なお、こ
のときのａ−Ｓｉ二Ｈの第２層である２層８はＢ２ Ｈ
６／Ｓｉ Ｈａ＝ （１０４チ体積チの混合ガスをグロ
ー放電分解して形成したもので、膜厚は２５０ｘである
。
ことによる逆方向電流の増加については、本願発明者の
実験結果によれば第４内に示すａ−Ｓｉ：Ｈ３を第７図
に示すようにモノシランガスであるＳｉＨ４ガスのみを
グロー放電分解して得られるａ−ＳｉＨの第１層（以下
１層という）３′と前記ＳｉＨ４ガスとドーピングガス
であるＢ２Ｈ６ガスとの混合ガスをグロー放電分解して
得られるＢ添加のａ−Ｓｉ：Ｈの第２層（以下Ｐ層とい
う）８とからなる２層構造にすることで解消できること
がわかったＯ すなわち前記第７図に示す構成の受光素子についての保
護膜５形成前後の暗所での電圧と逆方向、電流との特性
は第８図に示す如く、７０℃における保農膜５形成前の
逆方向電流９と保護膜５形成後の逆方向電流１０との差
がなく、保護膜５形成による特性劣化がない。なお、こ
のときのａ−Ｓｉ二Ｈの第２層である２層８はＢ２ Ｈ
６／Ｓｉ Ｈａ＝ （１０４チ体積チの混合ガスをグロ
ー放電分解して形成したもので、膜厚は２５０ｘである
。
しかるに前記第７図に示す構成の受光素子を第９図（ａ
ｃｔ （ｂ）に示すように島状に形成すると、保護膜形
成前後の特性劣化すなわち逆方向電流の増加は解消され
るが、保護膜形成後の逆方向電流がある一定の電圧のも
とで経時的に増加するという特性劣化のある素子が発生
することがわかった。
ｃｔ （ｂ）に示すように島状に形成すると、保護膜形
成前後の特性劣化すなわち逆方向電流の増加は解消され
るが、保護膜形成後の逆方向電流がある一定の電圧のも
とで経時的に増加するという特性劣化のある素子が発生
することがわかった。
すなわち、前記第９図（ａＬ （ｂＪＫ示す島状に形成
された受光素子について暗所で、一定電圧５ｖを印加し
た場合の７０℃における保護膜形成後の逆方向を流は第
１０図に示す如く経時変化を発生して実用性のない特性
となる。
された受光素子について暗所で、一定電圧５ｖを印加し
た場合の７０℃における保護膜形成後の逆方向を流は第
１０図に示す如く経時変化を発生して実用性のない特性
となる。
そこで、この原因について検討した結果、ａ −３ｉ二
Ｈ層２０が島状に形成されることによｌ）、ａ −９ｉ
：Ｈ層２０の側面２０ａに１層６′が露出し、この１層
６′とＩ’ｌ’０４界面との接合特性がａ−３ｉ：Ｈ９
１ｊ面部２０ａで保腹膜形成によシ劣化し、電流がリー
クすることにあると思われる。このことはつぎに述べる
事実からも明らかである。
Ｈ層２０が島状に形成されることによｌ）、ａ −９ｉ
：Ｈ層２０の側面２０ａに１層６′が露出し、この１層
６′とＩ’ｌ’０４界面との接合特性がａ−３ｉ：Ｈ９
１ｊ面部２０ａで保腹膜形成によシ劣化し、電流がリー
クすることにあると思われる。このことはつぎに述べる
事実からも明らかである。
すなわち、１層６′のみの保護膜形成前後の逆方向電流
の増加は第６図に示すように電圧５ｖ印加時で約２ Ｘ
Ｉ ＣＩ” Ａ／ ａｍ２である。第１０図に示す特
性を有する島状に形成されたａ−Ｓｉ ： Ｈ４２０の
画素寸法はｆＱＯｕｍＸ＋５０ｕｍでろシ、膜厚がｌｕ
ｍである。
の増加は第６図に示すように電圧５ｖ印加時で約２ Ｘ
Ｉ ＣＩ” Ａ／ ａｍ２である。第１０図に示す特
性を有する島状に形成されたａ−Ｓｉ ： Ｈ４２０の
画素寸法はｆＱＯｕｍＸ＋５０ｕｍでろシ、膜厚がｌｕ
ｍである。
したがってａ−３ｉ：Ｈ層２０の側面２０ａの１層３１
１出部の面積はａ−Ｓｉ：Ｈ層２０の表面積の約５％に
相当する。
１出部の面積はａ−Ｓｉ：Ｈ層２０の表面積の約５％に
相当する。
また前記の逆方向電流増加が２ Ｘ １０−５Ａ／ ｃ
ｍ２であるから側面２０ａでは約６ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ａ
／Ｃｍ２の逆方向電流増加とな）、第１０図に示す逆方
向電流の経時的に増加する値とほぼ一致する。
ｍ２であるから側面２０ａでは約６ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ａ
／Ｃｍ２の逆方向電流増加とな）、第１０図に示す逆方
向電流の経時的に増加する値とほぼ一致する。
なお、この特性劣化はａ−９ｉ：Ｈを島状に形成せず、
１層３′と２層８の２層構造とする限９発生しない。
１層３′と２層８の２層構造とする限９発生しない。
そこで、本発明はホトエツチングの手法で島状に形成さ
れたａ−８ｉ：Ｈ層の１つの側面のみをＩＴＯと接続し
たものである。
れたａ−８ｉ：Ｈ層の１つの側面のみをＩＴＯと接続し
たものである。
したがって、本発明によればクロストークの発生を防止
して一次元イメージセンサの特性とくに解像度の劣化を
防止し、かつ透明電極との接続面積を減少して特性の劣
化を減少して信頼性の高い高性能を得ることができる。
して一次元イメージセンサの特性とくに解像度の劣化を
防止し、かつ透明電極との接続面積を減少して特性の劣
化を減少して信頼性の高い高性能を得ることができる。
以上、本発明の一実施例を示す第１図（ａ）Ｉ （ｂ）
および第２図について説明する。第１図（ａ）は本発明
による受光素子の概要を示す平面図、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のＩ−Ｉ断面図、第２図は第１図（ａ）、
（ｂ）に示す受光素子の逆方向電流の経時変化を示す曲
線図である。
および第２図について説明する。第１図（ａ）は本発明
による受光素子の概要を示す平面図、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のＩ−Ｉ断面図、第２図は第１図（ａ）、
（ｂ）に示す受光素子の逆方向電流の経時変化を示す曲
線図である。
本発明による受光素子は第１図（ａ）＋ ＯＫ示す如く
、ガラス基板１′上にＡＩ！またはＣｒからなる金属電
極２′をスパッタリング、蒸着などの手法によシ全面形
成し、ホトエツチング手法でバタン形成するＯ ついでａ−３ｉ：Ｈの１層６′、Ｐ層８′をそれぞれプ
ラズマ・ＣＶＤ法で連続形成し、’ ｔ’＊ ５Ｚ
Ｐ層８′をフレオンカスを用いて連続して島状にドライ
エツチングし、透明電極であるＩ Ｔ Ｏｉｌ極４′を
スパッタ法で膜状に形成後、ホトエツチング法で島状に
加工されたａ−３１：Ｈ／ｆｉ２０の１つの側面２０ａ
のみ工ＴＯｔ極４′と接触するように構成されている０ 本発明による受光素子は前記の如く構成されているから
、第９図（ａ）、 （ｂ）に示す従来の受光素子と比較
して特性劣化のあるＩ Ｔ Ｏ４’と接続する１つの側
面２０ａの面積が約１／３に減少するので、第２図に示
す如く暗所で一定電圧５ｖを印加した場合の７０℃にお
ける保護膜形成後の逆方向電流の増加を減少することが
できる。
、ガラス基板１′上にＡＩ！またはＣｒからなる金属電
極２′をスパッタリング、蒸着などの手法によシ全面形
成し、ホトエツチング手法でバタン形成するＯ ついでａ−３ｉ：Ｈの１層６′、Ｐ層８′をそれぞれプ
ラズマ・ＣＶＤ法で連続形成し、’ ｔ’＊ ５Ｚ
Ｐ層８′をフレオンカスを用いて連続して島状にドライ
エツチングし、透明電極であるＩ Ｔ Ｏｉｌ極４′を
スパッタ法で膜状に形成後、ホトエツチング法で島状に
加工されたａ−３１：Ｈ／ｆｉ２０の１つの側面２０ａ
のみ工ＴＯｔ極４′と接触するように構成されている０ 本発明による受光素子は前記の如く構成されているから
、第９図（ａ）、 （ｂ）に示す従来の受光素子と比較
して特性劣化のあるＩ Ｔ Ｏ４’と接続する１つの側
面２０ａの面積が約１／３に減少するので、第２図に示
す如く暗所で一定電圧５ｖを印加した場合の７０℃にお
ける保護膜形成後の逆方向電流の増加を減少することが
できる。
つぎに第３図は第１図に示す受光素子を用いた一次元イ
メージセンサの平面図である。
メージセンサの平面図である。
第６図に示す如く透８Ａ′ｄＬ極であるＩＴＯｔ極４゜
を共通電極として形成しこの共通電極と、間隔をおいて
一次元的に配置した複数の＆−Ｓｉ：Ｈ層２０′の各１
つの側面２０′ａ とを接続している。
を共通電極として形成しこの共通電極と、間隔をおいて
一次元的に配置した複数の＆−Ｓｉ：Ｈ層２０′の各１
つの側面２０′ａ とを接続している。
この場合Ｉ’ｌ’０１［極４”のａ−８ｉ：Ｈ層２０′
の１つの側面２０′ａとの接続部分にホトエツチング手
法でくびれ４’ａを形成し、このくびれ４’ａをａ−８
ｉ：Ｈ層２０′の１つの側面２０′ａと接続することに
より第１図（ａ）ｆ （１））に示すものと比較しさら
に特性の劣化を減少することができる。
の１つの側面２０′ａとの接続部分にホトエツチング手
法でくびれ４’ａを形成し、このくびれ４’ａをａ−８
ｉ：Ｈ層２０′の１つの側面２０′ａと接続することに
より第１図（ａ）ｆ （１））に示すものと比較しさら
に特性の劣化を減少することができる。
本発明によれば、クロストークの発生を防止して一次元
イメージセンサの特性とくに解像度の劣化を防止し、か
つ透明電極とａ−３ｉ ： Ｈとの接続面積を減少し特
性の劣化を減少して信頼性の高い高性能を得ることがで
きる。
イメージセンサの特性とくに解像度の劣化を防止し、か
つ透明電極とａ−３ｉ ： Ｈとの接続面積を減少し特
性の劣化を減少して信頼性の高い高性能を得ることがで
きる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す受光素子の平面
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＩ−Ｉ断面図、第２
図は第１図に示す受光素子の逆方向電流の経時変化を示
す特性曲線図、第３図は第１図に示す受光素子を用いた
イメージ七ンサの平面図、第４図は従来の受光素子を示
す断面図、第３図は第４図に示す従来の受光素子に保護
膜を形成した断面図、第６図は第３図に示す従来の受光
素子の保護膜形成前後の逆方向電流の曲線図、第７図は
画素が電気的に接続しているａ−８ｉ：Ｈからなる２層
構造の受光素子を示す断面図、第８図は第７図に示す受
光素子の保護膜形成前後の逆方向電流曲線図、第９図（
ａ）は第７図に示す受光素子を島状に形成した場合を示
す平面図、第９図（ｂ）は第９図（ａ）の■−■断面囚
、第１０図は第９図（ａ）ｌ （ｂ）に示す受光素子の
保護膜形成後の逆方向電流の経時変化曲線図である。 １′・・・ガラス基板、２′・・・金属電極、５′・・
・水素化非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）ｉ層、４’
、 ４’−ＩＴｏ電極、８′・・・水素化非晶質シリコ
ンのＰ層、２０′°°“水素化非晶質シリコン層、２０
′ａ・・・水素化非晶シリコン層の側面。
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＩ−Ｉ断面図、第２
図は第１図に示す受光素子の逆方向電流の経時変化を示
す特性曲線図、第３図は第１図に示す受光素子を用いた
イメージ七ンサの平面図、第４図は従来の受光素子を示
す断面図、第３図は第４図に示す従来の受光素子に保護
膜を形成した断面図、第６図は第３図に示す従来の受光
素子の保護膜形成前後の逆方向電流の曲線図、第７図は
画素が電気的に接続しているａ−８ｉ：Ｈからなる２層
構造の受光素子を示す断面図、第８図は第７図に示す受
光素子の保護膜形成前後の逆方向電流曲線図、第９図（
ａ）は第７図に示す受光素子を島状に形成した場合を示
す平面図、第９図（ｂ）は第９図（ａ）の■−■断面囚
、第１０図は第９図（ａ）ｌ （ｂ）に示す受光素子の
保護膜形成後の逆方向電流の経時変化曲線図である。 １′・・・ガラス基板、２′・・・金属電極、５′・・
・水素化非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）ｉ層、４’
、 ４’−ＩＴｏ電極、８′・・・水素化非晶質シリコ
ンのＰ層、２０′°°“水素化非晶質シリコン層、２０
′ａ・・・水素化非晶シリコン層の側面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上の導電体よりなる電極上に水素化非晶質
シリコンをモノシランガスのみのグロー放電分解によっ
て形成した第１層と、前記水素化非晶質シリコンをモノ
シランガスおよびドーピングガスとの混合ガスのグロー
放電分解によって形成した第２層と酸化インジウムを主
体とする透明電極と、透光性保護膜とを順次積層し、か
つ前記第１層および第２層を島状に形成するとともに前
記第１層の１側面のみ前記透明電極に接続するように構
成したことを特徴とする受光素子。 ２、前記ドーピングガスはＢ＿２Ｈ＿６にて構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の受光
素子。 ３、導電体を島状に形成した下部電極上に水素化非晶質
シリコン半導体をモノシランガスのみのグロー放電分解
によって形成した第１層と、水素化非晶質シリコン半導
体をモノシランガスおよびドーピングガスとの混合ガス
のグロー放電分解によって形成した第２層と透光性保護
膜とを順次積層した受光素子を一次元方向に配置しこれ
ら各受光素子の第１層の１側面と酸化インジウムを主体
とする共通の透明電極の接続部分とを接続したことを特
徴とする一次元イメージセンサ。 ４、前記共通の透明電極の前記第１層の１側面との接続
部分をくびれ状に形成し、第１層の１側面との接続面積
を減少するように構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第３項記載の一次元イメージセンサ。 ５、前記ドーピングガスはＢ＿２Ｈ＿６にて構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の一次
元イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281706A JPS63136578A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 受光素子およびこの受光素子を用いる一次元イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281706A JPS63136578A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 受光素子およびこの受光素子を用いる一次元イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136578A true JPS63136578A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17642844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61281706A Pending JPS63136578A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 受光素子およびこの受光素子を用いる一次元イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63136578A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757058A (en) * | 1995-07-11 | 1998-05-26 | Lg Electronics Inc. | Pad for providing electrical connection to a liquid crystal display device |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61281706A patent/JPS63136578A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757058A (en) * | 1995-07-11 | 1998-05-26 | Lg Electronics Inc. | Pad for providing electrical connection to a liquid crystal display device |
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