JPH07306400A - 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】ＴＦＴを用いる液晶表示装置において、低価格
でありながら、少なくとも光出射界面からの反射光によ
る光リーク電流の発生を防止する事により、コントラス
ト比の低下を防止し、画質向上を図る。 【構成】液晶表示装置１０の光入射界面及び光出射界面
をフッソ系樹脂であるサイトップを溶解させた溶剤２０
で被膜した、反射防止膜であるサイトップ膜を設ける。
これにより各界面での反射光を防止し、ＴＦＴへの下側
からの光入射を防止し、光リーク電流の発生を防止し、
画質を向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（以
下ＴＦＴと略称する。）等のスイッチ素子を供えた液晶
表示装置に掛かり、特に界面において光の反射防止が成
される液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、高機能、高精細を得るため、ＴＦ
Ｔを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の実用
化が図られている。

【０００３】これ等液晶表示装置の内、特に、ハイビジ
ョンテレビ対応の１００インチ程度の大画面を達成する
投射型液晶表示装置にあっては、電子移動度がより高
く、画素サイズを縮小するために素子の小型化が可能で
あり、光感度が低く、更には駆動回路をモノリシック形
成出来るという点から非晶質シリコンＴＦＴに代わり多
結晶シリコンＴＦＴを用いた装置の開発も進められてい
る。

【０００４】しかしながら、非晶質シリコンＴＦＴにあ
っては、、光を透過させないゲート電極が最下部に形成
されており、下側からの光に対して光感度が低く、光リ
ーク電流の発生が、上から光入射した場合の１／１０程
度と少ないものの、多結晶シリコンＴＦＴは通常、ゲー
ト電極が上置のコプラナー型であるためにＴＦＴの下側
からの入射光に対する光感度が高く、下側からの反射光
が有ると、その反射光により、上から光入射した場合の
２倍程度の光リーク電流を発生してしまい、クロストー
クやシェーディングの発生が増大され、コントラスト比
が低下され、画質に悪影響を及ぼすという問題を有して
た。

【０００５】そしてこの様な光リーク電流は、ＴＮ型液
晶を用いた液晶表示装置において、非晶質シリコンＴＦ
Ｔあるいは多結晶シリコンＴＦＴを用いても生じるもの
の、特に、偏光板が不要な光散乱型の液晶である高分子
分散型液晶を用いた液晶表示装置において顕著とされ
る。これは、多結晶シリコンＴＦＴを用いると、ＴＮ型
液晶にて非晶質シリコンＴＦＴを用いた液晶表示装置の
場合に比し、入射偏光板（透過率約４０％）での光吸収
による輝度の低下がないために、液晶表示装置に入射す
る光が強くなり、光出射界面での反射光強度も増大し、
この結果、光リーク電流が増大されることから生じるも
のであり、、コントラストの低下、クロストーク、シェ
ーディング等が増大され、画質が著しく劣化されるとい
う問題を有していた このため特開平４−５２６２３号公報には、出射界面に
反射防止膜を形成し、能動素子への反射光の入射を防止
する旨が開示されている。

【０００６】しかしながら通常反射防止膜は多層誘電体
膜で構成されているため、能動素子を形成した面の反対
側にあたる基板面の一側に、反射防止膜としての多層誘
電体膜を成膜しなければならず、その製造工程にて以下
の様な問題を有していた。

【０００７】即ち、液晶表示装置の形成時、ＴＦＴ形成
以前に基板の一側に反射防止膜を形成してしまうと、こ
の反射防止膜形成面が液晶表示装置の形成工程中におけ
る基板の裏面にあたり、ＴＦＴ形成工程中のプロセス温
度や各種基板の固定プロセス等により、反射防止膜が著
しく悪影響を受け、その特性が劣化されてしまってい
た。

【０００８】一方、逆にＴＦＴ形成後に反射防止膜を形
成しようとすると、多層誘電体膜は、一般に高温で形成
しなければならない事から、その裏面となるＴＦＴが高
温による悪影響を受け易く、ＴＦＴに影響を及さない範
囲での反射防止膜の製造が難くなるという問題を有して
いた。これは、液晶セルを形成後に、反射防止膜を形成
する場合でも同様であり、ＴＦＴに悪影響を生じてしま
っていた。

【０００９】更に反射防止膜として多層誘電体膜自身
が、製造に時間が掛かりひいては、その成膜のためのコ
ストが高くなることから、液晶表示装置の高額化を引き
起こすという問題も生じてた。

【００１０】しかも、この反射防止膜は、本来、光出射
界面のみで無く、光入射時の入射界面における反射ロス
を防止するために、光入射界面にも設けた方がより有効
とされるものの、従来の、液晶表示装置にあっては、多
層誘電体膜の製造コストが高い事又製造が難しい等か
ら、光入射界面に迄は一般に成膜される事がなかった。
しかしながら液晶表示装置の内、透過型の液晶表示装置
にあっては、能動素子裏面の光出射界面に反射防止膜を
形成し光リークを防止する必要が有ると共に、能動素子
と対向する側の光入射界面が光出射界面ともなる事か
ら、光入射界面においては、光入射時及び光出射時の両
方の反射ロスを防止し、反射ロスによる透過率の低減を
防止するため、光出射界面と共に光入射界面にも反射防
止膜を形成する必要を生じている。

【００１１】そしてこの様に複数の反射防止膜を必要と
するものにあっては、特に反射防止膜の製造コストの低
減及び製造工程の簡素化が望まれていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴを用いた液晶表
示装置のＴＦＴ裏面からの光入射により生じる光リーク
電流を防止するため、従来は、主としてＴＦＴ支持基板
の裏面に、多層誘電体膜からなる反射防止膜を成膜して
いた。

【００１３】しかしながら、反射防止膜として多層誘電
体膜を用いた場合、既にＴＦＴが製造されていると、そ
の成膜工程において、ＴＦＴの温度上昇を生じ、その特
性に悪影響を与える一方、先に反射防止膜を成膜してし
まっていると、ＴＦＴ製造工程において、多層誘電体膜
を加熱してしまい、その特性に悪影響を与える等、製造
上の困難を有すると共に、多層誘電体膜を成膜するコス
トが高い事から、液晶表示装置の高価格化を招くという
問題を生じていた。

【００１４】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、製造が容易で且つ、低コストでありながら、ＴＦＴ
の裏側からの光入射を確実に防止することにより、光リ
ーク電流を生じる事なく、クロストークやシェーディン
グが無くコントラスト比の高い良質の画像を得る事がで
きる液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法を提供す
る事を目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１の液晶表示装置
は、二次元マトリクス状に形成される画素電極及びこの
画素電極毎に設けられるスイッチ素子を有する第１の電
極基板と、対向電極を有する第２の電極基板と、前記第
１の電極基板及び前記第２の電極基板の間に封入される
液晶とを具備する液晶表示装置において、光の出射界面
となる前記第１の電極基板側界面あるいは前記第２の電
極基板側界面の少なくともいずれか一方に透明な有機薄
膜からなる反射防止膜とを備えた事を特徴としている。

【００１６】請求項２に記載される発明は、請求項１記
載の液晶表示装置において、前記反射防止膜がフッ素系
樹脂からなる事を特徴としている。

【００１７】請求項３に記載される発明は、請求項１記
載の液晶表示装置において、前記反射防止膜が屈折率
１．３〜１．４のフッ素系樹脂からなる事を特徴として
いる。請求項４に記載される発明の製造方法は、二次元
マトリクス状に形成される画素電極及びこの画素電極毎
に設けられるスイッチ素子を有する液晶表示装置の製造
方法において、前記液晶表示装置の界面透明な有機薄膜
を塗布する工程を備えた事を特徴としている。

【００１８】又請求項５に記載される発明の製造方法
は、二次元マトリクス状に形成される画素電極及びこの
画素電極毎に設けられるスイッチ素子を有する液晶表示
装置の製造方法において、前記液晶表示装置の界面を、
透明な有機溶剤に漬ける事により前記液晶表示装置の界
面に透明な有機薄膜を塗布する工程を備えた事を特徴と
している。

【００１９】

【作用】本発明によれば、液晶表示装置の界面に有機薄
膜からなる反射防止膜を形成する事により、低コスト且
つ製造容易でありながら、界面での反射光の発生を防止
し、ＴＦＴの下側からの光入射を防止する事により、光
リーク電流の発生を確実に防止し、クロストークやシェ
ーディングが無くコントラストの良い良質の画像を得る
ものである。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１乃至図３
を参照して説明する。１０は、投射型ハイビジョンテレ
ビに用いられる多結晶シリコンＴＦＴを用いた駆動回路
一体型の高分子分散型液晶表示装置であり、図２に示す
様に一対の電極基板１０１、２０１間に保護膜１２０、
２２０を介して高分子分散型の液晶層１５０が保持され
ている。

【００２１】第１の電極基板１０１は、透明な石英基板
１０２上に、複数本の信号線１０６と走査線１０７とが
マトリクス状に配置され、各交点部分にＴＦＴ１７０が
配置されている。

【００２２】このＴＦＴ１７０にあっては、石英基板１
０２上にチャネル領域１０８Ｃ、ソース領域１０８Ｓ、
ドレイン領域１０８Ｄ、ソース領域１０８Ｓに比べて不
純物イオン濃度の低い第１電界緩和領域１０８ＳＳ、第
２電界緩和領域１０８ＤＤからなる多結晶シリコン膜１
０８が設けられている。

【００２３】そしてチャネル領域１０８Ｃ上には、第１
絶縁膜１１０を介して後述する走査線１０７と一対のゲ
ート電極１０７Ｇが配置され、多結晶シリコン膜１０８
上には、第１絶縁膜１１０を介してゲート電極１０７Ｇ
と同一工程で形成された画素電位保持容量線１１１が設
けられ、多結晶シリコン膜１０８と画素電位保持容量線
１１１との間で画素電位保持容量が形成されている。

【００２４】更にこの上に第２絶縁膜１１２が配置さ
れ、第１のコンタクトホール１１３を介してドレイン領
域１０８Ｄと信号線１０６とが接続され、又第２のコン
タクトホール１１４を介してＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ（以下ＩＴＯと省略する。）からなる画素電極
１１６とソース領域１０８Ｓとが接続されている。

【００２５】そしてこの上に、保護膜１２０を成膜し、
第１の電極基板１０１を得る。

【００２６】尚本実施例における第１の電極基板１０１
は、図１に示す様に２本の走査線１０７が１組として近
接配置され、走査線１０７を介する事無く、信号線１０
６に沿って隣り合う画素電極１１６に共通な画素電位保
持容量線１１１が設けられている。これにより、画素電
位保持容量線１１１数を低減出来、又ＴＦＴ１７０と信
号線１０６との第１のコンタクトホール１１３が、近接
配置されたＴＦＴ１７０に関しては共通化されているた
め、コンタクトホール１１３の数も低減出来、液晶表示
装置１０の開口率は高く保持されている。

【００２７】一方、第２の電極基板２０１は、透明な石
英基板２０２上に第１の電極基板１０１側のＴＦＴ１７
０、信号線１０６、走査線１０７、画素電極１１６と信
号線１０６との間、画素電極１１６と走査線１０７との
間を全て遮光するためのマトリクス状のクロム［Ｃｒ］
製の遮光膜２０３、更にはカラーフィルタ層２０４が配
置されている。

【００２８】又カラーフィルタ層２０４上には、ＩＴＯ
からなる対向電極２０７、更に保護膜２２０が配置され
ている。

【００２９】そしてこの様に形成された第１及び第２の
電極基板１０１、２０１を常法に従って対向して組み立
て、セル化し、両電極基板１０１、２０１間に高分子分
散型液晶からなる液晶層１５０を注入し、次いで封止
し、更に駆動回路２３１を有するプリント基板２３２上
に実装し、液晶表示装置１０をモジュール形成する。

【００３０】この後、フッ素系溶媒に、有機薄膜を形成
する透明フッソ系樹脂であるサイトップ（旭硝子（株）
登録商標）を２ｗｔ％溶解させた溶剤２０で満たされた
成膜容器２１中に、モジュール化された液晶表示装置１
０を浸し、次いで引き上げ、約８０℃の温度にて、溶媒
を乾燥除去し、液晶表示装置１０両面に有機薄膜である
約１０００オングストローム厚のサイトップ（旭硝子
（株）登録商標）膜２４０を反射防止膜として形成し、
光リーク電流防止措置を施した液晶表示装置１０を完成
する。

【００３１】このサイトップ膜２４０は、屈折率１．３
４であり、成膜が容易、アモルファス状であるため光学
特性、機械的特性に優れ、反射率０．５〜１％、絶縁性
に優れ、吸水性が低いという特性を有し、反射防止と共
に保護膜としても良好に作用するものである。

【００３２】尚この様にしてサイトップ膜２４０を設け
た液晶表示装置１０の界面反射率を測定したところ、反
射防止膜を有しない従来の液晶表示装置の界面反射率が
約４．３％であったのに比し、約０．７〜０．９％に低
減でき、コントラスト比１００：１を得られた。

【００３３】この様に構成すれば、反射防止膜として多
層誘電体膜を成膜する従来の液晶表示装置に比し、セル
化された液晶表示装置１０を、サイトップを溶解させた
溶剤２０中に浸した後に乾燥させるのみで、液晶表示装
置１０の光入射界面及び光出射界面の両面に反射防止膜
としてのサイトップ膜２４０を極めて容易に形成出来、
反射防止膜の生産性を著しく向上出来、更にはコストも
著しく低減出来る。

【００３４】従って、液晶表示装置１０の界面に必要に
応じて反射防止膜を極めて容易に形成出来、偏光板を必
要としない事から入射輝度ひいては出射輝度が高い高分
子分散型液晶表示装置にあっても、光入射界面及び光出
射界面のいずれにおいても反射光をほぼ生じる事が無
く、多結晶シリコンＴＦＴの光リーク電流を容易且つ確
実に防止出来、クロストークやシューディングが無く、
コントラスト比の良い良質の画像を得る事が出来る。

【００３５】次に、本発明の第２の実施例を図４及び図
５を参照して説明する。３１０は、非晶質シリコンＴＦ
Ｔを用いた投射型の高分子分散型液晶表示装置であり、
図５に示す様に一対の電極基板４０１、５０１間に保護
膜４２０、５２０を介して高分子分散型の液晶層４５０
が保持されている。

【００３６】第１の電極基板４０１は、透明な石英基板
４０２上に、モリブデン［Ｍｏ］とアルミニウム［Ａ
ｌ］との積層膜からなる複数本の信号線４０６と、モリ
ブデン［Ｍｏ］−タングステン［Ｔａ］合金からなる複
数本の走査線４０７とがマトリクス状に配置され、信号
線４０６と一部がゲート電極４０７Ｇとされる走査線４
０７とによって囲まれる各領域にＩＴＯからなる画素電
極４１６が配置され、画素電極４１６と信号線４０６及
び走査線４０７はＴＦＴ４７０を介して接続されてい
る。 このＴＦＴ４７０にあっては、一部ゲート電極の
走査線４０７上に酸化シリコン［ＳｉＯ₂ ］と窒化シリ
コン［ＳｉＮ₂ ］との積層膜からなる絶縁膜４０４を介
して非晶質シリコン［ａ−Ｓｉ］膜４０８が設けられて
いる。

【００３７】そして非晶質シリコン膜４０８と画素電極
４１６とは、ソース電極４１０により接続され、非晶質
シリコン膜４０８と信号線４０６とは、信号線４０６と
一体に形成されたドレイン電極４０６Ｄにより接続され
ている。更にソース電極４１０と非晶質シリコン膜４０
８、ドレイン電極４０６Ｄと非晶質シリコン膜４０８と
の間には、それぞれ良好なオ−ミックコンタクトを得る
ため、リン［Ｐ］が添加されたｎ+ 型の低抵抗半導体膜
４１１が配置されている。尚このＴＦＴ４７０のチャネ
ル長は、走査線４０７をマスクとした裏面露光によりパ
ターニングされたチャネル保護膜４１２により決定され
ている。

【００３８】又第１の電極基板４０１上には、走査線４
０７と同一材料であり、走査線４０７とほぼ平行な補助
容量線４１３が配置され、この補助容量線４１３と画素
電極４１６との間で補助容量が形成されている。

【００３９】そして最後にＴＦＴ４７０及び画素電極４
１６上に保護膜４２０を成膜し、第１の電極基板４０１
を得る。

【００４０】一方、第２の電極基板５０１は、透明な石
英基板５０２上に、第１の電極基板４０１側のＴＦＴ４
７０、信号線４０６、走査線４０７、画素電極４１６と
信号線４０６との間、画素電極４１６と走査線４０７と
の間を全て遮光するためのマトリクス状のクロム［Ｃ
ｒ］製の遮光膜５０３、更にはカラーフィルタ層５０４
が配置されている。

【００４１】又カラーフィルタ層５０４上には、ＩＴＯ
からなる対向電極５０７、更に保護膜５２０が配置され
ている。

【００４２】そしてこの様にして第１の基電極板４０１
及び第２の電極基板５０１を形成した後、第１の実施例
と同様にして、常法に従って、両電極基板４０１、５０
１をセル化し、両電極基板４０１、５０１間に高分子分
散型液晶からなる液晶層４５０を注入し、次いで封止
し、更に駆動回路を有するプリント基板（図示せず）上
に実装し、液晶表示装置３１０をモジュール形成する。

【００４３】この後、第１の実施例と同様に、溶剤２０
で満たされた成膜容器２１中にモジュール化された液晶
表示装置３１０を浸し、引き上げた後、乾燥させ、液晶
表示装置３１０両面に有機薄膜である約１０００オング
ストローム厚のサイトップ膜５４０を反射防止膜として
成膜し、光リーク電流防止措置を施した液晶表示装置３
１０を完成する。

【００４４】尚この様にしてサイトップ膜５４０を設け
た透過型の液晶表示装置３１０の光出射界面での反射に
よるＴＦＴ４７０への下部からの光入射は、従来に比し
１／６に低減する事が出来、これにより、入射光量に比
例する光リーク電流も、従来に比し、１／６に低減出来
た。

【００４５】この様に構成すれば、第１の実施例と同
様、セル化された液晶表示装置３１０を、サイトップを
溶解させた溶剤２０中に浸した後に乾燥させるのみで、
液晶表示装置３１０の光入射界面及び光出射界面の両面
に反射防止膜としてのサイトップ膜５４０を極めて容易
に形成出来、反射防止膜の生産性を著しく向上出来、更
には反射防止膜の製造コストも著しく低減出来る。

【００４６】従って液晶表示装置３１０の界面に、必要
に応じて反射防止膜を極めて容易に形成出来、光入射界
面及び光出射界面のいずれにおいても反射光を生じる事
がほとんど無く、ＴＦＴ４７０の光リーク電流を容易且
つ確実に防止出来、クロストークやシューディングが無
く、コントラスト比の良い良質の画像を得る事が出来
る。

【００４７】尚本発明は上記実施例に限られるものでな
く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であって、
例えば液晶表示装置は透過型では無く反射型であっても
良いし、又液晶表示装置に用いる液晶は高分子分散型液
晶でなく、ねじれネマティク型（以下ＴＮ型と略称す
る。）液晶等であっても良い。但し特に、偏光板が液晶
セルから離間されている場合は、液晶セルのみでなく、
偏光板の入射界面及び出射界面等多数の界面で光が反射
され光リーク電流が問題となるが、各界面に本発明の反
射防止膜を形成する事により、ＴＮ型液晶表示装置にお
いても光リーク及びシェーディング等を低減出来、良質
の画像を得る事が出来る。

【００４８】又液晶表示装置の界面に透明有機薄膜を成
膜するタイミングも、限定されず、液晶セル形成後であ
ってプリント基板に組み込む前、あるいは各基板形成後
であってセル化する前等であっても良い。又有機薄膜の
形成方法も有機溶剤中に液晶セル等を浸すディップ法の
みで無く、スピンコート法等により反射防止膜を形成し
ても良い。更に高分子分散型液晶の場合には、液晶層と
各電極基板との界面での反射ロスを防止するため、各電
極基板の両面に有機薄膜を形成しても良い。但しこの様
にした場合は、電極基板を張り合わせ液晶セルを形成す
る際に、電極基板内面のシール接着部の有機薄膜をドラ
イエッチング等で除去する等の工程も必要となる。

【００４９】又反射防止膜としての有機薄膜の厚さや構
造及び材質等も任意であり、特にモジュール化した液晶
表示装置のプリント基板上に保護膜として利用する場合
には、膜厚をより厚くしたほうが良いし、後工程として
保護膜上に更に、シリコン系の保護層を重ねて形成して
も良い。更に有機薄膜の密着強度を上げる目的で基板表
面にシランカップリング剤処理等を行っても良い。

【００５０】一方実施例にあっては液晶表示装置の光入
射界面及び光出射界面の両面に反射防止膜を形成してい
るが、少なくとも光出射界面に反射防止膜が形成されて
いれば、ＴＦＴに特に悪影響を与える光出射界面におけ
る反射光を防止出来る。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、液
晶表示装置の界面に、反射防止膜として、製造容易且つ
製造コストの安い有機薄膜を用いる事により、少なくと
も液晶表示装置の光出射界面にて、反射光を生じる事が
なく、ＴＦＴの下側からの光入射を完全に防止出来、光
リーク電流を生じる事が無い事から、クロストークやシ
ェーディングが無く、且つコントラスト比の良い良質の
画像を得られる液晶表示装置を低コストで容易に提供す
る事が出来る。従って、この様な液晶表示装置を、高密
度高精細且つ高機能が要求される投射型のハイビジョン
テレビに適用しても良好な画像を得られる事から、高密
度且つ高精細な投射型液晶表示装置の実用化が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の第１の
電極基板を示す概略平面図である。

【図２】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の図１に
おけるＡ−Ａ´線に沿って切断された概略断面図であ
る。

【図３】本発明の第１の実施例において、液晶モジュー
ルを成膜容器に漬ける状態を示す概略斜視図である

【図４】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の第１の
電極基板を示す概略平面図である。

【図５】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の図４に
おけるＢ−Ｂ´線に沿って切断された概略断面図であ
る。

【符号の説明】

１０…液晶表示装置 ２０…溶剤 ２１…成膜容器 １０１…第１の電極基板 １５０…液晶層 １７０…ＴＦＴ ２０１…第２の電極基板 ２４０…サイトップ膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 二次元マトリクス状に形成される画素電
   極及びこの画素電極毎に設けられるスイッチ素子を有す
   る第１の電極基板と、対向電極を有する第２の電極基板
   と、前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板の間に
   封入される液晶とを具備する液晶表示装置において、光
   の出射界面となる前記第１の電極基板側界面あるいは前
   記第２の電極基板側界面の少なくともいずれか一方に透
   明な有機薄膜からなる反射防止膜を具備する事を特徴と
   する液晶表示装置。
2. 【請求項２】 反射防止膜がフッ素系樹脂からなる事を
   特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 反射防止膜が屈折率１．３〜１．４のフ
   ッ素系樹脂からなる事を特徴とする請求項１に記載の液
   晶表示装置。
4. 【請求項４】 二次元マトリクス状に形成される画素電
   極及びこの画素電極毎に設けられるスイッチ素子を有す
   る液晶表示装置の製造方法において、 少なくとも前記液晶表示装置の光の出射界面に透明な有
   機薄膜を塗布する工程を具備する事を特徴とする液晶表
   示装置の製造方法。
5. 【請求項５】 二次元マトリクス状に形成される画素電
   極及びこの画素電極毎に設けられるスイッチ素子を有す
   る液晶表示装置の製造方法において、 少なくとも前記液晶表示装置の光の出射界面を、透明な
   有機溶剤に漬ける事により前記液晶表示装置の界面に透
   明な有機薄膜を塗布する工程を具備する事を特徴とする
   液晶表示装置の製造方法。