JPH07333646A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH07333646A JPH07333646A JP12163194A JP12163194A JPH07333646A JP H07333646 A JPH07333646 A JP H07333646A JP 12163194 A JP12163194 A JP 12163194A JP 12163194 A JP12163194 A JP 12163194A JP H07333646 A JPH07333646 A JP H07333646A
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- light
- tft
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＦＴを用いる液晶表示装置において、光出
射界面からの反射光を防止する事により、光リーク電流
の発生を防止し、高精細且つコントラスト比の良い画像
表示を得る。 【構成】 液晶表示装置１０の第１の電極基板１０１の
光出射界面に反射防止膜１８０を有する透明板１８１を
貼着する。これにより製造時、ＴＦＴ１７０及び反射防
止膜１８０に相互に悪影響を及ぼすこと無く、反射防止
膜１８０を形成出来、光出射界面での反射光を防止し、
ＴＦＴ１７０への下側からの入射光を無くす事により、
光リーク電流の発生を防止し、表示画像の画質向上を図
る。
射界面からの反射光を防止する事により、光リーク電流
の発生を防止し、高精細且つコントラスト比の良い画像
表示を得る。 【構成】 液晶表示装置１０の第１の電極基板１０１の
光出射界面に反射防止膜１８０を有する透明板１８１を
貼着する。これにより製造時、ＴＦＴ１７０及び反射防
止膜１８０に相互に悪影響を及ぼすこと無く、反射防止
膜１８０を形成出来、光出射界面での反射光を防止し、
ＴＦＴ１７０への下側からの入射光を無くす事により、
光リーク電流の発生を防止し、表示画像の画質向上を図
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（以
下ＴＦＴと略称する。）を供えた液晶表示装置に掛か
り、特に光出射界面において光の反射防止が成される液
晶表示装置に関する。
下ＴＦＴと略称する。）を供えた液晶表示装置に掛か
り、特に光出射界面において光の反射防止が成される液
晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高機能、高精細を得るため、ＴＦ
Ｔを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の実用
化が図られている。
Ｔを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の実用
化が図られている。
【０００３】これ等液晶表示装置の内、特に、ハイビジ
ョンテレビ対応の１００インチ程度の大画面を達成する
投射型液晶表示装置にあっては、電子移動度がより高
く、画素サイズを縮小するために素子の小型化が可能で
あり、光感度が低く、更には駆動回路をモノリシック形
成出来るという点から非晶質シリコンＴＦＴに代わり多
結晶シリコンＴＦＴを用いた装置の開発も進められてい
る。
ョンテレビ対応の１００インチ程度の大画面を達成する
投射型液晶表示装置にあっては、電子移動度がより高
く、画素サイズを縮小するために素子の小型化が可能で
あり、光感度が低く、更には駆動回路をモノリシック形
成出来るという点から非晶質シリコンＴＦＴに代わり多
結晶シリコンＴＦＴを用いた装置の開発も進められてい
る。
【０００４】しかしながら、非晶質シリコンＴＦＴにあ
っては、その構造上、光を透過させないゲート電極が最
下部に形成されており、下側からの光に対して光感度が
低く、下側からの光照射による光リーク電流の発生が少
ないものの、多結晶シリコンＴＦＴは通常、ゲート電極
が上置のコプラナー型であるためにＴＦＴの下側からの
入射光に対する光感度が高く、下側からの反射光により
画像表示に悪影響を与える光リーク電流を発生してしま
い、クロストークやシェーディングを生じ、高品位な画
像が得られず、更にコントラスト比が低下され、画質を
劣化するという問題を有してた。
っては、その構造上、光を透過させないゲート電極が最
下部に形成されており、下側からの光に対して光感度が
低く、下側からの光照射による光リーク電流の発生が少
ないものの、多結晶シリコンＴＦＴは通常、ゲート電極
が上置のコプラナー型であるためにＴＦＴの下側からの
入射光に対する光感度が高く、下側からの反射光により
画像表示に悪影響を与える光リーク電流を発生してしま
い、クロストークやシェーディングを生じ、高品位な画
像が得られず、更にコントラスト比が低下され、画質を
劣化するという問題を有してた。
【０００５】そしてこの様な光リーク電流は、ＴＮ型液
晶を用いた液晶表示装置において、非晶質シリコンＴＦ
Ｔあるいは多結晶シリコンＴＦＴを用いた場合にも生じ
るが、特に、多結晶シリコンＴＦＴを用い、しかも偏光
板を必要としないために、入射光量が大きい、光散乱型
の液晶である高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置に
おいて顕著とされる。
晶を用いた液晶表示装置において、非晶質シリコンＴＦ
Ｔあるいは多結晶シリコンＴＦＴを用いた場合にも生じ
るが、特に、多結晶シリコンＴＦＴを用い、しかも偏光
板を必要としないために、入射光量が大きい、光散乱型
の液晶である高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置に
おいて顕著とされる。
【０００６】これは、多結晶シリコンＴＦＴによる高分
子分散型の液晶表示装置を用いると、非晶質シリコンＴ
ＦＴによるＴＮ型の液晶表示装置の場合に比し、入射偏
光板（透過率約４０％）による光吸収による輝度の低下
がないために、液晶表示装置に入射する光が強くなり、
ひいては光出射界面での反射光強度も増大し、この結
果、光リーク電流が増大されることから生じるものであ
り、クロストーク、シェーディング等の増大によりコン
トラスト比が低下され、画質が著しく劣化されるという
問題を有していた このため特開平４−５２６２３号公報には、出射界面に
反射防止膜を形成し、能動素子への反射光の入射を防止
する旨が開示されている。
子分散型の液晶表示装置を用いると、非晶質シリコンＴ
ＦＴによるＴＮ型の液晶表示装置の場合に比し、入射偏
光板（透過率約４０％）による光吸収による輝度の低下
がないために、液晶表示装置に入射する光が強くなり、
ひいては光出射界面での反射光強度も増大し、この結
果、光リーク電流が増大されることから生じるものであ
り、クロストーク、シェーディング等の増大によりコン
トラスト比が低下され、画質が著しく劣化されるという
問題を有していた このため特開平４−５２６２３号公報には、出射界面に
反射防止膜を形成し、能動素子への反射光の入射を防止
する旨が開示されている。
【０００７】しかしながらこの反射防止膜は、能動素子
を形成した基板面の裏側にあたる面に、直接反射防止膜
としての多層誘電体膜を成膜したものであり、その製造
工程にて以下の様な問題を有していた。
を形成した基板面の裏側にあたる面に、直接反射防止膜
としての多層誘電体膜を成膜したものであり、その製造
工程にて以下の様な問題を有していた。
【０００８】即ち、液晶表示装置の形成時、ＴＦＴ形成
以前に基板の一方の面に反射防止膜を形成してしまう
と、この反射防止膜形成面が液晶表示装置の形成工程中
における基板の裏面にあたる事から、ＴＦＴ形成工程中
のプロセス温度や各種基板の固定プロセス等により、反
射防止膜が著しく悪影響を受け、その特性が劣化されて
しまうという問題を有していた。
以前に基板の一方の面に反射防止膜を形成してしまう
と、この反射防止膜形成面が液晶表示装置の形成工程中
における基板の裏面にあたる事から、ＴＦＴ形成工程中
のプロセス温度や各種基板の固定プロセス等により、反
射防止膜が著しく悪影響を受け、その特性が劣化されて
しまうという問題を有していた。
【０００９】一方、逆にＴＦＴ形成後に反射防止膜を形
成しようとすると、反射防止膜が多層誘電体膜である事
から、高温で形成しなければならず、その反対側の面に
あるＴＦＴが高温による悪影響を受ける事となり、ＴＦ
Ｔに影響を及ぼさない範囲での反射防止膜の製造が難く
なるという問題を有していた。これは、液晶セルを形成
後に、基板表面に反射防止膜を形成しようとする場合で
も同様であり、ＴＦＴに悪影響を生じてしまうという様
にその成膜が困難とされていた。
成しようとすると、反射防止膜が多層誘電体膜である事
から、高温で形成しなければならず、その反対側の面に
あるＴＦＴが高温による悪影響を受ける事となり、ＴＦ
Ｔに影響を及ぼさない範囲での反射防止膜の製造が難く
なるという問題を有していた。これは、液晶セルを形成
後に、基板表面に反射防止膜を形成しようとする場合で
も同様であり、ＴＦＴに悪影響を生じてしまうという様
にその成膜が困難とされていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴを用いた液晶表
示装置のＴＦＴ下側からの光入射により生じる光リーク
電流を防止するため、従来は、主としてＴＦＴ支持基板
の裏面に、多層誘電体膜からなる反射防止膜を成膜して
いた。
示装置のＴＦＴ下側からの光入射により生じる光リーク
電流を防止するため、従来は、主としてＴＦＴ支持基板
の裏面に、多層誘電体膜からなる反射防止膜を成膜して
いた。
【００１１】しかしながら、ＴＦＴ支持基板の裏面に多
層誘電体膜を成膜しようとすると、その製造時、多層誘
電体膜及びＴＦＴ相互に悪影響を及ぼすこととなり、製
造上の困難を有するという問題を生じていた。
層誘電体膜を成膜しようとすると、その製造時、多層誘
電体膜及びＴＦＴ相互に悪影響を及ぼすこととなり、製
造上の困難を有するという問題を生じていた。
【００１２】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、製造時、ＴＦＴ及び反射防止膜に相互に高温による
悪影響を及ぼす事無く、ＴＦＴ支持基板の裏面に容易に
反射防止膜を設ける事が出来、ＴＦＴの下側からの光入
射を確実に防止することにより、光リーク電流の発生を
防止し、クロストークやシェーディングが無くコントラ
スト比の高い良質の画像表示を行う事ができる液晶表示
装置を提供する事を目的とする。
で、製造時、ＴＦＴ及び反射防止膜に相互に高温による
悪影響を及ぼす事無く、ＴＦＴ支持基板の裏面に容易に
反射防止膜を設ける事が出来、ＴＦＴの下側からの光入
射を確実に防止することにより、光リーク電流の発生を
防止し、クロストークやシェーディングが無くコントラ
スト比の高い良質の画像表示を行う事ができる液晶表示
装置を提供する事を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載される液
晶表示装置は、二次元マトリクス状に形成される画素電
極及びこの画素電極毎に設けられる薄膜トランジスタを
有する第１の電極基板と、対向電極を有する第２の電極
基板と、前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板の
間に封入される液晶とを具備する液晶表示装置におい
て、前記第１の電極基板の光の出射界面に取着される透
明板と、この透明板の光出射界面に形成される反射防止
層とを具備するものである。
晶表示装置は、二次元マトリクス状に形成される画素電
極及びこの画素電極毎に設けられる薄膜トランジスタを
有する第１の電極基板と、対向電極を有する第２の電極
基板と、前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板の
間に封入される液晶とを具備する液晶表示装置におい
て、前記第１の電極基板の光の出射界面に取着される透
明板と、この透明板の光出射界面に形成される反射防止
層とを具備するものである。
【００１４】又請求項２に記載される液晶表示装置は、
請求項１記載の液晶表示装置において、透明板が、透光
性のプラスチック樹脂又は透光性のガラスからなる事を
特徴としている。
請求項１記載の液晶表示装置において、透明板が、透光
性のプラスチック樹脂又は透光性のガラスからなる事を
特徴としている。
【００１５】
【作用】本発明によれば、液晶表示装置の光出射界面に
反射防止層を有する透明板を取着する事により、光出射
界面での反射光の発生を防止し、ＴＦＴへの下側からの
光入射を防止する事により、光リーク電流の発生を防止
し、クロストークやシェーディングが無く高精細且つコ
ントラスト比の良い良質の画像表示を得るものである。
反射防止層を有する透明板を取着する事により、光出射
界面での反射光の発生を防止し、ＴＦＴへの下側からの
光入射を防止する事により、光リーク電流の発生を防止
し、クロストークやシェーディングが無く高精細且つコ
ントラスト比の良い良質の画像表示を得るものである。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１及び図２
を参照して説明する。１０は、多結晶シリコンＴＦＴを
用いた駆動回路一体型の高分子分散型液晶表示装置であ
り、図２に示す様に一対の電極基板１０１、２０１間に
保護膜１２０、２２０を介して高分子分散型の液晶層１
５０が保持されている。
を参照して説明する。１０は、多結晶シリコンＴＦＴを
用いた駆動回路一体型の高分子分散型液晶表示装置であ
り、図２に示す様に一対の電極基板１０１、２０１間に
保護膜１２０、２２０を介して高分子分散型の液晶層１
５０が保持されている。
【００１７】第１の電極基板１０１は、透明な第１のガ
ラス基板１０２上に、複数本の信号線１０６と走査線１
０７とがマトリクス状に配置され、各交点部分にＴＦＴ
１７０が配置されている。
ラス基板１０２上に、複数本の信号線１０６と走査線１
０７とがマトリクス状に配置され、各交点部分にＴＦＴ
１７０が配置されている。
【００１８】このＴＦＴ１７０にあっては、第１のガラ
ス基板１０２上にチャネル領域１０８Ｃ、ソース領域１
０８Ｓ、ドレイン領域１０８Ｄ、不純物イオン濃度の低
い第１電界緩和領域１０８ＳＳ、第２電界緩和領域１０
８ＤＤからなる多結晶シリコン膜１０８が設けられてい
る。
ス基板１０２上にチャネル領域１０８Ｃ、ソース領域１
０８Ｓ、ドレイン領域１０８Ｄ、不純物イオン濃度の低
い第１電界緩和領域１０８ＳＳ、第２電界緩和領域１０
８ＤＤからなる多結晶シリコン膜１０８が設けられてい
る。
【００１９】そしてチャネル領域１０８Ｃ上には、第１
絶縁膜１１０を介して後述する走査線１０７と一対のゲ
ート電極１０７Ｇが配置され、多結晶シリコン膜１０８
上には、第１絶縁膜１１０を介してゲート電極１０７Ｇ
と同一工程で形成された画素電位保持容量線１１１が設
けられ、多結晶シリコン膜１０８と画素電位保持容量線
１１１との間で画素電位保持容量が形成されている。
絶縁膜１１０を介して後述する走査線１０７と一対のゲ
ート電極１０７Ｇが配置され、多結晶シリコン膜１０８
上には、第１絶縁膜１１０を介してゲート電極１０７Ｇ
と同一工程で形成された画素電位保持容量線１１１が設
けられ、多結晶シリコン膜１０８と画素電位保持容量線
１１１との間で画素電位保持容量が形成されている。
【００２０】更にこの上に第２絶縁膜１１２が配置さ
れ、第１のコンタクトホール１１３を介してドレイン領
域１０８Ｄと信号線１０６とが接続され、又第２のコン
タクトホール１１４を介してＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ（以下ＩＴＯと省略する。）からなる画素電極
１１６とソース領域１０８Ｓとが接続され、又、この上
に、保護膜１２０が成膜され、第１の電極基板１０１が
形成されている。
れ、第１のコンタクトホール１１３を介してドレイン領
域１０８Ｄと信号線１０６とが接続され、又第２のコン
タクトホール１１４を介してＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ（以下ＩＴＯと省略する。）からなる画素電極
１１６とソース領域１０８Ｓとが接続され、又、この上
に、保護膜１２０が成膜され、第１の電極基板１０１が
形成されている。
【００２１】尚本実施例における第１の電極基板１０１
は、図１に示す様に２本の走査線１０７が１組として近
接配置され、走査線１０７を介する事無く、信号線１０
６に沿って隣り合う画素電極１１６に共通な画素電位保
持容量線１１１が設けられている。これにより、画素電
位保持容量線１１１数を低減出来、又ＴＦＴ１７０と信
号線１０６との第１のコンタクトホール１１３が、近接
配置されたＴＦＴ１７０に関しては共通化されているた
め、コンタクトホール１１３の数も低減出来、液晶表示
装置１０の開口率は高く保持されている。
は、図１に示す様に２本の走査線１０７が１組として近
接配置され、走査線１０７を介する事無く、信号線１０
６に沿って隣り合う画素電極１１６に共通な画素電位保
持容量線１１１が設けられている。これにより、画素電
位保持容量線１１１数を低減出来、又ＴＦＴ１７０と信
号線１０６との第１のコンタクトホール１１３が、近接
配置されたＴＦＴ１７０に関しては共通化されているた
め、コンタクトホール１１３の数も低減出来、液晶表示
装置１０の開口率は高く保持されている。
【００２２】一方、第２の電極基板２０１は、透明な第
２のガラス基板２０２上に第１の電極基板１０１側のＴ
ＦＴ１７０、信号線１０６、走査線１０７、画素電極１
１６と信号線１０６との間、画素電極１１６と走査線１
０７との間を全て遮光するためのマトリクス状のクロム
［Ｃｒ］製の遮光膜２０３が設けられ、更に絶縁膜２０
４を介し、ＩＴＯからなる対向電極２０６及び、保護膜
２２０が配置されている。 そして上記の様な構成から
なる第１及び第２の電極基板１０１、２０１間には、高
分子分散型液晶からなる液晶層１５０が保持されてい
る。
２のガラス基板２０２上に第１の電極基板１０１側のＴ
ＦＴ１７０、信号線１０６、走査線１０７、画素電極１
１６と信号線１０６との間、画素電極１１６と走査線１
０７との間を全て遮光するためのマトリクス状のクロム
［Ｃｒ］製の遮光膜２０３が設けられ、更に絶縁膜２０
４を介し、ＩＴＯからなる対向電極２０６及び、保護膜
２２０が配置されている。 そして上記の様な構成から
なる第１及び第２の電極基板１０１、２０１間には、高
分子分散型液晶からなる液晶層１５０が保持されてい
る。
【００２３】更に第１のガラス基板１０２のＴＦＴ１７
０が配置される基板面と相対する基板面には、反射防止
層であり、多層誘電体膜からなる反射防止膜１８０が成
膜されるガラスからなる透明板１８１が貼着剤（図示せ
ず）により貼り付けられている。尚、第１のガラス基板
１０２と、透明板１８１及び貼着剤による貼着層１８２
との屈折率差は、０．１以下とされている。
０が配置される基板面と相対する基板面には、反射防止
層であり、多層誘電体膜からなる反射防止膜１８０が成
膜されるガラスからなる透明板１８１が貼着剤（図示せ
ず）により貼り付けられている。尚、第１のガラス基板
１０２と、透明板１８１及び貼着剤による貼着層１８２
との屈折率差は、０．１以下とされている。
【００２４】又、第１のガラス基板１０２に貼り付ける
前に透明板１８１上には反射防止膜１８０が成膜されて
いるが、この反射防止膜１８０を有する透明板１８１
は、液晶セル組み立て前に第１のガラス基板１０２に貼
り付けても良いし、あるいは液晶セル組み立て後に、第
１のガラス基板１０２に貼り付けても良い。
前に透明板１８１上には反射防止膜１８０が成膜されて
いるが、この反射防止膜１８０を有する透明板１８１
は、液晶セル組み立て前に第１のガラス基板１０２に貼
り付けても良いし、あるいは液晶セル組み立て後に、第
１のガラス基板１０２に貼り付けても良い。
【００２５】この様に形成される液晶表示装置１０に
て、対向電極２０６を有する第２の電極基板２０１側よ
り第１の電極基板１０１側に光を照射し、所望の画像表
示を得る事となる。
て、対向電極２０６を有する第２の電極基板２０１側よ
り第１の電極基板１０１側に光を照射し、所望の画像表
示を得る事となる。
【００２６】この様に構成すれば、第１のガラス基板１
０２の光りの出射界面に、反射防止膜１８０を有する透
明板１８１を貼着層１８２を介し貼り付ける事により、
製造時、反射防止膜１８０及びＴＦＴ１７０の双方に互
いに悪影響を与える事無く、第１の電極基板１０１の出
射界面に反射防止膜１８０を設ける事ができる。
０２の光りの出射界面に、反射防止膜１８０を有する透
明板１８１を貼着層１８２を介し貼り付ける事により、
製造時、反射防止膜１８０及びＴＦＴ１７０の双方に互
いに悪影響を与える事無く、第１の電極基板１０１の出
射界面に反射防止膜１８０を設ける事ができる。
【００２７】これにより、第２の電極基板２０１側から
入射された光は、入射輝度ひいては出射輝度が高いにも
かかわらず、反射防止膜１８０により反射光を生じる事
無く第１の電極基板１０１側から出射される。しかも、
この界面に於ける第１のガラス基板１０２、貼着層１８
２、透明板１８２の屈折率差が非常に小さいので、液晶
層１５０を透過する間に変調された光は、貼着層１８２
を挾む界面を通過する際にも反射光を生じる惧れが無
い。
入射された光は、入射輝度ひいては出射輝度が高いにも
かかわらず、反射防止膜１８０により反射光を生じる事
無く第１の電極基板１０１側から出射される。しかも、
この界面に於ける第１のガラス基板１０２、貼着層１８
２、透明板１８２の屈折率差が非常に小さいので、液晶
層１５０を透過する間に変調された光は、貼着層１８２
を挾む界面を通過する際にも反射光を生じる惧れが無
い。
【００２８】従って、光出射界面で反射光を生じそれが
ＴＦＴ１７０の下から入射されるという事が無く、ＴＦ
Ｔ１７０にて光リーク電流を生じ無いので、従来に比し
クロストークやシェーディングが低減され、画像の高品
位化及びコントラスト比の向上を図る事が出来る。
ＴＦＴ１７０の下から入射されるという事が無く、ＴＦ
Ｔ１７０にて光リーク電流を生じ無いので、従来に比し
クロストークやシェーディングが低減され、画像の高品
位化及びコントラスト比の向上を図る事が出来る。
【００２９】そしてこの様な液晶表示装置１０により高
密度高精細なハイビジョンテレビ対応の１００インチ程
度の大画面を達成する投射型液晶表示装置の実現も可能
となる。
密度高精細なハイビジョンテレビ対応の１００インチ程
度の大画面を達成する投射型液晶表示装置の実現も可能
となる。
【００３０】次に、本発明の第２の実施例を図３及び図
４を参照して説明する。３１０は、非晶質シリコンＴＦ
Ｔを用いた投射型の駆動回路一体型の高分子分散型液晶
表示装置であり、図４に示す様に一対の電極基板４０
１、５０１間に保護膜４２０、５２０を介して高分子分
散型の液晶層４５０が保持されている。
４を参照して説明する。３１０は、非晶質シリコンＴＦ
Ｔを用いた投射型の駆動回路一体型の高分子分散型液晶
表示装置であり、図４に示す様に一対の電極基板４０
１、５０１間に保護膜４２０、５２０を介して高分子分
散型の液晶層４５０が保持されている。
【００３１】第１の電極基板４０１は、透明な第１のガ
ラス基板４０２上に、モリブデン［Ｍｏ］とアルミニウ
ム［Ａｌ］との積層膜からなる複数本の信号線４０６
と、モリブデン［Ｍｏ］−タングステン［Ｔａ］合金か
らなる複数本の走査線４０７とがマトリクス状に配置さ
れ、信号線４０６と、一部がゲート電極４０７Ｇとされ
る走査線４０７とによって囲まれる各領域にＩＴＯから
なる画素電極４１６が配置され、画素電極４１６と信号
線４０６及び走査線４０７はＴＦＴ４７０を介して接続
されている。
ラス基板４０２上に、モリブデン［Ｍｏ］とアルミニウ
ム［Ａｌ］との積層膜からなる複数本の信号線４０６
と、モリブデン［Ｍｏ］−タングステン［Ｔａ］合金か
らなる複数本の走査線４０７とがマトリクス状に配置さ
れ、信号線４０６と、一部がゲート電極４０７Ｇとされ
る走査線４０７とによって囲まれる各領域にＩＴＯから
なる画素電極４１６が配置され、画素電極４１６と信号
線４０６及び走査線４０７はＴＦＴ４７０を介して接続
されている。
【００３２】このＴＦＴ４７０にあっては、一部ゲート
電極の走査線４０７上に酸化シリコン［ＳｉＯ2 ］と窒
化シリコン［ＳｉＮ2 ］との積層膜からなる絶縁膜４０
４を介して非晶質シリコン［ａ−Ｓｉ］膜４０８が設け
られている。
電極の走査線４０７上に酸化シリコン［ＳｉＯ2 ］と窒
化シリコン［ＳｉＮ2 ］との積層膜からなる絶縁膜４０
４を介して非晶質シリコン［ａ−Ｓｉ］膜４０８が設け
られている。
【００３３】そして非晶質シリコン膜４０８と画素電極
４１６とは、ソース電極４１０により接続され、非晶質
シリコン膜４０８と信号線４０６とは、信号線４０６と
一体に形成されたドレイン電極４０６Ｄにより接続され
ている。更にソース電極４１０と非晶質シリコン膜４０
８、ドレイン電極４０６Ｄと非晶質シリコン膜４０８と
の間には、それぞれ良好なオ−ミックコンタクトを得る
ため、リン［Ｐ］が添加されたｎ+ 型の低抵抗半導体膜
４１１が配置されている。尚このＴＦＴ４７０のチャネ
ル長は、走査線４０７をマスクとした裏面露光によりパ
ターニングされたチャネル保護膜４１２により決定され
ている。
４１６とは、ソース電極４１０により接続され、非晶質
シリコン膜４０８と信号線４０６とは、信号線４０６と
一体に形成されたドレイン電極４０６Ｄにより接続され
ている。更にソース電極４１０と非晶質シリコン膜４０
８、ドレイン電極４０６Ｄと非晶質シリコン膜４０８と
の間には、それぞれ良好なオ−ミックコンタクトを得る
ため、リン［Ｐ］が添加されたｎ+ 型の低抵抗半導体膜
４１１が配置されている。尚このＴＦＴ４７０のチャネ
ル長は、走査線４０７をマスクとした裏面露光によりパ
ターニングされたチャネル保護膜４１２により決定され
ている。
【００３４】又第１の電極基板４０１上には、走査線４
０７と同一材料であり、走査線４０７とほぼ平行な補助
容量線４１３が配置され、この補助容量線４１３と画素
電極４１６との間で補助容量が形成されている。
０７と同一材料であり、走査線４０７とほぼ平行な補助
容量線４１３が配置され、この補助容量線４１３と画素
電極４１６との間で補助容量が形成されている。
【００３５】更にＴＦＴ４７０及び画素電極４１６上に
保護膜４２０が成膜され第１の電極基板４０１が形成さ
れている。
保護膜４２０が成膜され第１の電極基板４０１が形成さ
れている。
【００３６】一方、第２の電極基板５０１は、透明な第
２のガラス基板５０２上に、第１の電極基板４０１側の
ＴＦＴ４７０、信号線４０６、走査線４０７、画素電極
４１６と信号線４０６との間、画素電極４１６と走査線
４０７との間を全て遮光するためのマトリクス状のクロ
ム［Ｃｒ］製の遮光膜５０３が設けられ、更に絶縁膜５
０４を介し、ＩＴＯからなる対向電極５０６及び、保護
膜５２０が配置されている。
２のガラス基板５０２上に、第１の電極基板４０１側の
ＴＦＴ４７０、信号線４０６、走査線４０７、画素電極
４１６と信号線４０６との間、画素電極４１６と走査線
４０７との間を全て遮光するためのマトリクス状のクロ
ム［Ｃｒ］製の遮光膜５０３が設けられ、更に絶縁膜５
０４を介し、ＩＴＯからなる対向電極５０６及び、保護
膜５２０が配置されている。
【００３７】そして上記の様な構成からなる第１及び第
２の電極基板４０１、５０１間には高分子分散型液晶か
らなる液晶層４５０が注入されている。
２の電極基板４０１、５０１間には高分子分散型液晶か
らなる液晶層４５０が注入されている。
【００３８】更に第１のガラス基板４０２のＴＦＴ４７
０が配置される基板面と相対する基板面には、第１の実
施例と同様、反射防止層である多層誘電体膜からなる反
射防止膜４８０が成膜されるガラスからなる透明板４８
１が、貼着剤（図示せず）により貼り付けられている。
尚、第１のガラス基板４０２と、透明板４８１及び貼着
剤による貼着層４８２との屈折率差は、０．１以下とさ
れている。
０が配置される基板面と相対する基板面には、第１の実
施例と同様、反射防止層である多層誘電体膜からなる反
射防止膜４８０が成膜されるガラスからなる透明板４８
１が、貼着剤（図示せず）により貼り付けられている。
尚、第１のガラス基板４０２と、透明板４８１及び貼着
剤による貼着層４８２との屈折率差は、０．１以下とさ
れている。
【００３９】又製造時透明板４８１は、反射防止膜４８
０を製造した後に第１のガラス基板４０２に貼り付ける
が、これは液晶セル組み立て前でも、液晶セル組み立て
後でも良い。
０を製造した後に第１のガラス基板４０２に貼り付ける
が、これは液晶セル組み立て前でも、液晶セル組み立て
後でも良い。
【００４０】この様に形成される液晶表示装置３１０に
て、対向電極５０６を有する第２の電極基板５０１側よ
り第１の電極基板４０１側に光を照射し、所望の画像表
示を得る事となる。
て、対向電極５０６を有する第２の電極基板５０１側よ
り第１の電極基板４０１側に光を照射し、所望の画像表
示を得る事となる。
【００４１】この様に構成すれば、第１の実施例と同
様、第１のガラス基板４０２の光りの出射界面に反射防
止膜４８０を有する透明板４８１を貼着層４８２を介し
貼り付ける事により、製造時、反射防止膜４８０及びＴ
ＦＴ４７０の双方に互いに悪影響を及ぼす事無く、第１
の電極基板４０１の出射界面に反射防止膜４８０を設け
る事ができる。
様、第１のガラス基板４０２の光りの出射界面に反射防
止膜４８０を有する透明板４８１を貼着層４８２を介し
貼り付ける事により、製造時、反射防止膜４８０及びＴ
ＦＴ４７０の双方に互いに悪影響を及ぼす事無く、第１
の電極基板４０１の出射界面に反射防止膜４８０を設け
る事ができる。
【００４２】これにより、第２の電極基板５０１側から
入射された光は、入射輝度ひいては出射輝度が高いにも
かかわらず、反射防止膜４８０により反射光を生じる事
無く第１の電極基板４０１側より出射される。しかも、
この界面に於ける第１のガラス基板４０２、貼着層４８
２、透明板４８２の屈折率差が非常に小さいので、液晶
層４５０を透過する間に変調された光が貼着層４８２を
挾む界面を通過する際にも反射光を生じる惧れが無い。
入射された光は、入射輝度ひいては出射輝度が高いにも
かかわらず、反射防止膜４８０により反射光を生じる事
無く第１の電極基板４０１側より出射される。しかも、
この界面に於ける第１のガラス基板４０２、貼着層４８
２、透明板４８２の屈折率差が非常に小さいので、液晶
層４５０を透過する間に変調された光が貼着層４８２を
挾む界面を通過する際にも反射光を生じる惧れが無い。
【００４３】従って、光出射界面での反射光がＴＦＴ４
７０下側より入射される事が無く、ＴＦＴ４７０にて光
リーク電流を生じ無いので、従来に比しクロストークや
シューディングが低減され、画像の高精細化及びコント
ラスト比の向上を図る事が出来る。 尚本発明は上記実
施例に限られるものでなく、その趣旨を変えない範囲で
の変更は可能であって、例えば透明板の材質等任意であ
り、電極基板を構成する材質のものと屈折率が同程度で
あれば、透光性のプラスチック等を用いる等しても良
い。
７０下側より入射される事が無く、ＴＦＴ４７０にて光
リーク電流を生じ無いので、従来に比しクロストークや
シューディングが低減され、画像の高精細化及びコント
ラスト比の向上を図る事が出来る。 尚本発明は上記実
施例に限られるものでなく、その趣旨を変えない範囲で
の変更は可能であって、例えば透明板の材質等任意であ
り、電極基板を構成する材質のものと屈折率が同程度で
あれば、透光性のプラスチック等を用いる等しても良
い。
【００４４】又反射防止層の材質も、透光性を有し、反
射防止機能を有するものであれば限定されない。
射防止機能を有するものであれば限定されない。
【００４５】更に液晶もＳＴＮ型等であっても良いし、
ＴＦＴの半導体材料も単結晶シリコンを用いる等しても
良い。尚液晶セルの構造も任意であり、ＴＦＴ上方から
の光入射を防止するための遮光膜を、第１の電極基板側
に設ける等しても良い。
ＴＦＴの半導体材料も単結晶シリコンを用いる等しても
良い。尚液晶セルの構造も任意であり、ＴＦＴ上方から
の光入射を防止するための遮光膜を、第１の電極基板側
に設ける等しても良い。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｔ
ＦＴを用いた液晶表示装置において、ＴＦＴを支持し、
光出射界面となる第１の電極基板に、反射防止層を有す
る透明板を取着することにより、従来製造工程時に、反
射防止膜及び液晶表示装置双方に及ぼしていた悪影響を
回避出来、又、画像表示時、第１の電極基板の光出射界
面にて反射光が発生されるのを防止出来る。
ＦＴを用いた液晶表示装置において、ＴＦＴを支持し、
光出射界面となる第１の電極基板に、反射防止層を有す
る透明板を取着することにより、従来製造工程時に、反
射防止膜及び液晶表示装置双方に及ぼしていた悪影響を
回避出来、又、画像表示時、第１の電極基板の光出射界
面にて反射光が発生されるのを防止出来る。
【００４７】従って、画像表示時、ＴＦＴの下側より反
射光が入射される事がなく、光リーク電流が発生され無
いので、光リーク電流によるクロストークやシェーディ
ングを生じず、高精細でコントラスト比の良い良質の画
像表示を得ることが出来る。
射光が入射される事がなく、光リーク電流が発生され無
いので、光リーク電流によるクロストークやシェーディ
ングを生じず、高精細でコントラスト比の良い良質の画
像表示を得ることが出来る。
【図１】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の第１の
電極基板を示す概略平面図である。
電極基板を示す概略平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の図１に
おけるＡ−Ａ´線に沿って切断された概略断面図であ
る。
おけるＡ−Ａ´線に沿って切断された概略断面図であ
る。
【図３】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の第１の
電極基板を示す概略平面図である。
電極基板を示す概略平面図である。
【図４】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の図３に
おけるＢ−Ｂ´線に沿って切断された概略断面図であ
る。
おけるＢ−Ｂ´線に沿って切断された概略断面図であ
る。
１０…液晶表示装置 １０１…第１の電極基板 １５０…液晶層 １７０…ＴＦＴ １８０…反射防止膜 １８１…透明板 ２０１…第２の電極基板
Claims (2)
- 【請求項１】 二次元マトリクス状に形成される画素電
極及びこの画素電極毎に設けられる薄膜トランジスタを
有する第１の電極基板と、対向電極を有する第２の電極
基板と、前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板の
間に封入される液晶とを具備する液晶表示装置におい
て、前記第１の電極基板の光の出射界面に取着される透
明板と、この透明板の光出射界面に形成される反射防止
層とを具備する事を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 透明板が、透光性のプラスチック樹脂又
は透光性のガラスからなる事を特徴とする請求項１に記
載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12163194A JP3288855B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12163194A JP3288855B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07333646A true JPH07333646A (ja) | 1995-12-22 |
| JP3288855B2 JP3288855B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=14816049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12163194A Expired - Fee Related JP3288855B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3288855B2 (ja) |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP12163194A patent/JP3288855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3288855B2 (ja) | 2002-06-04 |
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