JPH02128468A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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- JPH02128468A JPH02128468A JP63281584A JP28158488A JPH02128468A JP H02128468 A JPH02128468 A JP H02128468A JP 63281584 A JP63281584 A JP 63281584A JP 28158488 A JP28158488 A JP 28158488A JP H02128468 A JPH02128468 A JP H02128468A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
受光部により変換された電気信号を転送部により転送す
る固体撮像装置であって、特に転送部と受光部が積層さ
れた積層型固体撮像装置及びその製造方法に関し、 光電変換膜と透明導電膜間の界面が非常に良好であり、
暗電流を低く押さえ、Ｓ／Ｎ比が高い固体撮像装置を製
造することが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提
供することを目的とし、光電変換股上に透明電極を形成
した受光部と、前記受光部により変換された電気信号を
転送する転送部とを備えた固体撮像装置において、前記
透明電極は、前記光電変換膜表面に形成された第１の透
明導電膜と、前記第１の透明導電膜上に形成され、前記
第１の透明導電膜を、前記透明電極が接続されるべき配
線部に電気的に接続する第２の透明導電膜とを有するよ
うに構成する。
る固体撮像装置であって、特に転送部と受光部が積層さ
れた積層型固体撮像装置及びその製造方法に関し、 光電変換膜と透明導電膜間の界面が非常に良好であり、
暗電流を低く押さえ、Ｓ／Ｎ比が高い固体撮像装置を製
造することが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提
供することを目的とし、光電変換股上に透明電極を形成
した受光部と、前記受光部により変換された電気信号を
転送する転送部とを備えた固体撮像装置において、前記
透明電極は、前記光電変換膜表面に形成された第１の透
明導電膜と、前記第１の透明導電膜上に形成され、前記
第１の透明導電膜を、前記透明電極が接続されるべき配
線部に電気的に接続する第２の透明導電膜とを有するよ
うに構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は受光部により変換された電気信号を転送部によ
り転送する固体撮像装置であって、特に転送部と受光部
が積層された積層型固体撮像装置及びその製造方法に関
する。
り転送する固体撮像装置であって、特に転送部と受光部
が積層された積層型固体撮像装置及びその製造方法に関
する。
固体撮像装置は従来の撮像管に比べて、小型、軽量、低
消費電力という利点に加えて、経時変化の少ない高信頼
性の画像を得ることができるので、近年、撮像管に代わ
って多く用いられるようになっている。
消費電力という利点に加えて、経時変化の少ない高信頼
性の画像を得ることができるので、近年、撮像管に代わ
って多く用いられるようになっている。
［従来の技術］
固体撮像装置の中でも特に転送部と受光部を積層した積
層型固体撮像装置は、表面全てを受光部として用いるこ
とができるので、受光部の面積が広く解像力に優れた固
体撮像装置を実現できる。
層型固体撮像装置は、表面全てを受光部として用いるこ
とができるので、受光部の面積が広く解像力に優れた固
体撮像装置を実現できる。
第３図を参照して従来の積層型固体撮像装置の製造方法
を説明する。なお、第３図は受光部の一画素分と共に周
辺回路の一部を断面として示すものである。
を説明する。なお、第３図は受光部の一画素分と共に周
辺回路の一部を断面として示すものである。
積層型固体撮像装置は、第３図（ａ）に示すように、半
導体基板１０上で素子分離用のフィールド酸化膜１２に
より画定された素子領域にｎ＋型重電荷蓄積領域１４転
送部の垂直ｃ ＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃ。
導体基板１０上で素子分離用のフィールド酸化膜１２に
より画定された素子領域にｎ＋型重電荷蓄積領域１４転
送部の垂直ｃ ＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃ。
ｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）のｎ＋＋埋込みチャンネル
１６が形成されている。埋込みチャンネル１６上には絶
縁膜１８中に電荷転送用の転送電極２０．２２が形成さ
れている。電荷蓄積領域１４は電極層２４に接続され、
この電極層２４は、眉間絶縁膜２６上に形成された画素
電極層２７に接続されている。
１６が形成されている。埋込みチャンネル１６上には絶
縁膜１８中に電荷転送用の転送電極２０．２２が形成さ
れている。電荷蓄積領域１４は電極層２４に接続され、
この電極層２４は、眉間絶縁膜２６上に形成された画素
電極層２７に接続されている。
なお、周辺回路における絶縁膜１８上には後述する受光
部に接続された配線層２８が形成されている。
部に接続された配線層２８が形成されている。
画素電極層２７の配線後の受光部の形成方法について第
３図（ａ）〜［Ｃ）を参照して詳細に説明する。
３図（ａ）〜［Ｃ）を参照して詳細に説明する。
まず、水素化アモルファスシリコンの光電変換膜３０を
全面に堆積させる（第３図（ａ））。次に、この光電変
換膜３０上に所定形状のレジスト層３２を形成した後、
エツチングにより周辺回路部分の光電変換膜３０を除去
し、その後配線層２８にコンタクトするコンタクトホー
ル２９を形成する（第３図（ｂ））。次に、レジスト層
３２を除去した後、Ｉ’ｌ’ Ｑ （ｌｎｄｉｕｎ ｔ
ｉｎ ｏｘｉｄｅ）で作られた所定形状の透明導電膜３
４を形成する（第３図（Ｃ））。
全面に堆積させる（第３図（ａ））。次に、この光電変
換膜３０上に所定形状のレジスト層３２を形成した後、
エツチングにより周辺回路部分の光電変換膜３０を除去
し、その後配線層２８にコンタクトするコンタクトホー
ル２９を形成する（第３図（ｂ））。次に、レジスト層
３２を除去した後、Ｉ’ｌ’ Ｑ （ｌｎｄｉｕｎ ｔ
ｉｎ ｏｘｉｄｅ）で作られた所定形状の透明導電膜３
４を形成する（第３図（Ｃ））。
［発明が解決しようとする課題］
光電変換膜３０と透明導電膜３４による受光部で光に応
じた電荷が発生されるため、光電変換膜３０と透明導電
膜３４の界面は特性上極めて重要である。しかるに、従
来の製造方法では、光電変換膜３０のエツチングのため
にレジスト層３２が塗布され、この塗布されたレジスト
層３２が除去された後に、透明導電膜３４を堆積してい
たため、光電変換膜３０表面はレジスト層３２からの不
純物により汚染され、汚染された後に、透明導電膜３４
を形成していた。したがって、光電変換［３０と透明導
電膜３４の界面には界面準位が生じやすく、暗電流を低
く押さえることができず、Ｓ／Ｎ比を大きくとることが
困離であった。
じた電荷が発生されるため、光電変換膜３０と透明導電
膜３４の界面は特性上極めて重要である。しかるに、従
来の製造方法では、光電変換膜３０のエツチングのため
にレジスト層３２が塗布され、この塗布されたレジスト
層３２が除去された後に、透明導電膜３４を堆積してい
たため、光電変換膜３０表面はレジスト層３２からの不
純物により汚染され、汚染された後に、透明導電膜３４
を形成していた。したがって、光電変換［３０と透明導
電膜３４の界面には界面準位が生じやすく、暗電流を低
く押さえることができず、Ｓ／Ｎ比を大きくとることが
困離であった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、光電変換
膜と透明導電膜間の界面が非常に良好であり、暗電流を
低く押さえ、Ｓ／Ｎ比が高い固体撮像装置を製造するこ
とが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
膜と透明導電膜間の界面が非常に良好であり、暗電流を
低く押さえ、Ｓ／Ｎ比が高い固体撮像装置を製造するこ
とが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、光電変換膜上に透明電極を形成した受光部
と、前記受光部により変換された電気信号を転送する転
送部とを備えた固体撮像装置において、前記透明電極は
、前記光電変換膜表面に形成された第１の透明導電膜と
、前記第１の透明導電膜上に形成され、前記第１の透明
導電膜を、前記透明電極が接続されるべき配線部に電気
的に接続する第２の透明導電膜とを有することを特徴と
する固体撮像装置によって達成される。
と、前記受光部により変換された電気信号を転送する転
送部とを備えた固体撮像装置において、前記透明電極は
、前記光電変換膜表面に形成された第１の透明導電膜と
、前記第１の透明導電膜上に形成され、前記第１の透明
導電膜を、前記透明電極が接続されるべき配線部に電気
的に接続する第２の透明導電膜とを有することを特徴と
する固体撮像装置によって達成される。
上記目的は、光電変換膜上に透明電極を形成した受光部
と、前記受光部により変換された電気信号を転送する転
送部とを備えた固体撮像装置の製造方法において、前記
光電変換膜を形成した後、引続いて第１の透明導電膜を
形成する工程と、前記第１の透明導電膜及び前記光電変
換膜とを選択的にエツチング除去して前記透明電極が接
続されるべき配線部を露出する工程と、前記第１の透明
導電膜及び前記配線部上に第２の透明導電膜を形成して
前記第１の透明導電膜と前記配線部とを電気的に接続す
る工程とを有し、前記第１及び第２の透明導電膜により
前記透明電極を形成するととを特徴とする固体撮像装置
の製造方法によって達成される。
と、前記受光部により変換された電気信号を転送する転
送部とを備えた固体撮像装置の製造方法において、前記
光電変換膜を形成した後、引続いて第１の透明導電膜を
形成する工程と、前記第１の透明導電膜及び前記光電変
換膜とを選択的にエツチング除去して前記透明電極が接
続されるべき配線部を露出する工程と、前記第１の透明
導電膜及び前記配線部上に第２の透明導電膜を形成して
前記第１の透明導電膜と前記配線部とを電気的に接続す
る工程とを有し、前記第１及び第２の透明導電膜により
前記透明電極を形成するととを特徴とする固体撮像装置
の製造方法によって達成される。
［作用］
本発明によれば、光電変換股上の透明電極を２層にして
、下層の透明導電膜により、光電変換膜と透明導電膜の
界面をエツチングによる汚染から保護する。
、下層の透明導電膜により、光電変換膜と透明導電膜の
界面をエツチングによる汚染から保護する。
［実施例］
本発明の一実施例による積層型固体撮像装置を第１図に
示す。従来の固体撮像装置と同一の構成要素には同一の
符号を付しである。なお、第１図も受光部の一画素分と
共に周辺回路の一部を断面として示すものである。
示す。従来の固体撮像装置と同一の構成要素には同一の
符号を付しである。なお、第１図も受光部の一画素分と
共に周辺回路の一部を断面として示すものである。
この積層型固体撮像装置は、第１図に示すように、半導
体基板１０上で素子分離用のフィールド酸化膜１２によ
り画定された素子領域にｎ＋型重電荷蓄積領域１４転送
部の垂直ＣＣＤのｎ＋＋埋込みチャンネル１６が形成さ
れている。埋込みチャンネル１６上には絶縁膜１８中に
電荷転送用の転送部＠２０．２２が形成されている。電
荷蓄積領域１４は電極層２４に接続され、この電極層２
４は、眉間絶縁膜２６上に形成された画素電極層２７に
接続されている。なお、周辺回路における絶縁膜１８上
には後述する受光部に接続された配線層２８が形成され
ている。
体基板１０上で素子分離用のフィールド酸化膜１２によ
り画定された素子領域にｎ＋型重電荷蓄積領域１４転送
部の垂直ＣＣＤのｎ＋＋埋込みチャンネル１６が形成さ
れている。埋込みチャンネル１６上には絶縁膜１８中に
電荷転送用の転送部＠２０．２２が形成されている。電
荷蓄積領域１４は電極層２４に接続され、この電極層２
４は、眉間絶縁膜２６上に形成された画素電極層２７に
接続されている。なお、周辺回路における絶縁膜１８上
には後述する受光部に接続された配線層２８が形成され
ている。
画素電極層２７上には光電変換膜３０が形成されている
。この光電変換膜３０上には２層の第１透明導電膜３６
及び第２透明導電膜４０が形成され、これら第１透明導
電膜３６及び第２透明導電膜４０により透明電極を構成
している。第１透明導電膜３６は光電変換８３０の表面
をその後の製造工程におけるエツチング処理等による汚
染から保護するためのものであり、第２透明導電膜３６
は第１透明導電膜３６と配線層２８を電気的に接続する
。
。この光電変換膜３０上には２層の第１透明導電膜３６
及び第２透明導電膜４０が形成され、これら第１透明導
電膜３６及び第２透明導電膜４０により透明電極を構成
している。第１透明導電膜３６は光電変換８３０の表面
をその後の製造工程におけるエツチング処理等による汚
染から保護するためのものであり、第２透明導電膜３６
は第１透明導電膜３６と配線層２８を電気的に接続する
。
このように本実施例によれば光電変換膜上の透明電極が
２層の透明導電膜により構成され、下層の透明導電膜に
より光電変換膜表面を保護しているため、光電変換膜と
透明導電膜間の界面を非常に良好な状態に維持すること
ができる。
２層の透明導電膜により構成され、下層の透明導電膜に
より光電変換膜表面を保護しているため、光電変換膜と
透明導電膜間の界面を非常に良好な状態に維持すること
ができる。
本発明の一実施例による積層型固体撮像装置の製造方法
を第２図を用いて説明する。
を第２図を用いて説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、ｐ型半導体基板１０
上に素子分離用のフィールド酸化膜１２を形成し、転送
部の素子領域を画定する。半導体基板１０の素子領域に
は、受光部で発生した電荷を蓄積するためのｎ＋型重電
荷蓄積領域１４共に、発生した電荷を取出すための転送
部における垂直ＣＣＤのｎ＋＋埋込みチャンネル１６を
形成する。
上に素子分離用のフィールド酸化膜１２を形成し、転送
部の素子領域を画定する。半導体基板１０の素子領域に
は、受光部で発生した電荷を蓄積するためのｎ＋型重電
荷蓄積領域１４共に、発生した電荷を取出すための転送
部における垂直ＣＣＤのｎ＋＋埋込みチャンネル１６を
形成する。
埋込みチャンネル１６上に形成された絶縁膜１８中には
、例えば多結晶シリコンの電荷転送用転送電極２０．２
２が形成されている。転送電極２０．２２に所定のパル
スを印加することにより、電荷蓄積領域１４に蓄積され
た電荷を埋込みチャンネル１６に移したり、埋込みチャ
ンネル１６間で順次電荷を転送したりすることができる
。
、例えば多結晶シリコンの電荷転送用転送電極２０．２
２が形成されている。転送電極２０．２２に所定のパル
スを印加することにより、電荷蓄積領域１４に蓄積され
た電荷を埋込みチャンネル１６に移したり、埋込みチャ
ンネル１６間で順次電荷を転送したりすることができる
。
次に、電荷蓄積領域１４とコンタクトをとるために絶縁
膜１８にコンタクトホール２３を形成する。その後、例
えば蒸着又はスパッタリングによりアルミニウムを堆積
させ、コンタクトホール２３に電極層２４を形成すると
共に、周辺回路における絶縁膜１８上に後述する受光部
に接続される配線層２８を形成する（第２図（ｂ））。
膜１８にコンタクトホール２３を形成する。その後、例
えば蒸着又はスパッタリングによりアルミニウムを堆積
させ、コンタクトホール２３に電極層２４を形成すると
共に、周辺回路における絶縁膜１８上に後述する受光部
に接続される配線層２８を形成する（第２図（ｂ））。
次に、表面の凹凸を平坦化するために例えばＰＳＧ又は
ポリイミドの層間絶縁膜２６を形成する。
ポリイミドの層間絶縁膜２６を形成する。
さらに、層間絶縁膜２６の電極層２４上にコンタクトホ
ール２５を形成し、その上に画素電極層２７を形成する
（第２図（Ｃ））。画素電極層２７は、受光部の各画素
において発生した電荷を集めるためのもので、集められ
た電荷は電極層２４を介して電荷蓄積領域１４に送られ
る。
ール２５を形成し、その上に画素電極層２７を形成する
（第２図（Ｃ））。画素電極層２７は、受光部の各画素
において発生した電荷を集めるためのもので、集められ
た電荷は電極層２４を介して電荷蓄積領域１４に送られ
る。
次に、全面に水素化アモルファスシリコンを約１μｍ成
長させて光電変換膜３０を形成し、引き続いて、光電変
換膜３０の全面にＩＴＯで作られた第１透明導電膜３６
を約５００人形成する（第２図（ｄ））。本実施例は光
電変換膜３０を所定形状にエツチングする前に、第１透
明導電膜３６を連続的に形成する点に特徴がある。
長させて光電変換膜３０を形成し、引き続いて、光電変
換膜３０の全面にＩＴＯで作られた第１透明導電膜３６
を約５００人形成する（第２図（ｄ））。本実施例は光
電変換膜３０を所定形状にエツチングする前に、第１透
明導電膜３６を連続的に形成する点に特徴がある。
次に、光電変換膜３０と第１透明導電膜３６を同時に受
光部の画素形状にエツチングする。すなわち、第１透明
導電膜３６上に所定形状のレジスト層３８を形成した後
、レジスト層３８が形成されていない部分の光電変換膜
３０と第１透明導電膜３６をエツチング除去する。さら
に、配線層２８とコンタクトをとるために眉間絶縁膜２
６にコンタクトホール２９を形成するく第２図（ｅ））
。
光部の画素形状にエツチングする。すなわち、第１透明
導電膜３６上に所定形状のレジスト層３８を形成した後
、レジスト層３８が形成されていない部分の光電変換膜
３０と第１透明導電膜３６をエツチング除去する。さら
に、配線層２８とコンタクトをとるために眉間絶縁膜２
６にコンタクトホール２９を形成するく第２図（ｅ））
。
次に、第１透明導電膜３６及び配線層２８上に所定形状
の第２透明導電膜４０を約１０００人形成する（第２図
（ｆ））。第２透明導電膜４０は、第１透明導電膜３６
と共に光電変換膜３０の透明電極として機能すると共に
、コンタクトホール２９を介して配線層２８に電気的に
接続される。
の第２透明導電膜４０を約１０００人形成する（第２図
（ｆ））。第２透明導電膜４０は、第１透明導電膜３６
と共に光電変換膜３０の透明電極として機能すると共に
、コンタクトホール２９を介して配線層２８に電気的に
接続される。
その後、全面に保護膜（図示せず）を形成して固体撮像
装置を完成させる。
装置を完成させる。
このように本実施例によれば、光電変換膜３０と第１透
明導電膜３６を連続的に形成した後に所定形状にエツチ
ングするようにしているため、受光部の特性に大きな影
響を及ぼす光電変換膜３０と第１透明導電膜３６の界面
は、第１透明電極膜３６が保護膜の役割をして、エツチ
ング時のレジスト層塗布、エツチング、レジスト層剥離
という一連の工程による汚染から保護される。したがっ
て、光電変換膜３０と第１透明導電膜３６の間に良好な
界面が実現でき、界面準位が生じることなく、暗電流を
低く押さえ、Ｓ／Ｎ比を大きくとることができる。
明導電膜３６を連続的に形成した後に所定形状にエツチ
ングするようにしているため、受光部の特性に大きな影
響を及ぼす光電変換膜３０と第１透明導電膜３６の界面
は、第１透明電極膜３６が保護膜の役割をして、エツチ
ング時のレジスト層塗布、エツチング、レジスト層剥離
という一連の工程による汚染から保護される。したがっ
て、光電変換膜３０と第１透明導電膜３６の間に良好な
界面が実現でき、界面準位が生じることなく、暗電流を
低く押さえ、Ｓ／Ｎ比を大きくとることができる。
本発明は上記実施例に限らす種々の変形が可能である。
例えば、上記実施例では透明電極の材料としてＩＴＯを
用いたが、例えば酸化スズ（ＳｎＯ□）のような他の材
料でもよい。また、上記実施例では光導電膜３０の材料
として水素化アモルファスシリコンを用いたが、例えば
アモルファスカル：１ゲナイドのような他の材料でもよ
い。
用いたが、例えば酸化スズ（ＳｎＯ□）のような他の材
料でもよい。また、上記実施例では光導電膜３０の材料
として水素化アモルファスシリコンを用いたが、例えば
アモルファスカル：１ゲナイドのような他の材料でもよ
い。
また、上記実）（Ｉｔ例は積層型固体撮像装置に本発明
を適用したが、受光部として光導電膜上に透明電極が形
成されるものであれば、積層型ではない他のタイプの固
体撮像装置にも本発明を適用できる。
を適用したが、受光部として光導電膜上に透明電極が形
成されるものであれば、積層型ではない他のタイプの固
体撮像装置にも本発明を適用できる。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、エツチング時の汚染から
光電変換膜と透明導電膜の界面が保護されるので、界面
準位が生じることなく、暗電流を低く押さえ、Ｓ／Ｎ比
を大きくとることができる
光電変換膜と透明導電膜の界面が保護されるので、界面
準位が生じることなく、暗電流を低く押さえ、Ｓ／Ｎ比
を大きくとることができる
第１図は本発明の一実施例による固体撮像装置の断面図
、 第２図は本発明の一実施例による固体撮像装置の製造方
法の工程断面図、 第３図は従来の固体撮像装置の製造方法の工程断面図 である。 図において、 １０・・・半導体基板、 １２・・・フィールド酸化膜、 １４・・・電荷蓄積領域、 １６・・・埋込みチャンネル、 １８・・・絶縁膜、 ２０．２２・・・転送電極、 ２３・・・コンタクトホール、 ２４・・・電極層、 ２５・・・コンタクトホール、 ２６・・・層間絶縁膜、 ２７・・・画素電極層、 ２８・・・配線層、 ２９・・・コンタクトホール、 ３０・・・光電変換膜、 ３２・・・レジスト層、 ３４・・・透明導電膜、 ３６・・・第１透明導電膜、 ３８・・・レジスト層、 ４０・・・第２透明導電膜。 区 ＫＴＪ〒− 検
、 第２図は本発明の一実施例による固体撮像装置の製造方
法の工程断面図、 第３図は従来の固体撮像装置の製造方法の工程断面図 である。 図において、 １０・・・半導体基板、 １２・・・フィールド酸化膜、 １４・・・電荷蓄積領域、 １６・・・埋込みチャンネル、 １８・・・絶縁膜、 ２０．２２・・・転送電極、 ２３・・・コンタクトホール、 ２４・・・電極層、 ２５・・・コンタクトホール、 ２６・・・層間絶縁膜、 ２７・・・画素電極層、 ２８・・・配線層、 ２９・・・コンタクトホール、 ３０・・・光電変換膜、 ３２・・・レジスト層、 ３４・・・透明導電膜、 ３６・・・第１透明導電膜、 ３８・・・レジスト層、 ４０・・・第２透明導電膜。 区 ＫＴＪ〒− 検
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光電変換膜上に透明電極を形成した受光部と、前記
受光部により変換された電気信号を転送する転送部とを
備えた固体撮像装置において、前記透明電極は、 前記光電変換膜表面に形成された第１の透明導電膜と、 前記第１の透明導電膜上に形成され、前記第１の透明導
電膜を、前記透明電極が接続されるべき配線部に電気的
に接続する第２の透明導電膜とを有することを特徴とす
る固体撮像装置。 ２、光電変換膜上に透明電極を形成した受光部と、前記
受光部により変換された電気信号を転送する転送部とを
備えた固体撮像装置の製造方法において、 前記光電変換膜を形成した後、引続いて第１の透明導電
膜を形成する工程と、 前記第１の透明導電膜及び前記光電変換膜とを選択的に
エッチング除去して前記透明電極が接続されるべき配線
部を露出する工程と、 前記第１の透明導電膜及び前記配線部上に第２の透明導
電膜を形成して前記第１の透明導電膜と前記配線部とを
電気的に接続する工程とを有し、前記第１及び第２の透
明導電膜により前記透明電極を形成することを特徴とす
る固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281584A JPH02128468A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281584A JPH02128468A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02128468A true JPH02128468A (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=17641197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63281584A Pending JPH02128468A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02128468A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133792A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-05-12 | Hewlett Packard Co <Hp> | 相互接続構造を含む能動画素センサ |
| JP2009016855A (ja) * | 2008-08-20 | 2009-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置 |
| JP2009231788A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Fujifilm Corp | 電磁波検出素子 |
| JP2009267326A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-11-12 | Fujifilm Corp | 電磁波検出素子 |
| US8564035B2 (en) | 1997-09-20 | 2013-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image sensor and image sensor integrated type active matrix type display device |
| WO2022149401A1 (ja) * | 2021-01-06 | 2022-07-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
| WO2023074120A1 (ja) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP63281584A patent/JPH02128468A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8564035B2 (en) | 1997-09-20 | 2013-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image sensor and image sensor integrated type active matrix type display device |
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| JP2009016855A (ja) * | 2008-08-20 | 2009-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置 |
| WO2022149401A1 (ja) * | 2021-01-06 | 2022-07-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
| WO2023074120A1 (ja) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
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